JPS6014442A - ガラス薄膜被覆半導体デバイス - Google Patents
ガラス薄膜被覆半導体デバイスInfo
- Publication number
- JPS6014442A JPS6014442A JP58121510A JP12151083A JPS6014442A JP S6014442 A JPS6014442 A JP S6014442A JP 58121510 A JP58121510 A JP 58121510A JP 12151083 A JP12151083 A JP 12151083A JP S6014442 A JPS6014442 A JP S6014442A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor device
- film
- znf2
- pbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の絹する技術分野〕
本発φｊは、ガラスＪｉ′、ｆ、薄膜で被覆しだ高耐圧
、低リークのガラス薄膜被覆半埒体デバイスに関する。
、低リークのガラス薄膜被覆半埒体デバイスに関する。
従来のパッシベイションにはＺｎＯ系又はＰｂＯ系ガラ
スが用いられて来た。それらのガラスはパッシベイショ
ンとして一応使用には耐える用途もあるが、製作された
デバイスの耐リーク性、耐圧性に対して問題がある。
スが用いられて来た。それらのガラスはパッシベイショ
ンとして一応使用には耐える用途もあるが、製作された
デバイスの耐リーク性、耐圧性に対して問題がある。
との発明はこのような欠点を改良しノζものであり、そ
の目的とするところは丹；・１尺性の高く、かつイＲｉ
５１性の茜い７・コ・：旧圧低リーク・−流のガラス薄
膜柚Ｆ半導体デバイスを枠供することにある。
の目的とするところは丹；・１尺性の高く、かつイＲｉ
５１性の茜い７・コ・：旧圧低リーク・−流のガラス薄
膜柚Ｆ半導体デバイスを枠供することにある。
〔デ゛明のｒ已°２〕
零づと明は匁一定なガラスを形成するた２１）に、成分
元素のｅ（３，成Ｎ囲として”’ｆｒｃ ’３片比でＺ
ｎ０４０〜４６％、ＺｎＦ２ｏ、 １〜５．０％、Ｂ２
０３２０〜４０％、Ｓ１０゜５〜２０％、Ｉ＼４９００
．１〜５ ％、Ｐｌ）０１〜５ ｑａｔ含有するガラス
質各膜で被１（、、Ｉしたことを特性にとするガラスγ
富ＨＥ 控Ｉ′ソ半導体デバイスである。ここで成分元
氷不９・て入しだ組成と成分笥ｊ１囲を限定した。’１
４１由は、ＺｎＯ、Ｓｉｎ□、 Ｓ７０３． ｌ’ｂＯ
はガラスｆ形成する必狛ルン１分であり、ＺｎＦ２ 、
■１ｇＯはＯＨ基の除去、及びガラスの安定化の７′
ｊめに必扱である。
元素のｅ（３，成Ｎ囲として”’ｆｒｃ ’３片比でＺ
ｎ０４０〜４６％、ＺｎＦ２ｏ、 １〜５．０％、Ｂ２
０３２０〜４０％、Ｓ１０゜５〜２０％、Ｉ＼４９００
．１〜５ ％、Ｐｌ）０１〜５ ｑａｔ含有するガラス
質各膜で被１（、、Ｉしたことを特性にとするガラスγ
富ＨＥ 控Ｉ′ソ半導体デバイスである。ここで成分元
氷不９・て入しだ組成と成分笥ｊ１囲を限定した。’１
４１由は、ＺｎＯ、Ｓｉｎ□、 Ｓ７０３． ｌ’ｂＯ
はガラスｆ形成する必狛ルン１分であり、ＺｎＦ２ 、
■１ｇＯはＯＨ基の除去、及びガラスの安定化の７′
ｊめに必扱である。
ＺｎＯが４０％以下ではガラス化が弱く、４６％以上で
は失透傾向が生ずる。ＺｎＦ２は２０ ＨｔＦ２→２
ＨＦ↑ｔＯ，の反応でガラス中のＯＨ４”ｒが除去され
る効果があり、Ｚ ｎ Ｆ ２が０．１％以下ではその
効果が少く、５％以−ヒではガラスが結晶化して流動化
を失うため、デバイスとしてイ吏用出来ない。Ｂ、０３
は２０％以下ではガラス化能力が小さく、４０％以−ヒ
ではガラスの’、！、９眼係数がパッシベイションとし
て使用可能なもの」：り太きくなる。５ｉ０２は５％以
下ではガラス化能力がなく、２０％以上では熱膨張係数
が著しく小さく疫ってパッシベイションの用をなさカい
ためである。
は失透傾向が生ずる。ＺｎＦ２は２０ ＨｔＦ２→２
ＨＦ↑ｔＯ，の反応でガラス中のＯＨ４”ｒが除去され
る効果があり、Ｚ ｎ Ｆ ２が０．１％以下ではその
効果が少く、５％以−ヒではガラスが結晶化して流動化
を失うため、デバイスとしてイ吏用出来ない。Ｂ、０３
は２０％以下ではガラス化能力が小さく、４０％以−ヒ
ではガラスの’、！、９眼係数がパッシベイションとし
て使用可能なもの」：り太きくなる。５ｉ０２は５％以
下ではガラス化能力がなく、２０％以上では熱膨張係数
が著しく小さく疫ってパッシベイションの用をなさカい
ためである。
ＭｇＯは耐リーク性を改良するが０１％以下ではその効
果が少＜ 、５ Ｑｆｏ以上で１はガラスがだ〒晶化す
る。ＰｂＯはガラスを安定化するが１％以下ではその能
力がなく、５％以上ではガラス７５す吉晶化する。
果が少＜ 、５ Ｑｆｏ以上で１はガラスがだ〒晶化す
る。ＰｂＯはガラスを安定化するが１％以下ではその能
力がなく、５％以上ではガラス７５す吉晶化する。
〔発明の効果〕
例えば上記川床のガラスを２００メツシ一イ一度の粒子
にしてドクターブレード法によって、サイリスターにバ
ノシベイゾヨンするとそのリーク正流げ数ｎＡ又はぞれ
り、下であり、耐用は１５００■のデバイスが得られる
。
にしてドクターブレード法によって、サイリスターにバ
ノシベイゾヨンするとそのリーク正流げ数ｎＡ又はぞれ
り、下であり、耐用は１５００■のデバイスが得られる
。
第１ ［ｊ’′Ｉはパッシベイションサイリスクの断面
図であり、Ｃはコレクタ、Ｅはエミッタ、Ｇはゲート？
に枦、５はガラスである。
図であり、Ｃはコレクタ、Ｅはエミッタ、Ｇはゲート？
に枦、５はガラスである。
第２Ｒ１は′５．を気泳７′１１法によるウェハー２７
：［ｒｉに対するバソシベイションボく況を示し、１は
白金″ｉ−１・（；′ミ、３はガラスの入った懸りｃ、
＜ ？を冗である。
：［ｒｉに対するバソシベイションボく況を示し、１は
白金″ｉ−１・（；′ミ、３はガラスの入った懸りｃ、
＜ ？を冗である。
（実］虐例１）
重−汁比でＺｎ０５０％、ＺｎＦ２１％、Ｂ２Ｏ３３０
％、５ｉｎ２１０％、Ｍｈｏ ４％、ＰｂＯ３％の川床
をもったガラス（約２００メツシー）をアルコール中に
懸だくづせ、Ｅ、７２図で示し／こＪｊ＋−、，１１′
ごＩ’ｉｉｌの印加′１１・圧（１００Ｖ／ｃｍ）のも
とに第１１さ−・１で示したデバイスの板面にガラスを
つけて、８５０’Ｃでフローさせプこ。デバイスのリー
クτ当派は２ｎＡ：有一度面］圧は］、 ５００ Ｖで
あった。
％、５ｉｎ２１０％、Ｍｈｏ ４％、ＰｂＯ３％の川床
をもったガラス（約２００メツシー）をアルコール中に
懸だくづせ、Ｅ、７２図で示し／こＪｊ＋−、，１１′
ごＩ’ｉｉｌの印加′１１・圧（１００Ｖ／ｃｍ）のも
とに第１１さ−・１で示したデバイスの板面にガラスを
つけて、８５０’Ｃでフローさせプこ。デバイスのリー
クτ当派は２ｎＡ：有一度面］圧は］、 ５００ Ｖで
あった。
（英１で、１例２）
”ｊＪ３ｒ ’Ｌ’、’（比でＺｎＯ６０’ｊ’ｏ、Ｚ
ｎＦ２２ ％、Ｂ２０３２５％、５ｉ０２５％、へ４ｇ
０４ダ５、ＰｂＯ，４％の糸１１１Ｊ又ン・もったガラ
スをアルコール中に懸１ｅ ＜させ、実施例１と同様に
篭似泳動法でデバイスにつけ９００℃でフロー芒せた。
ｎＦ２２ ％、Ｂ２０３２５％、５ｉ０２５％、へ４ｇ
０４ダ５、ＰｂＯ，４％の糸１１１Ｊ又ン・もったガラ
スをアルコール中に懸１ｅ ＜させ、実施例１と同様に
篭似泳動法でデバイスにつけ９００℃でフロー芒せた。
デバイスのリーク気流はｌｎＡ程度、耐圧け１５００Ｖ
でめった。
でめった。
（実施例３）
嘱沼、比でＺｎ０４５％、ＺｎＦ２１％、Ｂ２Ｏ５３５
，８ｉ０２１５、Ｍ、９０２、ｐｂｏ ２の旧−１肘の
ガラス（２００メソシユバス）をアセトン中に）：もだ
くさせ、実結例１と同様に電気泳己ｒ法でデバイスのパ
ッシベイショントシ／ζ。９５０℃でフローした。デバ
イスのリーク′電流は５ｎＡ程度耐圧（づ：１６００Ｖ
で４５ つ プこ。
，８ｉ０２１５、Ｍ、９０２、ｐｂｏ ２の旧−１肘の
ガラス（２００メソシユバス）をアセトン中に）：もだ
くさせ、実結例１と同様に電気泳己ｒ法でデバイスのパ
ッシベイショントシ／ζ。９５０℃でフローした。デバ
イスのリーク′電流は５ｎＡ程度耐圧（づ：１６００Ｖ
で４５ つ プこ。
以上列記したように、本方法はデバイスのパッシベーシ
ョン方法としてずぐれプしもので６す、−ｎ′（にｆ、
ソ＋枚のウェハーも処理できるので量？・性もより、」
二ぢ；乏的にすぐれたデバイスイア弓よ方ンゼ士で２）
るということができる。
ョン方法としてずぐれプしもので６す、−ｎ′（にｆ、
ソ＋枚のウェハーも処理できるので量？・性もより、」
二ぢ；乏的にすぐれたデバイスイア弓よ方ンゼ士で２）
るということができる。
４、 図面の升１．） ｔｉｊなｆｉｊ：’、明第１図
はバッシベーションザイリスターのｈ面ｉ−、・造、第
２図は′１、・１気泳尚法によってウェハーの表面にパ
ッシベーションを行段っでいる情況の、Ｉ１１℃略図で
ある。
はバッシベーションザイリスターのｈ面ｉ−、・造、第
２図は′１、・１気泳尚法によってウェハーの表面にパ
ッシベーションを行段っでいる情況の、Ｉ１１℃略図で
ある。
１・・・白金′１゛・優、２・・・ウェハー、３・・・
ガラスの入ったｌｉ、Ｔ；’、だく液。
ガラスの入ったｌｉ、Ｔ；’、だく液。
代：’；′ｊ人弁Ｔｌｊｊ士 工１１］ 近 忘 佑（
はが１名）第 １． 図 Ｇ 第 ２Ｉ−′１
はが１名）第 １． 図 Ｇ 第 ２Ｉ−′１
Claims (1)
- Ｍ量比でＺｎＯ４０〜６５％、ＺｎＦ 、 ０．１−５
．０％、Ｂ２Ｏ３２０〜／１．０％、８ｉ０２５〜２０
％、Ｍｇ００１〜５％、Ｐｂ０１〜５％を含有するガラ
ス＠薄膜で被覆しだことを特徴とするガラス）゛、γ膜
禎（５半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121510A JPS6014442A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | ガラス薄膜被覆半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121510A JPS6014442A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | ガラス薄膜被覆半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014442A true JPS6014442A (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=14812981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121510A Pending JPS6014442A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | ガラス薄膜被覆半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516459A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58121510A patent/JPS6014442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516459A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法 |
| US8821961B2 (en) | 2004-10-13 | 2014-09-02 | Commissariat A L'energie Atomique | MgO-based coating for electrically insulating semiconductive substrates and production method thereof |
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