JPS60180952A - Circuit substrate - Google Patents

Circuit substrate

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JPS60180952A
JPS60180952A JP59034159A JP3415984A JPS60180952A JP S60180952 A JPS60180952 A JP S60180952A JP 59034159 A JP59034159 A JP 59034159A JP 3415984 A JP3415984 A JP 3415984A JP S60180952 A JPS60180952 A JP S60180952A
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JP
Japan
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circuit board
paste
temperature
present
firing
Prior art date
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Pending
Application number
JP59034159A
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Japanese (ja)
Inventor
岩瀬 暢男
トルン・デイン タン
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、回路基板に関する。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] The present invention relates to a circuit board.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

従来から回路基板用のセラミックス材料として用いられ
ているものにアルミナがある。このアルミナは絶縁性が
良好であるため、もつとも一般的に使用されている。
Alumina has been conventionally used as a ceramic material for circuit boards. Alumina is commonly used because it has good insulation properties.

しかしながらアルミナを用いた場合は、その焼成温度が
1500〜1600℃と高温であるため、使用できる導
体ペーストに制限が生じていた0例えば導体ペーストと
基板とを同時焼結する多層回路基板では、アルミナの焼
成温度に十分耐え得るようなタングステン、モリブデン
等の導体ペーストを用いる必要があった。しかしながら
W、Moは抵抗率がAgの1.6 X 10−’Ω・倒
に比べ5.2 X 10−’Ω・側。
However, when alumina is used, the firing temperature is as high as 1,500 to 1,600°C, which limits the conductor paste that can be used. It was necessary to use a conductive paste made of tungsten, molybdenum, etc. that could sufficiently withstand the firing temperatures of However, the resistivity of W and Mo is on the side of 5.2 x 10-'Ω· compared to 1.6 x 10-'Ω· of Ag.

5.5 X 10”−’Ω・傷と3倍程度太きい。従っ
て、同じ伝導度の導体路を得るためには、導体幅を3倍
程一度にする必要があり、高密度配線ができない欠点が
あった。
5.5 x 10"-'Ω・It is about three times as thick as the scratch. Therefore, in order to obtain a conductor path with the same conductivity, the conductor width must be made three times as wide at once, making high-density wiring impossible. There were drawbacks.

このような欠点を除去するため、絶縁性等の特性を劣化
させることなく低温焼成可能な回路基板の開発が望まれ
ている。
In order to eliminate these drawbacks, it is desired to develop a circuit board that can be fired at low temperatures without deteriorating properties such as insulation.

このような要望に−こたえて1本発明者等は先にBa0
 、8n02 、 B2O3を主成分とする1300℃
以下程度で焼結可能な低温焼結基板を提案した。絶縁抵
抗、誘電率等の電気的特性は11203と同等以上であ
り、かつ低温焼結ができるため、非常に有効な材料であ
る0本発明者等が、この基板材料についてさらに検討を
加えたところ、特定の組成で銹電損矢(tanδ)が教
養されることを見い出した。
In response to such demands, the present inventors first developed Ba0
, 8n02, 1300℃ with B2O3 as the main component
We proposed a low-temperature sintered substrate that can be sintered at the following levels. The electrical properties such as insulation resistance and dielectric constant are equal to or higher than those of 11203, and it can be sintered at low temperatures, making it a very effective material.The inventors further investigated this substrate material. It was found that the tan δ of a specific composition is increased.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、低温焼成
が可能で、かり誘電損失の小さい回路基板を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a circuit board that can be fired at a low temperature and has a small dielectric loss.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、 Ba8n(BO3)2 50〜95 mo1%5n02
 5〜50 moノ% 含有された酸化物焼結体を用いたことを特徴とする回路
基板である。
The present invention is based on Ba8n(BO3)2 50-95 mo1%5n02
The circuit board is characterized in that it uses an oxide sintered body containing 5 to 50 mo% of the oxide.

このような組成をとることによル焼成温度1300℃以
下の低温焼成可能な回路基板を得ることができる。この
基板は熱膨張率αが6〜9 (X 1 o−’/c)程
度と市販のアルミナ基板用厚膜ペーストと同程度であり
、導体層との一体焼成でも反りが少ないので回路基板用
に好適である。また他の特性、例えば誘電率g、 8.
6〜10.0程度、誘電損失Tanδ1〜2(X10−
3)絶縁抵抗ρ13〜10(X1013Ω・副)と回路
基板として十分な特性を有する。また、抗折強度も10
00 Kt/4以上と十分な強度を有する。
By adopting such a composition, a circuit board that can be fired at a low temperature of 1300° C. or lower can be obtained. This board has a coefficient of thermal expansion α of about 6 to 9 (X 1 o-'/c), which is comparable to that of commercially available thick film paste for alumina boards, and there is little warping even when it is baked together with a conductor layer, making it suitable for use in circuit boards. suitable for Also other properties, such as dielectric constant g, 8.
6 to 10.0, dielectric loss Tan δ1 to 2 (X10-
3) It has insulation resistance ρ13 to 10 (X1013Ω/sub), which has sufficient characteristics as a circuit board. Also, the bending strength is 10
It has sufficient strength of 00 Kt/4 or more.

本発明において、各組成分は以下の理由で限定する。In the present invention, each component is limited for the following reasons.

まずBarn (BO3)2であるが、それ自体回路基
板として優れた特性を持ち、誘電率8.1 (IMHz
 ) 。
First of all, Barn (BO3)2 itself has excellent characteristics as a circuit board, with a dielectric constant of 8.1 (IMHz
).

tanδ= 3.0 X 10−3(I M)lz )
 、抵抗率14..0X1013Ω・α。
tan δ = 3.0 x 10-3(IM)lz)
, resistivity 14. .. 0X1013Ω・α.

熱膨張率4.5 X 1 o−’/℃である。またBa
rn (BOa )2は大気巾約1000℃で緻密に焼
結する低温焼成組成物である。
The coefficient of thermal expansion is 4.5 x 1 o-'/°C. Also Ba
rn (BOa )2 is a low-temperature firing composition that is densely sintered at an atmospheric width of about 1000°C.

よってBa8n(BO3)2は50moA!%以上が好
ましく、5n02の効果を消失させない上限値95mo
1%以下に限定される。
Therefore, Ba8n(BO3)2 is 50moA! % or more is preferable, and the upper limit 95mo does not eliminate the effect of 5n02.
Limited to 1% or less.

次に5n02であるが、本来半導体の性質を有する為、
絶縁抵抗が低下してしまい、絶縁性基板としての特性を
満足しなくなシ、さらに誘電損失(tanδ)、比誘電
率(ε、)共に大きくなるうえ、熱膨張率(α)が大き
くなるなどの不具合が生じることが一般論として考えら
れるが、実験によれば理由は未解明なものの、 tan
δが逆に小さくなるとの好特性を持つに至ることが新た
に確認できた。
Next is 5n02, which originally has semiconductor properties, so
Insulation resistance decreases, and the characteristics as an insulating substrate are no longer satisfied, and dielectric loss (tan δ) and relative permittivity (ε,) both increase, and the coefficient of thermal expansion (α) increases, etc. Generally speaking, it is thought that a problem occurs when tan
On the contrary, it was newly confirmed that it has a favorable characteristic that δ becomes smaller.

さらに5n02の融点は1620℃でBarn (80
3) 2 ヨシも高く余シ多いと焼結温度の上昇をまね
き、8n0250 mol1%では約1300℃となっ
てしまい、Ag 、 Au 、 Cuなどの金属との同
時焼結を行なう上限温度となる。Ag、Au、Cu、N
iの融点はそれぞれ961℃、1063℃、1084℃
、1452℃であるので、焼結−制剤としてPd 、 
Pt 、 u203 、5i02などを添加した組成物
を必要とする。
Furthermore, the melting point of 5n02 is 1620℃ and Burn (80
3) 2 If the reeds are too high and there is a lot of residue, the sintering temperature will rise, and at 8n0250 mol 1%, the temperature will be about 1300°C, which is the upper limit temperature for simultaneous sintering with metals such as Ag, Au, and Cu. Ag, Au, Cu, N
The melting points of i are 961℃, 1063℃, and 1084℃, respectively.
, 1452°C, Pd as a sintering agent,
A composition containing Pt, u203, 5i02, etc. is required.

5n02の量は30〜40mo7%で好特性のピークを
持ち。
The amount of 5n02 has a peak with favorable characteristics at 30-40mo7%.

下限は効果のはじめて現われる5mo1%である。The lower limit is 5mo1% at which the effect first appears.

よって8n02の範囲は5〜50m01%に限定され、
特に30〜40moJ%が好適である。
Therefore, the range of 8n02 is limited to 5-50m01%,
Particularly suitable is 30 to 40 moJ%.

このように本発明によれば、焼成温度が1300℃以下
の絶縁性基板を得ることができ、M2O3の場合のW 
、 Mo等に変え、Ag 、 Ag−Pd 、 Ag−
P を等のAg系ペースト、Cuペースト等のシート抵
抗の小さい低温焼成ペーストを用いることができるため
、高密度配線ができ、非常に有効である。又、焼成温度
を下げることにより、製造時のエネルギーコストの低下
の効果も大である。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an insulating substrate with a firing temperature of 1300°C or less, and in the case of M2O3, W
, Mo etc., Ag, Ag-Pd, Ag-
Since low-temperature firing pastes with low sheet resistance such as Ag-based pastes such as P 2 pastes and Cu pastes can be used, high-density wiring can be achieved, which is very effective. Furthermore, by lowering the firing temperature, energy costs during production can be reduced significantly.

本発明絶縁性基板を用いて、同時焼結にょシ多層配線基
板を形成した例を説明する。
An example of forming a co-sintered multilayer wiring board using the insulating substrate of the present invention will be described.

まず所望のBaO,8n02.B2O3組成比を有する
原料粉末を含有するスラリーを製造する。スラリーは原
料粉末に、例えばポリビニルブチラル等の結合剤、フタ
ール酸オクチル、ポリエチレングリコール等の可星剤、
メンヘーデン油等の解膠剤、エチルアルコール、トリク
ロロエチレン等の溶媒を加えて製造する。このスラリー
を用い、ドクターブレード法でグリーンシートを製造す
る。次いでAg系等の導体ペーストを用い、第1の導体
層を印刷・塗布し乾燥する。続いて所望のBad、 8
n02 、 B2O3。
First, the desired BaO, 8n02. A slurry containing raw material powder having a B2O3 composition ratio is produced. The slurry consists of raw material powder, a binder such as polyvinyl butyral, a star-forming agent such as octyl phthalate, polyethylene glycol, etc.
Manufactured by adding a deflocculant such as menhaden oil and a solvent such as ethyl alcohol or trichloroethylene. Using this slurry, a green sheet is manufactured by a doctor blade method. Next, a first conductor layer is printed and applied using a conductor paste such as Ag-based and dried. Then the desired Bad, 8
n02, B2O3.

kll 203 、 S i02の組成比を有する原料
粉末を含有する絶縁体ペーストを第1の導体層上に印刷
塗布し、乾燥した後、第2の導体層を同様に形成する。
An insulating paste containing raw material powder having a composition ratio of kll 203 and Si02 is printed and coated on the first conductor layer, and after drying, a second conductor layer is formed in the same manner.

絶縁ペーストは、ブチルカルピトールアセテート、テル
ピネオール、エチルセルローズ等を添加してペースト状
とし、塗布する。
The insulating paste is made into a paste by adding butyl carpitol acetate, terpineol, ethyl cellulose, etc., and then applied.

このように2層配線を施したグリーンシートを電気炉中
で例えば1000℃程度で3hr同時焼成し、多層配線
基板を製造する。
The green sheets provided with two-layer wiring in this manner are simultaneously fired in an electric furnace at, for example, about 1000° C. for 3 hours to produce a multilayer wiring board.

本発明の回路基板は、多層配線を有する同時焼成用の基
板としての用途に特に優れている。本発明によれば低温
焼成が可能な絶縁体層を提供そきるので、導体層として
、従来のW 、 Mo等にカーえ、シート抵抗の小さい
Ag系、 Cu系、 Au系、Ni系等のペーストを用
いることができる。特にガラス成分を含んでいないため
、空孔が少なく、構造がち密であるため、Ag系を用い
てもマイグレーシロン等の問題がおこることもない。従
って配線密度をあげ、高密度化が可能となる。また、A
g系ペースト中の例えばPd量を減少させることもでき
コスト的にもすぐれた基板を提供できる。
The circuit board of the present invention is particularly suitable for use as a co-firing board having multilayer wiring. According to the present invention, it is possible to provide an insulating layer that can be fired at a low temperature, so instead of the conventional W, Mo, etc., Ag-based, Cu-based, Au-based, Ni-based, etc. with low sheet resistance can be used as the conductive layer. Paste can be used. In particular, since it does not contain a glass component, it has few pores and has a dense structure, so even if Ag-based materials are used, problems such as migration will not occur. Therefore, it is possible to increase the wiring density and achieve higher density. Also, A
For example, the amount of Pd in the g-based paste can be reduced, and a cost-effective substrate can be provided.

従来M2O3にW、Mo等の導体ペーストを用いた場合
は、還元性雰囲気中で同時焼結を行なう必要があったが
、Ag、Auを用いることができるため、空気中焼成が
可能であシ、製造容易、コストの低下等の効果を得るこ
ともできる。又、基板中にガラス成分がないため、Ag
のマイグレーションが生じにくい。
Conventionally, when a conductive paste such as W or Mo was used for M2O3, it was necessary to perform simultaneous sintering in a reducing atmosphere, but since Ag and Au can be used, it is possible to sinter in the air. It is also possible to obtain effects such as ease of manufacture and reduction in cost. In addition, since there is no glass component in the substrate, Ag
migration is less likely to occur.

またこの例は印刷多層であるがいわゆるグリーンシート
多層でも同様である。
Further, although this example is a printed multilayer, the same applies to a so-called green sheet multilayer.

また、印刷多層の場合、基体としては、本発明の回路基
板を用いても曳いが、例えばM2O3基板、ムライト基
板、等の他の基体を用いても良い。
Further, in the case of a printed multilayer, the circuit board of the present invention may be used as the substrate, but other substrates such as an M2O3 substrate or a mullite substrate may also be used.

従来用いられているん1203基板はM2O3を92〜
93%含有したもので1500〜16000程度の焼結
温度、εs = 10.5〜12.tanδ=2〜5X
10−3.ρ=0.2〜5X1013.α’:l:8 
X 10−’/℃である。本発明においては、前述のご
とく焼結温度でM2O3を大幅に下回り、他の特性も同
等かそれ以上のものを得ることができる。抗折力の増大
等の必要に応じ。
The conventionally used 1203 board has M2O3 of 92~
Sintering temperature of about 1,500 to 16,000 for those containing 93%, εs = 10.5 to 12. tanδ=2~5X
10-3. ρ=0.2~5X1013. α':l:8
X 10-'/°C. In the present invention, as mentioned above, the sintering temperature is significantly lower than that of M2O3, and other properties can be obtained that are equivalent or higher. As required to increase transverse rupture strength, etc.

IJ203 、5i02等の他の成分を添加することも
できる。
Other components such as IJ203, 5i02, etc. can also be added.

又、前述のごとく低温焼成ペーストを用い同時焼成が可
能となるため、製造コストの低減等の効果を得ることが
できるが、さらにAg 、 lLu系のペーストを用い
ることにより、大気中での焼成が可能となシ、製造設備
の簡易化、作業の容易性等の効果も大なるものである。
In addition, as mentioned above, since simultaneous firing is possible using a low-temperature firing paste, effects such as reduction in manufacturing costs can be obtained, but furthermore, by using Ag and lLu-based pastes, firing in the atmosphere is possible. There are also great effects such as increased production capacity, simplification of manufacturing equipment, and ease of work.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、130(1以下程
度、特に800〜1200℃程度の低温で焼成可能な回
路基板を得ることができる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to obtain a circuit board that can be fired at a low temperature of about 130° C. or less, particularly about 800 to 1200° C.

従って高密度配線、特に一体焼結による多層配線基板用
として有効である。
Therefore, it is effective for high-density wiring, especially for multilayer wiring boards formed by integral sintering.

従って、 LSIチップ等を直接塔載する高密度ノーイ
ブリッドIC用の基板としても有効である。
Therefore, it is also effective as a substrate for high-density non-bridled ICs on which LSI chips and the like are directly mounted.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下に本発明の詳細な説明する。本実施例の回路基板は
以下のようにして製造した。
The present invention will be explained in detail below. The circuit board of this example was manufactured as follows.

まず所望の組成比となるようにBad、 8203 、
5n02の原料粉末を調合し、この調合された粉末をア
ルミナボールと共にアルミナ製ポットに入れ、振動ミル
により、16時間程度の湿式粉砕を行なった。
First, Bad, 8203,
A raw material powder of 5n02 was prepared, and the prepared powder was placed in an alumina pot together with alumina balls, and wet-pulverized for about 16 hours using a vibration mill.

この原料粉末は、焼結後酸化物に添加するもの、例えば
炭酸塩等で用いても良く、本実施例ではBaCO3、H
3BO3、5n02を用いた。次いで脱水乾燥を施し、
1000〜1400℃で3時間程度の加熱処理を加えた
仮焼の後、再度アルミナ製ポット中にいれ、30時間程
度の湿式粉砕を行なった。次に、例えばポリビニールア
ルコール(P−V−A)等の粘結剤を加え、造粒し、団
粒を製造した。
This raw material powder may be used as something added to the oxide after sintering, such as carbonate, and in this example BaCO3, H
3BO3 and 5n02 were used. Then, it is dehydrated and dried,
After calcining by heat treatment at 1000 to 1400° C. for about 3 hours, it was placed again in an alumina pot and wet-pulverized for about 30 hours. Next, a binder such as polyvinyl alcohol (PV-A) was added and granulated to produce aggregates.

その後前記団粒を金型に充填し、1000Kf/d程度
の圧力で加圧成形し、大気中800〜1200℃3時間
焼成し、試料を作成した。
Thereafter, the aggregates were filled into a mold, pressure-molded at a pressure of about 1000 Kf/d, and fired in the atmosphere at 800 to 1200°C for 3 hours to prepare a sample.

試料としては、22mφX 1 wm tの円板状試料
、20X3.5X3.5tm+の棒状試料を作成し、諸
物件を測定した。その結果を第1表に示す。なお比誘電
率(ε、)及び誘電損失(tanδ)、抵抗率(ρ)は
1円板状試料の両面にAgペーストを325メツシユの
スクリーン印刷によシ同心円状に印刷し、乾燥後大気中
にて750℃20分間の焼付処理を行ない、20謹φ×
15μmの円形の電極を形成して測定した。
As samples, a disk-shaped sample of 22 mφX 1 wm t and a bar-shaped sample of 20 x 3.5 x 3.5 tm+ were prepared, and various objects were measured. The results are shown in Table 1. The relative dielectric constant (ε, ), dielectric loss (tan δ), and resistivity (ρ) were determined by printing Ag paste in concentric circles on both sides of a disc-shaped sample by screen printing with 325 meshes, and after drying in the air. Baking treatment was performed at 750℃ for 20 minutes, and the
Measurements were made by forming a circular electrode with a diameter of 15 μm.

εS及びtanδはl MHzでの値であり、ρは25
℃、湿度50%の条件で1ooov印加してから1分後
の値の最低値である。また熱膨張係数(α)は棒状試料
を用い、25〜500Cの温度変化の条件で測定した。
εS and tanδ are values at l MHz, and ρ is 25
This is the lowest value 1 minute after applying 100V under the conditions of 50% humidity and 50% humidity. Further, the coefficient of thermal expansion (α) was measured using a rod-shaped sample under the condition of a temperature change of 25 to 500C.

 ↓久千f、臼 第1表から明らかなように本発明の実施例(2゜3.4
)においては、いずれも1300℃以下の焼成温度を達
成することができ、他の特性も十分な値である0例えば
、400℃→25℃の熱衝撃試験でも割れ線虫じなかっ
た。また抗折強度は示していないが、いずれの場合も1
000〜以上を優ることができた。アルミナは鉤記熱衝
撃試験で割ルが生じた。
↓Kusen f. As is clear from Table 1 of the mortar, the embodiment of the present invention (2°3.4
), all of them were able to achieve a firing temperature of 1300°C or less, and other properties were also satisfactory. For example, even in a thermal shock test from 400°C to 25°C, there was no cracking or nematode. Although the bending strength is not shown, in any case it is 1
000~ or more. Alumina cracked during the Hook thermal shock test.

第1表から明らかなように8n02の添加によりtan
δが低下しるとの静特性を持つに至ることが判明した。
As is clear from Table 1, the addition of 8n02 increases tan
It was found that as δ decreases, it has static characteristics.

またBarn(BO3)2単一成分ではαが4.6X1
0−’/Cであシ、市販のAJgOs厚膜ペーストと一
体焼成すると反りが生じる一因となっていたが、本組成
物はαが6〜9X10−6/Cで市販のんg 、 Ag
−Pd 、 Au eCu、kg−Pt厚膜ペーストと
同じで弗るため反りが少なくなるとの特徴を持っている
Also, in the case of a single component of Barn(BO3)2, α is 4.6X1
0-'/C, which caused warpage when fired together with commercially available AJgOs thick film paste, but this composition has α of 6 to 9X10-6/C and is a commercially available AJgOs thick film paste.
- Pd, Au eCu, kg - Same as Pt thick film paste, it has the characteristic of reducing warpage because it flops.

代理人 弁理士 則近憲佑 (他1名)手 続 補 正
 書 (自発) 1、事件の表示 特願昭59−34159号 2、発明の名称 回路基板 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)株式会社東芝 4、代理人 〒105 東京都港区芝浦−丁目1番1号 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り6■圧する。
Agent Patent attorney Kensuke Norichika (and 1 other person) Procedural amendment (spontaneous) 1. Indication of the case Patent Application No. 59-34159 2. Name of the invention circuit board 3. Relationship of the person making the amendment to the case Patent Applicant (307) Toshiba Corporation 4, Agent Address: 105 Shibaura-Chome, Minato-ku, Tokyo 1-1 The scope of the claims of the specification is filed as attached.

特許請求の範囲 が含有された酸化物焼結体を絶縁体として用いたことを
特徴とする回路基板。
A circuit board characterized in that an oxide sintered body according to the claims is used as an insulator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 Ba8n(803)2 50〜95 mo191;及び
5n02 5〜50 mo1%が 含有された酸化物焼結体を絶縁体として用いたことを特
徴とする回路基板。
[Scope of Claim] A circuit board characterized in that an oxide sintered body containing 50 to 95 mo191 of Ba8n(803)2; and 5 to 50 mo1% of 5n02 is used as an insulator.
JP59034159A 1984-02-27 1984-02-27 Circuit substrate Pending JPS60180952A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59034159A JPS60180952A (en) 1984-02-27 1984-02-27 Circuit substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59034159A JPS60180952A (en) 1984-02-27 1984-02-27 Circuit substrate

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JPS60180952A true JPS60180952A (en) 1985-09-14

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ID=12406420

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JP59034159A Pending JPS60180952A (en) 1984-02-27 1984-02-27 Circuit substrate

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JP (1) JPS60180952A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358987A (en) * 1986-08-29 1988-03-14 日立化成工業株式会社 Radio frequency circuit board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358987A (en) * 1986-08-29 1988-03-14 日立化成工業株式会社 Radio frequency circuit board

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