JPS60193325A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPS60193325A JPS60193325A JP59048108A JP4810884A JPS60193325A JP S60193325 A JPS60193325 A JP S60193325A JP 59048108 A JP59048108 A JP 59048108A JP 4810884 A JP4810884 A JP 4810884A JP S60193325 A JPS60193325 A JP S60193325A
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- area
- film
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
- B05D1/206—LB troughs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、半導体あるいは光学デバイスの機能を荷う部
分である一ル膜の作製装置に関し、特に、中分子累積法
、すなわちラングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）を
用いるＬＢ膜作製装置に関するものである。
分である一ル膜の作製装置に関し、特に、中分子累積法
、すなわちラングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）を
用いるＬＢ膜作製装置に関するものである。
〈背景技術〉
従来、半導体技術分野並びに光学技術分野に於ける素材
利用は、もっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象に
して進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が
無機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一
因している。
利用は、もっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象に
して進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が
無機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一
因している。
しかしながら、最近の有機化学分野の技術進歩には目を
みはるものがあり、又、無機物対象の木材開発もほぼ限
喫に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であるこ
と、機能性に富むこと等である。反面、これまで劣ると
されてきた耐熱性、機械的強度に対しても、最近これを
克服した有機材料が次々に生まれている。このような技
術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光゛屯変
換素子等のＩＣデバイスやマイクロレンズ・アレイ、光
導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主として薄
膜部分）の一部又は全部を従来の無機ｔλし膜に代えて
、有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個の
有機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた分
子゛重子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例
えばバイオ・チップス）を作ろうという提案が最近。
みはるものがあり、又、無機物対象の木材開発もほぼ限
喫に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点は安価かつ製造容易であるこ
と、機能性に富むこと等である。反面、これまで劣ると
されてきた耐熱性、機械的強度に対しても、最近これを
克服した有機材料が次々に生まれている。このような技
術的背景のもとで、論理素子、メモリー素子、光゛屯変
換素子等のＩＣデバイスやマイクロレンズ・アレイ、光
導波路等の光学デバイスの機能を荷う部分（主として薄
膜部分）の一部又は全部を従来の無機ｔλし膜に代えて
、有機薄膜で構成しようという提案から、はては１個の
有機分子に論理素子やメモリ素子等の機能を持たせた分
子゛重子デバイスや生体関連物質からなる論理素子（例
えばバイオ・チップス）を作ろうという提案が最近。
いくつかの研究機関により発表された。
かかる有機材料を用いて上記の各種デバイス等を作成す
る際の薄膜は、公知の中分子累積法、すなわちラングミ
ュア・ブロジェット法（ＬＢ法）によって形成すること
ができる。
る際の薄膜は、公知の中分子累積法、すなわちラングミ
ュア・ブロジェット法（ＬＢ法）によって形成すること
ができる。
該ＬＢ法とは、第１図において、親木基１ａと疎水基１
ｂで構成される単分子ｌ、すなわち膜構成物質をベンゼ
ン、クロロホルム等の揮発性の溶媒に溶かし、水槽３内
に配設された框４で囲まれる水面上に滴下し、該溶媒の
揮発後に水面上に残された単分子膜（この時点では気体
膜）２を、框４が囲む面積を縮めて該単分子膜２の面密
度を増すことにより固体膜へと変態させ、これを垂直浸
漬法や水平付着法によって不図示の基板に移しとる方法
である。
ｂで構成される単分子ｌ、すなわち膜構成物質をベンゼ
ン、クロロホルム等の揮発性の溶媒に溶かし、水槽３内
に配設された框４で囲まれる水面上に滴下し、該溶媒の
揮発後に水面上に残された単分子膜（この時点では気体
膜）２を、框４が囲む面積を縮めて該単分子膜２の面密
度を増すことにより固体膜へと変態させ、これを垂直浸
漬法や水平付着法によって不図示の基板に移しとる方法
である。
しかしながら、この方法によると、基板上に移し取られ
た中分子＋＋ａの分だけ、水面上の単分子の面積は減少
する。すなわち、水面上の単分子膜（固体膜）は均一性
が要求されるため、その面密度を一定に保ったままで、
しかも連続して該単分子膜を基＆Ｌに移し取っていく場
合には、框で囲まれた面積は徐々に減少しＯに近づくの
で、その移し取る回数にはおのずとｉｌノＩ限がある。
た中分子＋＋ａの分だけ、水面上の単分子の面積は減少
する。すなわち、水面上の単分子膜（固体膜）は均一性
が要求されるため、その面密度を一定に保ったままで、
しかも連続して該単分子膜を基＆Ｌに移し取っていく場
合には、框で囲まれた面積は徐々に減少しＯに近づくの
で、その移し取る回数にはおのずとｉｌノＩ限がある。
〈発明の開示〉
本発明の目的は上述の問題点を解消することであり、そ
の為に所望の面密度が得られるよう単分子膜の表面圧を
制御し、更には液循環系にｐＨ制御手段を介在させるこ
とにより、ｔｉｌｔ分子’−ＩＩＱの容易な連続累積に
加えて、累積の際のｐＨ条件の向上化を図ることを可能
とするものである。
の為に所望の面密度が得られるよう単分子膜の表面圧を
制御し、更には液循環系にｐＨ制御手段を介在させるこ
とにより、ｔｉｌｔ分子’−ＩＩＱの容易な連続累積に
加えて、累積の際のｐＨ条件の向上化を図ることを可能
とするものである。
以下、本発明の原理を、第２図に従って説明する。
ある一定の流速を持つ水面上に、Ｃ１分子１１ジ２を展
開すると、該単分子膜２を構成する分子と水との引力に
よって、単分子膜２は水の流れの方向（矢印の方向）に
一定の力で引っ張られる。このとき、水の流れに影響す
ることなく単分子膜２の移動のみを阻止し得る障壁８が
単分子膜２の流れの行く手にあれば、該単分子＋１ｆｉ
２はある一定の力でこの障壁８に押し当てられる。す
なわち、中分子Ｍ ２が障壁８に押し当たる力、言い換
えると一゛１（分子１１Ｑ２の表面圧は、水の流速を変
化させることで容易に制御することかできることをボし
ている。
開すると、該単分子膜２を構成する分子と水との引力に
よって、単分子膜２は水の流れの方向（矢印の方向）に
一定の力で引っ張られる。このとき、水の流れに影響す
ることなく単分子膜２の移動のみを阻止し得る障壁８が
単分子膜２の流れの行く手にあれば、該単分子＋１ｆｉ
２はある一定の力でこの障壁８に押し当てられる。す
なわち、中分子Ｍ ２が障壁８に押し当たる力、言い換
えると一゛１（分子１１Ｑ２の表面圧は、水の流速を変
化させることで容易に制御することかできることをボし
ている。
本発明は、この原理を応用することを特徴としている。
（発明を実施するための最良の形態〉
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、各図面において、同じ参照祠号は同じ構成
部材であり、同一の機能を有するものとする。
する。なお、各図面において、同じ参照祠号は同じ構成
部材であり、同一の機能を有するものとする。
まず、第ｌの実施例を、第３図に従って説明する。ステ
アリン酸を溶媒クロロホルム中にｌＸ１Ｏ七Ｍ／！の割
合で溶かした溶液０．Ｉ ＩＩＩ／を、２０ｃｍ／ｓｅ
ｃ速度で矢印の方向に流れる水面上の、障壁８から見て
−１−流の領域９（以降、滴下領域９と称する。）にお
いて滴下し、展開を行ったところ。
アリン酸を溶媒クロロホルム中にｌＸ１Ｏ七Ｍ／！の割
合で溶かした溶液０．Ｉ ＩＩＩ／を、２０ｃｍ／ｓｅ
ｃ速度で矢印の方向に流れる水面上の、障壁８から見て
−１−流の領域９（以降、滴下領域９と称する。）にお
いて滴下し、展開を行ったところ。
障壁８で囲まれた水面上におよそ１２０ ｃｍ’の単分
子膜２を形成した。不図示の表面圧測定器で単分子−１
１！、Ｓ ２の表面圧を′Ａｌり定したところ、２４ｄ
ｌｅ／ｃｍの値を示し、単分子膜２は所望の固体状！出
を形成していることが確認された。さらに、速度を１５
〜２５ｃｍ／ｓｅｃの範囲で変化させたところ１表面圧
がほぼこれに比例して変化することを確め、流速で表面
圧を制御できることが明らかになった。また、このとき
５滴−）硯も０．０５〜０．３ ｍｌの範囲で変化させ
たところ、表面圧もこれに比例して変化することが確認
された。すなわち、滴ド量によっても表面圧を制御でき
ることが明らかになった。
子膜２を形成した。不図示の表面圧測定器で単分子−１
１！、Ｓ ２の表面圧を′Ａｌり定したところ、２４ｄ
ｌｅ／ｃｍの値を示し、単分子膜２は所望の固体状！出
を形成していることが確認された。さらに、速度を１５
〜２５ｃｍ／ｓｅｃの範囲で変化させたところ１表面圧
がほぼこれに比例して変化することを確め、流速で表面
圧を制御できることが明らかになった。また、このとき
５滴−）硯も０．０５〜０．３ ｍｌの範囲で変化させ
たところ、表面圧もこれに比例して変化することが確認
された。すなわち、滴ド量によっても表面圧を制御でき
ることが明らかになった。
一方、障壁８の近傍の領域１０ （以降、累積領域ＩＯ
と称する。）に於て、基板への？１１分子１１分の累積
を垂直浸漬法によって行ったところ、累積率８０ないし
ほぼ １００％の良゛好な膜を得ることができた。
と称する。）に於て、基板への？１１分子１１分の累積
を垂直浸漬法によって行ったところ、累積率８０ないし
ほぼ １００％の良゛好な膜を得ることができた。
その後、表面圧が一定になる様に流速を制御しながら、
かつ単分子＋１！Ｊ ２が累積領域ｌＯで基板に移し取
られ減少するのを、滴下領域９での膜構成物置の滴下に
よって補いながら累積操作を繰り返し行なった結果、従
来装置では難しかった連続累積を容易に達成することが
埜さた。
かつ単分子＋１！Ｊ ２が累積領域ｌＯで基板に移し取
られ減少するのを、滴下領域９での膜構成物置の滴下に
よって補いながら累積操作を繰り返し行なった結果、従
来装置では難しかった連続累積を容易に達成することが
埜さた。
次に、第２の実施例を、第４図に従って説明する。
本実施例は、第１の実施例に′おいて、流出する水を循
還させて水槽中に１１）び戻すことにより、水の再利用
を図っていることを特徴としている。第７図において、
循還路１２のほとんどにはパイμ・ンクスのガラス管を
用い、また貯水４６１３に帽１つた水は、ポンプ１４に
よって送り出され、ゲートバルブ１５によって流速が制
御される様になっている。
還させて水槽中に１１）び戻すことにより、水の再利用
を図っていることを特徴としている。第７図において、
循還路１２のほとんどにはパイμ・ンクスのガラス管を
用い、また貯水４６１３に帽１つた水は、ポンプ１４に
よって送り出され、ゲートバルブ１５によって流速が制
御される様になっている。
この様に、流出する水を循遷させることで、失われる水
を補給するシステムが不要となり、装置全体も簡便なも
のとなった。
を補給するシステムが不要となり、装置全体も簡便なも
のとなった。
次に、第３の実施例を、第５図に従って説明する。
本実施例は、第２の実施例において、その循環系の一部
にＰＨ制御を行なう機構を設けたことを特徴としている
。第５図において、単分子膜２を形成させた水は循環路
１２を通り、貯水槽１３に溜り、ポンプ１４によって送
り出され、ゲートバルブ１５によって流速が制御され、
再び単分子膜２に表面圧を与えるように循環している。
にＰＨ制御を行なう機構を設けたことを特徴としている
。第５図において、単分子膜２を形成させた水は循環路
１２を通り、貯水槽１３に溜り、ポンプ１４によって送
り出され、ゲートバルブ１５によって流速が制御され、
再び単分子膜２に表面圧を与えるように循環している。
ｐ）Ｉの制御は、例えばマイクロコンピュータ１７によ
って行なう。マイクロコンピュータ１７は、主にマイク
ロプロセッサ１８とメモリ１８とインターフェース回路
２０とから構成されている。マイクロコンピュータ１７
のインターフェース回路２０においては、循環水のｐ）
ｌが、ガラス゛１し極などを用いたｐ）ｌセンサ２１及
び真空管電圧計２２を使用する公知のｐＨメータにより
アナログ４ｊ号として検出され、Ａ／Ｄ変換器２３を介
してディジタル信号として入力されると共に、ｐＨの設
定値がｐＨ値設定器２４からディジタル信号として入力
される。また、インターフェース回路２０には、ポンプ
１４、ゲートバルブ１５からの動作状態信号も入力され
る（不図示）。これらの入力を受けるマイクロコンピュ
ータ１７により、水酸化ナトリウム溶液２５ａを入れた
シリンダ２１３ａのアクチュエータ２７ａと、塩酸２５
ｂを入れたシリング２Ｅｉａのアクチュエータ２７ａ、
並びに電磁弁２９ａ 、２９ｂとが制御されるようにな
っている。
って行なう。マイクロコンピュータ１７は、主にマイク
ロプロセッサ１８とメモリ１８とインターフェース回路
２０とから構成されている。マイクロコンピュータ１７
のインターフェース回路２０においては、循環水のｐ）
ｌが、ガラス゛１し極などを用いたｐ）ｌセンサ２１及
び真空管電圧計２２を使用する公知のｐＨメータにより
アナログ４ｊ号として検出され、Ａ／Ｄ変換器２３を介
してディジタル信号として入力されると共に、ｐＨの設
定値がｐＨ値設定器２４からディジタル信号として入力
される。また、インターフェース回路２０には、ポンプ
１４、ゲートバルブ１５からの動作状態信号も入力され
る（不図示）。これらの入力を受けるマイクロコンピュ
ータ１７により、水酸化ナトリウム溶液２５ａを入れた
シリンダ２１３ａのアクチュエータ２７ａと、塩酸２５
ｂを入れたシリング２Ｅｉａのアクチュエータ２７ａ、
並びに電磁弁２９ａ 、２９ｂとが制御されるようにな
っている。
本実施例の制御演算は、例えば循環水の一定流星（ポン
プの一足回転）又は一定時間毎に一度実行される。すな
わち、ｐＨ値設定器２４からの偵ｐＨＯとｐ）ｌセンサ
２１からの循環水のｐＨ値ｐＨＭとを比較し、例えば設
定値より酸（アルカ１））＆こノｌ、 ｒ、％＋つてい
る場合には、電磁弁２９ａ（２！３ｂ）を開けて水酸イ
ヒナトリウム溶液２５ａ（塩＄２５ｂ）が所定量循環路
１２４こ流入するように制御する。
プの一足回転）又は一定時間毎に一度実行される。すな
わち、ｐＨ値設定器２４からの偵ｐＨＯとｐ）ｌセンサ
２１からの循環水のｐＨ値ｐＨＭとを比較し、例えば設
定値より酸（アルカ１））＆こノｌ、 ｒ、％＋つてい
る場合には、電磁弁２９ａ（２！３ｂ）を開けて水酸イ
ヒナトリウム溶液２５ａ（塩＄２５ｂ）が所定量循環路
１２４こ流入するように制御する。
上述のような方法をとることによって、従来困難であっ
た水酸化ナトリウム２５ａや塩酸２５ｂの拡散が、本実
施例では水が流れているため４こ、非常に短時間（５〜
３０分）内に所定のｐＨを得ること力曵ｕ（能となった
。また、本装置によれば、ｒ１ｉ分子膜を水面上に形成
したままでｐＨを制御することも可能であることは明ら
かであろう。
た水酸化ナトリウム２５ａや塩酸２５ｂの拡散が、本実
施例では水が流れているため４こ、非常に短時間（５〜
３０分）内に所定のｐＨを得ること力曵ｕ（能となった
。また、本装置によれば、ｒ１ｉ分子膜を水面上に形成
したままでｐＨを制御することも可能であることは明ら
かであろう。
次に、第４の実施例を、第６図に従って説明する。
本実施例は、図にもイ（されるようにその循還路１２の
途中に除塵用のフィルタ１６を挿入したことを特徴とし
ている。具体的には、０．５−以上のゴミを取り除くフ
ィルタ１６を挿入したところ、従来ｔ±２〜５回（時間
にして５〜ｌＯ時間）程度装置を使用しただけで、水槽
中に視認できるほどのゴミがおいても視認できる様なゴ
ミが確認されなかった。すなわち、流水路の循還系にフ
ィルタを挿入するという１１１１な構成で、容易に水の
浄化を図ることができた。
途中に除塵用のフィルタ１６を挿入したことを特徴とし
ている。具体的には、０．５−以上のゴミを取り除くフ
ィルタ１６を挿入したところ、従来ｔ±２〜５回（時間
にして５〜ｌＯ時間）程度装置を使用しただけで、水槽
中に視認できるほどのゴミがおいても視認できる様なゴ
ミが確認されなかった。すなわち、流水路の循還系にフ
ィルタを挿入するという１１１１な構成で、容易に水の
浄化を図ることができた。
次に、第５の実施例を、第７図に従って説明する。
本実施例は、図にも示されてるように、その循遠路１２
の一部に熱交換器３１を設けたことを特徴としている。
の一部に熱交換器３１を設けたことを特徴としている。
具体的には、循還する水の通る ３７８インチ径、肉厚
０．５ ｍｍのパイレフクスのガラス管を中空の銅パイ
プで巻いた熱交換器３１を設け、水槽３内に設けられた
温度センサ３３を介して、温度制御装置３２で制御しな
がら銅パイプ中に所望の温度の液体を流すことで、＠ニ
する水の１（シ度；ＩＪ制御を行った。その結果、水槽
中の水を、５〜８０°Ｃの範囲において±０．５°Ｃの
精度で制御することができた。したがって、単分子膜の
累積の際の温度条件を容易に制御することが可能となっ
た。また、本装置によれば、単分子）模を水面、Ｌに形
成したままづ但ばＣ＝η目１１ル針らｒンも酊拵である
ことは明らかであろう。
０．５ ｍｍのパイレフクスのガラス管を中空の銅パイ
プで巻いた熱交換器３１を設け、水槽３内に設けられた
温度センサ３３を介して、温度制御装置３２で制御しな
がら銅パイプ中に所望の温度の液体を流すことで、＠ニ
する水の１（シ度；ＩＪ制御を行った。その結果、水槽
中の水を、５〜８０°Ｃの範囲において±０．５°Ｃの
精度で制御することができた。したがって、単分子膜の
累積の際の温度条件を容易に制御することが可能となっ
た。また、本装置によれば、単分子）模を水面、Ｌに形
成したままづ但ばＣ＝η目１１ル針らｒンも酊拵である
ことは明らかであろう。
次に、第６の実施例を、第８図に従って説明する。
本実施例は、第１の実施例に若干の改良を加えたもので
ある。すなわち、第１の実施例では、累積領域ｌＯにお
いて、水の流れは、垂直浸漬法で累積する場合の水中に
没する基板（不図示）、ならびに障壁８によって乱され
、単分子膜２が折り曲げられたり、一定であるべき表面
圧が一時的に変動したりするので、好ましくない。そこ
で本実施例では、水槽の深さに変化をつけて、累積領域
１０における水の流れ（流速）を遅くすることにより、
第１の実施例を改良した。具体的には、滴下領域９を含
む、単分子膜２の表面圧を形成する領域１１（以降、表
面圧形成領域ｌ！と称する。）における水槽の深さをｌ
ｃ扉と洩＜シ、累積領域ｌＯにおける水槽の深さを１Ｏ
ｃ−と深くした。その結果、表面圧形成領域１１におけ
る流速を２０ｃｍ／ｓｅｃとしても累積領域ｌＯにおけ
る流速は約１／１０程度になり、基板への単分子膜の累
積を行ったところ、第１の実施例では歩留りが２０〜６
０％であったのが、５０〜１００％と向上した。
ある。すなわち、第１の実施例では、累積領域ｌＯにお
いて、水の流れは、垂直浸漬法で累積する場合の水中に
没する基板（不図示）、ならびに障壁８によって乱され
、単分子膜２が折り曲げられたり、一定であるべき表面
圧が一時的に変動したりするので、好ましくない。そこ
で本実施例では、水槽の深さに変化をつけて、累積領域
１０における水の流れ（流速）を遅くすることにより、
第１の実施例を改良した。具体的には、滴下領域９を含
む、単分子膜２の表面圧を形成する領域１１（以降、表
面圧形成領域ｌ！と称する。）における水槽の深さをｌ
ｃ扉と洩＜シ、累積領域ｌＯにおける水槽の深さを１Ｏ
ｃ−と深くした。その結果、表面圧形成領域１１におけ
る流速を２０ｃｍ／ｓｅｃとしても累積領域ｌＯにおけ
る流速は約１／１０程度になり、基板への単分子膜の累
積を行ったところ、第１の実施例では歩留りが２０〜６
０％であったのが、５０〜１００％と向上した。
次に第７の実施例を、第９図に従って説明する。
本実施例は、第６の実施例の変形例で、水槽の幅に変化
をつけて、累積領域１Ｇにおける流速を遅くすることに
より、第１の実施例を改良したものである。具体的には
、滴下領域９を含む、表面圧形成領域１１における水槽
の幅を２ｃｍと狭くし、累積領域ｌＯにおける水槽の幅
を２Ｏｃ膳と広くし・た、その結果、表面圧形成領域１
１における流速を２０ｃｍ／ｓｅｃとしても累積領域１
０における流速は約１１１０程度になり、基板への単分
子膜の累積を行ったところ、第１の実施例では歩留りが
２０〜６０％であったのが、５０〜１００％と向上した
。
をつけて、累積領域１Ｇにおける流速を遅くすることに
より、第１の実施例を改良したものである。具体的には
、滴下領域９を含む、表面圧形成領域１１における水槽
の幅を２ｃｍと狭くし、累積領域ｌＯにおける水槽の幅
を２Ｏｃ膳と広くし・た、その結果、表面圧形成領域１
１における流速を２０ｃｍ／ｓｅｃとしても累積領域１
０における流速は約１１１０程度になり、基板への単分
子膜の累積を行ったところ、第１の実施例では歩留りが
２０〜６０％であったのが、５０〜１００％と向上した
。
次に、第８の実施例を、第１θ図（ａ）、（ｂ）に従っ
て説ＩＪＩＪする。
て説ＩＪＩＪする。
本実施例は、１つの水槽内を、扇形状の複数（本実施例
では５個）の障壁８で水面付近だけを仕切ったもので（
以降仕切られた領域をブロックと称する。）、中心付近
から外周に向かって各ブロック内へ水が流入するよう構
成されている０本実施例による装置は、単分子膜２の基
板上への累積能力や、述続累積が容易な点については、
第１の実施例と同様である。
では５個）の障壁８で水面付近だけを仕切ったもので（
以降仕切られた領域をブロックと称する。）、中心付近
から外周に向かって各ブロック内へ水が流入するよう構
成されている０本実施例による装置は、単分子膜２の基
板上への累積能力や、述続累積が容易な点については、
第１の実施例と同様である。
さらに本実施例に固有の特徴としては、異種単分子の累
積（ヘテロ構造）を容易に行なえることである。すなわ
ち、あらかじめ各ブロック毎に、異なる材料の単分子膜
を水面上に展開しておき、あるプロ・りにおいて垂直校
門法を用いて基板上に単分子膜を累積したのち、別のブ
ロックにおいて同様の操作を繰り返すことにより、ヘテ
ロな累積（累積方向に単分子膜の構成分子が異なる）Ｍ
を容易に形成することができた。この時、気相中でブロ
ック間を移動することも、水相中で移動することも可能
であるので、例えばＹ型膜を形成する膜のへテロ接合は
、親水基同志間にも疎水基同志間にも自由に設定するこ
とができた。
積（ヘテロ構造）を容易に行なえることである。すなわ
ち、あらかじめ各ブロック毎に、異なる材料の単分子膜
を水面上に展開しておき、あるプロ・りにおいて垂直校
門法を用いて基板上に単分子膜を累積したのち、別のブ
ロックにおいて同様の操作を繰り返すことにより、ヘテ
ロな累積（累積方向に単分子膜の構成分子が異なる）Ｍ
を容易に形成することができた。この時、気相中でブロ
ック間を移動することも、水相中で移動することも可能
であるので、例えばＹ型膜を形成する膜のへテロ接合は
、親水基同志間にも疎水基同志間にも自由に設定するこ
とができた。
最後に、第９の実施例を１、第１１図（ａ） 、 （ｂ
）に本実施例は、前述の実施例において、障壁８をＬ下
方向に可動自在に構成したことを特徴としている。具体
的には、不図示のモータにより障Ｍ１８を操作する（た
だし、人為的操作でも可能である。）ことにより、不必
要とな゛った水面上の単分子ｌＩ２２を流し去り、該水
面上を清浄にすることが可能となり、単分子膜累積のた
めの準備に要する手間と時間を大きく短縮することがで
きた。
）に本実施例は、前述の実施例において、障壁８をＬ下
方向に可動自在に構成したことを特徴としている。具体
的には、不図示のモータにより障Ｍ１８を操作する（た
だし、人為的操作でも可能である。）ことにより、不必
要とな゛った水面上の単分子ｌＩ２２を流し去り、該水
面上を清浄にすることが可能となり、単分子膜累積のた
めの準備に要する手間と時間を大きく短縮することがで
きた。
本発明は、以上説明したように、液循環系にｐＨ制御ａ
ｍを介在させることにより、単分子膜の容易な連続累積
に加えて、累積の際のｐＨ条件の向上化、すなわち累積
達成率の向上をも図ることができる効果がある。
ｍを介在させることにより、単分子膜の容易な連続累積
に加えて、累積の際のｐＨ条件の向上化、すなわち累積
達成率の向上をも図ることができる効果がある。
第１図は、従来のＬＢ膜作製装置の模式図、第２図は、
単分子膜の表面圧を、水流により制御す−る方法の原理
を説明する図、第３図は本発明の第１の実施例の概略断
面図、第４図は第２の実施例の概略構成図、第５図は第
３の実施例の概略構成は第５の実施例の概略構成図、第
８図は第６の実施例の概略断面図、第９図は第７の実施
例の概略斜視図、第１０図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、
第８の実施例の概略斜視図および断面図、第１１図（ａ
）、 （ｂ）はそれぞれ、第９の実施例において障壁８
を取り去る前および取り去った後の概略断面図である。 １ −ｍ−単分子 １ａ−ｍ−親木基 ｌｂ −ｍ−疎水基 ２−ｍ−中分子１模 ３−ｍ−水槽 ４− 框 ７−ｍ−水流発生装置 ８−ｍ−障壁 ９−ｍ−滴ド領域 ｌＯ−ｍ−累積領域 １１−−一 表面圧形成領域 １２−−−＠還路 １３−ｍ−貯水槽 １４−ｍ−ポンプ １５−一−ゲーＩ・バルブ １８−ｍ−フィルタ ２１ ＝−ＰＨセンサ ３０−−− ｐ）Ｉ制御装置 ３１−ｍ−熱交換器 ３２−ｍ−温度制御装置 ３３−ｍ−温度センサー
単分子膜の表面圧を、水流により制御す−る方法の原理
を説明する図、第３図は本発明の第１の実施例の概略断
面図、第４図は第２の実施例の概略構成図、第５図は第
３の実施例の概略構成は第５の実施例の概略構成図、第
８図は第６の実施例の概略断面図、第９図は第７の実施
例の概略斜視図、第１０図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、
第８の実施例の概略斜視図および断面図、第１１図（ａ
）、 （ｂ）はそれぞれ、第９の実施例において障壁８
を取り去る前および取り去った後の概略断面図である。 １ −ｍ−単分子 １ａ−ｍ−親木基 ｌｂ −ｍ−疎水基 ２−ｍ−中分子１模 ３−ｍ−水槽 ４− 框 ７−ｍ−水流発生装置 ８−ｍ−障壁 ９−ｍ−滴ド領域 ｌＯ−ｍ−累積領域 １１−−一 表面圧形成領域 １２−−−＠還路 １３−ｍ−貯水槽 １４−ｍ−ポンプ １５−一−ゲーＩ・バルブ １８−ｍ−フィルタ ２１ ＝−ＰＨセンサ ３０−−− ｐ）Ｉ制御装置 ３１−ｍ−熱交換器 ３２−ｍ−温度制御装置 ３３−ｍ−温度センサー
Claims (1)
- 成膜用分子を展開する液体を収容した液槽を有し、前記
液体のｐＨ制御手段を付加したことを特徴とする成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048108A JPS60193325A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59048108A JPS60193325A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193325A true JPS60193325A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12794115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59048108A Pending JPS60193325A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227069A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体状単分子膜形成装置 |
| US5143745A (en) * | 1991-08-16 | 1992-09-01 | Maganas Thomas C | Intermittent film deposition method and system |
| JPH0626705B2 (ja) * | 1986-01-02 | 1994-04-13 | モレキユラ− エレクトロニクス コ−ポレ−シヨン | 基質上に単分子層を施すための方法 |
| US5688562A (en) * | 1995-06-20 | 1997-11-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for modifying uncoated synthetic polymer fibers using a Langmuir-Blodgett film coating process |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP59048108A patent/JPS60193325A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227069A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体状単分子膜形成装置 |
| JPH0576357B2 (ja) * | 1985-07-30 | 1993-10-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPH0626705B2 (ja) * | 1986-01-02 | 1994-04-13 | モレキユラ− エレクトロニクス コ−ポレ−シヨン | 基質上に単分子層を施すための方法 |
| US5143745A (en) * | 1991-08-16 | 1992-09-01 | Maganas Thomas C | Intermittent film deposition method and system |
| US5688562A (en) * | 1995-06-20 | 1997-11-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for modifying uncoated synthetic polymer fibers using a Langmuir-Blodgett film coating process |
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