JPS60189953A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS60189953A JPS60189953A JP4545984A JP4545984A JPS60189953A JP S60189953 A JPS60189953 A JP S60189953A JP 4545984 A JP4545984 A JP 4545984A JP 4545984 A JP4545984 A JP 4545984A JP S60189953 A JPS60189953 A JP S60189953A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- measurement
- integrated circuit
- test
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、集積回路に係り、特に電子ビームＬＳＩテス
タ（以下ＥＢテスタと称す）による内部特性評価を容易
にした集積回路の製造方法並びにその検査方法に関する
。
タ（以下ＥＢテスタと称す）による内部特性評価を容易
にした集積回路の製造方法並びにその検査方法に関する
。
従来のＥＢテスタによる集積回路の内部特性の評価は、
特別な集積回路（例えば製品開発段階に於けるＴＥＧ等
）を除いて、第１図に示す如く、Ｓｉ酸化物等の保護膜
Ｐ、 ｒを介して、測定すべき配線Ａｎに電子ビームＦ
ＢＩを照射して行なっていた。ここに配線ＡΩは、コン
タクト用の絶縁膜Ｐｃに形成されたコンタクトＣＯで基
板Ｓｕ上の活性領域Ａｃに接続されている。内部特性評
価は第２図に示す如く電子ビームＥＢＩを配線ＡＱの間
に形成される静電容量Ｃ３と、電子ビーム照射により発
生する２次電子の検出抵抗Ｒ１（ビーム抵抗）とのＣＲ
時定数をもつ測定系で配線ＡＱの電位■。を測定する事
により行なわれる。（例えば、日本学術振興会発行の荷
電粒子ビームの工業への応用第１３２委員会″第８２回
研究会資料″ＰＰ、２０〜２５．昭５７年１０月） すなわち第３図に示す如く、配線ＡＭの電位ｖｌを観測
した場合、ＣＲ時定数が大きい時は観測波形ｖ２の如く
精度の良い測定が可能となるがＣＲ時定数が小さい場合
、観測波形はｖ３の如く微分された波形となってしまう
。このため、次の様な問題を生ずる。
特別な集積回路（例えば製品開発段階に於けるＴＥＧ等
）を除いて、第１図に示す如く、Ｓｉ酸化物等の保護膜
Ｐ、 ｒを介して、測定すべき配線Ａｎに電子ビームＦ
ＢＩを照射して行なっていた。ここに配線ＡΩは、コン
タクト用の絶縁膜Ｐｃに形成されたコンタクトＣＯで基
板Ｓｕ上の活性領域Ａｃに接続されている。内部特性評
価は第２図に示す如く電子ビームＥＢＩを配線ＡＱの間
に形成される静電容量Ｃ３と、電子ビーム照射により発
生する２次電子の検出抵抗Ｒ１（ビーム抵抗）とのＣＲ
時定数をもつ測定系で配線ＡＱの電位■。を測定する事
により行なわれる。（例えば、日本学術振興会発行の荷
電粒子ビームの工業への応用第１３２委員会″第８２回
研究会資料″ＰＰ、２０〜２５．昭５７年１０月） すなわち第３図に示す如く、配線ＡＭの電位ｖｌを観測
した場合、ＣＲ時定数が大きい時は観測波形ｖ２の如く
精度の良い測定が可能となるがＣＲ時定数が小さい場合
、観測波形はｖ３の如く微分された波形となってしまう
。このため、次の様な問題を生ずる。
第１点は、位相走査周期を大きくすると、矩形波電位を
観測した場合に於いて、微分波形に近づくことである。
観測した場合に於いて、微分波形に近づくことである。
第２点は、電子ビームを照射する面積（プロービング面
積）を小さくした時（静電容量が小さくなることに相当
する）も、微分波形に近づくことである。
積）を小さくした時（静電容量が小さくなることに相当
する）も、微分波形に近づくことである。
更に第３点は、照射電流を大きくする時（これは検出抵
抗を小さくすることに相当）も、微分波形に近づくこと
である。
抗を小さくすることに相当）も、微分波形に近づくこと
である。
以上はいずれも前述の測定系のＣＲ時定数が小さくなる
事による微分波形化であり、対策としては、ＣＲ時定数
を大きくする事が必要である。
事による微分波形化であり、対策としては、ＣＲ時定数
を大きくする事が必要である。
ここで、検出抵抗を大きくするためには、照射電流を小
さくする必要がある。しかしこれは、２次電子の低下を
招き、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）の低下が起るため好ま
しくない。また、静電容量を大きくするために、電子ビ
ームの偏光コイルに高周波パルスを重畳する方法もある
が、この方法でも静電容量の増大には限度がある。特に
矩形以外の金属配線にはこの方法も適用できない欠点を
有する。
さくする必要がある。しかしこれは、２次電子の低下を
招き、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）の低下が起るため好ま
しくない。また、静電容量を大きくするために、電子ビ
ームの偏光コイルに高周波パルスを重畳する方法もある
が、この方法でも静電容量の増大には限度がある。特に
矩形以外の金属配線にはこの方法も適用できない欠点を
有する。
以上述べた如〈従来の集積回路は、ＥＢテスタでその内
部特性を評価する場合、保護膜下の配線の電位を測定し
た場合、微分波形となる欠点があった。
部特性を評価する場合、保護膜下の配線の電位を測定し
た場合、微分波形となる欠点があった。
本発明の目的は、保護膜下の配線の電位を、ＥＢテスタ
を用いて容易に測定可能にした集積回路を提供すること
にある。
を用いて容易に測定可能にした集積回路を提供すること
にある。
本発明は、測定系のＣＲ時定数を大きくするために、第
１図に示した電子ビーム配線間に形成される静電容量増
大に着目した発明であり、更に言えば、保護膜下の金属
配線に対し、平行板状の静電容量を形成するＥＢテスト
用の金属配線を設け、このテスト用の金属配線に電子ビ
ームを照射して集積回路の内部特性の評価を容易にした
事に特長がある。
１図に示した電子ビーム配線間に形成される静電容量増
大に着目した発明であり、更に言えば、保護膜下の金属
配線に対し、平行板状の静電容量を形成するＥＢテスト
用の金属配線を設け、このテスト用の金属配線に電子ビ
ームを照射して集積回路の内部特性の評価を容易にした
事に特長がある。
以下本発明の一実施例を第４図により説明する。
第４図は、第１図の配線Ａｍ上に保護膜Ｐｒを介して、
ＥＢテスト用の配線Ａｍを設けている。
ＥＢテスト用の配線Ａｍを設けている。
更に第５図に、平面図を示しているが、ＥＢテスタで観
測すべき配線ＡＱを覆う様にＥＢテスト用の配線Ａｍを
形成している。そしてこのＥＢテスト用は配線Ａｍに電
子ビームを照射する。こうすることにより第２図に示し
た電子ビームと配線ＡＱとの間に形成される静電容量Ｃ
１で決まる時定数での測定に対し、配線ＡＱと配線Ａｍ
間に形成される平行板状の静電容量で決まるＣＲ時定数
で測定されるため、本発明による方法で矩形波の信号を
観測した場合、前述の様に微分波形となることはなく高
精度の測定が可能となる。
測すべき配線ＡＱを覆う様にＥＢテスト用の配線Ａｍを
形成している。そしてこのＥＢテスト用は配線Ａｍに電
子ビームを照射する。こうすることにより第２図に示し
た電子ビームと配線ＡＱとの間に形成される静電容量Ｃ
１で決まる時定数での測定に対し、配線ＡＱと配線Ａｍ
間に形成される平行板状の静電容量で決まるＣＲ時定数
で測定されるため、本発明による方法で矩形波の信号を
観測した場合、前述の様に微分波形となることはなく高
精度の測定が可能となる。
以上述べた如く、本実施例によれば、電子ビームと観測
すべき配線Ａｆｌの間に成される静電容量に比較し、大
きな配線ＡＱと配線Ａｍとの間の容量で決まるＣＲ時定
数でＥＢテストすることが可能になり、保護膜付の集積
回路の内部特性評価の測定精度向上が図れる。
すべき配線Ａｆｌの間に成される静電容量に比較し、大
きな配線ＡＱと配線Ａｍとの間の容量で決まるＣＲ時定
数でＥＢテストすることが可能になり、保護膜付の集積
回路の内部特性評価の測定精度向上が図れる。
本発明によれば、保護膜下の配線の電位を高精度にＥＢ
テスタを用いて測定できるので次の効果がある。保護膜
付の集積回路すなわち、製品レベルの集積回路の高精度
の内部特性評価がＥＢテスタを用いて可能になる。また
例えば論理大規模集積回路に本発明を適用しＥＢテスタ
を用いて、非破壊的かつ高精度に内部動作特性を評価す
ることが可能となる。これによりラッチ回路等、論理大
規模集積回路の動作余裕度を決める主要各論理ゲートの
出力信号を測定することにより、設計の良否の確認が容
易にかつ高精度に行なうことが出来るようになる。その
結果、動作の安定な高速な論理大規模集積回路の提供が
可能となる。更に、製品化後の誤動作の原因究明等も本
発明によれば容易に行なうことが可能となる。
テスタを用いて測定できるので次の効果がある。保護膜
付の集積回路すなわち、製品レベルの集積回路の高精度
の内部特性評価がＥＢテスタを用いて可能になる。また
例えば論理大規模集積回路に本発明を適用しＥＢテスタ
を用いて、非破壊的かつ高精度に内部動作特性を評価す
ることが可能となる。これによりラッチ回路等、論理大
規模集積回路の動作余裕度を決める主要各論理ゲートの
出力信号を測定することにより、設計の良否の確認が容
易にかつ高精度に行なうことが出来るようになる。その
結果、動作の安定な高速な論理大規模集積回路の提供が
可能となる。更に、製品化後の誤動作の原因究明等も本
発明によれば容易に行なうことが可能となる。
更にメモリに於いても、メモリセル等の駆動波形のＥＢ
テスタでの観測が容易となるため、設計検査及び不良解
析等を容易になし得る。
テスタでの観測が容易となるため、設計検査及び不良解
析等を容易になし得る。
更に本発明によれば、測定すべき配線の選び出しが容易
となることは明らかであり、測定能率の向上が図れるこ
とは言うまでもない。
となることは明らかであり、測定能率の向上が図れるこ
とは言うまでもない。
第１図は従来の集積回路の要部断面図、第２図はＥＢテ
スト時の測定系の等価回路図、第３図は測定結果を示す
電位波形図、第４図は本発明の一実施例を示す集積回路
の要部断面図、第５図は第４図に対応した部分の平面図
である。 Ａえ・・・ＥＢテスタで測定すべき配線、Ａ、・・・実
際に電子ビームを照射する配線、Ｃ１・・・電子ビーム
と配線ＡＬの間に形成される静電容量、Ｒ１・・・２’
ｆ、ｒ 図 第 ３ 図
スト時の測定系の等価回路図、第３図は測定結果を示す
電位波形図、第４図は本発明の一実施例を示す集積回路
の要部断面図、第５図は第４図に対応した部分の平面図
である。 Ａえ・・・ＥＢテスタで測定すべき配線、Ａ、・・・実
際に電子ビームを照射する配線、Ｃ１・・・電子ビーム
と配線ＡＬの間に形成される静電容量、Ｒ１・・・２’
ｆ、ｒ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属配線を有する集積回路で、かつ第１の金属配線
を覆う絶縁膜を有する集積回路に於いて、前記第１の金
属配線と絶縁膜を誘電体とする平行板状の容量を形成す
る第２の金属配線を絶縁膜上に有することを特徴とする
集積回路。 ２、上記第２の金属配線の幅は、第１の金属配線膜に等
しいか、もしくは狭いことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545984A JPS60189953A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545984A JPS60189953A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189953A true JPS60189953A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12719937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4545984A Pending JPS60189953A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP4545984A patent/JPS60189953A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
| US5612626A (en) * | 1993-03-25 | 1997-03-18 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
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