JPS60191288A - Color display - Google Patents
Color displayInfo
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- JPS60191288A JPS60191288A JP59046661A JP4666184A JPS60191288A JP S60191288 A JPS60191288 A JP S60191288A JP 59046661 A JP59046661 A JP 59046661A JP 4666184 A JP4666184 A JP 4666184A JP S60191288 A JPS60191288 A JP S60191288A
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- Japan
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- substrate
- color
- display device
- thin film
- color filter
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- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示要素単位となる被数個の電極を備えてい
る薄膜トランジスタ(TPT)アレイを設けた第1の基
板と、対向電極を設けた第2の基板とを有し、これらの
基板の間で生じる電気光学的変化によって表示を行う表
示装置に関するもので、特に、カラーフィルターを設け
てカラー表示を行うカラー表示装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention comprises a first substrate provided with a thin film transistor (TPT) array having several electrodes serving as display element units, and a second substrate provided with a counter electrode. The present invention relates to a display device that displays images by electro-optical changes occurring between these substrates, and particularly relates to a color display device that displays colors by providing a color filter.
従来、この種の装置は、電気光学的変調制料として、液
晶、EC(エレクトロクロミー)、EL(エレクトロル
ミネセンス)等の材料を使用していて、薄膜構成によっ
て基板上に小動用半導体アレイが設けられた第1の基板
と対向電極を形成した第2の基板を用い、これらの基板
間に電気光学的変調材料の層を挟持してなる構成が用い
られる。Conventionally, this type of device uses materials such as liquid crystal, EC (electrochromy), and EL (electroluminescence) as electro-optic modulation controls, and uses a thin film structure to fabricate a semiconductor array for small movement on a substrate. A structure is used in which a first substrate is provided with an electrode, a second substrate is provided with a counter electrode, and a layer of an electro-optic modulation material is sandwiched between these substrates.
以下、その代表的例として薄膜半導体構造を有する液晶
表示装置の例について図を用いて説明する。Hereinafter, as a representative example, a liquid crystal display device having a thin film semiconductor structure will be described with reference to the drawings.
第1図(a) 、 (b)は薄膜半導体を有する基板の
例で、これを液晶表示装置として構成した例を第2図に
よって示す。即ち、第1図(a)は表示用パネルを構成
する基板(ガラス等)S上に、2〜1o本/閣程度の密
度でマトリクス配置された実動用薄膜トランジスタ(T
FT:Th1n Film Transiator)を
設けたものである。TPTは、基板S上に形成されたダ
ート線1a及び1a′(透明又は金属の薄膜導電族から
なる)該ダート線上に設けたダート電極1 r 1’
+1”、1“′前記f−)’l極上に絶縁膜Iを介して
形成した薄膜状の半導体2 、2/ 、 2″、 2/
//、半導体装置端に接して設けたソース線(導電膜か
らなる)3゜3′、及び半導体の他端に設けたドレイン
電極4゜4′、4”、4“1等力(ら構成されている。FIGS. 1(a) and 1(b) show examples of substrates having thin film semiconductors, and FIG. 2 shows an example in which this is configured as a liquid crystal display device. That is, FIG. 1(a) shows thin film transistors for actual use (T
FT: Th1n Film Transiator). TPT includes dart electrodes 1 r 1' provided on the dart lines 1a and 1a' (made of a transparent or metal thin film conductive group) formed on the substrate S.
Thin film semiconductors 2, 2/, 2'', 2/ formed on the above f-)'l electrodes with an insulating film I interposed therebetween.
//, a source line (made of a conductive film) 3゜3' provided in contact with the end of the semiconductor device, and a drain electrode 4゜4', 4", 4"1 provided at the other end of the semiconductor (composed of has been done.
上記ドレイン電極4.4’、4“、4“′は表示要素単
位となる電極を構成している。第1図(b)は、第1図
0の矢印B方向から眺めた平面図であシ、マトリクス駆
動回路の一部を示している。The drain electrodes 4.4', 4'', and 4'' constitute electrodes serving as units of display elements. FIG. 1(b) is a plan view viewed from the direction of arrow B in FIG. 1, and shows a part of the matrix drive circuit.
又、第2図は、第1図に示す基板と対向電極基板とで4
111成される液晶表示装置を示すもので、第1図(b
)に示す線A−A’における拡大断面図である。In addition, FIG. 2 shows that the substrate shown in FIG. 1 and the counter electrode substrate are 4
Figure 1 (b) shows a liquid crystal display device constructed by
) is an enlarged sectional view taken along line AA'.
第2図に於いて、7及びSはガラス等の基板、4“及び
4“′は前述のドレイン電(返、8は対向電極である。In FIG. 2, 7 and S are substrates such as glass, 4" and 4"' are the aforementioned drain electrodes (in return, 8 is a counter electrode).
4,4″′1..8等には、工n206,5n02等の
透明導電膜或いは場合によってAu、AI、Pd等の金
属薄膜が使用される。1“、1“′及び2’ + 2″
′はそれぞれダート電極及びソース線であって、AI、
Au、Ag、Pt、Pd、Cu等の金属が使用される。For 4, 4'''1...8, etc., a transparent conductive film such as engineering n206, 5n02, etc. or a metal thin film such as Au, AI, Pd, etc. is used depending on the case.1'', 1''' and 2' + 2 ″
' are a dirt electrode and a source line, respectively, and AI,
Metals such as Au, Ag, Pt, Pd, and Cu are used.
5.5′は絶縁膜工を1ay1 a/等のダート線上の
みに形成した例を特別に示してアシ、又9は必要に応じ
て設けられる絶縁膜であシ、21/ 、 ell/はC
d8.CdSe、Te、アモルフォスシリコン等の半導
体、10はスペーサー、11は液晶層である。尚、表示
装置では、励的散乱モード(DSM)・ねじれ配列ネマ
ティック(TN)等表示モードのいずれを利用するか或
いは装置を透過型又は反射型にするかに応じて、種々の
液晶分子配向状態及び偏向板・λ/4板・反射板等の光
学検知手段が適宜設定される。5.5' specifically shows an example in which the insulating film is formed only on the dirt line such as 1ay1 a/, and 9 is the insulating film provided as necessary. 21/, ell/ is C.
d8. A semiconductor such as CdSe, Te, amorphous silicon, etc., 10 is a spacer, and 11 is a liquid crystal layer. In addition, in display devices, various liquid crystal molecule orientation states are available depending on whether a display mode such as excited scattering mode (DSM) or twisted nematic (TN) is used, or whether the device is a transmission type or a reflection type. Optical detection means such as a polarizing plate, a λ/4 plate, and a reflecting plate are appropriately set.
駆動方法を概説すれば、例えばダート線1a。An overview of the driving method is, for example, the dart line 1a.
1 a/に画像信号を、ソース線3,3′には駆動用電
圧を走査して印加すると(ダート線に信号が入力されて
いる間に限って)、これ等の電極の交点のうちの選択さ
れた箇所でソース(3,3’)ドレイン(4,4///
)間が導通して、ドレイン電極と対向電極8との間で
電場が生じ、液晶層11の液晶分子の配列状態が変化す
ることによシ表示が行なわれる。When an image signal is applied to 1 a/ and a driving voltage is scanned and applied to source lines 3 and 3' (only while a signal is being input to the dirt line), one of the intersections of these electrodes Source (3,3') drain (4,4///
) becomes electrically conductive, an electric field is generated between the drain electrode and the counter electrode 8, and the arrangement state of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 11 changes, thereby producing a display.
かかる装置において、カシ−表示を行なう手段として駆
動用半導体アレイが設けられた基板と対向する対向電極
基板上にカラーフィルターを形成する方法が一般的であ
る。In such devices, a common method for performing a shadow display is to form a color filter on a counter electrode substrate that faces a substrate on which a driving semiconductor array is provided.
しかしながらこのような構成のカラー表示装置には種々
の問題がある。即ち、駆動用半導体アレイの形成された
基板とカラーフィルターが形成された対向電極基板との
間に液晶層を挟持する為、このカラー表示装置を斜めか
ら見る時に視差を生じる欠点がある。However, a color display device having such a configuration has various problems. That is, since the liquid crystal layer is sandwiched between the substrate on which the driving semiconductor array is formed and the counter electrode substrate on which the color filter is formed, there is a drawback that parallax occurs when this color display device is viewed from an angle.
又、駆動用半導体アレイの形成された基板とカラーフィ
ルターが形成された対向電極基板とを接層剤で貼合せる
時に、駆動用半導体アレイの各電圧とカラーフィルター
とを±5μm以内の8−ぼ密な位置合せが必要であるが
、精密な位置合せを行ない貼合せる事は容易ではなく、
シばしば位置ずれを起こしてしまい、カラー表示装置の
色ムラの原因となる欠点がおる。Furthermore, when bonding the substrate on which the driving semiconductor array is formed and the counter electrode substrate on which the color filter is formed using an adhesive, each voltage of the driving semiconductor array and the color filter are adjusted within ±5 μm. Although precise alignment is necessary, it is not easy to perform precise alignment and bonding.
This has the disadvantage that positional deviations often occur, causing color unevenness in color display devices.
本発明は上記諸点に鑑みてなされたものであシ、本発明
の主な目的は、薄膜トランジスタアレイとカラーフィル
ターが一体化して設けられたカラー表示装置を与えるこ
とにある。The present invention has been made in view of the above points, and a main object of the present invention is to provide a color display device in which a thin film transistor array and a color filter are integrated.
又、他の目的はカラー表示装置作製の時に電極を形成し
た対向電極基板のカラーフィルターと駆動用半導体アレ
イの電極との精密な位置合せを無くすことにある。Another purpose is to eliminate the need for precise alignment between the color filter of the counter electrode substrate on which electrodes are formed and the electrodes of the driving semiconductor array when manufacturing a color display device.
更に本発明の別な目的はカラー表示装置を斜めから見た
ときの視差を無くすことにある。Another object of the present invention is to eliminate parallax when a color display device is viewed from an angle.
この様な目的を達成する本発明のカラー表示装置は、表
示要素単位となる複数個の電極を備えている薄膜トラン
ジスタアレイを設けた第1の基板と、対向電極を設けた
第2の基板とを有し、これらの基板間で生じる電気光学
的変化によって表示を為す表示装置において、前記薄膜
トランジスタアレイの形成に先立ち気相堆積によ多形成
した色素層のみを色要素として有するカラーフィルター
を基板上に設けたことを特徴としている。A color display device of the present invention that achieves the above object includes a first substrate provided with a thin film transistor array having a plurality of electrodes serving as display element units, and a second substrate provided with a counter electrode. In a display device that displays by electro-optical changes occurring between these substrates, a color filter having only a dye layer formed by vapor phase deposition prior to the formation of the thin film transistor array as a color element is disposed on the substrate. It is characterized by the fact that it has been established.
本発明に用いるカラーフィルターは、真空蒸着による色
素の蒸着薄膜で色素層を形成する方法によってつくられ
るのが好ましく、色素層のパターンニングは、除去すべ
き色素層の下部にレジストマスク(以下アンダーマスク
と呼ぶ)を設け、下部のアンダーマスクを基板から除く
ことによってその上の色素層をも同時に物理的に除去す
るいわゆるりパースエツチング法(又はリフトオフ方法
)を用いてなされるのが好ましい。The color filter used in the present invention is preferably made by a method of forming a dye layer using a thin film of dye deposited by vacuum evaporation, and the patterning of the dye layer is carried out using a resist mask (hereinafter referred to as an under mask) under the dye layer to be removed. It is preferable to use a so-called per-perspective etching method (or lift-off method) in which the underlying undermask is removed from the substrate, thereby physically removing the overlying dye layer at the same time.
これは後で溶解可能な物質を用いてアンダーマスクを形
成後、その上に蒸着色素層を設け、しかる後にアンダー
マスクを溶解することによって所望のパターン形成を行
なうものである。リバースエツチング法によればアンダ
ーマスク自身が除去されることによってパターンが形成
されるので基板上にカラーフィルターを同一平面上に形
成でき、しかもこのカラーフィルターが色素層のみの簡
単な構成である為にカラーフィルター上にN膜トランジ
スタアレイを形成することができる。In this method, after forming an undermask using a material that can be dissolved later, a vapor-deposited dye layer is provided on the undermask, and the desired pattern is then formed by dissolving the undermask. According to the reverse etching method, a pattern is formed by removing the undermask itself, so color filters can be formed on the same plane on the substrate.Moreover, this color filter has a simple structure of only a dye layer. An N-film transistor array can be formed on the color filter.
その場合本発明に用いる色素層には昇華あるいは蒸着可
能な染料あるいは顔料が用いられ、例えばフタロシアニ
ン系顔料、ナントール系顔料、インダスレン系染料、油
溶性染料2分散系染料などが挙げられる。In this case, dyes or pigments that can be sublimed or vapor-deposited are used in the dye layer used in the present invention, such as phthalocyanine pigments, nanthole pigments, indathrene dyes, and oil-soluble didisperse dyes.
以下、第3図、第4図および第5図を参照して本発明を
説明する。The present invention will be described below with reference to FIGS. 3, 4, and 5.
第3図は本発明に係るカラー表示装置の第19一実施態
様を示すもので、図中、第1図および第2図に示すもの
と同様の部分は同じ符号によって指示する。第3図中、
1“および1”′はr−)電極、iおよび2/l/は薄
膜状の半導体、3および3′はソース線、4“および4
“′は表示要素単位′yして働くドレイン電極、5は絶
縁層、7およびSはガラス等の基板、8は対向電極、1
1は液晶層、12および13は偏光板である。第3図に
示す表示装置面の各部は、第1図および第2図について
説明したと同様の材料によって構成され、この表示装置
と前述と同様の電気光学的変化によって光示作用を行う
。FIG. 3 shows a 191st embodiment of a color display device according to the present invention, in which parts similar to those shown in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals. In Figure 3,
1" and 1"' are r-) electrodes, i and 2/l/ are thin film semiconductors, 3 and 3' are source lines, 4" and 4
``' is a drain electrode that functions as a display element unit, 5 is an insulating layer, 7 and S are substrates such as glass, 8 is a counter electrode, 1
1 is a liquid crystal layer, and 12 and 13 are polarizing plates. Each part of the display surface shown in FIG. 3 is constructed of the same materials as described in connection with FIGS. 1 and 2, and performs a photoindication effect through the same electro-optical changes as described above.
本発明カラー表示装置においては、上記の薄膜トランジ
スタアレイの形成に先立ち気相堆積によシ形成した色素
層のみを色要素として有するカラーフィルターが基板S
上に形成される。図示の実施例で、このカラーフィルタ
ーは青色要素6、緑色要素6′、赤色要素6“の三色ノ
4ターンから成る。In the color display device of the present invention, a color filter having only a dye layer formed by vapor deposition prior to the formation of the thin film transistor array as a color element is provided on the substrate S.
formed on top. In the illustrated embodiment, this color filter consists of four turns of three colors: a blue element 6, a green element 6', and a red element 6''.
これらの各色要素は、要素電極すなわちドレイン電極4
“、4“′の下に形成されておシ、要素電極に対応した
カラーフィルターとして働く。これらの色要素上に薄膜
トランジスタアレイが形成され、これと対向電極を形成
した対向基板7との間に液晶層11を挟持することによ
ってカラー表示装置が構成されている。Each of these color elements is connected to an element electrode, that is, a drain electrode 4.
It is formed under ", 4"' and serves as a color filter corresponding to the element electrode. A color display device is constructed by forming a thin film transistor array on these color elements and sandwiching a liquid crystal layer 11 between this and a counter substrate 7 on which a counter electrode is formed.
第4図は本発明表示装置の変型例を示すもので、第3図
に示す構成における色要素6.6’、6“からなるカラ
ーフィルターとダート電極1“、1〃′を同一平面に形
成することによって、薄膜トランジスタアレイの厚みを
薄くシ、平坦な構成としたものを示す。その他の点では
、第4図に示すものは第3図に示すものと同じである。FIG. 4 shows a modification of the display device of the present invention, in which a color filter consisting of color elements 6, 6', 6" and dart electrodes 1", 1' in the configuration shown in FIG. 3 are formed on the same plane. By doing so, the thickness of the thin film transistor array is reduced and the structure is made flat. In other respects, what is shown in FIG. 4 is the same as what is shown in FIG.
次に、第5図(a)〜(、)を参照して、本発明による
カラー表示装置におけるカラーフィルターを作成する工
程について説明する。Next, with reference to FIGS. 5(a) to 5(,), a process for creating a color filter in a color display device according to the present invention will be described.
まず、基板S上に遠紫外光用ポジ型レジスト(例えば、
東京応化製の0DUR1013)をスピンナーを用いて
回転塗布する。乾燥後120℃20分間プリベークする
。ついで遠紫外光で所定の1?ターン形状に露光し現像
する。First, a positive resist for deep ultraviolet light (for example,
0DUR1013 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied by rotation using a spinner. After drying, prebaking at 120°C for 20 minutes. Next, the prescribed 1? with far ultraviolet light? Expose and develop in a turn shape.
以上の工程によって第5図(a)に示されるアンプ−マ
スク14が基板S上に形成される。ついで、第5図(b
)の如く全面に遠紫外光を照射する。Through the above steps, the amplifier mask 14 shown in FIG. 5(a) is formed on the substrate S. Next, Figure 5 (b
) The entire surface is irradiated with deep ultraviolet light.
ついで第5図(c)の如く、アンダーマスク14上に青
色蒸着色素層15をNiフタロシアニンの真空蒸着法に
よって厚さ30001に形成する。Then, as shown in FIG. 5(c), a blue vapor-deposited dye layer 15 is formed on the undermask 14 to a thickness of 30,001 mm by vacuum vapor deposition of Ni phthalocyanine.
ついで色素層15下のアンダ−マスクをレジスト現像液
に浸漬する。アンダーマスクの除去によって同時にその
上にある蒸着色素層15が除去される。Then, the undermask below the dye layer 15 is immersed in a resist developer. Removal of the undermask simultaneously removes the deposited dye layer 15 above it.
このようにして、第5図(d)の如く青色要素6が形成
される。In this way, the blue element 6 is formed as shown in FIG. 5(d).
第5図(d)で形成した青色要素6の上に緑色色素トシ
テPbフタロシアニン、赤色色素としてリオノグンマゼ
ンタR(東洋インキ製)をそれぞれ用いて第5図(a)
〜(d)と同様な工程をJ+’4 ’)返すことによっ
て、例えば第5図(e)に示すような青色要素6、緑色
要素6′、赤色要素6“の三色パターンからなるカラー
フィルターが基板S上に形成される。On the blue element 6 formed in FIG. 5(d), a green dye Toshite Pb phthalocyanine and a red dye Lionogun Magenta R (manufactured by Toyo Ink) are used, respectively, as shown in FIG. 5(a).
By repeating the same process as in ~(d) (J+'4'), a color filter consisting of a three-color pattern of blue element 6, green element 6', and red element 6'' as shown in FIG. 5(e), for example, can be obtained. is formed on the substrate S.
この色要素6.6’、6“からなるカラーフィルター上
に薄膜トランジスタプレイを形成後、対向電極を形成し
た対向基板7との間に液晶層11を挟持することによっ
て第3図または第4図に示すようなカラー表示装置が構
成される。After forming a thin film transistor layer on the color filter consisting of the color elements 6, 6' and 6'', a liquid crystal layer 11 is sandwiched between a counter substrate 7 on which a counter electrode is formed, and the result is as shown in FIG. 3 or 4. A color display device is constructed as shown.
第3図および第4図に示すカラー表示装置において各色
要素は要素電極4“、4“′の下に形成されておシ、要
素電極4“、4“′に対応したカラーフィルターとして
働く。従って、本実施例ではR(赤)。In the color display device shown in FIGS. 3 and 4, each color element is formed under the element electrodes 4", 4"', and serves as a color filter corresponding to the element electrodes 4", 4"'. Therefore, in this example, it is R (red).
G(緑)、B(青)の三原色によるカラー表示が行なわ
れる。このような構成では、表示部の電極に密着してカ
ラーフィルターが形成されているので、視差を生じるこ
とがないという利点がある。Color display is performed using the three primary colors of G (green) and B (blue). This configuration has the advantage that parallax does not occur because the color filter is formed in close contact with the electrode of the display section.
更に、カラーフィルターが薄膜トランジスタアレイと一
体化されているので基板Sと基板7を貼合せる際に位置
合せが不要であるという利点がある。Furthermore, since the color filter is integrated with the thin film transistor array, there is an advantage that alignment is not required when bonding the substrate S and the substrate 7 together.
尚、本発明に於いては、電気光学的変調材料として、斜
上の実施例で用いた液晶の他、EC(エレクトロクロミ
ー)、EL(エレクトロルミネッセンス)等を用いるこ
ともできる。液晶は、表示動作モードに応じてネマティ
ック、コレステリック、スメクティックを示す液晶の単
体及び混合物を用いる。これ等の表示動作モードはいわ
ゆるTN、DAP、DSM、HAN、ダストホスト、相
転移等いずれのタイプであっても良く、選択したモード
と表示効果から、適当な光学的検知手段(λ/4板、偏
光板2反射板、レンズ、照明装置)を適宜選択して本発
明装置に付加することもできる。In the present invention, in addition to the liquid crystal used in the embodiment above, EC (electrochromy), EL (electroluminescence), etc. can also be used as the electro-optic modulation material. As the liquid crystal, a single liquid crystal or a mixture of liquid crystals exhibiting nematic, cholesteric, or smectic properties are used depending on the display operation mode. These display operation modes may be of any type, such as so-called TN, DAP, DSM, HAN, dust host, phase change, etc., and depending on the selected mode and display effect, suitable optical detection means (λ/4 plate , a polarizing plate 2, a reflecting plate, a lens, and an illumination device) can be appropriately selected and added to the device of the present invention.
斜上の本発明による表示装置は、駆動性、生産性、信頼
性が良く間密度画素ケもつ、小型表示器としてテレビ、
ビデオカメラ用モニター等に適用される。The diagonal display device according to the present invention has good drive performance, productivity, and reliability, and has a high pixel density, and can be used as a small display device such as a television,
Applicable to video camera monitors, etc.
以上説明したように、本発明によれば、気相堆積によシ
形成した色素層のみを各色要素として有するカラーフィ
ルターが形成された基板にトランジスタアレイを設けた
カラー表示装置を用いることによってカラー表示装置作
製時に、電極形成した対向基板のカラーフィルターと薄
膜トランジスタアレイの電極との精密な位置合せが不要
となるばかシでなく、斜めから見たときの視差が無い等
の利点がある。As explained above, according to the present invention, color display is achieved by using a color display device in which a transistor array is provided on a substrate on which a color filter having only a dye layer formed by vapor deposition as each color element is formed. When manufacturing the device, there is no need for precise alignment between the color filter of the counter substrate on which electrodes are formed and the electrodes of the thin film transistor array, and there are advantages such as no parallax when viewed from an angle.
第1図(a)は従来型の表示装置斤における半導体駆動
回路を有する基板の一部分を示す斜視図、第1図(b)
はその平面図、第2図は第1図(&)及び(b)に示す
基板を有する表示装置の部分断面図、第3図は本発明に
係るカラー表示装置の実施例を示す断面図、第4図は本
発明の別の実施態様を示す断面図、第5図(a) −(
−)は本発明カラー表示装置におけるカラーフィルター
を作成する工程の一例を示す説明図である。
図において
1&11a’lla“、1m“′、1a““・・・r−
)線1.1’、1“、1“′・・・ダート、電極2.2
’、2“+ 2”’・・・半導体3.3’、3“、3“
′、3“・・・ソース綜4.4’、4“ 4///・・
・ドレイン電極5.5’、9.I・・・絶縁膜
6・・・青色要素 6′・・・緑色要素6”・・・赤色
要素 7.S・・・基板8・・・ti!II 10・・
・スペーサー11・・・液晶層 12.13・・・偏光
板14・・・アンダーマスク 15・・・蒸着色素層第
5図FIG. 1(a) is a perspective view showing a part of a substrate having a semiconductor drive circuit in a conventional display device, and FIG. 1(b)
is a plan view thereof, FIG. 2 is a partial sectional view of a display device having the substrate shown in FIGS. 1 (&) and (b), and FIG. 3 is a sectional view showing an embodiment of a color display device according to the present invention. FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5(a)-(
-) is an explanatory diagram showing an example of the process of creating a color filter in the color display device of the present invention. In the figure, 1&11a'lla", 1m"', 1a""...r-
) wire 1.1', 1", 1"'... dirt, electrode 2.2
', 2"+ 2"'...Semiconductor 3.3', 3", 3"
', 3"...source 4.4', 4" 4///...
- Drain electrode 5.5', 9. I...Insulating film 6...Blue element 6'...Green element 6''...Red element 7.S...Substrate 8...ti!II 10...
・Spacer 11...Liquid crystal layer 12.13...Polarizing plate 14...Undermask 15...Vapour-deposited dye layer Fig. 5
Claims (1)
ンジスタアレイを設けた第1の基板と、対向電極を設け
た第2の基板とを有し、これらの基板間で生じる電気光
学的変化によって表示を為す表示装置において、前記薄
膜トランジスタアレイの形成に先立ち気相堆積によシ形
成した色素層のみを色要素として有するカラーフィルタ
ーを基板上に設けたことを特徴とするカラー表示装置。It has a first substrate provided with a thin film transistor array having a plurality of electrodes serving as display element units, and a second substrate provided with a counter electrode, and displays by electro-optical changes occurring between these substrates. 1. A color display device comprising: a color filter having, as a color element, only a dye layer formed by vapor deposition prior to the formation of the thin film transistor array; provided on a substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59046661A JPS60191288A (en) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Color display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59046661A JPS60191288A (en) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Color display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60191288A true JPS60191288A (en) | 1985-09-28 |
Family
ID=12753515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59046661A Pending JPS60191288A (en) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Color display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60191288A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011186484A (en) * | 1999-09-30 | 2011-09-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor substrate for liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59046661A patent/JPS60191288A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011186484A (en) * | 1999-09-30 | 2011-09-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor substrate for liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
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