JPS60209245A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPS60209245A JPS60209245A JP6485484A JP6485484A JPS60209245A JP S60209245 A JPS60209245 A JP S60209245A JP 6485484 A JP6485484 A JP 6485484A JP 6485484 A JP6485484 A JP 6485484A JP S60209245 A JPS60209245 A JP S60209245A
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- Japan
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- nozzle
- monomolecular
- film
- monomolecular film
- liquid
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
- B05D1/206—LB troughs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体あるいは光学デバイスの機能を荷う部
分である薄膜の作製装置に関し、特に、単分子累積法に
よる単分子累積膜の成膜装置に関するものである。
分である薄膜の作製装置に関し、特に、単分子累積法に
よる単分子累積膜の成膜装置に関するものである。
従来の単分子累積法としては、垂直浸漬法、水平付着法
１円筒回転法等の種類があるが、その内、垂直浸漬法に
よる単分子累積膜の成膜について、以下説明する。
１円筒回転法等の種類があるが、その内、垂直浸漬法に
よる単分子累積膜の成膜について、以下説明する。
単分子累積法とは、水面上に形成した単分子膜を基板表
面に移しとり、１枚ずつ重ねて超薄膜を作る方法である
。ここで、単分子膜とは一分子の厚さの均一な膜を指し
、これを累積した膜を（単分子）累積膜と称する。この
単分子膜を構成する分子は、同一化学構造内に少くとも
疎水性部分と親水性部分とを有していることが必要であ
る。疎水性部分として一般的なものは、長鎖アルキル基
であり、炭素数が５〜８０くらいのものが用いられる。
面に移しとり、１枚ずつ重ねて超薄膜を作る方法である
。ここで、単分子膜とは一分子の厚さの均一な膜を指し
、これを累積した膜を（単分子）累積膜と称する。この
単分子膜を構成する分子は、同一化学構造内に少くとも
疎水性部分と親水性部分とを有していることが必要であ
る。疎水性部分として一般的なものは、長鎖アルキル基
であり、炭素数が５〜８０くらいのものが用いられる。
他方、親水性部分として一般的なものは、カルボキシル
基、アミノ基等の極性基である。水面上で単分子膜が形
成されるのは、疎水性部分と親水性部分とが適度に釣合
う時である。この時、分子は水に浮きも沈みもせず、親
水性部分を水相に向けて気水界面に単分子膜を形成する
。
基、アミノ基等の極性基である。水面上で単分子膜が形
成されるのは、疎水性部分と親水性部分とが適度に釣合
う時である。この時、分子は水に浮きも沈みもせず、親
水性部分を水相に向けて気水界面に単分子膜を形成する
。
第１図［ａ） 、 ｆｂｌは、従来の単分子累積膜の成
膜装置である。浅くて広い角型の水槽ｌの内側に、ポリ
プロピレン製の枠２が水平に吊ってあり、水面１０を仕
切っている。枠２の内側には、ポリプロピレン製の浮子
８が浮かべられていて、浮子８は枠２の内側との間にわ
ずかの隙間を有するよう作られており、左右に滑らかに
動くことにより、２次元ピストンの働きをする。この浮
子８を右方に移動させるために、プーリー５を介してお
もり４が結びつけられている。また、浮子８を停止させ
たり、左方に押し戻すために、該浮子３上に固定した磁
石６と、左右に移動可能な磁石７が設けられており、該
磁石７は、磁石６に近づけると斥力が働くよう着磁され
たものである。浮子３は、この斥力により左方に移動す
る。なお、このような磁石やおもりの代わりに、モータ
やプーリー等を用いて直接浮子８を移動させることも可
能である。
膜装置である。浅くて広い角型の水槽ｌの内側に、ポリ
プロピレン製の枠２が水平に吊ってあり、水面１０を仕
切っている。枠２の内側には、ポリプロピレン製の浮子
８が浮かべられていて、浮子８は枠２の内側との間にわ
ずかの隙間を有するよう作られており、左右に滑らかに
動くことにより、２次元ピストンの働きをする。この浮
子８を右方に移動させるために、プーリー５を介してお
もり４が結びつけられている。また、浮子８を停止させ
たり、左方に押し戻すために、該浮子３上に固定した磁
石６と、左右に移動可能な磁石７が設けられており、該
磁石７は、磁石６に近づけると斥力が働くよう着磁され
たものである。浮子３は、この斥力により左方に移動す
る。なお、このような磁石やおもりの代わりに、モータ
やプーリー等を用いて直接浮子８を移動させることも可
能である。
９は吸引ノズルで、それぞれ左端および右端付近に設け
られた吸引パイプ８を介して不図示の吸引ポンプに接続
される。単分子累積法に於いては単分子膜あるいは単分
子累積膜の内部に不純物の混入を防止するために、清浄
な純水が使用されるが、水面１０の清掃や不要になった
単分子膜の迅速除去に不図示の吸引ポンプ及び吸引ノズ
ル９が活用される。その場合、浮子３により不要になっ
た単分子層等を掃き寄せながら、吸引ノズル９により迅
速に吸い出すことによって水面ＩＯを浄化する。
られた吸引パイプ８を介して不図示の吸引ポンプに接続
される。単分子累積法に於いては単分子膜あるいは単分
子累積膜の内部に不純物の混入を防止するために、清浄
な純水が使用されるが、水面１０の清掃や不要になった
単分子膜の迅速除去に不図示の吸引ポンプ及び吸引ノズ
ル９が活用される。その場合、浮子３により不要になっ
た単分子層等を掃き寄せながら、吸引ノズル９により迅
速に吸い出すことによって水面ＩＯを浄化する。
こうして、清浄になった水面１０の左端に浮子８を寄せ
て、約５Ｘ１０ Ｍ／／の濃度でベンゼン。
て、約５Ｘ１０ Ｍ／／の濃度でベンゼン。
クロロホルム等の揮発性溶媒に溶かした薄膜構成物質の
溶液を、数滴水面ｌＯに滴下すると、溶媒が揮発した後
に単分子膜が水面■０上に残される。
溶液を、数滴水面ｌＯに滴下すると、溶媒が揮発した後
に単分子膜が水面■０上に残される。
この単分子膜は水面１０上で２次元系の挙動を示す。分
子の面密度が低いときは気体膜と呼ばれ、−分子あたり
の占有面積と表面圧との間には２次元理想気体の状態方
程式が成立する。占有面積と表面圧は不図示の測定器に
よって自動的かつ持続的に計測される。占有面積及びそ
の変化量は浮子８の左右の動きからめられる。表面圧の
測定器としては、純水及び単分子膜でおおわれた水面の
表面張力の差から間接的にめる方法を応用したもの、純
水表面と単分子膜面を区切るように浮かべた浮子８にか
かる２次元的圧力を直接測定するもの等があり、それぞ
れ特色がある。気体膜の状態から、徐々に浮子３を右方
に動かし、単分子膜が展開する水面の広がりを次第に縮
めて面密度を増してゆくと、分子間相互作用が強まり２
次元液体の液体膜を経て、２次元固体の固体膜へと変わ
る。該固体膜になると、分子の配列配向けきれいにそろ
い、高度の秩序性と均一な超薄膜性を持つにいたる。そ
こで、該固体膜の状態を維持したまま、該単分子膜を清
浄な基板１１（例えば、ガラス、セラミック、プラスチ
ック又は金属等の基板が用いられる）の表面に移すこと
が可能となる。
子の面密度が低いときは気体膜と呼ばれ、−分子あたり
の占有面積と表面圧との間には２次元理想気体の状態方
程式が成立する。占有面積と表面圧は不図示の測定器に
よって自動的かつ持続的に計測される。占有面積及びそ
の変化量は浮子８の左右の動きからめられる。表面圧の
測定器としては、純水及び単分子膜でおおわれた水面の
表面張力の差から間接的にめる方法を応用したもの、純
水表面と単分子膜面を区切るように浮かべた浮子８にか
かる２次元的圧力を直接測定するもの等があり、それぞ
れ特色がある。気体膜の状態から、徐々に浮子３を右方
に動かし、単分子膜が展開する水面の広がりを次第に縮
めて面密度を増してゆくと、分子間相互作用が強まり２
次元液体の液体膜を経て、２次元固体の固体膜へと変わ
る。該固体膜になると、分子の配列配向けきれいにそろ
い、高度の秩序性と均一な超薄膜性を持つにいたる。そ
こで、該固体膜の状態を維持したまま、該単分子膜を清
浄な基板１１（例えば、ガラス、セラミック、プラスチ
ック又は金属等の基板が用いられる）の表面に移すこと
が可能となる。
基板に付着した単分子膜の上に更に何層にでも単分子膜
を累積することもできる。一般に、累積操作に好適な単
分子膜の表面圧は１５〜８０ ｄｙｎｅ ７ｃｍである
。その範囲外では分子の配列配向秩序が乱れたり、膜の
剥離が生じたりするので、不適当である。しかしながら
、例えば、膜構造物質の化学構造及び温度条件等によっ
ては、好適な表面圧の値が上述の範囲からはずれる場合
もあるので、上述の範囲は一応の目安である。単分子膜
が累積操作に好適な条件の範囲内で選ばれた一定の表面
圧を常に維へ持できるように、磁石７を左右に駆動させ
る不図示の駆動装置が、不図示の表面圧制御装置によっ
て制御される。例えば、累積操作過程において、単分子
膜が基板に移し取られると当然表面圧は低下するので、
磁石７を右に動かして、すなわち、浮子３を右に動かし
て展開膜面積を圧縮し、表面圧低下分を補正して一定表
面圧を維持する操作が、自動的に為される。
を累積することもできる。一般に、累積操作に好適な単
分子膜の表面圧は１５〜８０ ｄｙｎｅ ７ｃｍである
。その範囲外では分子の配列配向秩序が乱れたり、膜の
剥離が生じたりするので、不適当である。しかしながら
、例えば、膜構造物質の化学構造及び温度条件等によっ
ては、好適な表面圧の値が上述の範囲からはずれる場合
もあるので、上述の範囲は一応の目安である。単分子膜
が累積操作に好適な条件の範囲内で選ばれた一定の表面
圧を常に維へ持できるように、磁石７を左右に駆動させ
る不図示の駆動装置が、不図示の表面圧制御装置によっ
て制御される。例えば、累積操作過程において、単分子
膜が基板に移し取られると当然表面圧は低下するので、
磁石７を右に動かして、すなわち、浮子３を右に動かし
て展開膜面積を圧縮し、表面圧低下分を補正して一定表
面圧を維持する操作が、自動的に為される。
上述したごとく、従来、単分子膜の構成分子を溶質とす
る溶液（単分子液）の供給には、スポイト等の手段を用
いて、液滴が広がるまで一定時間静置していた。単分子
膜の移し取りにつれて水面上の単分子が減少し、やがて
移し取りが不可能な程減少すると、またスポイトで供給
し、一定時間静置するということを繰り返していた。こ
のような操作によると、静置時間という無駄な時間によ
り作業能率が悪いばかりでなく、微妙な膜内の単分子密
度や配列において差が生じ、均一性という点でも劣ると
いう欠点があった。
る溶液（単分子液）の供給には、スポイト等の手段を用
いて、液滴が広がるまで一定時間静置していた。単分子
膜の移し取りにつれて水面上の単分子が減少し、やがて
移し取りが不可能な程減少すると、またスポイトで供給
し、一定時間静置するということを繰り返していた。こ
のような操作によると、静置時間という無駄な時間によ
り作業能率が悪いばかりでなく、微妙な膜内の単分子密
度や配列において差が生じ、均一性という点でも劣ると
いう欠点があった。
本発明の目的は上述の欠点を除去することであり、その
ために、単分子膜の移し取りによる液面上の単分子膜の
減少分を補正するためノズルを用いて連続的に単分子液
を補給し、さらに液滴が水平方向に吐出されるよう該ノ
ズルを配設することにより、単分子膜の連続的かつ均一
な累積を可能とし、捷だ従来用いられている加圧手段を
不要とするものである。
ために、単分子膜の移し取りによる液面上の単分子膜の
減少分を補正するためノズルを用いて連続的に単分子液
を補給し、さらに液滴が水平方向に吐出されるよう該ノ
ズルを配設することにより、単分子膜の連続的かつ均一
な累積を可能とし、捷だ従来用いられている加圧手段を
不要とするものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、各図面において、同じ参照符号は同じ構成
部材を示し、同一の機能を有するものとする。
する。なお、各図面において、同じ参照符号は同じ構成
部材を示し、同一の機能を有するものとする。
第２図（ａｌ 、 （ｂ）は本発明の一実施例であり、
ノズルが固定されている場合を示し、第３図ｆａｌ 、
（ｂ）は別の実施例であり、移動自在のノズルを使用
した場合を示す。
ノズルが固定されている場合を示し、第３図ｆａｌ 、
（ｂ）は別の実施例であり、移動自在のノズルを使用
した場合を示す。
両図において、■は水槽、２は枠、１０は水面。
１１は基板、１２は基板上下動腕、１Ｂはノズル。
１４は表面圧測定用の紙片、１５は糸、１６は支点、１
７は皿、１８はフレキシブルチューブ、 １９は単分子
膜の構成分子を溶質とする溶液のタンク（以下、単分子
液タンクと称する。）、２０はノズル移動ベルト、２１
は歯車、２２はモータ、２８はアイドラーである。
７は皿、１８はフレキシブルチューブ、 １９は単分子
膜の構成分子を溶質とする溶液のタンク（以下、単分子
液タンクと称する。）、２０はノズル移動ベルト、２１
は歯車、２２はモータ、２８はアイドラーである。
まず、第２図（ａ）、 （ｂｌにおいて、水槽１に純水
あるいは無機塩水溶液を注ぎ、枠２で囲んだ中にノズル
１８を設ける。ノズル１３は移動し々いように枠２に固
定してあり、かつ、ノズルは基板１１に対し垂直であり
、まだ水面１０に対し水平である。ノズル１３は、ノズ
ル口からの液滴吐出に伴ない、単分子液タンク１９から
フレキシブルチューブ１８を介して単分子液の供給を受
けている。
あるいは無機塩水溶液を注ぎ、枠２で囲んだ中にノズル
１８を設ける。ノズル１３は移動し々いように枠２に固
定してあり、かつ、ノズルは基板１１に対し垂直であり
、まだ水面１０に対し水平である。ノズル１３は、ノズ
ル口からの液滴吐出に伴ない、単分子液タンク１９から
フレキシブルチューブ１８を介して単分子液の供給を受
けている。
また、ノズル１３から吐出される液滴は、初速５〜ｌ
Ｏｍ ／ ｓ 、周波数１〜Ｂ Ｋｉ（ｚで、液滴径は
５０〜１００μｍである。この条件で吐出すると、単分
子膜に適切な表面圧を与えることができ、前述の固体膜
となる。表面圧は、単分子の密度変化により表面圧測定
用の紙片１４の比重が変化し、糸１５及び支点１６を介
して、皿１７上のおもりにより測定される。不図示のフ
ィードバック系により、表面圧を一定とするように、ノ
ズルから吐出される液滴の初速１周波数、大きさを変化
させるが、一般には、周波数を変化させるのが最も簡便
な方法である。このように表面圧を一定とした単分子膜
に対して基板上下動腕１２により固定された基板１１が
上下し、単分子膜を移し取る。
Ｏｍ ／ ｓ 、周波数１〜Ｂ Ｋｉ（ｚで、液滴径は
５０〜１００μｍである。この条件で吐出すると、単分
子膜に適切な表面圧を与えることができ、前述の固体膜
となる。表面圧は、単分子の密度変化により表面圧測定
用の紙片１４の比重が変化し、糸１５及び支点１６を介
して、皿１７上のおもりにより測定される。不図示のフ
ィードバック系により、表面圧を一定とするように、ノ
ズルから吐出される液滴の初速１周波数、大きさを変化
させるが、一般には、周波数を変化させるのが最も簡便
な方法である。このように表面圧を一定とした単分子膜
に対して基板上下動腕１２により固定された基板１１が
上下し、単分子膜を移し取る。
本実施例では、ノズル１８はフルマルチノズルで、第２
図ｆａｌに示すように、枠２の内側間の距離に等しい幅
を有している。別の実施例（第８図（ａ）参照）では、
ノズル１８はシングルあるいはマルチノズルで、左右に
該ノズル１３を移動させる機構により、本実施例の場合
と同様の効果が得られる。すなわち、第８図（ａ） 、
（ｂｌにおいて、ノズル１８はノズル移動ベルト２０
に固定されており、モータ２２．歯車２１及びアイドラ
ー２８により、左右方向に移動自在となっている。ここ
で、フレキ７ブルチユーブ１８には余裕を持たせてあり
、ノズル１３が自由に移動できるよう設定されている。
図ｆａｌに示すように、枠２の内側間の距離に等しい幅
を有している。別の実施例（第８図（ａ）参照）では、
ノズル１８はシングルあるいはマルチノズルで、左右に
該ノズル１３を移動させる機構により、本実施例の場合
と同様の効果が得られる。すなわち、第８図（ａ） 、
（ｂｌにおいて、ノズル１８はノズル移動ベルト２０
に固定されており、モータ２２．歯車２１及びアイドラ
ー２８により、左右方向に移動自在となっている。ここ
で、フレキ７ブルチユーブ１８には余裕を持たせてあり
、ノズル１３が自由に移動できるよう設定されている。
第４図はノズルの一例で断面図を示し、第５図は、前述
のノズル１８に吐出ノズル要素を組込んだ時の態様を示
す斜視図である。
のノズル１８に吐出ノズル要素を組込んだ時の態様を示
す斜視図である。
両図において、２４は吐出ノズル要素、２５は円筒状部
材、２６は電気／機械変換体、２７は液供給管、２８は
流入口、２９は流入口２８の側端部、８０は吐出オリフ
ィス、８１は吐出オリフィス８０の側端部、３２は圧力
発生部、８８は外面電極、８４は内面電極、８５は吐出
ノズル要素２４を支持するだめの溝、３６は治具である
。流入口２８から入った単分子液は、圧力発生部８２に
より加圧され、吐出オリフィス３０から液滴となって吐
出される。なお、圧力発生部８２には、ピエゾ素子、ヒ
ーター、ポンプ等が用いられる。
材、２６は電気／機械変換体、２７は液供給管、２８は
流入口、２９は流入口２８の側端部、８０は吐出オリフ
ィス、８１は吐出オリフィス８０の側端部、３２は圧力
発生部、８８は外面電極、８４は内面電極、８５は吐出
ノズル要素２４を支持するだめの溝、３６は治具である
。流入口２８から入った単分子液は、圧力発生部８２に
より加圧され、吐出オリフィス３０から液滴となって吐
出される。なお、圧力発生部８２には、ピエゾ素子、ヒ
ーター、ポンプ等が用いられる。
第６図は前述の実施例の変形例で、枠２を半円形とする
ことを特徴としている。方形の枠の場合には、枠の内壁
面に単分子膜が押し当る力、すなわち表面圧は、角にな
っている部分とそれ以外の部分とでは若干具なるため、
均一となりにくい。
ことを特徴としている。方形の枠の場合には、枠の内壁
面に単分子膜が押し当る力、すなわち表面圧は、角にな
っている部分とそれ以外の部分とでは若干具なるため、
均一となりにくい。
従来のしきり板による表面圧発生法では、静的であるが
ためにそれほど問題にはならなかったが、本発明のよう
に吐出圧を利用する動的な装置においては、まわり込み
が問題となる。半円形のしきり板は液滴の流れを滑らか
にし、均一な表面圧を形成することを可能とする。
ためにそれほど問題にはならなかったが、本発明のよう
に吐出圧を利用する動的な装置においては、まわり込み
が問題となる。半円形のしきり板は液滴の流れを滑らか
にし、均一な表面圧を形成することを可能とする。
なお、第７図＋ａ） 、 ｆｂｌ 、 （ｃｌ 、 （
ｄｌはノズル各種を示し、それぞれ、シングルノズル、
横一列のマルチノズル、段違いのマルチノズル、マトリ
クス状のマルチノズルである。
ｄｌはノズル各種を示し、それぞれ、シングルノズル、
横一列のマルチノズル、段違いのマルチノズル、マトリ
クス状のマルチノズルである。
以上説明したように、本発明は、単分子膜の移し取りに
よる液面上の単分子膜の減少分を、ノズルを用いて連続
的に単分子液を補給し、さらに液滴が水平方向に吐出さ
れるようノズルを設けるこ□ とにより、連続的かつ均
一な単分子累積膜の成膜を可能とし、また表面圧発生手
段を不要にして装置の簡単化を図れる効果がある。
よる液面上の単分子膜の減少分を、ノズルを用いて連続
的に単分子液を補給し、さらに液滴が水平方向に吐出さ
れるようノズルを設けるこ□ とにより、連続的かつ均
一な単分子累積膜の成膜を可能とし、また表面圧発生手
段を不要にして装置の簡単化を図れる効果がある。
第１図（ａ）、 ｆｂ）は従来の単分子累積膜の成膜装
置で、それぞれ斜視図および断面図、第２図ｆａ）、（
ｂｌは本発明の一実施例で、それぞれ平面図および断面
図、第８図ｆａｌ 、 （ｂｌは別の実施例で、それぞ
れ平面図および断面図、第４図はノズルの一例の断面図
、第５図はノズルの斜視図、第６図は前述の実施例の変
形例、第７図（ａｌ〜ｌｄｌは各種のノズルを示す図で
ある。 １・・・水槽。 ２・・・枠。 １０・・・水面。 １１・・・基板。 ■２・・・基板上下動腕。 １８・・・ノズル。 １４・・・（表面圧測定用の）紙片。 １５・・・糸。 １６・・・支点。 １７・・・皿。 １８・・・フレキシブルチューブ。 １９・・・単分子液夕／り。 ２０・・・ノズル移動ベルト。 ２１・・・歯車。 ２２・・・モータ。 ２８・・・アイドラー。 ２４・・・吐出ノズル要素。 ２８・・・流入口。 ８０・・・吐出オリフィス。 ３２・・・圧力発生部。 ３６・・・治具。 特許出願人 キャノン株式会社 （ａ） 左φ−−−−−十右 第１図 ｌｂ 第４図 第５図 第６図
置で、それぞれ斜視図および断面図、第２図ｆａ）、（
ｂｌは本発明の一実施例で、それぞれ平面図および断面
図、第８図ｆａｌ 、 （ｂｌは別の実施例で、それぞ
れ平面図および断面図、第４図はノズルの一例の断面図
、第５図はノズルの斜視図、第６図は前述の実施例の変
形例、第７図（ａｌ〜ｌｄｌは各種のノズルを示す図で
ある。 １・・・水槽。 ２・・・枠。 １０・・・水面。 １１・・・基板。 ■２・・・基板上下動腕。 １８・・・ノズル。 １４・・・（表面圧測定用の）紙片。 １５・・・糸。 １６・・・支点。 １７・・・皿。 １８・・・フレキシブルチューブ。 １９・・・単分子液夕／り。 ２０・・・ノズル移動ベルト。 ２１・・・歯車。 ２２・・・モータ。 ２８・・・アイドラー。 ２４・・・吐出ノズル要素。 ２８・・・流入口。 ８０・・・吐出オリフィス。 ３２・・・圧力発生部。 ３６・・・治具。 特許出願人 キャノン株式会社 （ａ） 左φ−−−−−十右 第１図 ｌｂ 第４図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）成膜用分子を溶質とする溶液を供給する手段を有
し、該手段の吐出部がノズルであることを特徴とする成
膜装置。 - （２）前記ノズルを、液滴が水平方向に吐出されるよう
に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6485484A JPS60209245A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6485484A JPS60209245A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209245A true JPS60209245A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13270187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6485484A Pending JPS60209245A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252923A1 (en) * | 1986-01-02 | 1988-01-20 | Molecular Electronics Corp | METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING MONOMOLECULAR LAYERS ON A SUBSTRATE. |
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1984
- 1984-03-31 JP JP6485484A patent/JPS60209245A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252923A1 (en) * | 1986-01-02 | 1988-01-20 | Molecular Electronics Corp | METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING MONOMOLECULAR LAYERS ON A SUBSTRATE. |
| EP0252923A4 (en) * | 1986-01-02 | 1988-04-27 | Molecular Electronics Corp | METHOD AND DEVICE FOR APPLYING MONOMOLECULAR LAYERS TO A SUBSTRATE. |
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