JPS60207070A - ガス絶縁変流器 - Google Patents
ガス絶縁変流器Info
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- JPS60207070A JPS60207070A JP59062194A JP6219484A JPS60207070A JP S60207070 A JPS60207070 A JP S60207070A JP 59062194 A JP59062194 A JP 59062194A JP 6219484 A JP6219484 A JP 6219484A JP S60207070 A JPS60207070 A JP S60207070A
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- Japan
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- current transformer
- conductor
- optical
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の技術分野]
′本発明は、ガス絶縁開閉装置に用いられる変流器に関
覆るものであり、 Irjに磁気光学り)果を1もつ光
磁界センJjを、導体の一部に形成したコイル部内に配
置1ノだ変流器に係る。
覆るものであり、 Irjに磁気光学り)果を1もつ光
磁界センJjを、導体の一部に形成したコイル部内に配
置1ノだ変流器に係る。
[発明の技術的画用]
従来、ガス絶縁開開装首ば用いられるガス絶縁変流器は
、ケイ素鋼板にコイルを巻き刊り(成る鉄心タイプの変
流器]77にJ−り構成されていた。
、ケイ素鋼板にコイルを巻き刊り(成る鉄心タイプの変
流器]77にJ−り構成されていた。
この様イI従来のガス絶縁変流器の一例を、第1図に示
す°3相一括型のガス絶縁3相変流器を例にとって説明
する。
す°3相一括型のガス絶縁3相変流器を例にとって説明
する。
円筒形のタンク1内に1まU、V、W相の3相の導体2
u〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁ス
ペー′113が設【プられ、これによって導体2u〜2
Wが支持されている。タンク1は、その軸に垂直に前後
に分割され、前方にあって本来の径を有づるタンク1a
と、後方にあって変流器′1ア4の寸法分だけ径が大き
くされlこタンク1bとから構成されている。このタン
ク1bの内側端部のう9体2u〜2wの延長上に人々変
流器−コアが設置されている。ぞして、この変流器コア
4の前方(即ち、後方のタンク1bの端部)には支持板
5が設けられ、変流器コア4の内側にはこれと連結して
絶縁シールド6が股りられ、これらににす、変流器−コ
ア4の支持、及び導体2U〜2Wとの絶縁がなされてい
る。更に、タンク1の下部には、変流器コア4の電流を
引さ出り為の密封端子7が設(プられている。
u〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁ス
ペー′113が設【プられ、これによって導体2u〜2
Wが支持されている。タンク1は、その軸に垂直に前後
に分割され、前方にあって本来の径を有づるタンク1a
と、後方にあって変流器′1ア4の寸法分だけ径が大き
くされlこタンク1bとから構成されている。このタン
ク1bの内側端部のう9体2u〜2wの延長上に人々変
流器−コアが設置されている。ぞして、この変流器コア
4の前方(即ち、後方のタンク1bの端部)には支持板
5が設けられ、変流器コア4の内側にはこれと連結して
絶縁シールド6が股りられ、これらににす、変流器−コ
ア4の支持、及び導体2U〜2Wとの絶縁がなされてい
る。更に、タンク1の下部には、変流器コア4の電流を
引さ出り為の密封端子7が設(プられている。
ところで、この様なガス絶縁変流器においては、各相に
設置)る変流器コアが重い為、これを支える支持板5、
絶縁シールド6等−しかなりの大きさとなり、しかも3
相一括型ではこれらを3箇所に設(プる為に機器が複i
t・大型化し、重量も大きくなってしなう。まIC1変
流器コアは1コアで1用途にしか使用できない為、継電
器用や計測用などに複数のコアが必要となり、これも大
型化の原因と’t′にり、コスト的にも高価どなってし
まう。
設置)る変流器コアが重い為、これを支える支持板5、
絶縁シールド6等−しかなりの大きさとなり、しかも3
相一括型ではこれらを3箇所に設(プる為に機器が複i
t・大型化し、重量も大きくなってしなう。まIC1変
流器コアは1コアで1用途にしか使用できない為、継電
器用や計測用などに複数のコアが必要となり、これも大
型化の原因と’t′にり、コスト的にも高価どなってし
まう。
これらの欠点に鑑み、最近では、細径性、絶縁性、無誘
導性、耐環境性等の優れた特徴を有づる光ファイバーを
用いた計測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
ザにj二り変流器を構成りる試みがなされている、。
導性、耐環境性等の優れた特徴を有づる光ファイバーを
用いた計測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
ザにj二り変流器を構成りる試みがなされている、。
第2図及び本発明に先行りる技1+iどし゛C記載し1
、、:第3図に従って、この様な光磁界センリを用いた
ガス絶縁変流器の一例を説明りる1、タンク1内に配設
された3相の導体2u・〜2Wには、(の高電弄側に光
磁界センリ8が段りられ、この延展上のタンク]には、
密封端子7が気密に設【ノられている。光1社界Uンリ
8(よ、7n5e等のファラデー素子を主体として偏光
子、174波長板、検光T−等から構成され、密封端1
′7は光発信器、先受IS器及び演算子からなる検出装
置10に、光フアイバーケーブル9を介しく接続され・
るものでおる。ここで、光磁界センサ8は、第3図の如
く、各々休2uへ・2Wの周囲にイれぞれ複数個設(′
Jられ、導体の軸を中心とした同心円接線方向の磁稈を
i?を測し、での周回積分の近似式からアンペールの定
理に従って8導体の電流を11測する様になっている。
、、:第3図に従って、この様な光磁界センリを用いた
ガス絶縁変流器の一例を説明りる1、タンク1内に配設
された3相の導体2u・〜2Wには、(の高電弄側に光
磁界センリ8が段りられ、この延展上のタンク]には、
密封端子7が気密に設【ノられている。光1社界Uンリ
8(よ、7n5e等のファラデー素子を主体として偏光
子、174波長板、検光T−等から構成され、密封端1
′7は光発信器、先受IS器及び演算子からなる検出装
置10に、光フアイバーケーブル9を介しく接続され・
るものでおる。ここで、光磁界センサ8は、第3図の如
く、各々休2uへ・2Wの周囲にイれぞれ複数個設(′
Jられ、導体の軸を中心とした同心円接線方向の磁稈を
i?を測し、での周回積分の近似式からアンペールの定
理に従って8導体の電流を11測する様になっている。
このガス絶縁変流器の作用121次の通りである。
即ち、密封端子7を介して光発信器から光磁界センサ8
に光が送られると、この光はまず偏光子を通り、ランダ
ム偏光から直線偏光になり、17′4波長板で位相変調
を受り−(円偏光となる。そして、ノアラブ−素子を通
過J8際に磁讐の人ささに応じた楕円偏光となって、検
光子で強度変調されC再び密」1端子7に戻り、これに
接続された検出装置に送られ先受(+F 器によって光
パワーとして取り出し゛(、演算子の)山亦処理によっ
て141界の大きさに比例した出力が取り出される。
に光が送られると、この光はまず偏光子を通り、ランダ
ム偏光から直線偏光になり、17′4波長板で位相変調
を受り−(円偏光となる。そして、ノアラブ−素子を通
過J8際に磁讐の人ささに応じた楕円偏光となって、検
光子で強度変調されC再び密」1端子7に戻り、これに
接続された検出装置に送られ先受(+F 器によって光
パワーとして取り出し゛(、演算子の)山亦処理によっ
て141界の大きさに比例した出力が取り出される。
光磁界センリ8にj、絶縁性に優れる為、上記の如く導
体2u−2Wの近傍に配置でき、また密封端子7も小型
化でさる。その結果、ガス絶縁変流器(j大幅に縮小、
軽重化される。特に具体的に数値を示せば、長さについ
ては20%稈磨、直径については60%稈磨に縮小され
た実例がある。また、光磁界センサは、伝号の多重化が
自由である為、従来の様に、使用用jの別に複数のコア
を設(]るbのと違い、1つのセン1ノを設けるだけで
、これを多用途に使用できる1、従って、この点におい
て。
体2u−2Wの近傍に配置でき、また密封端子7も小型
化でさる。その結果、ガス絶縁変流器(j大幅に縮小、
軽重化される。特に具体的に数値を示せば、長さについ
ては20%稈磨、直径については60%稈磨に縮小され
た実例がある。また、光磁界センサは、伝号の多重化が
自由である為、従来の様に、使用用jの別に複数のコア
を設(]るbのと違い、1つのセン1ノを設けるだけで
、これを多用途に使用できる1、従って、この点におい
て。
変流器をより小型化・簡略化づることが可能であリ、ロ
スト的にb安(llliである。
スト的にb安(llliである。
[背昂技術の問題点]
しかし、この様に構成した変流器(−は、各光磁界レン
ジが検知づる磁界の方向が、導体の軸を中心どした同心
円接線方向であるため、3 II一括母線の様に近接し
て他相の導体が配置されていると、隣接相にJ、る導体
軸方向と垂直な成分の影響を受り易い。即ち、第4図に
おいて、(」相のi9捧2uの電流を考えるど、図中の
磁力線ΦがV相、W相の導体2V、2Wを横切るため、
■相、W相の導体近傍にJ3いては各相の導体自身にJ
、つく生じる磁界に、このU相の導体2(」の電流1.
l J、る1分界が合成される。2このごとI;l、V
相、W相の>9体2V。
ジが検知づる磁界の方向が、導体の軸を中心どした同心
円接線方向であるため、3 II一括母線の様に近接し
て他相の導体が配置されていると、隣接相にJ、る導体
軸方向と垂直な成分の影響を受り易い。即ち、第4図に
おいて、(」相のi9捧2uの電流を考えるど、図中の
磁力線ΦがV相、W相の導体2V、2Wを横切るため、
■相、W相の導体近傍にJ3いては各相の導体自身にJ
、つく生じる磁界に、このU相の導体2(」の電流1.
l J、る1分界が合成される。2このごとI;l、V
相、W相の>9体2V。
2W(!−考λた揚合し同様であり、各導体の磁界は、
複雑な様相を?している。従って、59体近傍に、当該
導体の電流と位相を計測づる光磁界レンジ゛を段1ノる
際に【91、他相磁界の影響を排除しなりれば、C!測
データの精度は大幅に低下する恐れがある。
複雑な様相を?している。従って、59体近傍に、当該
導体の電流と位相を計測づる光磁界レンジ゛を段1ノる
際に【91、他相磁界の影響を排除しなりれば、C!測
データの精度は大幅に低下する恐れがある。
このことは、3相一括型の変流器だりではなく、事故電
流は平常時の電流の25倍にも達づることもあり、単相
型の様に各相の導体が離れている場合でも、事故時の強
磁界は距離に反比例して小さくなるとはいえ、隣接相の
光磁界センサの測定精度に影響を与えることは避けられ
ない。
流は平常時の電流の25倍にも達づることもあり、単相
型の様に各相の導体が離れている場合でも、事故時の強
磁界は距離に反比例して小さくなるとはいえ、隣接相の
光磁界センサの測定精度に影響を与えることは避けられ
ない。
また、導体の周囲に一種類の光磁界センサしか設けられ
ていないため、鮭全通ffl Mの比較的小さな磁界強
度に対しては精度の高い測定が可能であるが、地絡事故
11.)の入電流については対処できない問題点もある
。即ら、第5図に示lす如く、光磁界センサの磁界強1
良に対する光出力1も11は、一定のレベルを越えると
心線性(L’ ! n e a r特性)が他相づるの
で、1個の光磁界レノ1ノー、例えば陽1もしくはNO
,2の光磁界センサを使用した場合に、イの測定可能レ
ンジが限られてしまい、健全時と事故時とで2518に
も達する電流差があると、1個の光磁界センサで全レン
ジをカバーりることが不可能となる。
ていないため、鮭全通ffl Mの比較的小さな磁界強
度に対しては精度の高い測定が可能であるが、地絡事故
11.)の入電流については対処できない問題点もある
。即ら、第5図に示lす如く、光磁界センサの磁界強1
良に対する光出力1も11は、一定のレベルを越えると
心線性(L’ ! n e a r特性)が他相づるの
で、1個の光磁界レノ1ノー、例えば陽1もしくはNO
,2の光磁界センサを使用した場合に、イの測定可能レ
ンジが限られてしまい、健全時と事故時とで2518に
も達する電流差があると、1個の光磁界センサで全レン
ジをカバーりることが不可能となる。
[発明の目的]
本発明は、上記の様な問題点を解消りるために提案され
たもので、その目的は、隣接相の磁界の影響を受cJる
ことなく、しかしia磁界強1良比較的小さ4f健全通
電■)でし、磁界強度の人さl、’c JI!l絡事故
時でも11i11度の、6い測定を実施でさるガス絶縁
変流器を提供りることにある。
たもので、その目的は、隣接相の磁界の影響を受cJる
ことなく、しかしia磁界強1良比較的小さ4f健全通
電■)でし、磁界強度の人さl、’c JI!l絡事故
時でも11i11度の、6い測定を実施でさるガス絶縁
変流器を提供りることにある。
し発明の概要1
4\発明のガス絶縁変流器1;)1、各相のり体の光磁
弄セン号配設部分に内部が中空となった゛−1イル部を
形成し、この二]イル部内に脅イホの軸プノ向の磁界を
発生させ、この磁界を−J−(ル部内に軸方向に治って
配設した一方向型の光磁界レンジで検出づ−ることにJ
、す、隣接相で発生りる導体軸と垂直方向の)社弄に影
響されることなく、fl測を実施りる様にし!ζもので
ある。
弄セン号配設部分に内部が中空となった゛−1イル部を
形成し、この二]イル部内に脅イホの軸プノ向の磁界を
発生させ、この磁界を−J−(ル部内に軸方向に治って
配設した一方向型の光磁界レンジで検出づ−ることにJ
、す、隣接相で発生りる導体軸と垂直方向の)社弄に影
響されることなく、fl測を実施りる様にし!ζもので
ある。
特に、本発明は、前記コイル部内にグイノミツクレンジ
の程なる2種以上の光磁Wレンジを配置りることにJ、
つ(、広範囲の磁界゛強度を1′八度良くit 111
11づる様にしたしのである。
の程なる2種以上の光磁Wレンジを配置りることにJ、
つ(、広範囲の磁界゛強度を1′八度良くit 111
11づる様にしたしのである。
[発明の実施例]
以下、本発明の一実施例を第6図以下の図面に従って具
体的に説明する。
体的に説明する。
第6図(A>(Q)は、本発明をli相型の瓦斯絶縁変
流器に適用しlこ実施例である1゜この実施例において
、中相型接地タンク11内には、シル休12がりツク1
1の軸方向に冶って配設されている。これら導体12は
、筒状の中空導体であって、での光磁界レンジの配設部
には、内部を中空に形成したコイル部13が前記導体1
2の軸プi向に沿って形成されている。この−、オイル
部13は、棒状の導体を少なくとも2タ一ン巻回して形
成されている。この二コイル部13内の中空部分には、
導体12の軸方向の磁界に対しC最人感1立を持つ様に
、ノドうγ−素素子右りる2個の光磁界レンジ14Δ、
14Bが配置されている。
流器に適用しlこ実施例である1゜この実施例において
、中相型接地タンク11内には、シル休12がりツク1
1の軸方向に冶って配設されている。これら導体12は
、筒状の中空導体であって、での光磁界レンジの配設部
には、内部を中空に形成したコイル部13が前記導体1
2の軸プi向に沿って形成されている。この−、オイル
部13は、棒状の導体を少なくとも2タ一ン巻回して形
成されている。この二コイル部13内の中空部分には、
導体12の軸方向の磁界に対しC最人感1立を持つ様に
、ノドうγ−素素子右りる2個の光磁界レンジ14Δ、
14Bが配置されている。
これら各光磁界はン4J14△、14Bは、直線状の磁
界をiil ml+ !lる 方向型のレンジで、第5
図に示し1〔センザ臨1.比2の如く、その磁界強度に
対する測定レンジが互いに異なったものである。
界をiil ml+ !lる 方向型のレンジで、第5
図に示し1〔センザ臨1.比2の如く、その磁界強度に
対する測定レンジが互いに異なったものである。
各光磁界セン1)14△、14Bは、二1イル部13に
接続された円筒状導体12の端部に対して支持台15を
介して、−1イル部13内の中心軸上に位岡づる様に固
定されている。これら各光磁界ゼン量す14A、14B
の支持台側の端部側面と、タンク11外部に設(プられ
た検出部1Gどの17ilには、タンク11に設りられ
た密封端子17を貫通して、光フアイバーグープル18
が設けられ(いる。なお、検出装置16は、先発(g器
(発光ダイオード)LEDど光受信器()、fl〜ダイ
A−ド)1〕D及び演算子16aとから構成され°Cい
る。
接続された円筒状導体12の端部に対して支持台15を
介して、−1イル部13内の中心軸上に位岡づる様に固
定されている。これら各光磁界ゼン量す14A、14B
の支持台側の端部側面と、タンク11外部に設(プられ
た検出部1Gどの17ilには、タンク11に設りられ
た密封端子17を貫通して、光フアイバーグープル18
が設けられ(いる。なお、検出装置16は、先発(g器
(発光ダイオード)LEDど光受信器()、fl〜ダイ
A−ド)1〕D及び演算子16aとから構成され°Cい
る。
更に、本実施例においては、L記の様/、「−:、イル
部13を構成する螺旋状導体の各ターン間の間隙部に、
レラミック祠或いは合成樹脂材の様な絶縁物から成る拘
束部材1つが、一体成型等の手段で1■込まれている。
部13を構成する螺旋状導体の各ターン間の間隙部に、
レラミック祠或いは合成樹脂材の様な絶縁物から成る拘
束部材1つが、一体成型等の手段で1■込まれている。
この拘束部材19は、 例どして、ぞの外周部にコイル
部13の導体が1■合りる凹部19aが形成されたしの
で、各ターンをその内側から拘束する様に<7っている
。
部13の導体が1■合りる凹部19aが形成されたしの
で、各ターンをその内側から拘束する様に<7っている
。
この様な構成を右りる本実施例の変流器において、検出
装置16の光発信器LEDから発した光は、図示しない
偏光子によりKII線偏波され、その直線偏光が光フア
イバーケーブル18によりタンク11内に導かれる。そ
して、各光磁界センサ14A、14Bのノア1ラデー素
子において、通電によりコイル部13内に軸方向の磁界
が発生し、そこに加わる磁界にJ、り所定のノア・ラブ
−角回転した後、再び光フッフィバ−ケーブル18を通
って光受信器1) Dに光ω変化とし【入力され、演昏
子16aから電気信号として取出される。
装置16の光発信器LEDから発した光は、図示しない
偏光子によりKII線偏波され、その直線偏光が光フア
イバーケーブル18によりタンク11内に導かれる。そ
して、各光磁界センサ14A、14Bのノア1ラデー素
子において、通電によりコイル部13内に軸方向の磁界
が発生し、そこに加わる磁界にJ、り所定のノア・ラブ
−角回転した後、再び光フッフィバ−ケーブル18を通
って光受信器1) Dに光ω変化とし【入力され、演昏
子16aから電気信号として取出される。
この場合、第7図に示!7様に導体12の部分では電流
ilが導体の軸方向に流れ、それに伴って導体12の周
囲には、その軸方向と直角な成分の磁界Φlが発生Jる
が、前記電流11はコイル部13では旋回しながら流れ
る電流12となるため、コイル内部空間の磁界Φ2の向
きは導体12の軸方向とほぼ平行で同軸状となり、隣接
相の導体を流れる電流i3による磁界Φ3とは直交する
関係にあり、隣接相の磁界の影響を受けることがない。
ilが導体の軸方向に流れ、それに伴って導体12の周
囲には、その軸方向と直角な成分の磁界Φlが発生Jる
が、前記電流11はコイル部13では旋回しながら流れ
る電流12となるため、コイル内部空間の磁界Φ2の向
きは導体12の軸方向とほぼ平行で同軸状となり、隣接
相の導体を流れる電流i3による磁界Φ3とは直交する
関係にあり、隣接相の磁界の影響を受けることがない。
また、本実施例では、コイル部13の導体のターン数を
少なくと62ターン設【ノることにより、各、ターン間
におけるゴ1イル部13内の磁界の方向を直線状とした
ので、隣接相の磁界の影響を効果的に排除ひきる。
少なくと62ターン設【ノることにより、各、ターン間
におけるゴ1イル部13内の磁界の方向を直線状とした
ので、隣接相の磁界の影響を効果的に排除ひきる。
rIに、木すミ施例におい−Cは、ダイノミツクレンジ
の異なる光磁Wレンジ14Δ、 1413を二1イル部
13の内部空間にレッ1〜りるCどにJ:す、例えば叶
全通電時の磁界強1身が比較的小さな範囲は小レンジを
イラする光磁界レンジ14△call定し、万一地格事
故が発生し大電流ににる人さな磁界が生じても、大きな
磁界範囲は大レンジを右りる光磁界レンジ1/IBにC
カハーりることにJ、す、広範囲のダイナミックレンジ
の計測が可能となる。また、:1イルa+i 13の内
部空間に光磁界11ンリ1/IA、113を配買Jる人
さな利+::i、どし4、−1イルのターン数をある桿
度(iff保し、−=11イルの内部空間磁界を無限長
ソレノイドの内部空間磁界ど近似させることにより、コ
イル内部空間の磁界強度はコイルの径方向に一定どなる
ため、必すシも光磁界レンジ14.A、14Bをコイル
部13の中心軸上にけツ1〜りる必要はなく、従つく九
磁界しンリの軸方向をコイル部13の主軸方向と合致さ
せるのみで空間磁界n1測が可能どなる。
の異なる光磁Wレンジ14Δ、 1413を二1イル部
13の内部空間にレッ1〜りるCどにJ:す、例えば叶
全通電時の磁界強1身が比較的小さな範囲は小レンジを
イラする光磁界レンジ14△call定し、万一地格事
故が発生し大電流ににる人さな磁界が生じても、大きな
磁界範囲は大レンジを右りる光磁界レンジ1/IBにC
カハーりることにJ、す、広範囲のダイナミックレンジ
の計測が可能となる。また、:1イルa+i 13の内
部空間に光磁界11ンリ1/IA、113を配買Jる人
さな利+::i、どし4、−1イルのターン数をある桿
度(iff保し、−=11イルの内部空間磁界を無限長
ソレノイドの内部空間磁界ど近似させることにより、コ
イル内部空間の磁界強度はコイルの径方向に一定どなる
ため、必すシも光磁界レンジ14.A、14Bをコイル
部13の中心軸上にけツ1〜りる必要はなく、従つく九
磁界しンリの軸方向をコイル部13の主軸方向と合致さ
せるのみで空間磁界n1測が可能どなる。
その上、事故11,1.の電流は極めて大きくなるため
、拘束部材がない中なるコイルたりでは、この過大な電
流ににつ−(/lじる電磁力にj;す、−1イル部のタ
ーン間距離が変動し、コイル部内部の磁束が乱れその直
線性が失われる恐れがあるが、本実施例では、拘束部材
19によりコイル部の振動変形が阻止されるので、コイ
ル部内の磁束の0線↑1が確保され、精度の<I、いバ
1測が実施できる利点がある。
、拘束部材がない中なるコイルたりでは、この過大な電
流ににつ−(/lじる電磁力にj;す、−1イル部のタ
ーン間距離が変動し、コイル部内部の磁束が乱れその直
線性が失われる恐れがあるが、本実施例では、拘束部材
19によりコイル部の振動変形が阻止されるので、コイ
ル部内の磁束の0線↑1が確保され、精度の<I、いバ
1測が実施できる利点がある。
まIこ、この拘束部材どして、耐熱性に優れたレラミッ
ク月を使用Jれば、大電流用の変流器において、他の筒
状ηfホ12部分に比較して径の細い=11イルが発熱
Jる恐れのある場合で6、拘束部(AのjΩ傷をIL(
<こと4E <効果的に導体を拘束できる。
ク月を使用Jれば、大電流用の変流器において、他の筒
状ηfホ12部分に比較して径の細い=11イルが発熱
Jる恐れのある場合で6、拘束部(AのjΩ傷をIL(
<こと4E <効果的に導体を拘束できる。
以上の様に、本発明のガス絶縁変流器は、導体を少なく
と62タ一ン巻回して成る−1イル部にJ:つで、導体
の軸方向と平行な磁界を発生さU゛、これを1fll定
レンジの異なる2 +1/、1以上の光磁界レンジぐ検
出し′U計測を実施するしのであるが、その4i4或は
、下記の様に図示のしのに限定されるしのではない。
と62タ一ン巻回して成る−1イル部にJ:つで、導体
の軸方向と平行な磁界を発生さU゛、これを1fll定
レンジの異なる2 +1/、1以上の光磁界レンジぐ検
出し′U計測を実施するしのであるが、その4i4或は
、下記の様に図示のしのに限定されるしのではない。
■ コイル部の導体のターン数は、2クーンに限らず、
ターン数を多くずれば光IjIiIilI?ンリ部分の
磁界強度を大きくづることができ、るの(゛、その分他
相磁界の影響が少なくなり、多少光磁界「ζンυの光軸
と二」イル中心軸とのずれがあ−>’(”b高精度の磁
界測定を行うことができる。
ターン数を多くずれば光IjIiIilI?ンリ部分の
磁界強度を大きくづることができ、るの(゛、その分他
相磁界の影響が少なくなり、多少光磁界「ζンυの光軸
と二」イル中心軸とのずれがあ−>’(”b高精度の磁
界測定を行うことができる。
■ 筒状導体・12部分に比較して=、J−(ル部GJ
“断面積が少なくなるため、銅材等のi!i!l’!′
J”電材を用いるのが電流による温度上界抑制にイi
fAJ ”Cある。
“断面積が少なくなるため、銅材等のi!i!l’!′
J”電材を用いるのが電流による温度上界抑制にイi
fAJ ”Cある。
■ 検出装置の()7置は□、タンク11−1−で0良
いし、光フアイバーケーブルを利用しCタンク外部に設
番プC1,)良い。
いし、光フアイバーケーブルを利用しCタンク外部に設
番プC1,)良い。
■ 光磁界レンジと検出装置どの(r’+ ;’rの仏
〕スは、光ファーイバーケーブル以外に、空間1z:
Jh方式によつCし良い。
〕スは、光ファーイバーケーブル以外に、空間1z:
Jh方式によつCし良い。
■ コイル部を拘束づる手段も、図示の如く内側から拘
束づるbの以外に、例えば二つ割としたセラミック月等
を用いて外側から拘束してしJ:い。
束づるbの以外に、例えば二つ割としたセラミック月等
を用いて外側から拘束してしJ:い。
■コイル部内に配設づる光磁VI!廿ンリ−は2個に限
らず、磁界の測定範囲に合ゼ゛C適当数段【ノることも
できる。更に、イの配設((/、 h”Q ’b複数本
を対向させて一直線に設(]“(もよい、。
らず、磁界の測定範囲に合ゼ゛C適当数段【ノることも
できる。更に、イの配設((/、 h”Q ’b複数本
を対向させて一直線に設(]“(もよい、。
また、以上の説明は、いfれも単相型の変流器について
行ったが、3相一括型のガス絶縁変流器にも適用可能で
ある3、この場合、各相の771イル部の取付位置は、
他相の磁界の影響を考虞して、夫々導体の軸方向に−f
らして配設ツ゛ることが望ましい。
行ったが、3相一括型のガス絶縁変流器にも適用可能で
ある3、この場合、各相の771イル部の取付位置は、
他相の磁界の影響を考虞して、夫々導体の軸方向に−f
らして配設ツ゛ることが望ましい。
[発明の効果]
以上の様に、本発明にJ、れば、導体の一部に形成した
コイル部内に一方向型の光磁界センサを設けるという簡
単な構成により、隣接相の磁界の影響を排除して高精度
の計I11を行えるガス絶縁変流器の提供が可能となる
。また、複数のレンジの異なる光磁界センソを使用した
ので、替金時から地絡事故時にわたる広い範囲の磁界を
粘度良く検出できる効果がある。
コイル部内に一方向型の光磁界センサを設けるという簡
単な構成により、隣接相の磁界の影響を排除して高精度
の計I11を行えるガス絶縁変流器の提供が可能となる
。また、複数のレンジの異なる光磁界センソを使用した
ので、替金時から地絡事故時にわたる広い範囲の磁界を
粘度良く検出できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(A>(B)は従来の変流器コアを用いたガス絶
縁変流器を示す゛正面図と側断面図、第2図(△)(B
)L;L光磁界しンリを使用したガス絶縁変流器の一例
を示す正面図と側断面ν1、第3図は本発明に先行ヅる
技術である周回積分にJ、る光磁界ヒンザを使用したガ
ス絶縁変流器の断面図、第4図はガス絶縁変流器にお1
ノる他相磁界の影響を示づ断面図、第5図は光磁界レン
ツのグイノミツクレンジを示リグラフ、第6図(Δ)(
B)は本発明のガス絶縁変流器の一実施例を示り断面図
と側面図、第7図は本発明にJ、るガス絶縁変流器の磁
界の状態を承り斜視図である。 1.1a、1b−・・タンク、2 u 〜2 Vll
・L”1体、3・・・絶縁スベーリ゛、4・・・変流器
コア7.5・・・少持板、6・・・絶縁シールド、7・
・・密封端子、8・・・光磁界センサ、9・・・光フア
イバーケーブル、10・・・検出装置、11・・・タン
ク、12・・・筒状)9イ木、13・・・」イル部、1
4A、14B・・・光磁界センサ、15・・支持台、1
6・・・検出興l”JJ、16a・・・δfi粋了、′
17・・・密封端子、18・・・光ノアイバーケーブル
、19・・・拘中部月、 LED・・・光発信器、P[)用光受信器。 @ 1 図 (A) 、 (B) ( 第2図 (A)、 (B) 第3図 第4図 第5図 租界強度 第 6 図(A) 第 6 図(B) 第7図
縁変流器を示す゛正面図と側断面図、第2図(△)(B
)L;L光磁界しンリを使用したガス絶縁変流器の一例
を示す正面図と側断面ν1、第3図は本発明に先行ヅる
技術である周回積分にJ、る光磁界ヒンザを使用したガ
ス絶縁変流器の断面図、第4図はガス絶縁変流器にお1
ノる他相磁界の影響を示づ断面図、第5図は光磁界レン
ツのグイノミツクレンジを示リグラフ、第6図(Δ)(
B)は本発明のガス絶縁変流器の一実施例を示り断面図
と側面図、第7図は本発明にJ、るガス絶縁変流器の磁
界の状態を承り斜視図である。 1.1a、1b−・・タンク、2 u 〜2 Vll
・L”1体、3・・・絶縁スベーリ゛、4・・・変流器
コア7.5・・・少持板、6・・・絶縁シールド、7・
・・密封端子、8・・・光磁界センサ、9・・・光フア
イバーケーブル、10・・・検出装置、11・・・タン
ク、12・・・筒状)9イ木、13・・・」イル部、1
4A、14B・・・光磁界センサ、15・・支持台、1
6・・・検出興l”JJ、16a・・・δfi粋了、′
17・・・密封端子、18・・・光ノアイバーケーブル
、19・・・拘中部月、 LED・・・光発信器、P[)用光受信器。 @ 1 図 (A) 、 (B) ( 第2図 (A)、 (B) 第3図 第4図 第5図 租界強度 第 6 図(A) 第 6 図(B) 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)SFsガス等の絶縁ガスが封入されたタンク内に
導体を配設し、その導体に内部に中空部を形成りる=1
イル部を形成し、この]コイル部に導体の軸方向の磁界
を発生させ、このコイル部内には、前記軸方向の磁界を
検出りるーブj向型(−fJ −)測定レンジの異なる
光磁界レンツを複数個配設し、タンク」−又はタンク外
部には、先発Gt Eと光受信器等から成る検出装置を
配設し、この検出装置と前記各光磁界センサどの間で光
を仏送りる(i−1成としたことを特徴とづるガス絶縁
変流器、。 (2〉」イル部が、その各ターンの相互の(fliiを
保持覆る絶縁物から成る拘束部材を配設したしのである
fJ rl 請求の範囲第1項記載のガス絶縁変流器。 (3)−Jイル部が、導体を少なくとも2ターン巻回し
又形成されCいる特許請求の範囲第1 In記載のガス
絶縁変流器。 (4)タンクが、その内部に3相各相の導体を一括して
収納して成る3相一括型のものである特許請求の範囲第
1項記載のガス絶縁変流器。 (5)タンクが、その内部に単相の導体を収納して成る
単相型のbのである特許請求の範囲第1項記載のガス絶
縁変流器。 (6)各相のコイル部が、う9体の軸方向に沿って夫々
ずれた位置に配設されている特許請求の範囲第4項記載
のガス絶縁変流器。 (7)検出装置と光磁界はンリとの光の伝送手段が、両
者間に配設された光フアイバー/7−プルによるもので
ある14jJ3!I請求の範囲第1項記載のガス絶縁変
流器。 (8)」イル部7i、 t?、j成づる導体が、銅等の
高う9電性の部材にJ:り形成され(いる特許請求の範
囲第1項記載のガス絶縁変流器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59062194A JPS60207070A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ガス絶縁変流器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59062194A JPS60207070A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ガス絶縁変流器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60207070A true JPS60207070A (ja) | 1985-10-18 |
Family
ID=13193091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59062194A Pending JPS60207070A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ガス絶縁変流器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60207070A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01196580A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-08-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | パワーセンサ |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59062194A patent/JPS60207070A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01196580A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-08-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | パワーセンサ |
JP2863762B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1999-03-03 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | パワーセンサ |
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