JPS60171454A - 重畳場質量分析装置の掃引方法 - Google Patents
重畳場質量分析装置の掃引方法Info
- Publication number
- JPS60171454A JPS60171454A JP59029415A JP2941584A JPS60171454A JP S60171454 A JPS60171454 A JP S60171454A JP 59029415 A JP59029415 A JP 59029415A JP 2941584 A JP2941584 A JP 2941584A JP S60171454 A JPS60171454 A JP S60171454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- electric field
- magnetic field
- mass
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/28—Static spectrometers
- H01J49/32—Static spectrometers using double focusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/022—Circuit arrangements, e.g. for generating deviation currents or voltages ; Components associated with high voltage supply
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「産業上の利用分野］
本発明は２つの質量分析装置を接続した所謂ＭＳ／ＭＳ
装置に関し、特に後段の質量分析装置として重畳場質量
分析装置を用いた装置において、特定の娘イオンを派生
するすべての親イオンを知る際に用いて好適な、該重畳
場質量分析装置の掃引方法に関するものである。 ［従来技術］ 本発明者は、Ｍ Ｓ ／Ｍ Ｓ装置の後段の質量分析装
置として重畳場質量分析装置を用いた装置を先に提案（
特願昭５６−１１１１４７号）している。 第１図（ａ）は、この提案装置の構造を示し、同図（ｂ
）はそのＡ−Ａ’断面図を示す。第１図において、イオ
ン源１．電場２．１１場３は正常配置の二重収束質量分
析装置を構成し、この第１の質量分析装置によるイオン
収束点位置に衝突室５が配置されている。そして、該衝
突室５とコレクタ４との間に、紙面に垂直な方向の磁場
を作成するための磁極６，６′及び該磁極を励磁するた
めの磁場電源７、磁場と直交する方向の１へロイダル電
場を作成覆るための一対の電極８．８′及び該電極間に
印加する電圧（電場電圧）を発生するための電場電源９
、上記トロイダル電場を挟むようにｌｔｉ極６．６′間
に設けられた松山プレートと呼ばれる補助電極１０．１
０’及び該補助電極に補正電圧を印加するための補正電
源１１から成る重畳場質量分析装置が、第２の質量分析
装置として配置されている。 この重畳場質量分析装置の掃引方法として、上記出願で
は、重畳場の磁場強度を２段階に変え、夫々の磁場強度
において電場掃引を行う方法が提案されている。 ［発明の目的］ 本発明は、更に改良された掃引方法を提供するもので、
特定の娘イオンを派生するすべての親イオンを知ること
のできる「親イオンスキャン」とでも言うべき掃引方法
を提供することを目的としている。 ［発明の要旨コ 本発明は、磁場Ｂど該磁場に直交する方向を持つ電場Ｅ
とを重畳した場を有する質量分析装置において、質量ｍ
１の娘イオンを派生ずるすべての親イオンｍｙをめるに
際し、ＶＯＯを質量無限大のイオンを検出するための電
場電圧１Ｍ００を電場強度が零の時に検出される親イオ
ンの質Ｉ ＢＯをその時の磁場強度と夫々する時、電場
を発生するための電圧ＶｄＶ及び又は磁場強度Ｂｙを、
ＶｄＶ／Ｖｏｏ＋ （Ｂｙ ／Ｂｏ ） Ｆ招１１７面
）”＝ｍ１ ／ｍｙ なる関係式に従って連動で又は単独で掃引し、親イオン
の質ｆｆ１ｍｙをめるようにしたことを特徴としている
。以下、図面を用いて本発明を詳述する。 ［実施例］ 今、第１の質量分析装置により親イオンｍｏ”が選択さ
れ、その親イオンｍＯ＋が衝突室５において下式に従っ
て解裂し、娘イオンｍ×＋と中性粒子（ｍｏ −ｍｘ
）が生成されたとする。 ｍＯ＋→ ｍｘ＋＋（ｍｏ−ｍｘ） （１）この時解裂
の前後でイオンの速度ｖＯが変わらないとすれば、親イ
オンｍＯ＋のエネルギーＥＯ。 娘イオンｍｘ＋のエネルギーＦ×は下式で表わさ３− れる。 ［ｏ＝ｍｏｖｏ２／２ （２） ＥＸ ＝ｍｘ ｖｏ ２ ／２ （３）従って、ＦＯと
［×との間には、上式の関係が成立する。 Ｅｘ ＝ （ｍｘ ／ｍｏ ） Ｅｏ （４）生成され
た娘イオンｍｘ＋は、解裂しなかった親イオンｍＯ＋と
共に重畳場質量分析装置へ導入されるわけであるが、こ
こで親イオンｍＯ＋が重畳場質量分析装置によって検出
された時の茶杓に関し、添字ＩＩ ｏ Ｉ＋を付して次
の記号を定義し、重畳場の電場電圧 ：ＶｄＯ 重畳場の磁場強度 二ＢＯ ８０重畳場けるイオン回転半径 ：ａ 電場のみによるイオン回転半径 ：ａｅ。 磁場のみによるイオン回転半径 ＝ａｌｌＩＯ電場零の
時電場用されるイオンの質ｉ１：１ｙｌｏ。 質量無限大のイオンを 検出するための電場電圧 ：ｖ００ 娘イオンｍ×＋が重畳場質量分析装置によって検４− 出された時の条件に関し、添字１１ ×１１を付して次
の記号を定義する。 重畳場の電場電圧 ：Ｖｄｘ 重畳場の磁場強度 二Ｂｘ 重畳場にお
装置に関し、特に後段の質量分析装置として重畳場質量
分析装置を用いた装置において、特定の娘イオンを派生
するすべての親イオンを知る際に用いて好適な、該重畳
場質量分析装置の掃引方法に関するものである。 ［従来技術］ 本発明者は、Ｍ Ｓ ／Ｍ Ｓ装置の後段の質量分析装
置として重畳場質量分析装置を用いた装置を先に提案（
特願昭５６−１１１１４７号）している。 第１図（ａ）は、この提案装置の構造を示し、同図（ｂ
）はそのＡ−Ａ’断面図を示す。第１図において、イオ
ン源１．電場２．１１場３は正常配置の二重収束質量分
析装置を構成し、この第１の質量分析装置によるイオン
収束点位置に衝突室５が配置されている。そして、該衝
突室５とコレクタ４との間に、紙面に垂直な方向の磁場
を作成するための磁極６，６′及び該磁極を励磁するた
めの磁場電源７、磁場と直交する方向の１へロイダル電
場を作成覆るための一対の電極８．８′及び該電極間に
印加する電圧（電場電圧）を発生するための電場電源９
、上記トロイダル電場を挟むようにｌｔｉ極６．６′間
に設けられた松山プレートと呼ばれる補助電極１０．１
０’及び該補助電極に補正電圧を印加するための補正電
源１１から成る重畳場質量分析装置が、第２の質量分析
装置として配置されている。 この重畳場質量分析装置の掃引方法として、上記出願で
は、重畳場の磁場強度を２段階に変え、夫々の磁場強度
において電場掃引を行う方法が提案されている。 ［発明の目的］ 本発明は、更に改良された掃引方法を提供するもので、
特定の娘イオンを派生するすべての親イオンを知ること
のできる「親イオンスキャン」とでも言うべき掃引方法
を提供することを目的としている。 ［発明の要旨コ 本発明は、磁場Ｂど該磁場に直交する方向を持つ電場Ｅ
とを重畳した場を有する質量分析装置において、質量ｍ
１の娘イオンを派生ずるすべての親イオンｍｙをめるに
際し、ＶＯＯを質量無限大のイオンを検出するための電
場電圧１Ｍ００を電場強度が零の時に検出される親イオ
ンの質Ｉ ＢＯをその時の磁場強度と夫々する時、電場
を発生するための電圧ＶｄＶ及び又は磁場強度Ｂｙを、
ＶｄＶ／Ｖｏｏ＋ （Ｂｙ ／Ｂｏ ） Ｆ招１１７面
）”＝ｍ１ ／ｍｙ なる関係式に従って連動で又は単独で掃引し、親イオン
の質ｆｆ１ｍｙをめるようにしたことを特徴としている
。以下、図面を用いて本発明を詳述する。 ［実施例］ 今、第１の質量分析装置により親イオンｍｏ”が選択さ
れ、その親イオンｍＯ＋が衝突室５において下式に従っ
て解裂し、娘イオンｍ×＋と中性粒子（ｍｏ −ｍｘ
）が生成されたとする。 ｍＯ＋→ ｍｘ＋＋（ｍｏ−ｍｘ） （１）この時解裂
の前後でイオンの速度ｖＯが変わらないとすれば、親イ
オンｍＯ＋のエネルギーＥＯ。 娘イオンｍｘ＋のエネルギーＦ×は下式で表わさ３− れる。 ［ｏ＝ｍｏｖｏ２／２ （２） ＥＸ ＝ｍｘ ｖｏ ２ ／２ （３）従って、ＦＯと
［×との間には、上式の関係が成立する。 Ｅｘ ＝ （ｍｘ ／ｍｏ ） Ｅｏ （４）生成され
た娘イオンｍｘ＋は、解裂しなかった親イオンｍＯ＋と
共に重畳場質量分析装置へ導入されるわけであるが、こ
こで親イオンｍＯ＋が重畳場質量分析装置によって検出
された時の茶杓に関し、添字ＩＩ ｏ Ｉ＋を付して次
の記号を定義し、重畳場の電場電圧 ：ＶｄＯ 重畳場の磁場強度 二ＢＯ ８０重畳場けるイオン回転半径 ：ａ 電場のみによるイオン回転半径 ：ａｅ。 磁場のみによるイオン回転半径 ＝ａｌｌＩＯ電場零の
時電場用されるイオンの質ｉ１：１ｙｌｏ。 質量無限大のイオンを 検出するための電場電圧 ：ｖ００ 娘イオンｍ×＋が重畳場質量分析装置によって検４− 出された時の条件に関し、添字１１ ×１１を付して次
の記号を定義する。 重畳場の電場電圧 ：Ｖｄｘ 重畳場の磁場強度 二Ｂｘ 重畳場にお
【ノるイオン回転半径 ：ａ電場のみによる
イオン回転半径 ：ａｅｘ磁場のみによるイオン回転半
径 ：ａｍＸ一般に、重畳場質量分析装置においては、
親イオンの質ｉｍｏはＭＯＯとＶＯＯを用いて下式で与
えられる。 Ｖｄｏ／ Ｖｏｏ＋Ｊ−Ｍ「η谷フ′１〒ｏ＝１ （５
）又、重畳場におけるイオン回転半径は、電場のみによ
る回転半径と磁場のみによる電場回転半径とを合成した
ものとして与えられ、親イオン及び娘イオンについて下
式が成立する。 １／ａ＝１／ａｅｏ＋１／ａｍｏ （６）１／ａ＝１／
ａｅｘ＋１／ａｍｘ （７）まず最初に、重畳場の磁場
強度が一定（ＢＯ）の場合について考える。磁場内でイ
オンが受ける力と円運動の遠心力は平衡するから、親イ
オン及び娘イオンについて下式が成立する。 ｍｏ ｖｏ ２ ／ａｍｏ＝ｅｖｏ ３ｏ （８）ｍｘ
ｖｏ ２／ａｍｘ＝ｅｖｏ ３ｏ （９）従って、（
８）、（９）式より次式がめられる。 ａｎ＋ｏ／ａｍｘ＝ｍｏ ／ｍｘ （１０）更に、電場
零の時に検出される質量１ｙｌｏｏのイオンの速度をＶ
ＯＯとすれば、（８）、（９）式と同様に下式が成立し
、 Ｍｏｏｖｏｏ２／ａ＝ｅｖｏｏＢｏ （１１）加速電圧
が不変で、親イオンｍＯ＋にも質量ＭＯＯのイオンにも
等しいエネルギーが与えられることから下式も成立する
。 ＭＯＯＶＯＯ２／２＝ｍｏ ｖｏ ２ ／２ （１２）
そして（８）、（１１）、（１２）式からＶ ＯＯ。 ３ｏ、ｅを消去すると下式が得られる。 ａ／ａｍｏ＝ＦＮ］で７而ｏ （１３）この（１３）式
と前記（１０）式Ｊ：す、下式が得られる。 ａ／ａｌｌｌＸ＝ ａ ａｍｏ／ａｍＯａｌｌｌＸ−（
ｍｏ／ｍｘ） ｏｏ ｎｏ （１４）又、電場に関して
、電場内でイオンが受ける力と円運動の遠心力は平衡す
るから、親イオン及び娘イオンについて下式が成立する
。 ｍＯＶＯ２／ａｅｏ −−ｅｉＥ。 ＝−ｅＶｄｏ／ｄ （１５） ｍｘ ｖｏ ２ ／ａｅｘ＝−ｅＥｘ −−ｅＶｄｘ／ｄ （１６） ここで、ｄは電極８．８′の間隔である。 従って、（１５）、（１６）式から次式がめられる。 ａｅｏ／ａｅｘ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｄ０） （ｍｏ ／ｍ
ｘ ）（１７） 更に、質量無限大の親イオンを検出するための電場電圧
ＶＯＯに関しては、その親イオンの質量をｍｚ、速度を
ＶＺＯとすれば下式が成立する。 ｍｚ ｖｚｏ２ ／ａ＝−ｅＶｏｏ／ｄ （１８）等し
い加速電圧で加速されているため、その質量無限大の親
イオンが持つエネルギーと質量ｍＯの親イオンが持つエ
ネルギーとは等しいから、（１７− ８）式は以下のように書き換えられる。 ｍｏ ｖｏ２ ／ａ＝ −ｅＶｏｏ／ｄ （１９）この
（１９）式と（１５）式から下式がめられる。 ａ／ａｅｏ＝Ｖｄｏ／Ｖｏｏ （２０＞そして、この（
２０）式と（１７）式から下式がめられる。 ａ／ａｅｘ＝ （ａ／ａｅｏ） （ａｅｏ／ａｅｘ）＝
（Ｖｄｏ／Ｖｏｏ） （Ｖｄｘ／Ｖｄｏ） （ｍｏ
／ｍｘ ）−（Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）
（２１）この（２１）式と（１４）式を前記（７）式
に代入すると下式が得られる。 ａ／ａｅＸ十ａ／ａｍＸ ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）＋（ｎｏ
／ｍｘ ） ｓｒＴＩｍフ′下〒Ｏ＝１ （２２＞（
２２）式は更に下式のようにも書き変えることができる
。 Ｖ ｄｘ／ Ｖ ｏｏ十（＠了Ｇγ酊丁−ｍｘ／ｍｏ
（２３＞（２２）式あるいは（２３＞式は、ＶＯＯ，Ｍ
ＯＯ。 ｍＯを与えた時、娘イオンｍｘ＋とそれを検出す８− るための電場電圧Ｖｄ×との関係を示していると考えら
れる。特に、親イオンｍＯ＋を検出している状態を初期
条件として設定すれば、前記（５）式が同時に成立する
ので、（２３）式−（５）式を行うことにより、下式が
得られる。 ｍｘ／ｍｏ＝１−（Ｖｄｏ−Ｖｄｘ）／Ｖｏｏ （２４
）ｍｏ 、 Ｖｄｏ、 Ｖｏｏは既知であるので、（２
４〉式からｍｘはＶｄｘの一次関数であることが分る。 第２図は、（２４）式及び（５）式の関係をグラフとし
て表わしたもので、横軸に電場電圧Ｖｄを、縦軸に検出
されるイオンの質量数Ｍを夫々とっている。第２図にお
いて、■は（５）式に基づく親イオンの掃引カーブを示
し、電場電圧Ｖｄが零の時質量がＭＯＯとなり、電場電
圧がＶＯＯで■の質量になっている。ことが分る。■は
〈２４）式に基づく娘イオンの掃引直線を示し、点Ｐ（
Ｖｄｏ。 ｍｏ ）を通る、傾き−ｍＯ／Ｖ００の直線である。 この図から、親イオンｍＯ＋を検出している点Ｐの状態
を始点として、この直線■に沿って矢印方向に電場電圧
を掃引すれば、この親イオンから解裂したすべての娘イ
オンが順次検出され、娘イオンのスペクトルを得る「娘
イオンスキャン」を行うことができることが分る。 以上は磁場強面一定で電場電圧を掃引する場合であるが
、次に電場電圧と磁場強度の両方を掃引して同じ親イオ
ンｍｏ＋及び娘イオンｍｘ十を検出する場合について考
える。磁場強度が、例えばＢＯからＢｘへ変わっても前
記ＶＯＯは一定であるが、ＭＯＯは変わり、同じイオン
を検出するだめの電場電圧も変わる。その変わった値を
夫々ｌｖｌ ｏｏ’Ｖｄｘ’ とすれば、Ｖｄｘ’ 、
Ｍｏｏ’ の間にも（２３）式に対応する下式が成立
する。 Ｖｄｘ’ ／Ｖｏｏ＋ ｏｏ ／ｍｏ ＝ｍｘ ／ｍ。 （２５） 又、磁場のみが存在する場合、（１１）式が成立するこ
とは先に述べたが、その時検出される質量ＭＯｏのイオ
ンが持つエネルギーは、イオン加速電圧をＶａとして下
式で表わされる。 １ｖｌｏｏｖｏｏ２／２＝ｅＶａ （２６）そして、こ
の（２６）式と（１１）式から下式が導かれる。 Ｆ■萄■１＝ Ｆ丁７７Ｂｏ ａ （２７）磁場強度が
３ｘの場合についても全く同様に下式が成立し、 ＦＷ面一■了−（Ｎ）７’Ｂｘａ （２８）この（２８
）式及び’（２７）式を用いて（２５）式からＭＯθ′
を消去すれば、下式が得られることになる。 Ｖｄｘ’ ／Ｖｏｏ−＋−＜Ｂｘ ／Ｂｏ ） ｏｏ
ｍ。 −ｍｘ／ｍｏ （２９） 更にこのＶ ｄｘ’ を新たにＶｄｘと置き直せば、下
式が得られる。 Ｖｄｘ／Ｖｏｏ十 （Ｂｘ ／Ｂｏ ） ｏｏ／ｍ。 ＝ｍｘ／ｍｏ （２９）’ この（２９）’ 式は親イオンの解裂により娘イオンが
派生するに際し、重畳場で成立する最も一般的な関係を
示す。 第３図は、上記（２９）’式、（２４）式。 （５）式の関係をグラフとして表わしたもので、第２図
の２つの軸に更に重畳場の磁場Ｂの軸が付１１− け加えられ、三次元となっている。第２図は第３図にお
【プるＢ＝Ｂｏの平面上での関係のみを取上げたもので
あり、第２図においてＰ （Ｖｄｏ、 ｍｏ ）として
与えられたＰ点は、第３図ではＰ（ＶｄＯ。 ｍｏ 、 Ｓｏ ）として与えられる。そして、Ｐ点が
決まった時即ち親イオンｍｏ＋が決まった時、この親イ
オンｍｏ十から派生するすべての娘イオンｍｘ （Ｖｄ
ｘ、 Ｂｘ ）は、電場電圧Ｖｄと磁場強度Ｂの一次関
数として表わされ、第３図のＰ点を１つの角とする平面
（平行四辺形）ＰＱＯＲ上に展開される。従ってこの平
面に沿って掃引を行えば、親イオンｎｌＯ＋から派生す
るすべての娘イオンを検出する娘イオンスキャンを行う
ことができる。 以下、第３図を用いて本発明と密接に関係する「娘イオ
ンスキャン」について先ず説明する。 最初に、第１の質量分析装置を用いて注目する親イオン
ｍＯ＋を選択し、この親イオンｍｏ＋が常に衝突室５へ
入射するように第１の質量分析装置を固定しておく。こ
の状態では、衝突室５内で親イオンｍｏ＋が解裂して１
つ又は複数の娘イオ１２− ンが派生し、その娘イオンが解裂しなかった親イオンと
共に重畳場へ導入されている。そして、次に重畳場質量
分析装置がこの親イオンｍｏ＋を検出するように設定す
ることにより、動作点をＰ点（Ｖｄｏ、 ｍｏ 、 Ｂ
ｏ ）に設定し、このＰ点を掃引開始点として四辺形Ｐ
ＱＯＲの底辺ＱＯへ向けて平面上を任意の曲線又は直線
に沿うよう、電場電圧及び又は磁場強度を単独又は連動
で掃引すれば良い。 先に挙げた直線■に沿った掃引はその一例であり、磁場
一定のもとての電場掃引なので、掃引自体は容易に行う
ことができる。ただしこの掃引は、掃引中に重畳場の収
束条件が変化してしまうため、掃引に対応して収束条件
の補正が必要である。 他の例として、直線Ｉ＝ＰＯに沿った掃引が考えられる
。これは点Ｐと原点Ｏとを結ぶ直線であり、この直線上
の任意点を（Ｖｄｘ、 ｍｘ 、 ３ｘ ）とすると、
上式が成立する。 ｍｘ ／ｍｏ ＝Ｖｄｘ／Ｖｄｏ＝ＢＸ ／Ｂｏ （３
０）従って、電場電圧をＶｄｏから零まで一定の傾きで
掃引し、それに連動して磁場強瓜を１３０から零まで一
定の傾きで掃引づれぼ良い。 この直線に沿った掃引は、（２１）式で与えられるａ／
ａｅｘ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）の
値が常に一定に保たれるため、重畳場の収束糸ｆ１が一
定に保たれ、収束条件を掃引中に補１１：する必要がな
いという利点がある。 更に他の例として、折線ＰＴＯに沿った掃引が考えられ
る。これは」−述した２つの例を折衷した複合掃引と考
えられ、直線ＰＴ上の任意点は（２２）式又は（２３）
式で与えられ、直線゛「石Ｆの任意点（Ｖｄｘ、 ｍｘ
、 Ｂｘ ）は、Ｔ点の座標を（Ｖｄｘ’ 、ｍｙ、
’ 、Ｂｘ’ ）とすると、（３０）式に対応して下式
で与えられる。 ｍｘ ／ｍｘ ’ −Ｖｄｘ／Ｖｄｘ’ ＝Ｂｘ ／Ｂ
ｘ ’（３１） 第４図は、上述した考え方に従い複数の親イオンｍｏｌ
” 、 ｍｏ２＋ 、 ｍｏ３＋、 ｍｏＪ＋、 ｍｏ
Ｓ＋から派生した娘イオンが展開される５つの四辺形豆
ＴＱ１０ＲＩ 、Ｐ２ Ｑ２ ＯＲ２、Ｐ３ Ｑ３０Ｒ
３。 Ｐ４ Ｑ４０Ｒ４、Ｐ５ Ｑ５０Ｒ５を示づ−０この５
つの四辺形に対してｍ＝ｍ１の平面Ｃを仮定すると、該
平面Ｃと各四辺形との交点として直線之１゜Ｑ２ 、
Ｑ、３ 、 ｉ 、 ｃ！、５が与えらレル。各直線上
に存在する娘イオンは、質量は等しくｍｌであるがその
親イオンの質量はすべて異なっている。従って、この平
面Ｃに沿って各直線を横切るよう例えば曲線ＩＶに沿っ
て掃引すれば、娘イオンｍ１”を派生するすべての親イ
オンをめる親イオンスキャンを行うことが可能である。 ただし、重畳場を通過して検出されるのは常に質量ｍ１
の娘イオンであることは言うまでもない。又、上記曲線
ＴＶは各平面において第３図で説明した直線■上にある
点を結／Ｖだものである。 このような親イオンスキャンを行うことは、前記（２９
）’ 式において娘イオンをｍｘ ＝ｍｌと固定し、親
イオンを汀ＴＯ＝ｍ１７として、電場電圧Ｖｄｙ、ｌｆ
場強度ＢＹと共に変数にとった下式に相当する。 Ｖｄｙ／Ｖｏｏ＋ （ＢＶ ／Ｂｏ ） Ｆ■了７ｍｌ
「１５− ＝ｍｌ／ｍｙ （３２） この（３２）式が親イオンスキャンを行うための基本式
である。この（３２）式に従う掃引方法としては色々な
ものが考えられるが、以下に一例を示Ｊ０ 掃引の始点を（Ｖｄｏ、 Ｂｏ 、 ｍｏｏ）どりるど
、（３２）式に従って次式が成立する。 Ｖｄｏ／Ｖｏｏ−＋−ｏｏ ｍｏｏ＝ｍｌ ／ｍｏｏ
（３３）特に、Ｋを定数どしてすべてのｍｙにつきＶｄ
ｙ／Ｖｏｏ＝ Ｋ （ｍｌ ／ｒｒｒｙ ） （３４）
が成立づるようにＶｄｙを掃引するどり−れば、（３２
）式からＢｙは次式に従って掃引しな【ノればならない
。 （ＢＶ ／ＢＯ）ｆ■爾７而〒 −（１−Ｋ）ｍｌ ／ｍｙ ＜３５） 又、（３３）式に関しても（３４）、（３５）式に従っ
て次式が成立する。 Ｖｄｏ／Ｖｏｏ＝ Ｋ （ｍｌ ／ｍｏｏ） （３６）
ｏｏ ｍｏｏ＝ （１−Ｋ）ｍｌ ／ｍｏｏ （３７）
（３４）〜（３７）式からに、 ＭＯＯ，Ｖｏｏヲ消去
１６− すると、次式が得られる。 ＶｄＶ／Ｖｄｏ−ｍｏｏ／ｍｙ （３８）ＢＶ ／８０
＝ ｍｏｏ ｍｙ （３９）この（３８）、（３９）
式に基づいてＶ ｄＶ、及びＢＶを掃引ずれば、娘イオ
ンｍ１＋を派生するすべての親イＡンｍｙ十をめること
ができる。 具体的な掃引は、（３８）、（３９）式からＶｄｙ、’
Ｉｎ ２＝ （Ｖｄｏ／Ｂｏ ） ２（４０）なる関係
が導かれ、この（４０）式の右辺は掃引の始点から与え
られる定数であることから、ＶｄＶ／Ｂｙ２−一定の関
係を保ってＶｄＶとＢＹを掃引１れば良いことが分る。 この関係を保つ掃引は、例えば、磁場電源７によって重
畳場の磁場強度を第５図（ａ）に示】ように時間に対し
てリニアに掃引すると共に、電場電源によって重畳場の
電場電圧を第５図（ｂ）に示１ように時間に対する二次
関数で掃引するようにすれば良い。 尚、その時重畳場質量分析装置で選択されて検出される
のは常に娘イオンｍ１＋であるが、その娘イオンｍ１＋
を派生した親イオンｍｙ＋は掃引と共に異なって来るの
で、前述した娘イオンスキャンのように前段の質量分析
装置を固定していたのでは特定の親イオンしか衝突室５
へ入口４しないことになる。従って、（３８）、（３９
）式に基づく掃引を行う際、重畳場質量分析装置で選択
した娘イオンを派生するその時々の親イオンｍｙが衝突
室５へ入射するように、前段の電場２．！＆磁場から成
る二重収束質量分析装置を重畳場の掃引に連動して掃引
する必要がある。ただし、前段の質量分析装置が無くイ
オン！Ｉ１１で生成されたすべての親イオンが同時に衝
突室５へ入射するような場合（この場合はもはやＭＳ／
ＭＳ装置ではなく単独の重畳場質量分析装置になるが）
には、その必要がないことは言うまでもない。 上記（３８）、（３９）式に基づく掃引は、先に述べた
曲線■に沿った掃引で、（２１）式に対応する（ＶｄＶ
／ＶＯＯ） （ｍＶ ／ｍ１）の値が掃引の間常に一定
に保たれるため、重畳場の収束条件が一定に保たれ、収
束条件を掃引中に補正する必要がないという利点がある
。 尚、上記は（３２）式に従う掃引方法の一つの例を示し
たに過ぎず、他にも様々な掃引方法が考えられ、要する
に前述した平面Ｃ上で各直線之１゜Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４．
込５を横切るように適宜な曲線又は直線に沿って、電場
電圧及び又は磁場強度を単独又は連動で掃引するようず
れば、娘イオンｍ１＋を派生するすべての親イオンをめ
る親イオンスキャンを行うことが可能であることは言う
までもない。
イオン回転半径 ：ａｅｘ磁場のみによるイオン回転半
径 ：ａｍＸ一般に、重畳場質量分析装置においては、
親イオンの質ｉｍｏはＭＯＯとＶＯＯを用いて下式で与
えられる。 Ｖｄｏ／ Ｖｏｏ＋Ｊ−Ｍ「η谷フ′１〒ｏ＝１ （５
）又、重畳場におけるイオン回転半径は、電場のみによ
る回転半径と磁場のみによる電場回転半径とを合成した
ものとして与えられ、親イオン及び娘イオンについて下
式が成立する。 １／ａ＝１／ａｅｏ＋１／ａｍｏ （６）１／ａ＝１／
ａｅｘ＋１／ａｍｘ （７）まず最初に、重畳場の磁場
強度が一定（ＢＯ）の場合について考える。磁場内でイ
オンが受ける力と円運動の遠心力は平衡するから、親イ
オン及び娘イオンについて下式が成立する。 ｍｏ ｖｏ ２ ／ａｍｏ＝ｅｖｏ ３ｏ （８）ｍｘ
ｖｏ ２／ａｍｘ＝ｅｖｏ ３ｏ （９）従って、（
８）、（９）式より次式がめられる。 ａｎ＋ｏ／ａｍｘ＝ｍｏ ／ｍｘ （１０）更に、電場
零の時に検出される質量１ｙｌｏｏのイオンの速度をＶ
ＯＯとすれば、（８）、（９）式と同様に下式が成立し
、 Ｍｏｏｖｏｏ２／ａ＝ｅｖｏｏＢｏ （１１）加速電圧
が不変で、親イオンｍＯ＋にも質量ＭＯＯのイオンにも
等しいエネルギーが与えられることから下式も成立する
。 ＭＯＯＶＯＯ２／２＝ｍｏ ｖｏ ２ ／２ （１２）
そして（８）、（１１）、（１２）式からＶ ＯＯ。 ３ｏ、ｅを消去すると下式が得られる。 ａ／ａｍｏ＝ＦＮ］で７而ｏ （１３）この（１３）式
と前記（１０）式Ｊ：す、下式が得られる。 ａ／ａｌｌｌＸ＝ ａ ａｍｏ／ａｍＯａｌｌｌＸ−（
ｍｏ／ｍｘ） ｏｏ ｎｏ （１４）又、電場に関して
、電場内でイオンが受ける力と円運動の遠心力は平衡す
るから、親イオン及び娘イオンについて下式が成立する
。 ｍＯＶＯ２／ａｅｏ −−ｅｉＥ。 ＝−ｅＶｄｏ／ｄ （１５） ｍｘ ｖｏ ２ ／ａｅｘ＝−ｅＥｘ −−ｅＶｄｘ／ｄ （１６） ここで、ｄは電極８．８′の間隔である。 従って、（１５）、（１６）式から次式がめられる。 ａｅｏ／ａｅｘ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｄ０） （ｍｏ ／ｍ
ｘ ）（１７） 更に、質量無限大の親イオンを検出するための電場電圧
ＶＯＯに関しては、その親イオンの質量をｍｚ、速度を
ＶＺＯとすれば下式が成立する。 ｍｚ ｖｚｏ２ ／ａ＝−ｅＶｏｏ／ｄ （１８）等し
い加速電圧で加速されているため、その質量無限大の親
イオンが持つエネルギーと質量ｍＯの親イオンが持つエ
ネルギーとは等しいから、（１７− ８）式は以下のように書き換えられる。 ｍｏ ｖｏ２ ／ａ＝ −ｅＶｏｏ／ｄ （１９）この
（１９）式と（１５）式から下式がめられる。 ａ／ａｅｏ＝Ｖｄｏ／Ｖｏｏ （２０＞そして、この（
２０）式と（１７）式から下式がめられる。 ａ／ａｅｘ＝ （ａ／ａｅｏ） （ａｅｏ／ａｅｘ）＝
（Ｖｄｏ／Ｖｏｏ） （Ｖｄｘ／Ｖｄｏ） （ｍｏ
／ｍｘ ）−（Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）
（２１）この（２１）式と（１４）式を前記（７）式
に代入すると下式が得られる。 ａ／ａｅＸ十ａ／ａｍＸ ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）＋（ｎｏ
／ｍｘ ） ｓｒＴＩｍフ′下〒Ｏ＝１ （２２＞（
２２）式は更に下式のようにも書き変えることができる
。 Ｖ ｄｘ／ Ｖ ｏｏ十（＠了Ｇγ酊丁−ｍｘ／ｍｏ
（２３＞（２２）式あるいは（２３＞式は、ＶＯＯ，Ｍ
ＯＯ。 ｍＯを与えた時、娘イオンｍｘ＋とそれを検出す８− るための電場電圧Ｖｄ×との関係を示していると考えら
れる。特に、親イオンｍＯ＋を検出している状態を初期
条件として設定すれば、前記（５）式が同時に成立する
ので、（２３）式−（５）式を行うことにより、下式が
得られる。 ｍｘ／ｍｏ＝１−（Ｖｄｏ−Ｖｄｘ）／Ｖｏｏ （２４
）ｍｏ 、 Ｖｄｏ、 Ｖｏｏは既知であるので、（２
４〉式からｍｘはＶｄｘの一次関数であることが分る。 第２図は、（２４）式及び（５）式の関係をグラフとし
て表わしたもので、横軸に電場電圧Ｖｄを、縦軸に検出
されるイオンの質量数Ｍを夫々とっている。第２図にお
いて、■は（５）式に基づく親イオンの掃引カーブを示
し、電場電圧Ｖｄが零の時質量がＭＯＯとなり、電場電
圧がＶＯＯで■の質量になっている。ことが分る。■は
〈２４）式に基づく娘イオンの掃引直線を示し、点Ｐ（
Ｖｄｏ。 ｍｏ ）を通る、傾き−ｍＯ／Ｖ００の直線である。 この図から、親イオンｍＯ＋を検出している点Ｐの状態
を始点として、この直線■に沿って矢印方向に電場電圧
を掃引すれば、この親イオンから解裂したすべての娘イ
オンが順次検出され、娘イオンのスペクトルを得る「娘
イオンスキャン」を行うことができることが分る。 以上は磁場強面一定で電場電圧を掃引する場合であるが
、次に電場電圧と磁場強度の両方を掃引して同じ親イオ
ンｍｏ＋及び娘イオンｍｘ十を検出する場合について考
える。磁場強度が、例えばＢＯからＢｘへ変わっても前
記ＶＯＯは一定であるが、ＭＯＯは変わり、同じイオン
を検出するだめの電場電圧も変わる。その変わった値を
夫々ｌｖｌ ｏｏ’Ｖｄｘ’ とすれば、Ｖｄｘ’ 、
Ｍｏｏ’ の間にも（２３）式に対応する下式が成立
する。 Ｖｄｘ’ ／Ｖｏｏ＋ ｏｏ ／ｍｏ ＝ｍｘ ／ｍ。 （２５） 又、磁場のみが存在する場合、（１１）式が成立するこ
とは先に述べたが、その時検出される質量ＭＯｏのイオ
ンが持つエネルギーは、イオン加速電圧をＶａとして下
式で表わされる。 １ｖｌｏｏｖｏｏ２／２＝ｅＶａ （２６）そして、こ
の（２６）式と（１１）式から下式が導かれる。 Ｆ■萄■１＝ Ｆ丁７７Ｂｏ ａ （２７）磁場強度が
３ｘの場合についても全く同様に下式が成立し、 ＦＷ面一■了−（Ｎ）７’Ｂｘａ （２８）この（２８
）式及び’（２７）式を用いて（２５）式からＭＯθ′
を消去すれば、下式が得られることになる。 Ｖｄｘ’ ／Ｖｏｏ−＋−＜Ｂｘ ／Ｂｏ ） ｏｏ
ｍ。 −ｍｘ／ｍｏ （２９） 更にこのＶ ｄｘ’ を新たにＶｄｘと置き直せば、下
式が得られる。 Ｖｄｘ／Ｖｏｏ十 （Ｂｘ ／Ｂｏ ） ｏｏ／ｍ。 ＝ｍｘ／ｍｏ （２９）’ この（２９）’ 式は親イオンの解裂により娘イオンが
派生するに際し、重畳場で成立する最も一般的な関係を
示す。 第３図は、上記（２９）’式、（２４）式。 （５）式の関係をグラフとして表わしたもので、第２図
の２つの軸に更に重畳場の磁場Ｂの軸が付１１− け加えられ、三次元となっている。第２図は第３図にお
【プるＢ＝Ｂｏの平面上での関係のみを取上げたもので
あり、第２図においてＰ （Ｖｄｏ、 ｍｏ ）として
与えられたＰ点は、第３図ではＰ（ＶｄＯ。 ｍｏ 、 Ｓｏ ）として与えられる。そして、Ｐ点が
決まった時即ち親イオンｍｏ＋が決まった時、この親イ
オンｍｏ十から派生するすべての娘イオンｍｘ （Ｖｄ
ｘ、 Ｂｘ ）は、電場電圧Ｖｄと磁場強度Ｂの一次関
数として表わされ、第３図のＰ点を１つの角とする平面
（平行四辺形）ＰＱＯＲ上に展開される。従ってこの平
面に沿って掃引を行えば、親イオンｎｌＯ＋から派生す
るすべての娘イオンを検出する娘イオンスキャンを行う
ことができる。 以下、第３図を用いて本発明と密接に関係する「娘イオ
ンスキャン」について先ず説明する。 最初に、第１の質量分析装置を用いて注目する親イオン
ｍＯ＋を選択し、この親イオンｍｏ＋が常に衝突室５へ
入射するように第１の質量分析装置を固定しておく。こ
の状態では、衝突室５内で親イオンｍｏ＋が解裂して１
つ又は複数の娘イオ１２− ンが派生し、その娘イオンが解裂しなかった親イオンと
共に重畳場へ導入されている。そして、次に重畳場質量
分析装置がこの親イオンｍｏ＋を検出するように設定す
ることにより、動作点をＰ点（Ｖｄｏ、 ｍｏ 、 Ｂ
ｏ ）に設定し、このＰ点を掃引開始点として四辺形Ｐ
ＱＯＲの底辺ＱＯへ向けて平面上を任意の曲線又は直線
に沿うよう、電場電圧及び又は磁場強度を単独又は連動
で掃引すれば良い。 先に挙げた直線■に沿った掃引はその一例であり、磁場
一定のもとての電場掃引なので、掃引自体は容易に行う
ことができる。ただしこの掃引は、掃引中に重畳場の収
束条件が変化してしまうため、掃引に対応して収束条件
の補正が必要である。 他の例として、直線Ｉ＝ＰＯに沿った掃引が考えられる
。これは点Ｐと原点Ｏとを結ぶ直線であり、この直線上
の任意点を（Ｖｄｘ、 ｍｘ 、 ３ｘ ）とすると、
上式が成立する。 ｍｘ ／ｍｏ ＝Ｖｄｘ／Ｖｄｏ＝ＢＸ ／Ｂｏ （３
０）従って、電場電圧をＶｄｏから零まで一定の傾きで
掃引し、それに連動して磁場強瓜を１３０から零まで一
定の傾きで掃引づれぼ良い。 この直線に沿った掃引は、（２１）式で与えられるａ／
ａｅｘ＝ （Ｖｄｘ／Ｖｏｏ） （ｍｏ ／ｍｘ ）の
値が常に一定に保たれるため、重畳場の収束糸ｆ１が一
定に保たれ、収束条件を掃引中に補１１：する必要がな
いという利点がある。 更に他の例として、折線ＰＴＯに沿った掃引が考えられ
る。これは」−述した２つの例を折衷した複合掃引と考
えられ、直線ＰＴ上の任意点は（２２）式又は（２３）
式で与えられ、直線゛「石Ｆの任意点（Ｖｄｘ、 ｍｘ
、 Ｂｘ ）は、Ｔ点の座標を（Ｖｄｘ’ 、ｍｙ、
’ 、Ｂｘ’ ）とすると、（３０）式に対応して下式
で与えられる。 ｍｘ ／ｍｘ ’ −Ｖｄｘ／Ｖｄｘ’ ＝Ｂｘ ／Ｂ
ｘ ’（３１） 第４図は、上述した考え方に従い複数の親イオンｍｏｌ
” 、 ｍｏ２＋ 、 ｍｏ３＋、 ｍｏＪ＋、 ｍｏ
Ｓ＋から派生した娘イオンが展開される５つの四辺形豆
ＴＱ１０ＲＩ 、Ｐ２ Ｑ２ ＯＲ２、Ｐ３ Ｑ３０Ｒ
３。 Ｐ４ Ｑ４０Ｒ４、Ｐ５ Ｑ５０Ｒ５を示づ−０この５
つの四辺形に対してｍ＝ｍ１の平面Ｃを仮定すると、該
平面Ｃと各四辺形との交点として直線之１゜Ｑ２ 、
Ｑ、３ 、 ｉ 、 ｃ！、５が与えらレル。各直線上
に存在する娘イオンは、質量は等しくｍｌであるがその
親イオンの質量はすべて異なっている。従って、この平
面Ｃに沿って各直線を横切るよう例えば曲線ＩＶに沿っ
て掃引すれば、娘イオンｍ１”を派生するすべての親イ
オンをめる親イオンスキャンを行うことが可能である。 ただし、重畳場を通過して検出されるのは常に質量ｍ１
の娘イオンであることは言うまでもない。又、上記曲線
ＴＶは各平面において第３図で説明した直線■上にある
点を結／Ｖだものである。 このような親イオンスキャンを行うことは、前記（２９
）’ 式において娘イオンをｍｘ ＝ｍｌと固定し、親
イオンを汀ＴＯ＝ｍ１７として、電場電圧Ｖｄｙ、ｌｆ
場強度ＢＹと共に変数にとった下式に相当する。 Ｖｄｙ／Ｖｏｏ＋ （ＢＶ ／Ｂｏ ） Ｆ■了７ｍｌ
「１５− ＝ｍｌ／ｍｙ （３２） この（３２）式が親イオンスキャンを行うための基本式
である。この（３２）式に従う掃引方法としては色々な
ものが考えられるが、以下に一例を示Ｊ０ 掃引の始点を（Ｖｄｏ、 Ｂｏ 、 ｍｏｏ）どりるど
、（３２）式に従って次式が成立する。 Ｖｄｏ／Ｖｏｏ−＋−ｏｏ ｍｏｏ＝ｍｌ ／ｍｏｏ
（３３）特に、Ｋを定数どしてすべてのｍｙにつきＶｄ
ｙ／Ｖｏｏ＝ Ｋ （ｍｌ ／ｒｒｒｙ ） （３４）
が成立づるようにＶｄｙを掃引するどり−れば、（３２
）式からＢｙは次式に従って掃引しな【ノればならない
。 （ＢＶ ／ＢＯ）ｆ■爾７而〒 −（１−Ｋ）ｍｌ ／ｍｙ ＜３５） 又、（３３）式に関しても（３４）、（３５）式に従っ
て次式が成立する。 Ｖｄｏ／Ｖｏｏ＝ Ｋ （ｍｌ ／ｍｏｏ） （３６）
ｏｏ ｍｏｏ＝ （１−Ｋ）ｍｌ ／ｍｏｏ （３７）
（３４）〜（３７）式からに、 ＭＯＯ，Ｖｏｏヲ消去
１６− すると、次式が得られる。 ＶｄＶ／Ｖｄｏ−ｍｏｏ／ｍｙ （３８）ＢＶ ／８０
＝ ｍｏｏ ｍｙ （３９）この（３８）、（３９）
式に基づいてＶ ｄＶ、及びＢＶを掃引ずれば、娘イオ
ンｍ１＋を派生するすべての親イＡンｍｙ十をめること
ができる。 具体的な掃引は、（３８）、（３９）式からＶｄｙ、’
Ｉｎ ２＝ （Ｖｄｏ／Ｂｏ ） ２（４０）なる関係
が導かれ、この（４０）式の右辺は掃引の始点から与え
られる定数であることから、ＶｄＶ／Ｂｙ２−一定の関
係を保ってＶｄＶとＢＹを掃引１れば良いことが分る。 この関係を保つ掃引は、例えば、磁場電源７によって重
畳場の磁場強度を第５図（ａ）に示】ように時間に対し
てリニアに掃引すると共に、電場電源によって重畳場の
電場電圧を第５図（ｂ）に示１ように時間に対する二次
関数で掃引するようにすれば良い。 尚、その時重畳場質量分析装置で選択されて検出される
のは常に娘イオンｍ１＋であるが、その娘イオンｍ１＋
を派生した親イオンｍｙ＋は掃引と共に異なって来るの
で、前述した娘イオンスキャンのように前段の質量分析
装置を固定していたのでは特定の親イオンしか衝突室５
へ入口４しないことになる。従って、（３８）、（３９
）式に基づく掃引を行う際、重畳場質量分析装置で選択
した娘イオンを派生するその時々の親イオンｍｙが衝突
室５へ入射するように、前段の電場２．！＆磁場から成
る二重収束質量分析装置を重畳場の掃引に連動して掃引
する必要がある。ただし、前段の質量分析装置が無くイ
オン！Ｉ１１で生成されたすべての親イオンが同時に衝
突室５へ入射するような場合（この場合はもはやＭＳ／
ＭＳ装置ではなく単独の重畳場質量分析装置になるが）
には、その必要がないことは言うまでもない。 上記（３８）、（３９）式に基づく掃引は、先に述べた
曲線■に沿った掃引で、（２１）式に対応する（ＶｄＶ
／ＶＯＯ） （ｍＶ ／ｍ１）の値が掃引の間常に一定
に保たれるため、重畳場の収束条件が一定に保たれ、収
束条件を掃引中に補正する必要がないという利点がある
。 尚、上記は（３２）式に従う掃引方法の一つの例を示し
たに過ぎず、他にも様々な掃引方法が考えられ、要する
に前述した平面Ｃ上で各直線之１゜Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４．
込５を横切るように適宜な曲線又は直線に沿って、電場
電圧及び又は磁場強度を単独又は連動で掃引するようず
れば、娘イオンｍ１＋を派生するすべての親イオンをめ
る親イオンスキャンを行うことが可能であることは言う
までもない。
第１図は後段の質量分析装置として重畳場質量分析装置
を用いたＭＳ／ＭＳ装置の構造を示す図、第２図は（２
４）式及び（５）式の関係を説明するための図、第３図
は〈２９）式、（２４）式。 （５）式の関係を説明するための図、第４図は親イオン
スキャンを説明するための図、第５図は実際の掃引の例
を説明するための波形図である。 １：イオン源、２：電場、３：磁場、 ４：コレクタ、５：！突室、６．６’：１１極、７：磁
場電源、８．８’：電極、９：電場電源。
を用いたＭＳ／ＭＳ装置の構造を示す図、第２図は（２
４）式及び（５）式の関係を説明するための図、第３図
は〈２９）式、（２４）式。 （５）式の関係を説明するための図、第４図は親イオン
スキャンを説明するための図、第５図は実際の掃引の例
を説明するための波形図である。 １：イオン源、２：電場、３：磁場、 ４：コレクタ、５：！突室、６．６’：１１極、７：磁
場電源、８．８’：電極、９：電場電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁場Ｂと該磁場に直交する方向を持つ電場Ｆを重畳した
場を有する質量分析装置において、質量ｍ１の娘イオン
を派生するすべての親イオンｍｙをめるに際し、ＶＯＯ
を質量無限大のイオンを検出するための電場電圧１Ｍ０
０を電場強度が零の時に検出される親イオンの質！、Ｂ
ｏをその時の磁場強度と夫々する時、電場を発生するた
めの電圧Ｖｄｙ及び又は磁場強度ＢＶを、 Ｖｄｙ／Ｖｏｏ−＋−（Ｂｙ ／１３ｏ ） Ｊ−Ｎ（
１１「７−百丁Ａ”−ｍｌ ／ｍＶ なる関係式に従って連動で又は単独で掃引し、親イオン
の質量ｍｙをめるようにしたことを特徴とする重畳場質
量分析装置の掃引方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029415A JPS60171454A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 重畳場質量分析装置の掃引方法 |
| US06/698,039 US4588889A (en) | 1984-02-10 | 1985-02-04 | Sweeping process for mass spectrometer having superimposed fields |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029415A JPS60171454A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 重畳場質量分析装置の掃引方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171454A true JPS60171454A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0331386B2 JPH0331386B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=12275494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59029415A Granted JPS60171454A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-17 | 重畳場質量分析装置の掃引方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60171454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658736B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2006-12-15 | 정형로 | 화재진압용 등짐식 소화장비 |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59029415A patent/JPS60171454A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658736B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2006-12-15 | 정형로 | 화재진압용 등짐식 소화장비 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0331386B2 (ja) | 1991-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Douglas | Linear quadrupoles in mass spectrometry | |
| US2950389A (en) | Method of separating ions of different specific charges | |
| Poulaert et al. | H2+ formation in low energy H+-H-collisions | |
| Reuss | Scattering from oriented molecules | |
| Konenkov et al. | Linear quadrupoles with added hexapole fields | |
| US4521687A (en) | Mass spectrometer | |
| JPH0114665B2 (ja) | ||
| Schweikhard | Theory of quadrupole detection Fourier transform-ion cyclotron resonance | |
| JPS60171454A (ja) | 重畳場質量分析装置の掃引方法 | |
| Islam et al. | Approximate relation between black hole perturbation theory and numerical relativity | |
| Blosser et al. | Performance estimates for injector cyclotrons | |
| Lumpkin et al. | Diagnostics of the Los Alamos free electron laser using streak systems | |
| Laughlin et al. | Multiplet Splittings and IS, 3p, Intercombination-Line Oscillator Strengths in be i and MG I | |
| Kłosowski et al. | Nonlinear resonances in linear segmented Paul trap of short central segment | |
| Darwish et al. | Helicity dependence and contribution to the Gerasimov-Drell-Hearn sum rule of the γ→ d→→ π NN reaction channels in the energy region from threshold up to the Δ (1232) resonance | |
| Gans et al. | Experimental and ab initio characterization of HC3N+ vibronic structure. II. High-resolution VUV PFI-ZEKE spectroscopy | |
| JPS60246548A (ja) | 重畳場質量分析装置の掃引方法 | |
| JPS60167250A (ja) | 重畳場質量分析装置の掃引方法 | |
| JPS614148A (ja) | 重畳場質量分析装置の掃引方法 | |
| Koeth | An observation of a transverse to longitudinal emittance exchange at the Fermilab A0 photoinjector | |
| GB2133924A (en) | Mass spectrometry | |
| US2806955A (en) | Mass spectrometer | |
| Tong et al. | Interference between dielectronic and radiative recombination of Be-like highly charged ions | |
| JPS60250548A (ja) | 重畳場質量分析装置の掃引装置 | |
| Nishikawa et al. | Simulation of electrostatic turbulence in the plasma sheet boundary layer with electron currents and bean‐shaped ion beams |