JPS60210867A - Linear image sensor - Google Patents

Linear image sensor

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JPS60210867A
JPS60210867A JP59065917A JP6591784A JPS60210867A JP S60210867 A JPS60210867 A JP S60210867A JP 59065917 A JP59065917 A JP 59065917A JP 6591784 A JP6591784 A JP 6591784A JP S60210867 A JPS60210867 A JP S60210867A
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JP
Japan
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light
layer
image sensor
document
sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP59065917A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichiro Kawamura
信一郎 河村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp, Nippon Kogaku KK filed Critical Nikon Corp
Priority to JP59065917A priority Critical patent/JPS60210867A/en
Publication of JPS60210867A publication Critical patent/JPS60210867A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors

Abstract

PURPOSE:To obtain the titled device by enabling sifficient enhancement of the luminance on an original writing by a method wherein transparent windows through which illuminating light can pass are formed between a plurality of cells arranged in a dimension. CONSTITUTION:On a transparent substrate 100, a light shield layer 102 common to all the cells produced by coat of a high-insulating material such as SiO2 or Al2O3 on a low-resistant thin film of Cr or Al and a light shield layer 106 positioned below it and having hookform projections 104 at a fixed interval are formed. Next, a photoconductive layer 108 made of an amorphous hydrogenated Si film is provided on the projection 104, and a common electrode 110 is formed from on top of the layer 102 to the end of the layer 108; besides, discrete electrodes 112 are so formed as to extend from the other end of the layer 108 to the layer 106 along the projection 104. A light transmitting window 114 is provided between the electrode 110 and the layer 108, and a light transmitting window 8 between the layers 108 and 106, and the light from a light source is guided to the original writing via windows 114 and 118 from below the substrate 100.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はイニアイメージセンサにかかるものであシ、特
に接触型及び密着型のリニアイメージセンサの改良に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an inear image sensor, and particularly to improvements in contact type and close contact type linear image sensors.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ファクシミリ装置、電子メールあるいは複写機などにお
りては、所定の原稿読み取り装置が使用される。この原
稿読み取ル装置としては、高速化、高信頼化の要請から
MOSデバイスを軸として発展したIC(集積回路)技
術によりCOD (電荷結合素子)などのデバイスを用
いた一次元のリニアイメージセンサが多用されてμる。
A predetermined document reading device is used in facsimile machines, e-mail machines, copying machines, and the like. This document reading device is a one-dimensional linear image sensor that uses devices such as COD (charge-coupled devices), which is based on IC (integrated circuit) technology that has been developed around MOS devices in response to demands for higher speed and higher reliability. It's used a lot.

しかし、このようなセンナの長手方向の幅は、稿からセ
ンナまでの光路長が大きくなることから、装置の大型化
を招くという不都合がある。また、焦点合せのための微
小調整機構が不可欠な上に、その調整作業が繁雑である
とめう不都合がある。
However, such a width in the longitudinal direction of the senna has the disadvantage that the optical path length from the paper to the senna increases, leading to an increase in the size of the apparatus. Further, a fine adjustment mechanism for focusing is essential, and the adjustment work is complicated, which is disadvantageous.

これらの不都合を改良するため、密着盤センサが考案さ
れた。密着型センサは、センサの幅を原稿の幅に対応せ
しめ、屈折率分布型微小ロッドレンズアレイ(以下、単
にロッドレンズアレイ、と呼ぶ)するいは光フアイバア
レイなどの1:1の光学系を用いて原稿とセンサとの距
離を縮めたものである。このような密着型センサについ
て、第1図ないし第6図を参照しながら説明する。
In order to improve these disadvantages, a contact plate sensor was devised. The contact type sensor has a sensor width that corresponds to the width of the document, and uses a 1:1 optical system such as a gradient index micro rod lens array (hereinafter simply referred to as a rod lens array) or an optical fiber array. The distance between the document and the sensor is shortened by using the sensor. Such a contact type sensor will be explained with reference to FIGS. 1 to 6.

第1図には、密着型センサを使用するファクシミリなど
の原稿読取装置の一例が概略示されている。この図にお
いて、原稿は、ローラ手y10゜12及びガイド手段1
4.1+5によって一点鎖線L1の如く図の左から右に
送られる。この原稿には、光源18によって破線12の
如く光が照射される。この光は、原稿面で反射され、更
にはミラー20.ロッドレンズアレイ22.ミラー24
を介してイメージセンサ26に入射する。このイメージ
センサ26は、ドライブ用IC28によって駆動され、
原稿のイメージに対応する信号が出力回路30を介して
出力端子32から外部に出力でれる。以上のように、こ
の例においては、ミラー20.24及びロッドレンズア
レイ22から成る光学系が必要である。
FIG. 1 schematically shows an example of a document reading device such as a facsimile machine that uses a contact type sensor. In this figure, the document is placed between the roller hand y10°12 and the guide means 1.
4.1+5, the signal is sent from the left to the right in the figure as indicated by the dashed line L1. This document is irradiated with light as indicated by a broken line 12 from a light source 18 . This light is reflected by the surface of the document and further reflected by the mirror 20. Rod lens array 22. mirror 24
The light enters the image sensor 26 via the . This image sensor 26 is driven by a drive IC 28,
A signal corresponding to the image of the original is outputted to the outside from an output terminal 32 via an output circuit 30. As described above, this example requires an optical system consisting of mirrors 20.24 and rod lens array 22.

次に第2図には、密着型センサの他の例が示されている
9この図において、イメージセンサ40は、全体がサン
ドイッチ7アイパ42上に配置されている。サンドイッ
チファイバ42は、ガラス44.46と光フアイバアレ
イ48とによってサンドイッチ状に構成されており、イ
メージセンサ40の受光部50は、前記レンズアレイ4
8上に配置されている。す/ドイツテファイバ42は、
コンタクトファイバ52上に配置されておシ、コンタク
トファイバ52の1部は、前記光フアイバアレイ48と
光路が連続しており、前記ファイバ52に入射した光が
前記受光部50に達するようになっている。このファイ
バ52には、マウント56に保持された発光ダイオード
58などの照明光源から出力された光が原稿60によっ
て実線爲の如く反射されて入力されるようにな′ってい
る。
Next, in FIG. 2, another example of a contact type sensor is shown.9 In this figure, the image sensor 40 is placed entirely on a sandwich 7 eyeper 42. The sandwich fiber 42 is constructed in a sandwich shape by glass 44, 46 and an optical fiber array 48, and the light receiving section 50 of the image sensor 40 is connected to the lens array 4.
It is located on 8. S/German Tefiber 42 is
A part of the contact fiber 52 disposed on the contact fiber 52 has an optical path continuous with the optical fiber array 48 so that the light incident on the fiber 52 reaches the light receiving section 50. There is. Light output from an illumination light source such as a light emitting diode 58 held on a mount 56 is input to the fiber 52 after being reflected by the original 60 as shown by a solid line.

次に、第3図には、密着型センサの更に他の例が示され
ている。この図に示されてiる例は、ロッドレンズアレ
イ70が第1図に示されている例と比較してれに配置さ
れており、光源72から発せられた光は、原稿74によ
って反射され、ロッドレンズアレイ70のみを介してイ
メージセンサ76に入射するようになっている。イメー
ジセンサ76は、原稿74の幅と対応する大型のイメー
ジセンサである。この例では、第1図に示す例と比較し
てミラー20.24は必要とされない。
Next, FIG. 3 shows still another example of the contact type sensor. In the example shown in this figure, the rod lens array 70 is arranged differently compared to the example shown in FIG. , are made to enter the image sensor 76 only through the rod lens array 70. The image sensor 76 is a large-sized image sensor that corresponds to the width of the document 74. In this example, mirrors 20.24 are not required compared to the example shown in FIG.

また、光源72をイメージセンサ基板76の背部に移動
させ、イメージセンサ基板76の一部に光が透過できる
照明窓を設けた例では、よシ有効に照明光束が原稿面7
4で反射され、ロッドレンズアレイ70に入射するよう
に工夫されている。
In addition, in an example in which the light source 72 is moved to the back of the image sensor board 76 and a part of the image sensor board 76 is provided with an illumination window through which light can pass, the illumination light flux is more effectively directed toward the document surface.
4 and enters the rod lens array 70.

しかし、以上のように密着型センサにおいては、高価な
ロッドレンズアレイ又は光7アイノ(アレイを使わなけ
ればならず、更に何らかの焦点調整機構が必要であるば
かりか、光学系の長さ、を100以下とすることは困難
であるため装置の小型化の妨けとなる。また、(受光部
面での照度)/(原稿面での照度)X100%で定義さ
れる光量伝達率は、数1穆度に減少してしまう。
However, as described above, in the close-contact type sensor, not only must an expensive rod lens array or optical 7-eye array be used, but also some kind of focus adjustment mechanism is required, the length of the optical system must be increased to 100 mm. It is difficult to achieve the following, which hinders the miniaturization of the device.Also, the light transmission rate, defined as (illuminance on the light receiving surface)/(illuminance on the document surface) x 100%, is expressed by the formula 1 It will be reduced to purity.

そこで、収束性光学系や光ファイノ(−などの導光系を
用いることなく直接的に読み取る直接読み取り型センサ
(以下「接触形センサ」という)が提案されている。す
なわち、原稿面とセンサの受光面との間に収束性光学系
を用いず、原稿面からの光を直接受光面で受光するよう
にしたものである。この接触形センサについて、第4図
ないし第9図を参照しながら説明する。
Therefore, a direct reading sensor (hereinafter referred to as a "contact sensor") that directly reads the data without using a convergent optical system or optical guide system such as an optical fiber (-) has been proposed. The light from the document surface is directly received by the light-receiving surface without using a convergent optical system between the sensor and the light-receiving surface.This contact type sensor is explained with reference to FIGS. 4 to 9. explain.

第4図には、接触型センサの例が断面図として示されて
おシ、この図の矢印■から見たセンサの一部が平面図と
して第5図に示されて―る。第6図にポケれている例は
、第5図に示されているものを改良したものである。第
7図ないし第9図は、種々の接触型センサにおける原稿
面での光反射角度を比較したものである。
FIG. 4 shows an example of a contact type sensor as a cross-sectional view, and FIG. 5 shows a part of the sensor as viewed from the arrow 2 in this figure as a plan view. The example shown in FIG. 6 is an improved version of the one shown in FIG. FIGS. 7 to 9 compare the light reflection angles on the document surface in various contact type sensors.

まず、第4図及び第5図において、接触型センサ80は
、原稿82の直下に配置石れており、透明基板84上に
透光窓86の部分を除いてしや光層8Bが形成され、こ
の上の適宜位置に光電変換層90が形成され、更に全体
が透明保護層92に個別電極96(第4図では図示せず
)が各々形成されている。
First, in FIGS. 4 and 5, the contact sensor 80 is placed directly under the document 82, and a dimming layer 8B is formed on the transparent substrate 84 except for the transparent window 86. A photoelectric conversion layer 90 is formed at an appropriate position on the photoelectric conversion layer 90, and individual electrodes 96 (not shown in FIG. 4) are formed on the entire transparent protective layer 92.

第4図の矢印LAで示すように接触型センサ80の下方
から光が照射され、一部が透光窓86を通過し更には原
稿82で反射でれて光電変換層90に入射する。この様
子の概略は、第8図にも示でれている。
As shown by arrow LA in FIG. 4, light is irradiated from below the contact sensor 80, a portion of which passes through the transparent window 86, is further reflected by the original 82, and enters the photoelectric conversion layer 90. An outline of this situation is also shown in FIG.

第6図に示されている例では、更に透光窓98が設けら
れている。すなわち、光電変換層90の両側に透光窓8
6.98が各々設けられている。
In the example shown in FIG. 6, a light-transmitting window 98 is further provided. That is, the light-transmitting windows 8 are provided on both sides of the photoelectric conversion layer 90.
6.98 are provided respectively.

この例では第9図に示すように矢印LBの如(透光窓8
6,98を光が通過し原稿82で反射されて光電変換層
90に入射する。
In this example, as shown in FIG.
The light passes through 6 and 98, is reflected by the original 82, and enters the photoelectric conversion layer 90.

次に、第7図ないし第9図を参照しながら、各装置を比
較する。まず、第7図に示すように透光窓を全く設けな
い場合には、矢印LCの如く進行する光の入射角θCは
、第8図に示す場合の入射角θAより大となる。この入
射角が大きいと、光電変換層90上では光が分散し、結
果的に受光量が減少する。従って、受光量を増大するた
めには、入射角は小さい方がよい。このためには、透光
窓86.98をできる限シ光電変換層90の近傍に形成
するようにし、更に透光窓86,98の面積を第8図よ
シも第9図に示すもののように増大させることが好まし
い。この場合でも、光量伝達率は10チが限度である。
Next, each device will be compared with reference to FIGS. 7 to 9. First, when no light-transmitting window is provided as shown in FIG. 7, the incident angle θC of the light traveling as indicated by the arrow LC is larger than the incident angle θA in the case shown in FIG. When this angle of incidence is large, light is dispersed on the photoelectric conversion layer 90, resulting in a decrease in the amount of light received. Therefore, in order to increase the amount of light received, it is better to have a smaller incident angle. To this end, the light-transmitting windows 86, 98 should be formed as close to the photoelectric conversion layer 90 as possible, and the area of the light-transmitting windows 86, 98 should be as shown in FIG. 8 as well as in FIG. 9. It is preferable to increase it to . Even in this case, the light amount transmission rate is limited to 10 inches.

このように、例えば第8図すなわち第4図及び第5図に
示す例においては、原稿面に達する光量が不充分であシ
、また、共通電極94などに透明電極を用いるようにし
てもかかる不都合は解消しない。更に、照明光束の入射
角0A、透光窓86の寸法のばらつきによって光電変換
層90上の照度ないしは光量が影響を受け易く、このた
めセンナ出力のばらつきが大となるという不都合もある
In this way, for example, in the example shown in FIG. 8, that is, FIGS. 4 and 5, the amount of light reaching the document surface is insufficient, and even if a transparent electrode is used for the common electrode 94, etc. The inconvenience will not go away. Furthermore, the illuminance or amount of light on the photoelectric conversion layer 90 is likely to be affected by variations in the incident angle of the illumination light flux, 0A, and the dimensions of the light-transmitting window 86, which causes the disadvantage that variations in the sensor output become large.

また、第6図ないし第9図に示す例では、原稿面上の照
度は向上するもののこれでも充分とはいえず、仮に共通
電、極942個別電極96を共に透明電極とした場合で
あってもかかる原稿面上の照度は満足し得るものではな
い。更に透明電極の電気抵抗は、金属例えばkl、Cr
、 Auなどと比較すると高いため、応答速度が低下す
るという不都合が生ずる。
In addition, in the examples shown in FIGS. 6 to 9, although the illuminance on the document surface is improved, this is still not sufficient, even if the common electrode, the electrode 942, and the individual electrode 96 were both transparent electrodes. However, the illuminance on the surface of the document is not satisfactory. Furthermore, the electrical resistance of the transparent electrode is lower than that of metals such as kl, Cr.
, Au, etc., which causes the disadvantage that the response speed decreases.

これらの欠点は、接触型センサ基板88を照明光が通過
する際に生じるものとして説明したが第4図において透
明保護層の代わシにロッドレンズアレイを配置した密着
型センサでも、全く同じ欠点を持つことになる、 以上のように接触型センサでは密着型センサが必要とす
る高価な光学系と煩雑な焦点調整が不要となるが、セン
サ基板背面から照明光を照射する〔発明の目的〕 本発明はかかる点に鑑みてなされたものでsb、原稿面
上における照度を充分に高めることができるリニアイメ
ージセンサを提供することをその目的とするものである
Although these drawbacks have been explained as occurring when illumination light passes through the contact sensor substrate 88, the contact type sensor in which a rod lens array is arranged instead of the transparent protective layer in FIG. 4 also has exactly the same drawbacks. As described above, the contact type sensor does not require the expensive optical system and complicated focus adjustment required by the close contact type sensor. The invention has been made in view of the above, and an object of the invention is to provide a linear image sensor that can sufficiently increase the illuminance on the surface of a document.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

すなわち本発明は、−次元的に複数配列きれているセル
間に照明光が通過できる透過窓を形成するイメージセン
ナによって前記目的を達成しようとするものである。
That is, the present invention attempts to achieve the above object by using an image sensor that forms a transmission window through which illumination light can pass between cells arranged in a plurality of dimensions.

〔実施例〕〔Example〕

本発明にかかるイメージセンサ構造は密着型として用い
ても、接触型として用いても同等の効果をもたらすので
、以下、接触型として用いた場合についてのみ添附図面
に示す実施例に従って詳細に説明する。
Since the image sensor structure according to the present invention provides the same effect whether it is used as a contact type or as a contact type, hereinafter, only the case where it is used as a contact type will be described in detail according to the embodiment shown in the accompanying drawings.

第10図には、本発明の第1実施例が示されている。こ
の図は前述した第5図らるいは第6図に対応するもので
ある。この第10図において、透明基板100上には、
まず図の上方に各セルに共通してしや光層102が形成
されている。このしや光層102の下方には、一定の間
隔をおいて鉤状の突出部104を有するしや光層106
が形成されている。これらのしゃ光層102,10<S
は。
FIG. 10 shows a first embodiment of the invention. This figure corresponds to FIG. 5 or 6 described above. In this FIG. 10, on the transparent substrate 100,
First, a luminous layer 102 is formed in common to each cell at the upper part of the figure. Below this shimmering layer 102 is a shimmering layer 106 having hook-shaped protrusions 104 at regular intervals.
is formed. These light shielding layers 102, 10<S
teeth.

例えばCr’pk1などの低抵抗薄膜層の上に5ift
やA40aなどの高絶縁性材料を使用しており、真空蒸
着法又はスパッタリング法などによって形成される。
5ift on a low resistance thin film layer such as Cr'pk1.
A highly insulating material such as A40a or A40a is used and is formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method.

次に、しや光層106の突出部104上には、光導電層
108が形成される。この光導電層108は、例えば水
素を含んだアモルファスシリコンすなわちアモルファス
水素化シリコン(以下単にra−8i:HJ と称する
)の膜から成り、真空蒸着、スパッタリング、プラス?
 CVD (ehemi c alvapor dep
osition)などの方法で形成される。
Next, a photoconductive layer 108 is formed on the protrusion 104 of the luminescent layer 106. This photoconductive layer 108 is made of, for example, a film of amorphous silicon containing hydrogen, that is, amorphous hydrogenated silicon (hereinafter simply referred to as RA-8i:HJ), and is formed by vacuum evaporation, sputtering, or ionization.
CVD
position).

次に、共通電極110がしや光層102上から光導電層
108の端部にかけて形成され、個別電極112が光導
電層108の他の端部から突出部104に沿ってしや光
層106にわたるように形成される。これらの共通電極
1101個別電極112は、例えばAl、 Au、 C
rなどの電気抵抗の低い金属材料を使用し、真空蒸着あ
るいはスパッタリングなどの方法で形成される。共通電
極110は、複数の光導電層108に対して共通に形成
されるのに対し、個別電極112は、複数の光導電層1
08に対して個別に各々形成される。
Next, a common electrode 110 is formed from above the photoconductive layer 102 to an end of the photoconductive layer 108 , and an individual electrode 112 is formed from the other end of the photoconductive layer 108 along the protrusion 104 to the photoconductive layer 108 . It is formed in such a way that it spans. These common electrodes 1101 and individual electrodes 112 are made of, for example, Al, Au, C.
It is formed using a metal material with low electrical resistance, such as R, by a method such as vacuum evaporation or sputtering. The common electrode 110 is formed in common to the plurality of photoconductive layers 108, whereas the individual electrode 112 is formed in common to the plurality of photoconductive layers 108.
08 respectively.

また、図に示すように、共通電極110と光導電層10
8との間には透光窓114が形成され、隣接する光導電
層108間すなわち突出部104間には透光窓116が
形成され、更に光導電層108としや光層106との間
にも透光窓118が形成ちれている。なお、この実施例
では、個別電極112は、しや光層106によってマス
クでれている。これは、個別電極112を形成する際に
ダイオードも作成しようとする場合、該ダイオードに対
する光の照射が行なわれないようにするだめのマスクと
してしや光層106を利用することによる。従って、こ
のような必要がない場合には、第11図に示すようにじ
ゃ光層106を、光導電層108をマスクする部分12
0と、図の下方の部分122とに分離し、しや光層12
0を島状に孤立して形成してもよい。
Further, as shown in the figure, a common electrode 110 and a photoconductive layer 10
A transparent window 114 is formed between the photoconductive layer 108 and the protrusion 104, a transparent window 116 is formed between the adjacent photoconductive layers 108, that is, between the protrusions 104, and a transparent window 116 is formed between the photoconductive layer 108 and the optical layer 106. A transparent window 118 is also formed. In this embodiment, the individual electrodes 112 are masked by the luminous layer 106. This is because when a diode is also created when forming the individual electrodes 112, the phosphorescent layer 106 is used as a mask to prevent the diode from being irradiated with light. Therefore, if this is not necessary, the blocking layer 106 may be replaced with a portion 12 that masks the photoconductive layer 108, as shown in FIG.
0 and a lower part 122 in the figure, and the luminous layer 12
0 may be formed as an isolated island.

また、共通電極1101個別電極112を、Snug 
、 In、 0.などによる透明電極としてもよい。
In addition, the common electrode 1101 and the individual electrodes 112 are connected to Snug
, In, 0. A transparent electrode may also be used.

しかしこの場合には、前述したように、各フォトセルの
応答速度が低下するので、これがあまり高速であること
を要求されない場合に限られる。
However, in this case, as described above, the response speed of each photocell decreases, so this is limited to cases where a very high speed is not required.

次に、上記実施例の全体的作用について説明する。所定
の光源(図示せず)から発せられた光は、第7図ないし
第9図において説明したように透明基板100の下方か
ら透光窓114,116゜118を介して原稿面(図示
せず)に達する。従って、原稿面に達する光量は増大し
、このため解像度が全と髪化することなく、信号のS/
N比が向上することとなる。
Next, the overall operation of the above embodiment will be explained. As explained in FIGS. 7 to 9, light emitted from a predetermined light source (not shown) is transmitted from below the transparent substrate 100 to the document surface (not shown) through the transparent windows 114, 116° 118. ). Therefore, the amount of light reaching the document surface increases, and therefore the signal S/
This results in an improvement in the N ratio.

次に、第12図及び第13図を参照しながら本発明の第
2実施例について説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

第12図は、第10図あるいは第11図に対応する図で
sb、この第12図のxm −xm線に沿った断面が第
13図に示されている。これら第12図及び第16図に
おいて、透明基板200上には、Orなどのしや光性の
大きな材料を用いて複数の個別電極202が形成されて
いる。個別電極202は、先端部に対し後端部の断面積
が大となるように形成てれる。
FIG. 12 is a diagram corresponding to FIG. 10 or 11, and a cross section taken along the line xm-xm of FIG. 12 is shown in FIG. 13. 12 and 16, a plurality of individual electrodes 202 are formed on a transparent substrate 200 using a highly transparent material such as Or. The individual electrodes 202 are formed so that the cross-sectional area of the rear end is larger than that of the front end.

次に、個別電極202の先端部には、a−3i:Hの光
導電層204が上述した方法によって各々形成される。
Next, a-3i:H photoconductive layers 204 are formed on the tips of the individual electrodes 202 by the method described above.

更にこれらの光導電層204の上に重ねて共通電極20
6が形成ぢれる。この共通電極206は、上述した方法
によシ透明電極として形成される。なお、光導電層20
4の配置間隔は第10図に示すものと同様となっておシ
、透光窓208が各々形成でれている。
Furthermore, a common electrode 20 is superimposed on these photoconductive layers 204.
6 is formed. This common electrode 206 is formed as a transparent electrode by the method described above. Note that the photoconductive layer 20
The arrangement intervals of 4 are the same as those shown in FIG. 10, and transparent windows 208 are formed in each.

次に、上記第2実施例の作用について説明する。Next, the operation of the second embodiment will be explained.

まず、光導電層204間に形成された透光窓208は、
第10図あるいは第11図に示すものと比較して十分拡
大されている。従って、共通電極206の光透過率が必
ずしも大きくなくても十分な光量の光を原稿面に入射さ
せることができる。他方、光導電層204の面積が拡大
嘔れて−るため、S/N比が向上することとなる。また
、個別電極202は後端部にお―て断面積が増大するよ
うになっているため、抵抗値が減少し、このため応答速
度が向上することとなる。この個別電極202は、しや
光層としての機能も兼用して釣るため、セル全体の構造
が簡易化石れ、特に絶縁層を設ける必要がなくなる。
First, the transparent window 208 formed between the photoconductive layers 204 is
It is sufficiently enlarged compared to what is shown in FIG. 10 or FIG. 11. Therefore, even if the light transmittance of the common electrode 206 is not necessarily high, a sufficient amount of light can be made incident on the document surface. On the other hand, since the area of the photoconductive layer 204 is expanded, the S/N ratio is improved. Furthermore, since the cross-sectional area of the individual electrodes 202 increases at the rear end portion, the resistance value decreases, thereby improving the response speed. Since this individual electrode 202 also functions as a light layer, the structure of the entire cell is simplified and there is no need to provide an insulating layer.

次に第14図に示すように、以上のような構成のイメー
ジセンサ300に対し、第15図に拡大して示す光屈折
板302を介して光源604から光を照射すると、光束
Lψは、角度θφだけ屈折し、原稿面に対して斜め即ち
角度θψの方向から入射するようになる。この方法によ
れば、それぞれの受光素子の直下の原稿面を照明するこ
とができるので分解能の向上を図ることができる。なお
、光屈折板602は、ガラス板のエツチング、プラスチ
ックのレプリカによる方法などによって大量に容易に作
成することができる。
Next, as shown in FIG. 14, when light is irradiated from the light source 604 to the image sensor 300 having the above configuration through the light refracting plate 302 shown enlarged in FIG. The light is refracted by θφ and enters the document surface obliquely, that is, from the direction of angle θψ. According to this method, the document surface directly below each light receiving element can be illuminated, so that resolution can be improved. Note that the light refracting plate 602 can be easily produced in large quantities by etching a glass plate, using a plastic replica, or the like.

なお、上記実施例では、光導電層としてa−8t:Hを
用いたが、本発明は何らこれに限定式れるものではなく
、その細光電変換型ないし光起電力型の素子、PINフ
ォトダイオードなどを用いるようにしてもよい。その他
電極等の形状についても所定の機能を有する範囲内で変
更可能である。
In the above embodiments, a-8t:H was used as the photoconductive layer, but the present invention is not limited to this in any way, and the present invention is not limited to this, but can also be used for thin photoelectric conversion type or photovoltaic type elements, PIN photodiodes, etc. etc. may also be used. The shapes of other electrodes and the like can also be changed within a range that provides a predetermined function.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によるイメージセンサによ
れば、−次元状に配列された光電性材料から成る受光部
間にも光透過窓を設けることとしたので、原稿面に達す
る照明光の光量ないし照度を十分に高めることができる
という効果がある。
As explained above, according to the image sensor according to the present invention, since a light transmitting window is also provided between the light receiving parts made of photoelectric material arranged in a -dimensional shape, the amount of illumination light reaching the document surface is There is an effect that the illuminance can be sufficiently increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は密着型センサを使用する原稿読取装置の従来例
を示す一部破断した概略の正面図、第2図は密着型セン
サの他の従来例を示す一部破断した斜視図、第6図は密
着型センサの更に他の従来例を示す一部破断した斜視図
、第4図は接触形セ/すの従来例を示す断面図、第5図
は第4図の矢印Vからみた部分平面図、第6図は接触型
センサの他の従来例を示す部分平面図、第7図なりし第
9図は光の進行状級を比較する説明図、第10図は本発
明にかかるイメージセンナの第一実施例を示す部分平面
図、第11図は第10図のイメージセンサの変形例を示
す□部分平面図、第12図は本発明の第2実施例を示す
部分平面図、第13図は第12図の■−XI線に沿った
断面図、第14図はイメージセンサに対する光入射の一
手段を示す説明図、第15図は光屈折板を拡大して示す
説明図である。 102.106,120,122 ・・・しや光層10
8.204 ・・・光導電層 110.206 ・・・共通電極 112.202 ・・・個別電極 114.116,118,208 ・・・透過窓302
・・・光屈折板。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第1図 第2図 第5図 第6図 第12図 MlB図
FIG. 1 is a partially cutaway schematic front view showing a conventional example of a document reading device using a contact type sensor, FIG. 2 is a partially broken perspective view showing another conventional example of a contact type sensor, and FIG. The figure is a partially broken perspective view showing still another conventional example of a contact type sensor, Figure 4 is a sectional view showing a conventional example of a contact type sensor, and Figure 5 is a section viewed from arrow V in Figure 4. A plan view, FIG. 6 is a partial plan view showing another conventional example of a contact type sensor, FIG. 11 is a partial plan view showing a modification of the image sensor shown in FIG. 10; FIG. 12 is a partial plan view showing a second embodiment of the present invention; FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line ■-XI in FIG. 12, FIG. 14 is an explanatory diagram showing one means of light incidence on the image sensor, and FIG. 15 is an explanatory diagram showing an enlarged view of the light refracting plate. . 102.106,120,122... Shiyahikari layer 10
8.204 ... Photoconductive layer 110.206 ... Common electrode 112.202 ... Individual electrodes 114.116, 118, 208 ... Transmission window 302
...Light refracting plate. Agent Patent Attorney Sanro Kimura Figure 1 Figure 2 Figure 5 Figure 6 Figure 12 Figure MLB

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光電性材料から成る受光部を、複数隣接して一次
元状に原稿幅に対応して所定の基板上に配列し、この基
板が照明光の光路の一部となっているリニアイメージセ
ンサにおいて、 前記隣接する受光部間には、前記照明光が通過し得る透
過手段が形成されて成ることを特徴とするリニアイメー
ジセンサ。
(1) A linear image in which a plurality of light-receiving parts made of photoelectric material are arranged one-dimensionally adjacent to each other on a predetermined substrate corresponding to the document width, and this substrate becomes part of the optical path of illumination light. A linear image sensor, wherein a transmitting means through which the illumination light can pass is formed between the adjacent light receiving parts.
(2)前記受光部と原稿との間には、原稿からの照明光
を受光部に対し斜めに入射させる光屈折手段が配置され
ている特許請求の範囲第1項記載のリニアイメージセン
サ。
(2) The linear image sensor according to claim 1, wherein a light refracting means is disposed between the light receiving section and the document to make illumination light from the document obliquely enter the light receiving section.
(3)前記光電性材料は、アモルファス水素化シリコン
から成る特許請求の範囲第1項又は第2項記載のリニア
イメージセンサ、
(3) The linear image sensor according to claim 1 or 2, wherein the photoelectric material is made of amorphous hydrogenated silicon;
JP59065917A 1984-04-04 1984-04-04 Linear image sensor Pending JPS60210867A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63174360A (en) * 1987-01-13 1988-07-18 Nec Corp Contact type image sensor

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