JPS60198263A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS60198263A JPS60198263A JP59053638A JP5363884A JPS60198263A JP S60198263 A JPS60198263 A JP S60198263A JP 59053638 A JP59053638 A JP 59053638A JP 5363884 A JP5363884 A JP 5363884A JP S60198263 A JPS60198263 A JP S60198263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating resistor
- laser beam
- carbonized
- thermal head
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明はサーマルヘッドに関する。
（技術的背景）
代表的なサーマルへ、ドは、基体としてのダレーズドセ
ラミック基板と、この上に形成された発熱抵抗体と、こ
の発熱抵抗体へ電流を供給する導電体と、発熱抵抗体を
被う最上層の保護膜とからなり、発熱抵抗体としては例
えばＴ ａ ２Ｎを用い、保護膜としては例えばＳｉＯ
っを用いている。
ラミック基板と、この上に形成された発熱抵抗体と、こ
の発熱抵抗体へ電流を供給する導電体と、発熱抵抗体を
被う最上層の保護膜とからなり、発熱抵抗体としては例
えばＴ ａ ２Ｎを用い、保護膜としては例えばＳｉＯ
っを用いている。
このようなサーマルヘッドにおいては、通常、印字中に
発熱抵抗体の断線が起こった場合、補修が不−可能であ
る。
発熱抵抗体の断線が起こった場合、補修が不−可能であ
る。
（発明の目的）
本発明は、補修可能なサーマルヘッドを提供することを
目的とし、レーザ光の照射によって導電化される有機化
合物材の基体を用い、且つレーザ光が通過する材質の保
護膜を用いることにより、レーザ光を照射させることに
よって基体を炭化させて補修できるようにしたものであ
る。
目的とし、レーザ光の照射によって導電化される有機化
合物材の基体を用い、且つレーザ光が通過する材質の保
護膜を用いることにより、レーザ光を照射させることに
よって基体を炭化させて補修できるようにしたものであ
る。
（発明の構成）
第１図と第２図は本発明に係るサーマルヘッドの説明図
である。
である。
第１図はサーマルヘッドの平面図であり、ｌはポリイミ
ド基体、２は全給電体、３は炭素抵抗体、４はレーザ光
の波長付近およそ１μｍに吸収帯を持だな贋５ＩＯ２材
質の保護膜であり、更に５と６は印字動作中に断線した
部分を示し、５は抵抗体断線部分、６は給電体断線部分
を示している。
ド基体、２は全給電体、３は炭素抵抗体、４はレーザ光
の波長付近およそ１μｍに吸収帯を持だな贋５ＩＯ２材
質の保護膜であり、更に５と６は印字動作中に断線した
部分を示し、５は抵抗体断線部分、６は給電体断線部分
を示している。
第２図は補修後のサーマルヘッドの断面図であリ、保護
膜４を通して断線部分５へ、適邑な強度のレーザ光を照
射してポリイミド基体ｌの一部を炭化させ、この虚化部
分７を発熱抵抗体３の一部として構成したものである。
膜４を通して断線部分５へ、適邑な強度のレーザ光を照
射してポリイミド基体ｌの一部を炭化させ、この虚化部
分７を発熱抵抗体３の一部として構成したものである。
又、給電体断線部分６においても、強い強度のレーザ光
を照射することによって、ポリイミド基体の一部を給電
体として構成するととができる。
を照射することによって、ポリイミド基体の一部を給電
体として構成するととができる。
なお、ポリイミド基体は５００℃までは炭化されないが
、余シ高い温度になると炭化されるので、本発明は比較
的低熱容量駆動のサーマルヘッドに適するものである。
、余シ高い温度になると炭化されるので、本発明は比較
的低熱容量駆動のサーマルヘッドに適するものである。
なおまた、基体としては、ポリイミドの他にエポキシあ
るいはアクリル、ポリエステル々どに類する有機化合物
から成るものを用いることができ、まだ、保護膜として
は、Ｓ ＩＯ２の他に透明セラミック、ガラス、塩化ナ
トリウム結晶などレーザ光の波長付近に暇収帯を持たな
い絶縁物を用いることができる。
るいはアクリル、ポリエステル々どに類する有機化合物
から成るものを用いることができ、まだ、保護膜として
は、Ｓ ＩＯ２の他に透明セラミック、ガラス、塩化ナ
トリウム結晶などレーザ光の波長付近に暇収帯を持たな
い絶縁物を用いることができる。
（発明の効果）
この発明は、以上説明したように、有機物の基体を用い
、保護膜としてレーザ光を吸収しない材質を用いている
ため、ヘッドの完成後っｔり保護膜をコーティングした
後の断線をレーザ照射によって補修することができる利
点を持つ。更にレーザ光の強度、照射時間を変えること
によって抵抗の調節も可能であシ、サーマルへラド製造
工程中、完成後を問わず修正ができる利点がある。
、保護膜としてレーザ光を吸収しない材質を用いている
ため、ヘッドの完成後っｔり保護膜をコーティングした
後の断線をレーザ照射によって補修することができる利
点を持つ。更にレーザ光の強度、照射時間を変えること
によって抵抗の調節も可能であシ、サーマルへラド製造
工程中、完成後を問わず修正ができる利点がある。
第１図と第２図は本発明に係るサーマルヘッドの説明図
であわ、第１図は断線部分のあるサーマルヘッドの平面
図、第２図は補修後のサーマルヘッドの断面図である。 １・・・ポリイミド基体、２・・・全給電体、３・・・
炭素抵抗体、４・・・保護膜、５・・・抵抗体断線部分
、６・・・給電体断線部分、７・・・炭化部分。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 鈴 木 敏 明細）
であわ、第１図は断線部分のあるサーマルヘッドの平面
図、第２図は補修後のサーマルヘッドの断面図である。 １・・・ポリイミド基体、２・・・全給電体、３・・・
炭素抵抗体、４・・・保護膜、５・・・抵抗体断線部分
、６・・・給電体断線部分、７・・・炭化部分。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 鈴 木 敏 明細）
Claims (1)
- レーザ光を照射することによって導電化する有機化合物
の基体と、この基体上に形成された発熱抵抗体と、この
発熱抵抗体へ電流を供給する導電体と、これら発熱抵抗
体の表面を被うものであってレーザ光を通過させる材質
の保護膜とを備えていることを特徴としたサーマルヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053638A JPS60198263A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053638A JPS60198263A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198263A true JPS60198263A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12948444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053638A Pending JPS60198263A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198263A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075956A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-02 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| EP1075957A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-09 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| EP1080922A3 (en) * | 1999-08-31 | 2001-06-06 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of manufacturing the same |
| CN100360317C (zh) * | 2004-08-18 | 2008-01-09 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头的制造方法 |
| CN109075293A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-12-21 | 株式会社Lg化学 | 包含激光诱导的碳化石墨烯层的隔膜和包含所述隔膜的锂-硫电池 |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP59053638A patent/JPS60198263A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075956A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-02 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| EP1075957A3 (en) * | 1999-08-11 | 2001-05-09 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| US6330015B1 (en) | 1999-08-11 | 2001-12-11 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| US6525755B1 (en) | 1999-08-11 | 2003-02-25 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head |
| EP1080922A3 (en) * | 1999-08-31 | 2001-06-06 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of manufacturing the same |
| US6326990B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-12-04 | Riso Kagaku Corporation | Thick film thermal head and method of manufacturing the same |
| CN100360317C (zh) * | 2004-08-18 | 2008-01-09 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头的制造方法 |
| CN109075293A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-12-21 | 株式会社Lg化学 | 包含激光诱导的碳化石墨烯层的隔膜和包含所述隔膜的锂-硫电池 |
| CN109075293B (zh) * | 2016-11-29 | 2021-06-22 | 株式会社Lg化学 | 包含激光诱导的碳化石墨烯层的隔膜和包含所述隔膜的锂-硫电池 |
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