JPS60216597A - 炭酸ガスレ−ザ−装置 - Google Patents
炭酸ガスレ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS60216597A JPS60216597A JP59074265A JP7426584A JPS60216597A JP S60216597 A JPS60216597 A JP S60216597A JP 59074265 A JP59074265 A JP 59074265A JP 7426584 A JP7426584 A JP 7426584A JP S60216597 A JPS60216597 A JP S60216597A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaseous substance
- laser beam
- carbon dioxide
- laser beams
- laser
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
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- Optics & Photonics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、大出力レーザー装置等から発生するレーデ
−ビームによる損ａｔ−防止するようにしたレーザー装
置に閃するものである。
−ビームによる損ａｔ−防止するようにしたレーザー装
置に閃するものである。
炭酸ガスレーザーは変換効率が高く畝順から数十ＫＷの
大出力が得られるためｇＪｆｔ１藩償、熱処理、大明け
などの加工機として使用されている・炭酸ガスレーデ−
装置から照射されるレーザービームは、極めてエネルギ
ー装置が高いため、仮処理物から反射されたレーザービ
ームが近傍の作業者等に照射されると作業者の材体例え
ば眼を損傷するという危険があった。このため従来、炭
酸ガスレーザー装置においては、仮処理物からずれたビ
ームが照射される位置にレーデ−ビーム反射防止体を設
け７ｃり、被処理物等で反射されたビームを受ける場所
にａ川なプラスチック板ｔ−設置して、ビームエネルギ
ーを吸収する方法などが採られている。しかし例えばプ
ラスチック板によって、ビームエネルギー′ｔ−防防御
する場合には、損傷ｔ”受けたプラスチック板七度々収
替える必要がゐり、保守か不便でめった。
大出力が得られるためｇＪｆｔ１藩償、熱処理、大明け
などの加工機として使用されている・炭酸ガスレーデ−
装置から照射されるレーザービームは、極めてエネルギ
ー装置が高いため、仮処理物から反射されたレーザービ
ームが近傍の作業者等に照射されると作業者の材体例え
ば眼を損傷するという危険があった。このため従来、炭
酸ガスレーザー装置においては、仮処理物からずれたビ
ームが照射される位置にレーデ−ビーム反射防止体を設
け７ｃり、被処理物等で反射されたビームを受ける場所
にａ川なプラスチック板ｔ−設置して、ビームエネルギ
ーを吸収する方法などが採られている。しかし例えばプ
ラスチック板によって、ビームエネルギー′ｔ−防防御
する場合には、損傷ｔ”受けたプラスチック板七度々収
替える必要がゐり、保守か不便でめった。
この発明は、レーザービームのノズルヘッドとレーデ−
ビームの照射あるいは反射によって損傷ｔ−受けてはな
らない物体との間にレーザービームエネルギーｔａ収す
るガス状物質を含有するガス空間を設けることによって
レーザービームによる損傷を防止することを目的とする
ものである。
ビームの照射あるいは反射によって損傷ｔ−受けてはな
らない物体との間にレーザービームエネルギーｔａ収す
るガス状物質を含有するガス空間を設けることによって
レーザービームによる損傷を防止することを目的とする
ものである。
〔＠男の＊ｍＮｊ：１
以下、この発明ｔ−実施例にもとずいて説明する。
炭酸ガスレーデービームエネルギーの吸収体として、無
毒、無臭のサルファーヘキサフルオライドを用い％ ２
ｍ幅のガス空間にサルファーヘキサフルオライドの濃度
が５０ｐｐｍ になるよう調節し、ビームの透過率を測
定したところ、約ｇ％で６りた・これは９８％のビーム
エネルギーが、ガス空間中において吸収されたことを示
している。サルファーヘキサフルオライドは、第１図に
示すようにｉｏ、ａμｍの赤外部に吸収特性を倚してい
るため、同じ波長を何する炭酸ガスレーザビームのエネ
ルギーをよく吸収するのである。第２図は、ガス空間ｔ
−２ｍとした場合のサルファーヘキサフルオライドの（
ａＫとレーザービームの透過率の関係を示したものでカ
ス空間距＊ｓｍの場合、 ０．１ ｐｐｍのガス濃度で
はレーザービームｔＳへいする効果がないが、１ｌ）ｐ
ｆｆＬ以上のガス一度の場合、レーデ−ビームを遮へい
する効果があられれる。ガス空聞距ｔｉｌｌ！に更に広
けることができれば更に低＃度のガスで同様の効果が得
られるはずである。
毒、無臭のサルファーヘキサフルオライドを用い％ ２
ｍ幅のガス空間にサルファーヘキサフルオライドの濃度
が５０ｐｐｍ になるよう調節し、ビームの透過率を測
定したところ、約ｇ％で６りた・これは９８％のビーム
エネルギーが、ガス空間中において吸収されたことを示
している。サルファーヘキサフルオライドは、第１図に
示すようにｉｏ、ａμｍの赤外部に吸収特性を倚してい
るため、同じ波長を何する炭酸ガスレーザビームのエネ
ルギーをよく吸収するのである。第２図は、ガス空間ｔ
−２ｍとした場合のサルファーヘキサフルオライドの（
ａＫとレーザービームの透過率の関係を示したものでカ
ス空間距＊ｓｍの場合、 ０．１ ｐｐｍのガス濃度で
はレーザービームｔＳへいする効果がないが、１ｌ）ｐ
ｆｆＬ以上のガス一度の場合、レーデ−ビームを遮へい
する効果があられれる。ガス空聞距ｔｉｌｌ！に更に広
けることができれば更に低＃度のガスで同様の効果が得
られるはずである。
にで、サルファーへキサツルオライドのガスを収容する
容器の材質としてＦｉ、レーザーの透過率が非常に尚い
ものとして一般に刈られているジンクセレナイド（Ｚｎ
２りゃマーキュリーカドミクムテルライド（ＨｒＣａＴ
ｅ）などｔ使用する◎向、サルファーヘキ′ｙ′フルオ
ライドと同様に炭酸ガスレーザーの波長である１０．６
μｍに大きな吸収特性を何するガス状物質である。キナ
ゾ９ ン（０，Ｈ，Ｎ、） 、 ！−りａｏキノリン（
ＣｓＨ＠ＧＩＮ）。
容器の材質としてＦｉ、レーザーの透過率が非常に尚い
ものとして一般に刈られているジンクセレナイド（Ｚｎ
２りゃマーキュリーカドミクムテルライド（ＨｒＣａＴ
ｅ）などｔ使用する◎向、サルファーヘキ′ｙ′フルオ
ライドと同様に炭酸ガスレーザーの波長である１０．６
μｍに大きな吸収特性を何するガス状物質である。キナ
ゾ９ ン（０，Ｈ，Ｎ、） 、 ！−りａｏキノリン（
ＣｓＨ＠ＧＩＮ）。
フェノ中ジアセチルクロライド（Ｃ＠ＨＩＯＩ ｏｓ）
ｔ７ｚ＝ｔｖ’−＋−ピリシルクドア （ＣｕＨ＊Ｍ
Ｏ） Ｈ２，４ジニトロ−１−１，８，５１−リクロロ
ベンゼン（Ｃ・ＨａｚｓＮｓＯａ） ｔビニルブロマイ
ド（０３１１ｍＢｒ ） 、 ２ 。
ｔ７ｚ＝ｔｖ’−＋−ピリシルクドア （ＣｕＨ＊Ｍ
Ｏ） Ｈ２，４ジニトロ−１−１，８，５１−リクロロ
ベンゼン（Ｃ・ＨａｚｓＮｓＯａ） ｔビニルブロマイ
ド（０３１１ｍＢｒ ） 、 ２ 。
８ｗ ５＋ ６ Ｆ ）ラメチルベンゾフェノン（Ｃｔ
ｓＨｓ’ＪＯ）、１ｏ−クロロ′−９−アンスルアルデ
ヒド（ＣａｍＨ＊０１０ ） 、 ピリジンカルボン酸
ヒト２ジン（Ｃ５ｆｂＮ４０） 、 ８−メチレン−２
−ノルボルナノン（ＣａＨ＊ｏＯ） 、 ６−イツプロ
ピルクレゾールＨ１４０）の中の単独物質重たは複数物
質の混合物についても同様の効果が得られる。
ｓＨｓ’ＪＯ）、１ｏ−クロロ′−９−アンスルアルデ
ヒド（ＣａｍＨ＊０１０ ） 、 ピリジンカルボン酸
ヒト２ジン（Ｃ５ｆｂＮ４０） 、 ８−メチレン−２
−ノルボルナノン（ＣａＨ＊ｏＯ） 、 ６−イツプロ
ピルクレゾールＨ１４０）の中の単独物質重たは複数物
質の混合物についても同様の効果が得られる。
ところで上記説明ではこの発明を炭酸ガスレーデ−装置
のレーデ−ビームの悪影響を防止する目的に使用した例
について述べたが、レーデ−ビームが、特定の物体を破
壊する目的に使用される場合には、破壊の対象となる物
体の防御、即ち上記物体の周囲に上記ガス状物質の空間
を形成して破壊全防止する目的にこの発明の構成が利用
できることはいうまでもない。
のレーデ−ビームの悪影響を防止する目的に使用した例
について述べたが、レーデ−ビームが、特定の物体を破
壊する目的に使用される場合には、破壊の対象となる物
体の防御、即ち上記物体の周囲に上記ガス状物質の空間
を形成して破壊全防止する目的にこの発明の構成が利用
できることはいうまでもない。
この発明は以上説明したとうり、レーザービームの発射
ヘッドとビーム照射によって損傷を受けてはならない物
体の間に特定のガス状物質を存在させたガス空間をつく
ることにより、レーザービームによる物体の損傷を防止
できる効朱ｔ″何している。
ヘッドとビーム照射によって損傷を受けてはならない物
体の間に特定のガス状物質を存在させたガス空間をつく
ることにより、レーザービームによる物体の損傷を防止
できる効朱ｔ″何している。
＠１図は、この発明の一実施例として使用されるガス状
物質、サルファーへキサフルオライドの赤外吸収スペク
トルを示す図、第２図は、このサルファーヘキサフルラ
イドの濃度とレーサーヒームの透過率の関係金示す図で
ある。 代理人 大暑 増雄 ）庚 、１シ、 （μ慎−□ン 第２図 ｆＦｂ＞リーＬ）ｊ （／７／ｌ＠）
物質、サルファーへキサフルオライドの赤外吸収スペク
トルを示す図、第２図は、このサルファーヘキサフルラ
イドの濃度とレーサーヒームの透過率の関係金示す図で
ある。 代理人 大暑 増雄 ）庚 、１シ、 （μ慎−□ン 第２図 ｆＦｂ＞リーＬ）ｊ （／７／ｌ＠）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１Ｊ レーザービームのノズルヘッドとレーザービー
ムの照射あるいは反射によって損傷を受けてはならなめ
物体との間に、レーデ−ビームエネルギーｔ−吸収する
ガス状物質を含有するガス空間を設けたことを特徴とす
る炭酸ガスレ―デ〒装置。 （り ガス状物質は、サルファーへキサフルオライド（
８Ｆ、）、−？ナシ！ｊ ７ （ＣａＨｓｌ、 ｇ−ク
ロロキノリン（Ｃ會Ｈ・ＯＩ！Ｍ）、フェノキシアセチ
ルクロライド（０＠Ｈｖ０１ ｏｚ） ＃ ’ユニルー
４−ピリシルクトン（ＣＩＩＨ＠Ｎｏ ） ＠ Ｌ ’
ジニトロー１．８゜５トリクｏｏベンゼン（Ｃ＠Ｈ０１
ｓＨｓＯ＜） ＠ビニルブロマイド（ＣＩＨｍＢｒ）、
１１ ＠ ８ ｅ ５ 、６テトラメチルベンゾフエ
ノン（Ｃ鳳＠Ｈ＠０７ｊＯ）、１０−クロロ−９−アン
スルアルデヒドＣＣＩ＠Ｈ・０ｒｏ）、ビリジンノカル
ポン酸ヒドラジン（Ｃ藝Ｈ・Ｎ４０）、８−メチレン−
２−ノルボルナノンｔｃａｎｉ・Ｏ）、ａ−イングロビ
ルクレゾール（Ｃｓ・Ｎ１４０）の中の串独物員または
４ｉ数物質の混合物であることｔ特徴とする待＃！ｌ−
請求の範囲第１項記載の炭酸ガスレーザー装置。 （３） カス空間中のガス状物質の濃にはｌ ｐｐｍ以
上であることを特徴とする特許請求の＠曲第ｇ槍記載の
炭酸ガスレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074265A JPS60216597A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 炭酸ガスレ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074265A JPS60216597A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 炭酸ガスレ−ザ−装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216597A true JPS60216597A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0379117B2 JPH0379117B2 (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13542118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074265A Granted JPS60216597A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 炭酸ガスレ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015197746A2 (de) | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Laserbearbeitungsanlage und überwachungsverfahren der laserbearbeitungsanlage |
| DE102014013048A1 (de) * | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Linde Aktiengesellschaft | Laserschutzvorrichtung |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59074265A patent/JPS60216597A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015197746A2 (de) | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Laserbearbeitungsanlage und überwachungsverfahren der laserbearbeitungsanlage |
| DE102014109065A1 (de) | 2014-06-27 | 2016-01-14 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Laserbearbeitungsanlage und Überwachungsverfahren der Laserbearbeitungsanlage |
| DE102014109065B4 (de) * | 2014-06-27 | 2017-12-14 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Laserbearbeitungsanlage, Laserbearbeitungskopf und Überwachungsverfahren der Laserbearbeitungsanlage |
| DE102014013048A1 (de) * | 2014-09-02 | 2016-03-03 | Linde Aktiengesellschaft | Laserschutzvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379117B2 (ja) | 1991-12-17 |
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