JPS60211385A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPS60211385A JPS60211385A JP6774584A JP6774584A JPS60211385A JP S60211385 A JPS60211385 A JP S60211385A JP 6774584 A JP6774584 A JP 6774584A JP 6774584 A JP6774584 A JP 6774584A JP S60211385 A JPS60211385 A JP S60211385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- processing circuit
- mos transistor
- circuit
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/026—Semiconductor dose-rate meters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、放射線検出器に係り、低集積線量から高集積
線量まで確実に測定可能な集積線量計に関する。
線量まで確実に測定可能な集積線量計に関する。
従来、集積線量計としては、熱螢光線量計がある。しか
し、熱螢光線量計は、線量を測定する際に熱を加えアニ
リングするため、一度測定を失敗すると再度読み出すこ
とができない欠点がある。
し、熱螢光線量計は、線量を測定する際に熱を加えアニ
リングするため、一度測定を失敗すると再度読み出すこ
とができない欠点がある。
本発明の目的は、ＭＯＳトランジスタを放射線センサと
し、その特性パラメータを監視することによって何度で
も測定できる確実な打射線検出器を提供することにある
。
し、その特性パラメータを監視することによって何度で
も測定できる確実な打射線検出器を提供することにある
。
本発明の特徴は、ＭＯＳトランジスタの特性パラメータ
を監視することにより、放射線量を検出することにある
。
を監視することにより、放射線量を検出することにある
。
以下、本発明を実施例に従い詳細に説明する。
ＭＯＳ型トランジスタの特性パラメータは、γ線照射に
より半導体と酸化膜層の境界にできる表面電荷により変
化する。第１図は、γ線集積量に対するＮ型−ＭＯＳト
ランジスタとＰ型−ＭＯＳ）ランジスタの特性パラメー
タの１つである。ゲート電圧のスレッシュホールド電圧
Ｖ Ｔ Ｎ 、 Ｖ Ｔ Ｐの変化したものである。ス
レッシュホールド電圧は、ソース（Ｓ）、ドレイン（Ｄ
）間を導通させるのに必要なゲート電圧である。スレッ
シュホールド電圧Ｖｔ （Ｖｔ＊ｏｒＶｔｐ ）は、弐
Ｈの様に集積線量Ｄの関係となる。
より半導体と酸化膜層の境界にできる表面電荷により変
化する。第１図は、γ線集積量に対するＮ型−ＭＯＳト
ランジスタとＰ型−ＭＯＳ）ランジスタの特性パラメー
タの１つである。ゲート電圧のスレッシュホールド電圧
Ｖ Ｔ Ｎ 、 Ｖ Ｔ Ｐの変化したものである。ス
レッシュホールド電圧は、ソース（Ｓ）、ドレイン（Ｄ
）間を導通させるのに必要なゲート電圧である。スレッ
シュホールド電圧Ｖｔ （Ｖｔ＊ｏｒＶｔｐ ）は、弐
Ｈの様に集積線量Ｄの関係となる。
ＶＴ＝ｆ（Ｄ） ・・・・・・・・・（１１ここで、Ｄ
：集積線量 従って、同様のＭＯＳ）ランジスタの集積線量りに対す
るゲート電圧の変化を予めデータをとりこのデータと照
射後のデータを比較することにより集積線量を測定する
ことが可能である。
：集積線量 従って、同様のＭＯＳ）ランジスタの集積線量りに対す
るゲート電圧の変化を予めデータをとりこのデータと照
射後のデータを比較することにより集積線量を測定する
ことが可能である。
第２図に、本発明の放射線検出器の一例を示す。
本発明は、センサー部１、電圧発生器２、ゲート電圧測
定器３、処理回路４および表示回路５から構成されてい
る。センサー部１は、Ｎｆｆ１−ＭＯＳトランジスタ１
４と負荷抵抗１５（１’ｔ）から構成されている。処理
回路４は、予めＮ型−ＭＯＳ ）ランジスタ１４の照射
特性が記憶されている。ゲート電圧測定器３は、電圧発
生器２を制御してゲート電圧Ｖ、を未照射時のスレッシ
ュホールド電圧Ｖ ｔ ｏから徐々に電圧を降下させる
（センサー部１がＮ型−ＭＯＳ ）ランジスタでなくＰ
凰−ＭＯＳの場合は徐々に昇圧していく）。処理回路４
は、ドレインの負荷抵抗電圧ＶＤを非導通状態から導通
状態になったときを検出す々わち、負荷抵抗電圧により
Ｖｏが０レベルからソース印加電圧Ｖｍになったことを
検出し、その時のスレッシュホールド電圧Ｖ Ｔ Ｎを
ゲート電圧測定器３からとり込む。スレッシュホールド
電圧ＶＴＨにより処理回路４内の照射褥性データと比較
して、集積線量りをめ表示回路５に出力して結果を示す
。
定器３、処理回路４および表示回路５から構成されてい
る。センサー部１は、Ｎｆｆ１−ＭＯＳトランジスタ１
４と負荷抵抗１５（１’ｔ）から構成されている。処理
回路４は、予めＮ型−ＭＯＳ ）ランジスタ１４の照射
特性が記憶されている。ゲート電圧測定器３は、電圧発
生器２を制御してゲート電圧Ｖ、を未照射時のスレッシ
ュホールド電圧Ｖ ｔ ｏから徐々に電圧を降下させる
（センサー部１がＮ型−ＭＯＳ ）ランジスタでなくＰ
凰−ＭＯＳの場合は徐々に昇圧していく）。処理回路４
は、ドレインの負荷抵抗電圧ＶＤを非導通状態から導通
状態になったときを検出す々わち、負荷抵抗電圧により
Ｖｏが０レベルからソース印加電圧Ｖｍになったことを
検出し、その時のスレッシュホールド電圧Ｖ Ｔ Ｎを
ゲート電圧測定器３からとり込む。スレッシュホールド
電圧ＶＴＨにより処理回路４内の照射褥性データと比較
して、集積線量りをめ表示回路５に出力して結果を示す
。
第２図では、オンラインで測定する方法を述べたが、セ
ンサー部１のみ照射場所に設置し、照射後センサー部１
を第２図に示す装置で測定するオフライン測定も可能で
ある。
ンサー部１のみ照射場所に設置し、照射後センサー部１
を第２図に示す装置で測定するオフライン測定も可能で
ある。
以上、説明したごとく本発明によれば、ＭＯＳトランジ
スタを放射線センサーとして、その特性を監視すること
によって、確実／ｉ放射線検出器を提供できる。
スタを放射線センサーとして、その特性を監視すること
によって、確実／ｉ放射線検出器を提供できる。
第１図は、ＭＯＳトランジスタのγ線集積線量に対−ｔ
−るスレッシュホールド電圧の変化を示した線図、第２
図は、本発明の一実施例を示したブロック図である。 １・・・センサー部、２・・・電圧発生器、３・・・ゲ
ート電圧測定器、４・・・処理回路、５・・・表示回路
、１４・・・Ｎ型−ＭＯＳトランジスタ。 代理人 弁理士 高橋明夫 第１関 狼狽線量（Ｄ）
−るスレッシュホールド電圧の変化を示した線図、第２
図は、本発明の一実施例を示したブロック図である。 １・・・センサー部、２・・・電圧発生器、３・・・ゲ
ート電圧測定器、４・・・処理回路、５・・・表示回路
、１４・・・Ｎ型−ＭＯＳトランジスタ。 代理人 弁理士 高橋明夫 第１関 狼狽線量（Ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＭＯＳ）ランジスタの特性パラメータを監視するこ
とによゆ、放射線量を検出することを特徴とする放射線
検出器。 ２、特許請求の範囲第１項において、特性パラメータと
して、ゲート電圧を用いることを特徴とする放射線検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6774584A JPS60211385A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6774584A JPS60211385A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211385A true JPS60211385A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13353788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6774584A Pending JPS60211385A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0269335A2 (en) * | 1986-11-24 | 1988-06-01 | AT&T Corp. | Radiation-sensitive device |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6774584A patent/JPS60211385A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0269335A2 (en) * | 1986-11-24 | 1988-06-01 | AT&T Corp. | Radiation-sensitive device |
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