JPS60136460A - Dtmf signal generator - Google Patents

Dtmf signal generator

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Publication number
JPS60136460A
JPS60136460A JP24411783A JP24411783A JPS60136460A JP S60136460 A JPS60136460 A JP S60136460A JP 24411783 A JP24411783 A JP 24411783A JP 24411783 A JP24411783 A JP 24411783A JP S60136460 A JPS60136460 A JP S60136460A
Authority
JP
Japan
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circuit
signal
frequency
cosine wave
group
Prior art date
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Pending
Application number
JP24411783A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Masuda
英司 増田
Yasuhiko Fujita
康彦 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Priority to EP84115872A priority patent/EP0147791B1/en
Priority to DE8484115872T priority patent/DE3483095D1/en
Priority to US06/685,834 priority patent/US4639554A/en
Publication of JPS60136460A publication Critical patent/JPS60136460A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/26Devices for calling a subscriber
    • H04M1/30Devices which can set up and transmit only one digit at a time
    • H04M1/50Devices which can set up and transmit only one digit at a time by generating or selecting currents of predetermined frequencies or combinations of frequencies
    • H04M1/505Devices which can set up and transmit only one digit at a time by generating or selecting currents of predetermined frequencies or combinations of frequencies signals generated in digital form

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain IC-implementation and to allow low-voltage operation by constituting a circuit which generates a reference frequency signal while including an MOS type semiconductor element and a natural oscillation element, and generating an output of specific frequency. CONSTITUTION:A reference frequency signal from a reference oscillation circuit 11 is frequency-divided by a high group frequency dividing circuit 13 and a low group frequency dividing circuit 14 into two kinds of rated frequency, and a high group cosine wave generating circuit 16 and a low group cosine wave generating circuit 17 generate cosine wave signals. Those cosine wave signals are mixed by an output synthesizing circuit 18 to generate a DTMF (dual tone multiple frequency) signal, which is sent out to a telephone circuit. The reference oscillation circuit 11 consists of an inverter 11a, resistance 11b, a ceramic resonator 11c which has a natural oscillation frequency of 480kHz, capacitors 11d and 11e, N channel MOS transistor 11f, and NOR circuit 11g.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、電話通信回線網におけるDTMF(デュア
ルトーンマルチゾルフリーケンシー)信号発生装置に係
り、特にゾッシュ式電話機のキー操作に応じたDTMF
信号を発生して標準的な電話回線に送出するものに関す
る。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a DTMF (Dual Tone Multisol Frequency) signal generation device in a telephone communication network, and particularly to a DTMF (Dual Tone Multisol Frequency) signal generation device in response to key operations of a Zosh type telephone.
Pertains to generating and transmitting signals onto standard telephone lines.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

周知のように、首記の如きDTMF信号発生装置は、基
準発振回路から出力される基準クロック信号を、操作さ
れたキーの位置する行及び列毎に規格化された周波数に
までそれぞれ分周し、これら分周信号をそれぞれ異なる
周期のコサイン波形に変換して合成することにより、1
つのキーに対応し7’(DTMF信号を得るようにして
いる。
As is well known, the DTMF signal generator as described above divides the reference clock signal output from the reference oscillation circuit to a frequency that is standardized for each row and column where the operated key is located. , by converting these frequency-divided signals into cosine waveforms with different periods and combining them, 1
7' (DTMF signals are obtained in response to the 7 keys).

ところで、従来のDTMF信号発生装置は、その基準発
振回路から出力される基準クロック信号の周波数が3.
58 (MHz 〕と高いため、消費電流が多く回線電
圧が約3.0〜3.5[V)以上でないと発振動作を行
なうことができないものである。ところが、実際の電話
回線においては、回線電圧が1.5〜2.0(V〕程度
にまで降下することがあシ、このような場合、DTMF
′信号発生装置が動作されなくなるという問題が生じる
By the way, in the conventional DTMF signal generation device, the frequency of the reference clock signal output from the reference oscillation circuit is 3.
Since the frequency is as high as 58 MHz, the current consumption is large and the oscillation operation cannot be performed unless the line voltage is approximately 3.0 to 3.5 [V] or higher. However, in actual telephone lines, the line voltage sometimes drops to about 1.5 to 2.0 (V), and in such cases, the DTMF
'A problem arises in that the signal generator becomes inoperable.

さらに、従来のDT■゛信号発生装置は、消費電流が多
く、分周回路の構成が複雑であるとともに、基準発振回
路に用いられる3、 58 (MHz )用の水晶振動
子が高価で経済的にも不利になる等、種々の問111’
に有しているものである。
Furthermore, the conventional DT signal generator consumes a large amount of current, has a complicated structure of the frequency dividing circuit, and the crystal resonator for 3.58 (MHz) used in the reference oscillation circuit is expensive and uneconomical. Various questions such as being at a disadvantage
This is what we have.

そこで、従来より、基準クロック信号の周波数を低くシ
、消費電流を少なくして低電圧でも動作し得るようにす
ることも考えられているが、単純に基準クロック信号の
周波数を低くしてしまうと、キー配列の行及び列毎にそ
れぞれ規格化された周波数にまでクロック信号全分周す
るための分周比の設定が困難になシ、また分周回路自体
の構成もより複雑化し、ひいては精度のよいDTMF信
号を得ることができなくなってしまうものである。
Therefore, conventionally, it has been considered to lower the frequency of the reference clock signal to reduce current consumption and enable operation at low voltages, but simply lowering the frequency of the reference clock signal does not work. , it is difficult to set the frequency division ratio to fully divide the clock signal to the standardized frequency for each row and column of the key layout, and the configuration of the frequency divider circuit itself becomes more complicated, resulting in lower accuracy. In this case, it becomes impossible to obtain a high-quality DTMF signal.

このため、従来より、低電圧でも十分安定に動作し得る
とともに、構成簡易にして経済的にも有利となるDTM
F信号発生装置の開発が要望されており、またこの要望
は、近時、DTMF信号発生装置’i CMO8集積回
路化するという要望ともあいまって、可及的に実現され
ることが強く望まれている。
For this reason, conventional DTMs can operate stably even at low voltages and are economically advantageous due to their simple configuration.
There has been a demand for the development of an F signal generator, and this demand, combined with the recent demand for a DTMF signal generator 'i CMO8 integrated circuit, is strongly desired to be realized as much as possible. There is.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記事情に基づいてなされたもので、低電源
電圧で動作可能であυ、構成簡易にして経済的にも有利
であるとともに、集積回路化全効果的に促進させ得る極
めて良好なりTMF信号発生装置を提供すること?目的
とする。
This invention has been made based on the above circumstances, and is operable with a low power supply voltage, has a simple structure and is economically advantageous, and has an extremely good TMF that can effectively promote integrated circuits. Providing a signal generator? purpose.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

すなわち、この発明は、操作されたキーの種別に対応し
て基準周波数信号上それぞれ二種の規格周波数にまで分
周するとともに該分周周期とほぼ等しい周期をもつサイ
ン波信号音発生する分周及びサイン波発生手段と、この
サイン波発生手段から出力された両信号を合成して得ら
れたDT■゛信号を電話回線に送出する合成手段とを有
するDTMF信号発生装置において、前記基準周波数信
号を発生する回路をMOg形半導体累子と固有振動菓子
とを含んで構成しかつ発振周波数’k 480 (kH
z )近傍に設定するとともに、前記分周手段に対して
前記480 (kHz )近傍の基準周波数信号を前記
規格周波数にまで分周し得る分周比を与えるようにする
ことによシ、低電圧でも十分安定に動作し得るようにし
たものである。
That is, the present invention provides a frequency division method that divides a reference frequency signal into two standard frequencies in accordance with the type of key operated, and generates a sine wave signal sound having a period approximately equal to the frequency division period. and a DTMF signal generating device comprising a sine wave generating means, and a combining means for combining both signals outputted from the sine wave generating means and transmitting the obtained DT'' signal to a telephone line, wherein the reference frequency signal is The circuit for generating the oscillation frequency 'k is 480 (kH).
By setting the reference frequency signal near 480 (kHz) to the standard frequency and giving the frequency dividing means a frequency division ratio that can divide the reference frequency signal near 480 (kHz) to the standard frequency, it is possible to However, it is designed to operate stably.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。第1図において、11は基準発振回路で、
インバータ11&、抵抗J 7 b 、 480 [k
Hz 、]の固有振動数を有−jるセラオックレゾネー
タ11c、コンデンサ11d。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In FIG. 1, 11 is a reference oscillation circuit;
Inverter 11 &, resistance J 7 b, 480 [k
A CERAOC resonator 11c and a capacitor 11d have a natural frequency of Hz, ].

11*、NチャネルMOSトランジスタllf及びNO
R回路11gより構成されるものである。
11*, N-channel MOS transistor llf and NO
It is composed of an R circuit 11g.

この基準発振回路1ノは、後述するキー入力インターフ
ェース回路12からのパワーダウン信号PDがアクティ
ブつまりH(ハイ)レベルの5− ときトランジスタllfがオンし発振動作が停止されか
つNOR回路11gもf−1が閉じられた状態となって
その出力がL(ロー)レベルに固定され非動作状態とな
されている。また、基準発振回路1ノは、上記t4ワー
ダウン信号PDがノンアクティブつまj5Lレベルのと
キ、トランジスタllfがオフし自動的に発振動作が開
始されかつNOR回路11gもf−1の開かれた状態と
なシ、480 (kHz 〕の基準クロック信号CKが
出力されるようになるものである。
In this reference oscillation circuit 1, when a power down signal PD from a key input interface circuit 12, which will be described later, is active, that is, at an H (high) level, the transistor llf is turned on and the oscillation operation is stopped, and the NOR circuit 11g is also f-. 1 is in a closed state and its output is fixed at L (low) level, making it in a non-operating state. Further, in the reference oscillation circuit 1, when the t4 word-down signal PD is inactive or at the j5L level, the transistor llf is turned off and the oscillation operation is automatically started, and the NOR circuit 11g is also in the f-1 open state. In this case, a reference clock signal CK of 480 (kHz) is output.

そして、上記基準りaツク信号CKは、高群分周回路1
3及び低群分周回路14のクロック入力端CKINにそ
れぞれ供給される。また、これら高群及び低群分周回路
13.14は、そのリセット入力端Rに上記パワーダウ
ン信号pDがそれぞれ供給されるようになされておシ、
ノ臂ワーダウン信号PDがアクティブのとき非動作状態
となされ、ノンアクティブのとき上記キー入力インター
フェース回路12から出力される分局比データに基づい
て基準クロック信号CKi6一 それぞれ分周する動作状態となされるものである。
Then, the above-mentioned reference a check signal CK is transmitted to the high group frequency divider circuit 1.
3 and a clock input terminal CKIN of the low group frequency divider circuit 14, respectively. Further, the high group and low group frequency dividing circuits 13 and 14 are configured such that the power down signal pD is supplied to their reset input terminals R, respectively.
When the arm power down signal PD is active, it is in a non-operating state, and when it is non-active, it is in an operating state in which the frequency of the reference clock signal CKi6 is divided based on the division ratio data output from the key input interface circuit 12. It is.

ここで、上記キー人力インターフェース回路12は、図
中点線で示すキー操作部15に、縦方向に3列、横方向
に4行配設された12個のキーのうち、操作されたキー
の位置する列及び行毎にそれぞれ対応した分周比データ
全生成するものである。すなわち、キー操作部15は、
3つの列信号ラインC1〜C3と、4つの行信号ライン
R1〜R4とを有しておplいずれか1つのキーが操作
されると、そのキーの位置する列及び行の各信号ライン
C1−C,及びR1−R4kそれぞれアクティブにする
ものである。
Here, the key human interface circuit 12 determines the position of the operated key among 12 keys arranged in three columns in the vertical direction and four rows in the horizontal direction on the key operation unit 15 shown by the dotted line in the figure. All corresponding frequency division ratio data are generated for each column and row. That is, the key operation unit 15
It has three column signal lines C1 to C3 and four row signal lines R1 to R4, and when any one key is operated, each signal line C1- of the column and row where the key is located is C, and R1 to R4k are activated.

例えば、「5」のキーが操作されたとすると、列信号ラ
インC2と行信号ラインRsとが共にアクティブになさ
れるものである。
For example, if the "5" key is operated, both the column signal line C2 and the row signal line Rs are activated.

このようにして列信号ライン01〜C3のうちいずれか
1つがアクティブになりかつ行信号ラインR1〜R4の
うちいずれか1つがアクティブになされると、キー入力
インターフェース回路12は、列に対応した3ビ、トの
高群分周比データKC,〜KCs’ji生成して高群分
周回路13に出力するとともに、行に対応した4ビツト
の低群分周比データKR1〜KR41f!:生成して低
群分周回路14に出力するものである。例えば前述した
ように「5」のキーが操作された場合、高群分周比デー
タKC,〜KC3として、列信号ラインC,がアクティ
ブになったことに対応したr O、’I 、 OJなる
データを生成し、低群分周比データKR1〜KR4とし
て、行信号ラインR。
In this way, when any one of the column signal lines 01 to C3 becomes active and any one of the row signal lines R1 to R4 becomes active, the key input interface circuit 12 activates the three signal lines corresponding to the column. Bits, bits, and bits of high group frequency division ratio data KC, ~KCs'ji are generated and output to the high group frequency division circuit 13, and 4-bit low group frequency division ratio data KR1 to KR41f corresponding to the rows are generated! : Generated and output to the low group frequency divider circuit 14. For example, when the "5" key is operated as described above, r O, 'I, OJ corresponding to activation of column signal line C, as high group frequency division ratio data KC, ~KC3. The row signal line R generates data as low group frequency division ratio data KR1 to KR4.

がアクティブになったことに対応したro、I。ro,I corresponding to becoming active.

0.0」なるデータを生成するものである。0.0" is generated.

また、上記キー入力インターフェース回路12は、いず
れのキーも操作されていない状態では、前記ノ9ワーダ
ウン信号PDiアクティブつまシバレベルにしておき、
いずれか1つのキーが操作されて列及び行信号ラインC
I”Cm及びR1−R4がそれぞれアクティブになった
とき、ノ9ワーダウン信号PDをノンアクティブつま)
Lレベルとなすものである。
Further, the key input interface circuit 12 sets the above-mentioned word down signal PDi to the active or low level when no key is operated,
When any one key is operated, the column and row signal lines C
When I"Cm and R1-R4 become active, the 9 word-down signal PD becomes inactive (or becomes inactive)
This is the L level.

そして、上記のようにして生成された高群及び低群分周
比データKC1〜KC8及びKR1〜KR4に基づいて
高群及び低群分周回路13.14はそれぞれ上記基準り
aツク信号CKを分周する。
Then, based on the high group and low group frequency dividing ratio data KC1 to KC8 and KR1 to KR4 generated as described above, the high group and low group frequency dividing circuits 13 and 14 respectively generate the a-clock signal CK according to the reference. Divide the frequency.

この場合、高群分周回路J3は、列信号ラインCIがア
クティブになったことに対応した高群分周比データKC
1〜KC,が入力されると、上記480 (kHz )
の基準クロ、り信号CK122分周するように動作され
る。また、高群分周回路13は、列信号ラインC*+C
Bがアクティブになったことに対応した高群分周比デー
タKC、−KC、が入力されると、基準クロック信号C
Kiそれぞれ20分周及び18分周するように動作され
る。
In this case, the high group frequency division circuit J3 outputs high group frequency division ratio data KC corresponding to the activation of the column signal line CI.
When 1~KC, is input, the above 480 (kHz)
The reference clock signal CK122 is frequency-divided. Further, the high group frequency divider circuit 13 is connected to the column signal line C*+C
When high group frequency division ratio data KC, -KC, corresponding to B becoming active, is input, the reference clock signal C
Ki is operated to be frequency-divided by 20 and 18, respectively.

さらに、上記低群分周回路14は、行信号ラインR1が
アクティブになったことに対応した低群分周比データK
R1〜KR,が入力されると、上記基準クロック信号C
Kf43分周するように動作される。また、低群分周回
路14は、行信号ラインRN * R1+ R4がアク
ティブにな9− ったことに対応した低群分周比データKR1〜KR,が
入力されると、上記基準クロック信号CKiそれぞれ3
9分周、35分周及び32分周するように動作される。
Further, the low group frequency dividing circuit 14 outputs low group frequency dividing ratio data K corresponding to the activation of the row signal line R1.
When R1 to KR are input, the reference clock signal C
It is operated to divide the frequency by Kf43. Furthermore, when the low group frequency dividing circuit 14 receives the low group frequency dividing ratio data KR1 to KR corresponding to the activation of the row signal line RN*R1+R4, the low group frequency dividing circuit 14 receives the reference clock signal CKi. 3 each
It is operated to divide the frequency by 9, 35, and 32.

ここで、上記した分周数r22,20,18゜43.3
9,35,32Jは、詳細は後述するが、キー操作部1
5の各列及び各行毎にそれぞれ規格化された周波数を最
終的に得るために、選出した数である。
Here, the above frequency division number r22, 20, 18°43.3
9, 35, 32J are the key operation unit 1, details of which will be described later.
These numbers are selected in order to finally obtain standardized frequencies for each column and each row of 5.

上記のようにして高群分周回路13及び低群分周回路1
4で分周された高群分周信号φ□及び低群分周信号φ、
は、高群コサイン波発生回路16及び低群コサイン波発
生回路17の入力端INにそれぞれ供給される。これら
高群及び低群コサイン波発生回路16.11は、そのリ
セット入力端Rに上記ノ母ワーダウン信号FDがそれぞ
れ供給されるようになされており、パワーダウン信号P
Dがアクティブのとき非動作状態となされ、ノンアクテ
ィブのとき動作状態となされるものである。
As described above, the high group frequency divider circuit 13 and the low group frequency divider circuit 1
A high group frequency division signal φ□ and a low group frequency division signal φ divided by 4,
are supplied to the input terminals IN of the high group cosine wave generation circuit 16 and the low group cosine wave generation circuit 17, respectively. These high group and low group cosine wave generating circuits 16.11 are configured such that the above mother power down signal FD is supplied to their reset input terminals R, respectively, and the power down signal P
When D is active, it is in an inactive state, and when it is non-active, it is in an operating state.

10− そして、まず高群コサイン波発生回路16は、詳細は後
述するが、上記高群分周信号φ□の18周期分の時間’
に1周期とし、かつ高群分周信号φ□の半周期毎に電圧
レベルの変化する階段状の高群コサイン波信号を生成す
るものである。また、低群コサイン波発生回路17は、
上記低群分周信号φ、の16周期分の時間をI周期とし
、かつ低群分周信号φ1の半周期毎に電圧レベルの変化
する階段状の低群コサイン波信号を生成するものである
。すなわち、この高群及び低群コサイン波信号は、周波
数的にみると、上記高群及び低群分周信号φ8.φLを
それぞれ18分周及び16分周したものとな嘔れている
。そして、この場合の分周数r18.I6Jも先に高群
及び低群分周回路13.14で説明したように、キー操
作部15の各列及び各行毎にそれぞれ規格化された周波
数を得るために選出した数である。
10- First, the high group cosine wave generation circuit 16 generates a time ' for 18 cycles of the high group frequency divided signal φ□, although the details will be described later.
This generates a stepped high group cosine wave signal whose voltage level changes every half period of the high group frequency divided signal φ□. Further, the low group cosine wave generation circuit 17 is
The I period is equal to 16 cycles of the low group frequency division signal φ, and a step-like low group cosine wave signal whose voltage level changes every half period of the low group frequency division signal φ1 is generated. . That is, in terms of frequency, these high group and low group cosine wave signals are equal to the high group and low group frequency divided signals φ8. They are obtained by dividing φL by 18 and 16, respectively. In this case, the frequency division number r18. I6J is also a number selected to obtain a standardized frequency for each column and each row of the key operation section 15, as previously explained in the high group and low group frequency dividing circuits 13 and 14.

このようにして高群及び低群コサイン波発生回路16.
17から出力された高群及び低群コサイン波信号は、そ
れぞれ出力合成回路18で合成されて、ここに1つのキ
ーに対応したDTMF信号が生成されるものである。そ
してこのDTMF’信号は、出力端子19全介して図示
しない電話回線、交換機等に送出きれるものである。な
お、上記出力合成回路18にもそのリセット入力端Rに
上記パワーダウン信号PDが供給されるようにな芒れて
おり、この出力合成回路18はパワーダウン信号PDが
アクティブのとき非動作状態となされ、ノンアクティブ
のとき動作状態とな式れるものである・ ここで、上述したように、前記基準発振回路1ノから出
力される基準クロック信号CKは、高群及び低群分周回
路13.14によシ操作されたキーの位置する列及び行
毎にそれぞれ対応した分周比で分周式れた後、高群及び
低群コサイン波発生回路16.17によりそれぞれ18
分周及び16分周δれるものであるが、キー操作部15
の列及び行信号ラインC1〜C3及びR,−R4がアク
ティブになされることによる高群及び低群分周回路13
.14の出力周波数と、高群及び低群コサイン波発生回
路16.17の出力周波数とは、次表のようになる。
In this way, the high group and low group cosine wave generation circuits 16.
The high group and low group cosine wave signals outputted from 17 are combined by an output combining circuit 18, respectively, to generate a DTMF signal corresponding to one key. This DTMF' signal can be sent to a telephone line, exchange, etc. (not shown) through all the output terminals 19. The power down signal PD is also supplied to the reset input terminal R of the output combining circuit 18, and the output combining circuit 18 is in an inactive state when the power down signal PD is active. The reference clock signal CK output from the reference oscillation circuit 1 is outputted from the high group and low group frequency dividing circuits 13, . After the frequency is divided by the frequency dividing ratio corresponding to each row and column where the key operated by 14 is located, high group and low group cosine wave generating circuits 16 and 17 respectively generate 18
The key operation section 15
High group and low group frequency divider circuit 13 by making column and row signal lines C1 to C3 and R, -R4 active.
.. The output frequencies of 14 and the output frequencies of high group and low group cosine wave generating circuits 16 and 17 are as shown in the following table.

13− すなわち、例えば行信号ライ/R1がアクティブになさ
れた場合、低群分周回路14は480(kHz 〕の基
準クロック信号CK143分周して11. J 6 [
kHz )の低群分周信号φLを出力する。すると、低
群コサイン波発生回路17は11、16 [kHz 〕
の〕低群分周信号φ、J−16分周して、697.7[
Hz]の低群コサイン波信号を出力する。ここで、低群
コサイン波信号の697.7[Hz〕という周波数は、
上記行信号ラインR1に対して予め定められている規格
周波数697[Hz〕と0.1 C% )の偏差しか有
さない極めて精度の高いもので、ここに行信号ラインR
1に対応する規格周波数を得ることができるものである
。また、他の信号ラインR、−R4及びC1〜C3につ
いても上述と略同様に説明することができ、それぞれ対
応する規格周波数を得ることができるものである。
13- That is, for example, when the row signal R1 is activated, the low group frequency divider circuit 14 divides the frequency of the reference clock signal CK143 of 480 (kHz) to 11.J6[
kHz) outputs a low group frequency divided signal φL. Then, the low group cosine wave generation circuit 17 has a frequency of 11, 16 [kHz]
] Low group frequency divided signal φ is divided by J-16 to obtain 697.7[
Hz] outputs a low group cosine wave signal. Here, the frequency of 697.7 [Hz] of the low group cosine wave signal is
It is extremely accurate, having only a deviation of 0.1 C% from the predetermined standard frequency of 697 [Hz] for the row signal line R1, and here the row signal line R
It is possible to obtain the standard frequency corresponding to 1. Further, the other signal lines R, -R4, and C1 to C3 can be explained in substantially the same manner as described above, and the corresponding standard frequencies can be obtained.

以上に全体的な動作について説明したが、次に各部の詳
細な構成及びその動作についてそれぞれ説明する。まず
、第2図は前記基準発振回路11を示すもので、前記イ
ンバータllaは、図示の如くPチャネルMO8)ラン
ジスタQ1及びNチャネルMOSトランジスタロ1よシ
構成されている。また、インバータ11aの入力端及び
出力端には、それぞれ人力抵抗11b及び出力抵抗11
1が接続されている。この場合、接続端子11j、II
kより図中上側の部分がCMO8集積回路化される部分
で、出力抵抗111゜セラミックレゾネータlie及び
コンデンサ11d、lleは外付けされるものである。
The overall operation has been explained above, and next, the detailed configuration and operation of each part will be explained. First, FIG. 2 shows the reference oscillation circuit 11, and the inverter lla is composed of a P channel MO transistor Q1 and an N channel MOS transistor Q1 as shown. In addition, a human resistor 11b and an output resistor 11 are provided at the input end and the output end of the inverter 11a, respectively.
1 is connected. In this case, the connection terminals 11j, II
The part above k in the figure is the part to be integrated into a CMO8 circuit, and the output resistor 111° ceramic resonator lie and capacitors 11d and lle are externally attached.

また、第2図中111は前記パワーダウン信号PDの供
給される入力端子であり、11mは前記高群及び低群分
周回路13.14のクロック入力端CKINに接続され
る出力端子であり、11nは直流電圧十Vの印加される
電源端子である。
Further, in FIG. 2, 111 is an input terminal to which the power down signal PD is supplied, and 11m is an output terminal connected to the clock input terminal CKIN of the high group and low group frequency dividing circuits 13 and 14, 11n is a power supply terminal to which a DC voltage of 10 V is applied.

ここで、上記セラミ、クレゾネータllcとしては、基
準周波数480 CkHz ] 、周波数公差±0.5
〔チ〕、共振抵抗20〔Ω〕以下、反共振抵抗70〔k
Ω〕以上、温度安定性±0.3〔チ〕(−20〔℃〕〜
+80[℃])なる特性’kVするものが実現されてい
る。また、前記抵抗11bは帰還作用を奏するもので、
通常l〔題〕程度のものが用いられる。さらに、実際的
には、上記入力抵抗11b及び出力抵抗111はそれぞ
れ約1 [kΩ〕のものが用いられ、上記コンデンサl
ld、11eとしてはそれぞれ】0O〔…〕程度のもの
が用いられて動作されるものである。
Here, the above-mentioned ceramic cresonator LLC has a reference frequency of 480 CkHz and a frequency tolerance of ±0.5.
[H], resonant resistance 20 [Ω] or less, anti-resonance resistance 70 [k]
Ω] or more, temperature stability ±0.3 [chi] (-20 [℃] ~
+80 [°C]) with a characteristic of 'kV' has been realized. Further, the resistor 11b has a feedback function,
Normally, something about 1 [title] is used. Furthermore, in practice, the input resistor 11b and the output resistor 111 are each about 1 [kΩ], and the capacitor l
Each of ld and 11e is of the order of ]0O[...] for operation.

し友がって、上記のような基準発振回路11によれば、
MOSトランジスタを用いて構成されるので、1.5 
CV ) 〜2.0 [V )程[(7)低電圧でも十
分に安定した発振動作を行なうことができるとともに、
取9も直式ずCMO8集積回路化に好適するものである
。また、基準クロック信号CKの周波数を、従来の3.
58 (MHz )に対して480 [kHz )と格
段に低くしたので、周波数×電圧×充放電容量で決まる
ところの動作消費電流も著しく低くすることができるも
のである。さらに、セラミックレゾネータ1lcf用い
ているため、従来のようにクリスタルレゾネ17− −タを用いたものに比して経済的に有利となるものであ
る。
Accordingly, according to the reference oscillation circuit 11 as described above,
1.5 since it is configured using MOS transistors.
CV) ~2.0 [V] (7) Sufficiently stable oscillation operation can be performed even at low voltage, and
Option 9 is also direct and suitable for CMO8 integrated circuits. Also, the frequency of the reference clock signal CK is changed from the conventional 3.
Since the frequency is significantly lower than 58 (MHz) to 480 [kHz], the operating current consumption, which is determined by frequency x voltage x charge/discharge capacity, can also be significantly lowered. Furthermore, since the ceramic resonator 1lcf is used, it is economically advantageous compared to the conventional one using a crystal resonator 17--.

ここで、上記基準クロック信号CKの周波数は、し0え
ば1.5[V]〜2.0[:V)程度の低電圧でも十分
安定な発振動作全行ない得る程度に壕で消費電流を少な
くし得るような低い周波数であるという条件と、後段に
接続される種々の分周手段が安定な分周動作を行ない得
る程度にまで高い周波数であるという条件と、画表に示
すように分周比が全て簡拳な整数で実現されかつ規格周
波数に極めて近い1直を得られる周波数であるという条
件とから、480(kHz)に選定されたものである。
Here, the frequency of the reference clock signal CK is set such that the current consumption is reduced to the extent that sufficient stable oscillation operation can be performed even at a low voltage of, for example, 1.5 [V] to 2.0 [:V]. One condition is that the frequency is as low as possible, the other is that the frequency is high enough to allow the various frequency dividing means connected to the subsequent stage to perform stable frequency dividing operations, and the frequency is as low as possible, as shown in the diagram. 480 (kHz) was selected based on the condition that all the ratios are realized by simple integers and that it is a frequency that can obtain a frequency that is extremely close to the standard frequency.

このため、基準クロック信号CKの周波数は、正確に4
80 CkHz )でなければならないものではなく 
、480(kHz)の前後に若干のばらつきがあっても
許容系れるもので、要するに480 [kHz ]近傍
であればよいものである。
Therefore, the frequency of the reference clock signal CK is exactly 4
80 CkHz)
, 480 (kHz), it is acceptable even if there is a slight variation around 480 (kHz), and in short, it is sufficient as long as it is around 480 [kHz].

次に、第3図は前記高群分周回路13’Jf示すもので
ある。すなわち、この高群分周回路1318− は機能的にはプログラマブル分周器と等価なもので、4
ビツトシフトカウンタ回路20とプログラマブル状態検
出回路21と、バイナリカウンタ回路22とよりなるも
のである。このうち、4ビツトシフトカウンタ回路2O
は、4つのDタイプフリップフロラプ回路(以下DFF
回路という)201〜20df直列接続し、その最終段
のDFF回路20c及び20dの出力端Qを否定排他的
論理和回路(以下E X −NOR回路という)20e
を介して、初段のDFF回路20aの入力端りに接続す
るようにしたものである。
Next, FIG. 3 shows the high group frequency dividing circuit 13'Jf. In other words, this high group frequency divider circuit 1318- is functionally equivalent to a programmable frequency divider, and
It consists of a bit shift counter circuit 20, a programmable state detection circuit 21, and a binary counter circuit 22. Of these, 4-bit shift counter circuit 2O
consists of four D-type flip-flop circuits (hereinafter referred to as DFF).
201 to 20df are connected in series, and the output terminals Q of the final stage DFF circuits 20c and 20d are connected to an exclusive OR circuit (hereinafter referred to as an EX-NOR circuit) 20e.
It is connected to the input end of the first-stage DFF circuit 20a via the DFF circuit 20a.

そして、各DFF回路201L〜20dのクロック入力
端CKは、前記基準クロック信号CKの供給される入力
端子20fK接続されている。
The clock input terminal CK of each DFF circuit 201L to 20d is connected to the input terminal 20fK to which the reference clock signal CK is supplied.

また、図中20gは、前記ノ(ワーダウン信号PDの供
給される入力端子で、OR回路20bを介して各DFF
回路2Oa〜20(1のリセット入力端Rに接続されて
いる。そして、前記キー操作部J5のいずれかのキーが
操作され、第4図(−)に示すようにパワーダウン信号
PDがノンアクティブつまfiLレベルになされると、
前記基準発振回路11が駆動され第4図(b)に示すよ
うに基準クロック信号CKが発生される。すると、4ビ
ツトシフトカウンタ回路2Oは、動作を開始し、各DF
F回路20h〜20dの出力がプログラマブル状態検出
回路21に供給されるようになる。
In addition, 20g in the figure is an input terminal to which the worddown signal PD is supplied, and it is connected to each DFF via an OR circuit 20b.
It is connected to the reset input terminal R of circuits 2Oa to 20 (1). Then, when any key of the key operation section J5 is operated, the power down signal PD becomes inactive as shown in FIG. 4(-). When it is done to the fiL level,
The reference oscillation circuit 11 is driven and a reference clock signal CK is generated as shown in FIG. 4(b). Then, the 4-bit shift counter circuit 2O starts operating and each DF
The outputs of the F circuits 20h to 20d are supplied to the programmable state detection circuit 21.

ここで、上記プログラマブル状態検出回路21は、上記
各DFF回路20 a 〜20 dの出力を、高群分周
比データKC1% KC,に基づいて適宜演算し、上記
基準クロック信号CKt高群分周比データKC1〜KC
1で指定された分周比毎に区切るような第4図(C)に
示す如き分周・ぐルス信号を出力するものである。この
分周パルス信号は、前記OR回路20hf介して各DF
F回路20IL〜20(1のリセット入力端Rに供給さ
れるようになされており、Hレベルになる毎に4ビツト
シフトカウンタ回路2Oがリセットてれるようになって
いる。そして、上記分周パルス信号は、バイナリカウン
タ回路22に供給され、その立上9毎にレベル反転され
て、ここに第4図(d)に示すような高群分周信号φヨ
が生成されるものである。この場合、上記プログラマブ
ル状態検出回路21は、高群分周信号φ□のHレベル期
間とLレベル期間との割合が略50C%Eづつになるよ
うに分周・fルス信号を制御して出力しているものであ
る。そして、上記バイナリカウンタ回路22から出力さ
れる高群分周信号φヨは、出力端子23を介して、前記
高群コサイン波発生回路16に出力されるものである。
Here, the programmable state detection circuit 21 appropriately calculates the outputs of the DFF circuits 20 a to 20 d based on the high group frequency division ratio data KC1% KC, and calculates the reference clock signal CKt high group frequency division. Ratio data KC1~KC
It outputs a frequency division signal as shown in FIG. 4(C), which is divided by the frequency division ratio specified by 1. This frequency-divided pulse signal is applied to each DF via the OR circuit 20hf.
The signal is supplied to the reset input terminal R of F circuits 20IL to 20 (1), and the 4-bit shift counter circuit 2O is reset each time it becomes H level. The signal is supplied to the binary counter circuit 22, and its level is inverted every time it rises to generate a high group frequency division signal φyo as shown in FIG. 4(d). In this case, the programmable state detection circuit 21 controls and outputs the frequency division/f pulse signal so that the ratio of the H level period and the L level period of the high group frequency division signal φ□ is approximately 50C%E. The high group frequency divided signal φyo output from the binary counter circuit 22 is outputted to the high group cosine wave generating circuit 16 via the output terminal 23.

次に、第5図は前記低群分周回路14を示すものである
。この低群分周回路14も機能的にはプログラマブル分
周器と等価なもので、6ビ、トシフトカウンタ回路24
とプログラマブル状態検出回路25と、NOR回路2e
 a + x 6 bより構成されるセット−リセット
タイプフリ。
Next, FIG. 5 shows the low group frequency divider circuit 14. This low group frequency divider circuit 14 is also functionally equivalent to a programmable frequency divider, and is a 6-bit shift counter circuit 24.
, programmable state detection circuit 25, and NOR circuit 2e.
Set-reset type free consisting of a + x 6 b.

ゾフロップ回路(以下R−SFF回路という)26とよ
シなるものである。このうち、6ビツトシフトカウンタ
回路24は、6つのDFF回路24a〜24ff直列接
続し、そのDFF回路2l− 24e及び24fの出力端Q g E X −NORO
R回路24介f介、初段のDFF回路24mの入力端D
K接続するようにしたものである。
This is similar to the Zoflop circuit (hereinafter referred to as R-SFF circuit) 26. Among these, the 6-bit shift counter circuit 24 has six DFF circuits 24a to 24ff connected in series, and output terminals QgEX-NORO of the DFF circuits 2l-24e and 24f.
R circuit 24 f, input terminal D of first stage DFF circuit 24m
K connections are made.

そして、各DFF回路24a〜24fのクロック入力端
CKは、前記基準クロック信号CKの供給される入力端
子24bに接続されている。
The clock input terminal CK of each DFF circuit 24a to 24f is connected to the input terminal 24b to which the reference clock signal CK is supplied.

マタ、図中241は、前記パワーダウン信号PDの供給
される入力端子で、OR回路24」を介して各DFF回
路24&〜1141のリセット入力端Rに接続されてい
る。そして、前記キー操作部15のいずれかのキーが操
作され、第6図(、)に示すように)4ワ一ダウン信号
PDがノンアクティブつまJLレベルになされると、前
記基準発振回路1ノが駆動され第6図(b)に示すよう
に基準クロック信号CKが発生される。すると、6ビツ
トシフトカウンタ回路24は動作を開始し、各OFF回
路24h〜24fの出力がプログラマブル状態検出回路
25に供給されるようになる。
Reference numeral 241 in the figure is an input terminal to which the power down signal PD is supplied, and is connected to the reset input terminal R of each DFF circuit 24&~1141 via an OR circuit 24. Then, when any key of the key operation section 15 is operated and the 4-way down signal PD is made to the non-active or JL level (as shown in FIG. 6), the reference oscillation circuit 1 is driven, and a reference clock signal CK is generated as shown in FIG. 6(b). Then, the 6-bit shift counter circuit 24 starts operating, and the outputs of the OFF circuits 24h to 24f are supplied to the programmable state detection circuit 25.

ここで、上記プログラマブル状態検出回路22− 25は、上記各DFF回路24 a 〜24 fの出力
を、低群分周比データKR1%KR,に基づいて適宜演
算し、上記基準りaツク信号CK−i低群分周比データ
KR,〜KR,で指定された分周比毎に区切るような、
第6図(e) 、 (d)に示す如き分周パルス信号を
それぞれ出力するものである。この分周パルス信号のう
ちの一方(第6図(C)参照)は、前記OR回路24J
′fr介してDFF回路24a〜24fのリセット入力
端Rに供給されるようになされており、Hレベルになる
毎に6ビツトシフトカウンタ回路24がリセットされる
ようになっている。そして、これら分周パルス信号は、
R−SFF回路26に供給され、第6図(d)に示す分
周パルス信号の立上pでセットされ第6図(、)に示す
分周ノ4ルス信号の立上シでリセットされて、ここに第
6図(、)に示すような低群分周信号φ1が生成される
ものである。この場合、上記プログラマブル状態検出回
路25は、低群分周信号φ1のHレベル期間とLレベル
期間との割合が略50[%Eづつになるように分局パル
ス信号全制御して出力しているものである。そして、上
記R−SFF回路26から出力される低群分周信号φ、
は、出力端子27を介して、前記低群コサイン波発生回
路17に出力されるものである。
Here, the programmable state detection circuits 22-25 suitably calculate the outputs of the respective DFF circuits 24a to 24f based on the low group frequency division ratio data KR1%KR, and detect the outputs of the above-mentioned reference a check signals CK. −i Separate for each frequency division ratio specified by low group frequency division ratio data KR, ~KR,
It outputs frequency-divided pulse signals as shown in FIGS. 6(e) and 6(d), respectively. One of these frequency-divided pulse signals (see FIG. 6(C)) is supplied to the OR circuit 24J.
'fr is supplied to the reset input terminals R of the DFF circuits 24a to 24f, and the 6-bit shift counter circuit 24 is reset each time it becomes H level. And these frequency-divided pulse signals are
It is supplied to the R-SFF circuit 26, set at the rising edge of the frequency division pulse signal shown in FIG. 6(d), and reset at the rising edge of the frequency division pulse signal shown in FIG. 6(,). , here a low group frequency division signal φ1 as shown in FIG. 6(,) is generated. In this case, the programmable state detection circuit 25 controls and outputs the branch pulse signal so that the ratio of the H level period and the L level period of the low group frequency division signal φ1 is approximately 50%E. It is something. Then, the low group frequency division signal φ output from the R-SFF circuit 26,
is outputted to the low group cosine wave generation circuit 17 via the output terminal 27.

次に、第7図は前記高群コザイン波発生回路16f示す
ものである。すなわち、まず18個のDFF回路回路t
−I)isが直列接続されて、9ビツトシフト力ウンタ
回路28が構成されている。
Next, FIG. 7 shows the high group cosine wave generating circuit 16f. That is, first, 18 DFF circuits t
-I)is are connected in series to form a 9-bit shift power counter circuit 28.

これらDFF回路DI”Dlllのうち奇数符号の何重
れ九DFF回路D1 + D+1 r D5 e D?
 * D9 +D11 r D13 v I)ts l
 Dtyは、そのクロック入力端φが上記高群分周信号
φ□の供給される入力端子28hVC接続されている。
How many of these DFF circuits DI"Dlll have odd codes?
*D9 +D11 r D13 v I)ts l
Dty has its clock input terminal φ connected to the input terminal 28hVC to which the high group frequency division signal φ□ is supplied.

つまり、奇数符号の付されたDFF回路り1−yl)、
は、高群分周信号φ□の立上シで入力端りに供給された
信号をラッチして出力端Qから出力するものである。ま
た、上記DFF回路D1〜I)tsのうち偶数符号の付
されたDFF回路D2 # D4 * D6 e I)
s 1D+o r Dxz +014 + Dts +
 Dtsは1そのりoツク入力端φが上記入力端子28
aに接続されている。つまシ、偶数符号の付されたDF
FFF回路−2〜Isは、高群分周信号φ、の立下シで
入力端りに供給された信号をラッチして出力端Qから出
力するものである。
In other words, DFF circuits with odd numbers (1-yl),
latches the signal supplied to the input end at the rising edge of the high group frequency division signal φ□ and outputs it from the output end Q. Furthermore, among the above DFF circuits D1 to I)ts, the DFF circuit D2 with an even number code #D4*D6eI)
s 1D+or Dxz +014 + Dts +
Dts is 1, and the output terminal φ is connected to the input terminal 28.
connected to a. Tsumashi, DF with even number sign
The FFF circuits -2 to Is latch the signal supplied to the input terminal at the falling edge of the high group frequency division signal φ, and output it from the output terminal Q.

また、上記各DFF回路D1〜D11Bのリセット入力
端Rは、前記パワーダウン信号PDの供給される入力端
子28bに共に接続されている。
Further, the reset input terminals R of each of the DFF circuits D1 to D11B are connected to the input terminal 28b to which the power down signal PD is supplied.

さらに、9ビツトシフト力ウンタ回路28の最終段のD
FF’回路DIi1の出力端Qは、インバータ28cf
介して初段のDFF回路Dlの入力端りに接続されると
ともに、NOR回路29の一方の入力端に接続されてい
る。
Furthermore, the final stage D of the 9-bit shift power counter circuit 28
The output terminal Q of the FF' circuit DIi1 is connected to the inverter 28cf.
It is connected to the input end of the first-stage DFF circuit Dl through it, and is also connected to one input end of the NOR circuit 29.

ここにおいて、上記スイッチ回路81〜5illは、そ
れぞれDFFFF回路−1〜Dlll力に応じて、基準
電圧発生回路32から出力式れる基準電圧v11 y 
VB2 k選択的にコンデンサC1〜0111に供給さ
せるように動作するものである口すなわち、上記スイッ
チ回路S1〜StSはその1つ?例にとると、第8図に
示すように構成されている。つまシ、上記DFF回路D
1〜D1gの25− 出力が供給される入力端子33はPチャネルMOSトラ
ンジスタ34の制御電極に接続されるとともに、インバ
ータ35を介して他のPチャネルMOSトランジスタ3
60制御電極に接続されている。そして、これらトラン
ジスタ34゜36の一方の被制御電極は、それぞれ前記
基準電圧v 、■ の印加された電源ライン32 a。
Here, the switch circuits 81 to 5ill generate a reference voltage v11y which is outputted from the reference voltage generation circuit 32 in accordance with the DFFFF circuits-1 to Dllll, respectively.
Is one of the switch circuits S1-StS that operates to selectively supply VB2k to the capacitors C1-0111? For example, it is configured as shown in FIG. Tsumashi, above DFF circuit D
The input terminal 33 to which the 25- outputs of 1 to D1g are supplied is connected to the control electrode of the P channel MOS transistor 34, and is also connected to the other P channel MOS transistor 3 via the inverter 35.
60 control electrodes. One of the controlled electrodes of these transistors 34 and 36 is connected to the power supply line 32a to which the reference voltages v and 2 are applied, respectively.

RL R2 32bに接続され、各他方の被制御電極は、前記コンデ
ンサCI”C1lに接続される出力端子37に共に接続
されている。このため、上記DFF回路DI”Dlll
の出力端QがHレベルになされると、トランジスタ34
がオンし基準電圧■8□が出力端子37に発生され、ま
たDFF回路DI””’DI11の出力端QがLレベル
になされるとトランジスタ36がオンし基準電圧■8□
が出力端子37に発生されるようになるものである。
RL R2 32b, and the other controlled electrodes are both connected to an output terminal 37 connected to the capacitor CI"C1l. Therefore, the DFF circuit DI"Dllll
When the output terminal Q of the transistor 34 is set to H level, the transistor 34
is turned on and the reference voltage ■8□ is generated at the output terminal 37. Also, when the output terminal Q of the DFF circuit DI""'DI11 is set to L level, the transistor 36 is turned on and the reference voltage ■8□ is generated at the output terminal 37.
is generated at the output terminal 37.

この場合、上記基準電圧vR□1vR2は、■8□〉v
R□ なる関係となされており、特に基準電圧vR1の26一 方は、電源電圧を直接用いるようにしてもよいものであ
る。
In this case, the reference voltage vR□1vR2 is: ■8□〉v
The relationship is R□, and in particular, the power supply voltage may be used directly for one of the reference voltages vR1.

また、再び第7図に示すように、上記基準電圧vR□の
印加される電源ライン32hは、前記スイッチ31の他
端に接続されている。さらに、上記DFF回路Dlの出
力端Qは、上記NOR回路29の他方の入力端に接続さ
れている。そして、上記スイッチ31は、NOR回路2
9の出力がHレベルのときオンし、Lレベルのときオフ
するように動作するものである。
Further, as shown in FIG. 7 again, the power supply line 32h to which the reference voltage vR□ is applied is connected to the other end of the switch 31. Further, the output terminal Q of the DFF circuit Dl is connected to the other input terminal of the NOR circuit 29. The switch 31 is connected to the NOR circuit 2
It operates so that it is turned on when the output of No. 9 is at H level and turned off when it is at L level.

上記のような構成となされた高群コサイン波発生回路1
6において、以下その動作全説明する。まず、入力端子
28aに第9図(、)に示すような高群分周信号φ□が
供給されたとする。すると、各DF’F回路D1〜I)
taの出力は、第9図(b)〜(s)に示すように、高
群分周信号φ□を18分周したもので、かつ位相が高群
分周信号φ、の1/2周期づつシフトされたものとなる
。そして、上記NOR回路29の出力は、第9図(1)
に示すように、DFF回路D1の18分周出力(第9図
(b)参照)の1周期毎に、高群分周信号φヨの1/2
周期期間だけHレベルとなるようになされる。なお、以
下NOR回路29の出力がHレベルになったことi R
CH信号が発生はれたということにする。
High group cosine wave generation circuit 1 configured as above
6, the entire operation will be explained below. First, it is assumed that a high group frequency division signal φ□ as shown in FIG. 9(,) is supplied to the input terminal 28a. Then, each DF'F circuit D1 to I)
As shown in FIGS. 9(b) to (s), the output of ta is the high group frequency divided signal φ□ divided by 18, and the phase is 1/2 period of the high group frequency divided signal φ. It will be shifted one by one. The output of the NOR circuit 29 is shown in FIG. 9 (1).
As shown in FIG.
The signal is kept at H level only during the period. Note that the output of the NOR circuit 29 has become H level i R
It is assumed that a CH signal has been generated.

そして、今、第9図中時刻tlで同図(1)に示すよう
にRCH信号が発生されたとする。すると、上記スイッ
チ31がオンされ、基準電圧発生回路32から出力され
る基準電圧vR□がスイッチ31f、介して出力端子3
0に発生される。ここで、第10図は出力端子30に発
生される電圧レベルの変化を示すもので、理解を容易に
するために、第9図と同一時刻には同一記号を付して示
すとともに、高群分周信号φ□及びRCH信号も合わせ
て示している。
Now, suppose that the RCH signal is generated at time tl in FIG. 9 as shown in FIG. 9 (1). Then, the switch 31 is turned on, and the reference voltage vR□ output from the reference voltage generation circuit 32 is applied to the output terminal 3 via the switch 31f.
Generated at 0. Here, FIG. 10 shows changes in the voltage level generated at the output terminal 30. For ease of understanding, the same symbols are attached to the same times as in FIG. The frequency-divided signal φ□ and the RCH signal are also shown.

すなわち、時刻t1でRCH信号が発生されると、出力
端子30には基準電圧vR□が発生されることになる。
That is, when the RCH signal is generated at time t1, the reference voltage vR□ is generated at the output terminal 30.

このとき、第9図から明らかなように全てのDFF回路
D!〜Dtsの出力はLレベルになっているため、スイ
ッチ回路S工〜S1=は基準電圧V、1eコンデンサ0
1〜C,8に:出力している。つまシ、各コンデンサC
1〜CtSの第7図中上側には基準電圧■8□が印加さ
れ、下側にも基準電圧vR1が印加されていることにな
る。
At this time, as is clear from FIG. 9, all DFF circuits D! Since the output of ~Dts is at L level, the switch circuit S~S1= is the reference voltage V, 1e capacitor 0
1 to C, 8: Outputting. Tsumushi, each capacitor C
The reference voltage ■8□ is applied to the upper side of FIG. 7 from 1 to CtS, and the reference voltage vR1 is also applied to the lower side.

そして、時刻1.の次の高群分周信号φヨの立上シ(時
刻tz )で、第9図(b)に示すようにDFF回路D
!の出力端QがHレベルに反転されると、RCH信号は
発生停止(つまpLレベル)されスイッチ31がオフさ
れるとともに、スイッチ回路S1が基準電圧VB2全2
ヲデンサC!に出力するようになる。このとき、出力端
子30に生じる電圧変動は、各コンデンサCt〜C1l
の並列合成容量ヲCHとすると。
Then, time 1. At the rising edge of the next high group frequency division signal φY (time tz), the DFF circuit D is activated as shown in FIG. 9(b).
! When the output terminal Q of
Wodensa C! will be output to . At this time, the voltage fluctuation occurring at the output terminal 30 is
Let CH be the parallel combined capacity of .

となる。このため、出力端子30に発生される電圧は、 となる。ここで、前述したようにVR□〉vR□の29
− 関係があるため、(1)式で表わされる電圧呟け、第1
0図に示すように基準電圧■3□よりも低いものとなる
becomes. Therefore, the voltage generated at the output terminal 30 is as follows. Here, as mentioned above, 29 of VR□〉vR□
- Since there is a relationship, the voltage expressed by equation (1), the first
As shown in Figure 0, it is lower than the reference voltage ■3□.

次に、時刻1.の次の高群分周信号φヨの立下り(時刻
ts )で、第9図(C)に示すようにDFF回路り、
の出力端QがHレベルに反転されると、スイッチ回路S
!が基準電圧VB2eコンデンサC,に出力するように
なる。このため、出力端子30に発生される電圧は、 となり、第10図に示すように(1)式で表わされる直
よシもさらに低くなる。
Next, time 1. At the next falling edge of the high group frequency division signal φY (time ts), the DFF circuit is activated as shown in FIG. 9(C).
When the output terminal Q of is inverted to H level, the switch circuit S
! is now output to the reference voltage VB2e capacitor C. Therefore, the voltage generated at the output terminal 30 is as follows, and as shown in FIG. 10, the directivity expressed by equation (1) also becomes lower.

上記のようにしてDFFFF回路−3〜DI?力端Qが
順次Hレベルに反転されることにより、出力端子30に
発生される電圧は、第10図に示すように、高群分周信
号φ□の1/2周期毎に順次低くなっていくものである
As above, DFFFF circuit-3~DI? As the output terminal Q is sequentially inverted to H level, the voltage generated at the output terminal 30 becomes lower every 1/2 period of the high group frequency division signal φ□, as shown in FIG. It's something that will happen.

そして、今、時刻t4で第9図(、)に示すように最終
段のDFF回路回路taの出力端QがHレベル−30− に反転されると、スイッチ回路Slaが基準電圧■8□
をコンデンサC1lに出力するようになる。
Now, at time t4, when the output terminal Q of the final stage DFF circuit ta is inverted to H level -30- as shown in FIG.
is output to the capacitor C1l.

このため、出力端子30に発生される電圧は。Therefore, the voltage generated at the output terminal 30 is.

=vR2 とな9、ここに階段状の高群コサイン波信号の1A周期
が得られるものである。
=vR2, where 1A cycle of the stepped high group cosine wave signal is obtained.

ここで、上記各コンデンサ01〜C11lの容量は、電
圧変動の太き嘔ヲ決定するファクターとなっておシ第7
図中両端部に位置するコンデンサCteCtse最も小
さくシ、中央部に向かって順次大きくな9、コンデンサ
CG+CI。が最大となるように対称的に設定されてい
るものである。このようにすることにより、第10図に
示すように高群コサイン波信号の階段状の電圧変動幅を
制御し、よシコサイン波形に近づけるようにしているも
のである。
Here, the capacitance of each of the capacitors 01 to C11l is a factor that determines the width of the voltage fluctuation.
The capacitors CteCtse located at both ends in the figure are the smallest, and the capacitors 9 and CG+CI become larger toward the center. It is set symmetrically so that the maximum is achieved. By doing this, as shown in FIG. 10, the stepwise voltage fluctuation width of the high group cosine wave signal is controlled, and the waveform is brought closer to a high cosine waveform.

そして、この時刻t4において、各コンデンサC1〜C
tSの第7図中上側及び下側の電圧は、ともに基準電圧
vR□となるものである。
At this time t4, each capacitor C1 to C
The voltages on the upper and lower sides of tS in FIG. 7 are both the reference voltage vR□.

次に、時刻t4の次の高群分周信号φ3の立上シ(時刻
Ts )で、第9図(b)に示すようにDFF回路Dl
の出力端QがLレベルに反転されると、スイッチ回路S
1が基準電圧VR1にコンデンサC1に出力するように
なる。このため、出力端子30に発生される電圧は、 となる。ここで、前述し友ようにvRl〉VR□の関係
があるため、(2)式で表わされる電圧直は、第10図
に示すように基準電圧vR□よシも高いものとなる。
Next, at the rising edge of the next high group frequency division signal φ3 after time t4 (time Ts), the DFF circuit Dl
When the output terminal Q of is inverted to L level, the switch circuit S
1 is outputted to the capacitor C1 as the reference voltage VR1. Therefore, the voltage generated at the output terminal 30 is as follows. Here, because of the relationship vRl>VR□ as described above, the voltage value expressed by equation (2) is also higher than the reference voltage vR□, as shown in FIG.

そして、時刻t5の次の高群分周信号φ□の立下シ(時
刻1.)で、第9図(c)に示すようにDFF回路D!
の出力端QがLレベルに反転されると、スイッチ回路S
、が基準電圧VRX全コンデンサC2に出力するように
なシ、出力端子30に発生される電圧は、 となシ、第10図に示すように(2)式で表わされる値
よりもさらに高くなる。
Then, at the falling edge of the next high group frequency division signal φ□ at time t5 (time 1.), as shown in FIG. 9(c), the DFF circuit D!
When the output terminal Q of is inverted to L level, the switch circuit S
, so that the reference voltage VRX is output to all capacitors C2, the voltage generated at the output terminal 30 becomes even higher than the value expressed by equation (2), as shown in FIG. .

上記のようにしてDFFFF回路−3〜Dty力端Qが
順次Lレベルに反転されることにょ夛、出力端子3Oに
発生される電圧は、第10図に示すように、高群分周信
号φ□の1/2周期毎に順次高くなっていくものである
As the DFFFF circuit-3 to Dty output terminal Q are sequentially inverted to the L level as described above, the voltage generated at the output terminal 3O is as shown in FIG. The value gradually increases every 1/2 cycle of □.

そして、時刻t、で第9図(、)に示すようにDFF回
路Dlaの出力端QがLレベルに反転されると、第9図
(1)に示すように前記RCH信号が発生され、前記ス
イッチ31がオンされて出力端子30に発生される電圧
が元の基準電圧VB□にリフレッシュでれ、ここに高群
コサイン波信号の】周期が完成されるものである。
Then, at time t, when the output terminal Q of the DFF circuit Dla is inverted to L level as shown in FIG. 9(,), the RCH signal is generated as shown in FIG. 9(1), and the When the switch 31 is turned on, the voltage generated at the output terminal 30 is refreshed to the original reference voltage VB□, and the cycle of the high group cosine wave signal is completed.

33− 次に、第11図は前記低群コサイン波発生回路17を示
すものである。ただし、この低群コサイン波発生回路1
7は上述した高群コサイン波発生回路16と略同様な構
成であるため、第7図と同一部分には同一記号を付して
示し、ここでは異なる部分についてのみ説明する。
33- Next, FIG. 11 shows the low group cosine wave generating circuit 17. However, this low group cosine wave generation circuit 1
7 has substantially the same configuration as the above-mentioned high group cosine wave generation circuit 16, the same parts as in FIG. 7 are shown with the same symbols, and only the different parts will be explained here.

すなわち、この低群コサイン波発生回路17は、前記低
群分周信号φ、の16周期期間全1周期とするコサイン
波信号を生成するものであるから、16個のDFF回路
Dl−D1611r、直列接続してなる8ビツトシフト
カウンタ回路38を用いている点が、高群コサイン波発
生回路16と異なる点である。また、この場合、入力端
子28mには、低群分周信号φ1が供給されるもので、
NOR回路29の出力がHレベルになったことをRCL
信号が発生されたということにする。
That is, since the low group cosine wave generation circuit 17 generates a cosine wave signal in which the 16 period period of the low group frequency divided signal φ is one period in total, 16 DFF circuits Dl-D1611r are connected in series. The difference from the high group cosine wave generation circuit 16 is that an 8-bit shift counter circuit 38 is used. Furthermore, in this case, the low group frequency division signal φ1 is supplied to the input terminal 28m.
RCL indicates that the output of the NOR circuit 29 has become H level.
Let us assume that a signal has been generated.

ざらに、各コンデンサCI”’C16の容量は、第11
図中両端部に位置するコンデンサC,,C,。
Roughly speaking, the capacitance of each capacitor CI'''C16 is the 11th
Capacitors C,,C, located at both ends in the figure.

を最小とし、中央部に向がって順次大きくなり、コンデ
ンサca+c9が最大となるように対称34− 的に設定されているものである。
The capacitors are set symmetrically so that the capacitor ca+c9 is the minimum, gradually increases toward the center, and the capacitor ca+c9 is the maximum.

このように構成することにより、具体的な動作は前記高
群コサイン波発生回路16と同様に説明することができ
、出力端子3Oに第12図に示すような、低群分周信号
φ、の16周期期間を一周期とする低群コサイン波信号
が得られるようになるものである。
With this configuration, the specific operation can be explained in the same way as the high group cosine wave generation circuit 16, and the low group frequency divided signal φ, as shown in FIG. A low group cosine wave signal having one period of 16 periods can be obtained.

したがって、上記したような高群及び低群コサイン波発
生回路16.17によれば、各コンデンサCI”C18
及びax−ctsの両端に加わる電圧を順次可変して出
力端子30に高群及び低群コサイン波信号を得るように
したので、定常電流が流れることがなく、全体的に消費
電流を少なくすることができ、低電源電圧で動作可能と
なるものである。
Therefore, according to the high group and low group cosine wave generating circuits 16 and 17 as described above, each capacitor CI''C18
Since the voltages applied to both ends of the ax-cts and ax-cts are sequentially varied to obtain high-group and low-group cosine wave signals at the output terminal 30, no steady current flows, reducing overall current consumption. This makes it possible to operate with a low power supply voltage.

この点に関し、従来のコサイン波発生回路は、第13図
(、)に示すように、抵抗39の両端に基準電圧+v 
、−v’2それぞれ印加し、該抵抗39の所定位置に複
数のスイッチSW全接続し、このスイッチSW全コント
ロール信号によって順次オン、オフさせることによ)、
第13図(b)に示すようなコサイン波を得るようにし
ている。
Regarding this point, the conventional cosine wave generation circuit has a reference voltage +v across the resistor 39, as shown in FIG.
, -v'2 respectively, all the switches SW are connected to predetermined positions of the resistor 39, and all the switches SW are sequentially turned on and off by the control signal),
An attempt is made to obtain a cosine wave as shown in FIG. 13(b).

このため、従来の回路は、常に抵抗39に定常電流が流
れることになり、消費電流が多く、低電源電圧化が困難
なものであった。
For this reason, in the conventional circuit, a steady current always flows through the resistor 39, which consumes a large amount of current, making it difficult to lower the power supply voltage.

ところが、第7図及び第11図に示したような高群及び
低群コサイン波発生回路16.17によれば、消費電流
を少なくすることができ、低電源電圧化に寄与し得、ひ
いてはDTMF信号発生装置のCMO8集積回路化を効
果的に促進させることができるものである。
However, according to the high group and low group cosine wave generation circuits 16 and 17 as shown in FIGS. This can effectively promote CMO8 integrated circuit integration of the signal generator.

ここで、上記高群コサイン波発生回路16のコンデンサ
C1〜CI+1の容量値の比率は、コンデンサC1〜C
tSの全並列合成容量CHerlJとした場合、例えば
表(1)のように設定すると良好な高群コサイン波信号
を得ることができる。
Here, the ratio of the capacitance values of the capacitors C1 to CI+1 of the high group cosine wave generating circuit 16 is
When the total parallel composite capacitance CHerlJ is tS, a good high group cosine wave signal can be obtained by setting as shown in Table (1), for example.

37− この場合、コンデンサC1〜C1gの各容量値の比率は
、次のようにしてめられる。すなわち、18個あるコン
デンサct””ctsのうち、コンデンサct””ct
sの全並列合成容量CHを「1」と規格化した場合、コ
ンデンサC1からN番目のコンデンサまでの並列合成容
量、石、Ctは、 で表わされる。このため、N=1つまりコンデンサC,
の容量は、 とな、9、N=2つまシコンデンサc1.c2の並列合
成容量は、 となp、N=3つまシコンデンサ01〜c3の並列合成
容量は、 38− となる。このようにして得られた並列合成容量 、をま
とめると表(2)のようになる。
37- In this case, the ratio of each capacitance value of the capacitors C1 to C1g is determined as follows. In other words, among the 18 capacitors ct""cts, the capacitor ct""ct
When the total parallel combined capacitance CH of s is normalized as "1", the parallel combined capacitance, stone, Ct from the capacitor C1 to the Nth capacitor is expressed as follows. Therefore, N=1, that is, capacitor C,
The capacitance of is 9, N=2 capacitor c1. The parallel combined capacitance of c2 is p, and the parallel combined capacitance of N=3 capacitors 01 to c3 is 38-. The parallel combined capacitance obtained in this way is summarized in Table (2).

そして、例えばN=2のときの容量は(C1+C2)で
あるから、N=1のときの容量を引くことにより、0.
0302−0.0076=0.0226と前記衣(1)
に示したコンデンサC2の容を比が得られるものである
For example, since the capacitance when N=2 is (C1+C2), by subtracting the capacitance when N=1, 0.
0302-0.0076=0.0226 and the above clothing (1)
The ratio of the capacitance of capacitor C2 shown in FIG.

また、前記低群コサイン波発生回路17の各コンデンサ
ct−ctsの容量比も、上記と同様にしてめることが
でき、これを表(3)に示す。
Further, the capacitance ratio of each capacitor ct-cts of the low group cosine wave generating circuit 17 can also be determined in the same manner as described above, and is shown in Table (3).

表(3) ここで、前記高群及び低群コサイン波発生回路16.1
7は、例えば低群コサイン波発生回路17を例にとると
、第14図に示すように構成することもできる。すなわ
ち、これは8個のDFFFF回路−1〜DI+イッチ回
路81〜S8及びコンデンサ01〜C8を用いるように
したもので、入力端子28*に供給される低群分周信号
φL’fr’A分周回路40を介して各DFF回路D1
〜D8のクロック入力端φまたは1に導くようにしたも
のである。
Table (3) Here, the high group and low group cosine wave generation circuit 16.1
Taking the low group cosine wave generating circuit 17 as an example, 7 can also be configured as shown in FIG. That is, this uses eight DFFFF circuits -1 to DI+ switch circuits 81 to S8 and capacitors 01 to C8, and the low group frequency division signal φL'fr'A component supplied to the input terminal 28* is used. Each DFF circuit D1 via the circuit 40
~D8 clock input terminal φ or 1.

このように構成することによシ、入力端子281Lに第
15図(LL)に示すような低群分周信号φLが供給さ
れると、通分周回路4Oの出力は第15図(b)に示す
ようになる。そして、DFF回路DI ”’ D8 、
スイッチ回路S1〜Ss及びコンデンサC1〜C8がそ
れぞれ前述したように動作することによって、出力端子
30には第15図(c)に示すような低群コサイン波信
号を得ることができるものである。この低群コサイン信
号は、第12図に示したものと同様に、低群分周信号φ
Lの16周期期間を1周期とするもので1.$1241
− 図に示したものとは分解能が異なっているものである。
With this configuration, when the low group frequency division signal φL as shown in FIG. 15(LL) is supplied to the input terminal 281L, the output of the frequency division circuit 4O is as shown in FIG. 15(b). It becomes as shown in . Then, the DFF circuit DI "' D8,
By operating the switch circuits S1 to Ss and the capacitors C1 to C8 as described above, a low group cosine wave signal as shown in FIG. 15(c) can be obtained at the output terminal 30. This low group cosine signal is similar to that shown in FIG.
1. The 16 cycle period of L is one cycle. $1241
− The resolution is different from that shown in the figure.

このため、コサイノ波形としてあまり精度が要求されな
いような場合には、第14図に示すような構成とするこ
とにより、よシ一層構成を簡易化することができるもの
である。なお、第15図(d)はRCL信号の発生状態
を示すものである。
Therefore, in cases where high precision is not required for the cosino waveform, the configuration can be further simplified by adopting the configuration shown in FIG. 14. Note that FIG. 15(d) shows the generation state of the RCL signal.

また、高群コサイン波発生回路16についても、上記と
同様にして構成を簡易化することができることはもちろ
んである。この場合には、DFF回路、スイッチ回路及
びコンデンサの数を9個づつにして、高群分周信号φn
t−H分周してDFF回路のクロック入力端φまたはf
に供給させるようにすればよいものである。
It goes without saying that the configuration of the high group cosine wave generation circuit 16 can also be simplified in the same manner as described above. In this case, the number of DFF circuits, switch circuits, and capacitors is set to nine, and the high group frequency division signal φn
The clock input terminal φ or f of the DFF circuit is divided by tH.
It is only necessary to have it supplied to

さらに、前記高群コサイン波発生回路16は、第16図
に示すように、DFF回路010””Dlgのセット入
力端Sを入力端子28bに接続し、パワーダウン信号P
DがHレベルからLレベルに反転されたとき、DFF回
路り、%D、の出力端QがLレベルにリセットされ、O
FF回路DIG〜42− 1)tsの出力端QがHレベルにセットされるようにす
れば、サイン波形を得るようにすることもでき、必要に
応じて適宜選択し得る蝿のである。
Furthermore, as shown in FIG. 16, the high group cosine wave generation circuit 16 connects the set input terminal S of the DFF circuit 010""Dlg to the input terminal 28b, and the power down signal P
When D is inverted from H level to L level, the DFF circuit output terminal Q of %D is reset to L level, and O
FF circuit DIG~42-1) If the output terminal Q of ts is set to H level, a sine waveform can be obtained, which can be selected as appropriate.

また、前記低群コサイン波発生回路17においても、D
FFFF回路−9〜Isのセット入力端Sを入力端子2
8bに接続することにより、サイン波形が得られること
はもちろんである。
Also, in the low group cosine wave generation circuit 17, D
Set input terminal S of FFFF circuit-9 to Is to input terminal 2
Of course, by connecting to 8b, a sine waveform can be obtained.

次に、第17図は前記出力合成回路18を示すものであ
る。すなわち、図中′41は入力端子で、前記高群コサ
イン波発生回路16から出力される高群コサイン波信号
が供給されるものである。この入力端子41はコンデン
サCFI 1 + cH2を直列に介して接地されてい
る。そして、上記コンデンサC旧+CH2の接続点は、
スイッチ回路42を介して基準電圧VBBO印加された
電源端子43に接続されるとともに演算増幅器op。
Next, FIG. 17 shows the output synthesis circuit 18. That is, in the figure, '41' is an input terminal to which the high group cosine wave signal outputted from the high group cosine wave generating circuit 16 is supplied. This input terminal 41 is grounded via a capacitor CFI 1 + cH2 in series. And the connection point of the above capacitor C old + CH2 is
It is connected via a switch circuit 42 to a power supply terminal 43 to which a reference voltage VBBO is applied, and is also connected to an operational amplifier OP.

の非反転入力端(+)に接続されている。ここで、上記
スイッチ回路42は、前記高群コサイン波発生回路16
のNOR回路29から発生されるRCHM 号の有無、
つま#)Hレベル、Lレベルに応じてオン、オフされる
ものである。そして、上記コンデンサC旧1 CH2及
びスイッチ回路42等よりなる回路が、高群レベル変換
回路44を構成するものである。
is connected to the non-inverting input terminal (+) of Here, the switch circuit 42 is connected to the high group cosine wave generating circuit 16.
the presence or absence of the RCHM signal generated from the NOR circuit 29;
#) It is turned on and off depending on the H level and L level. A circuit including the capacitor C1CH2 and the switch circuit 42 constitutes a high group level conversion circuit 44.

一方、第17図中45は入力端子で、前記低群コサイン
波発生回路17から出力される低群コサイン波信号が供
給されるものである。この入力端子45はコンデンサC
L11CL2を直列に介して接地されている。そして上
記コンデンサCLIlCL2の接続点は、スイッチ回路
46を介して基準電圧VR3の印加された電源端子47
に接続されるとともに、演算増幅器OP2の非反転入力
端(+)に接続されている。
On the other hand, numeral 45 in FIG. 17 is an input terminal to which the low group cosine wave signal output from the low group cosine wave generating circuit 17 is supplied. This input terminal 45 is a capacitor C
It is grounded via L11CL2 in series. The connection point of the capacitor CLI1CL2 is connected to the power supply terminal 47 to which the reference voltage VR3 is applied via the switch circuit 46.
It is also connected to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier OP2.

ここで、上記スイッチ回路46は、前記低群コサイン波
発生回路17のNOR回路29から発生されるRCL信
号の有無つまりHレベル、Lレベルに応じてオン、オフ
されるものである。そして上記コンデンサCLI + 
Cu2及びスイッチ回路46等よシなる回路が低群レベ
ル変換回路48を構成するものである。
Here, the switch circuit 46 is turned on or off depending on the presence or absence of the RCL signal generated from the NOR circuit 29 of the low group cosine wave generation circuit 17, that is, the H level or L level. And the above capacitor CLI +
Circuits such as Cu2 and the switch circuit 46 constitute the low group level conversion circuit 48.

ここで、上記演算増幅器0P110P2は、それぞれそ
の出力端が反転入力端(−)に接続された♂ルテージフ
ォロワ構成となされておシ、インピーダンス変換用の緩
衝増幅器49.50を構成しているものである。この緩
衝増幅器49゜50の出力端は、それぞれ抵抗R1+R
1を介して互いに接続されておシ、その接続点はNPN
形のトランジスタTr!のペースに接続されている。ま
た、このトランジスタTr1のコレクタは直流電圧(+
Va)の印加された電源端子51に接続され、エミッタ
は出力端子52に接続されている。そして、上記緩衝増
幅器49,50、抵抗R1+R2及びトランジスタTr
1等よシなる回路が、ミクシング回路53を構成するも
のである。
Here, the operational amplifiers 0P110P2 each have a female logic follower configuration in which their output terminals are connected to the inverting input terminal (-), and constitute buffer amplifiers 49 and 50 for impedance conversion. It is. The output terminals of this buffer amplifier 49°50 are connected to resistors R1+R, respectively.
1, and the connection point is NPN
Transistor Tr! Connected to the pace of. In addition, the collector of this transistor Tr1 is connected to a DC voltage (+
It is connected to a power supply terminal 51 to which Va) is applied, and its emitter is connected to an output terminal 52. The buffer amplifiers 49, 50, resistors R1+R2 and transistors Tr
The mixing circuit 53 is a circuit of the first order of magnitude.

上記のような構成の出力合成回路18において、まず入
力端子41に供給された高群コサイン波信号は、コンデ
ンサCHI r CHIの容量比に応じてレベル変換さ
れ、その1周期毎にスイッチ回路42がオンされること
によシ基準電圧Vnst−基準としてレベルシフトされ
る。また、入力端子45に供給された低群コサイン波信
号45− も、コンデンサCLI + Cu2の容量比に応じてレ
ベル変換され、その1周期毎にスイッチ回路46がオン
されることによシ基準電圧viaを基準としてレベルシ
フトされる。このようなレベル変換動作は、後段のミク
シング回路53で電圧合成し易いようにしているための
ものである。
In the output synthesis circuit 18 configured as described above, first, the high group cosine wave signal supplied to the input terminal 41 is level-converted according to the capacitance ratio of the capacitors CHI r CHI, and the switch circuit 42 is switched every cycle. By being turned on, the level is shifted as reference voltage Vnst-reference. In addition, the low group cosine wave signal 45- supplied to the input terminal 45 is also level-converted according to the capacitance ratio of the capacitors CLI + Cu2, and the switch circuit 46 is turned on every cycle to convert the level to the reference voltage. The level is shifted based on the via. Such a level conversion operation is intended to facilitate voltage synthesis in the mixing circuit 53 at the subsequent stage.

そして、上記のようにレベル変換された高群及び低群コ
サイン波信号は、それぞれ緩衝増幅器49.50及び抵
抗R11R2を介して電圧合成され、トランジスタTr
1で電流変換されて、DTMF信号として出力端子52
を介して電話回線に送出されるものである。要するに、
出力合成回路18は、電話回線のDTMF信号を送出す
るために適した電圧振幅、出力インピーダンス等を付与
する作用を行なうものでおる。
The high group and low group cosine wave signals level-converted as described above are voltage-synthesized via buffer amplifiers 49 and 50 and resistors R11R2, respectively, and the transistors Tr
1, the current is converted and output as a DTMF signal to the output terminal 52.
It is sent to the telephone line via the telephone line. in short,
The output synthesis circuit 18 functions to provide voltage amplitude, output impedance, etc. suitable for transmitting a DTMF signal of a telephone line.

したがって、上記のような出力合成回路18によれば、
ミクシング回路530信号入力部である緩衝増幅器49
.50はその入力インピーダンスが高いため、ミクシン
グ回路53に対する信号供給部であるレベル変換回路4
4 、4846− としてコンデンサC旧+ CH2及びct、i l C
L2を用いたインピーダンスの高いものを用いることが
でき、良好なりTMF信号を生成し得るとともに、構成
を簡易化することができるものである。
Therefore, according to the output synthesis circuit 18 as described above,
Buffer amplifier 49 which is a signal input section of mixing circuit 530
.. 50 has a high input impedance, so the level conversion circuit 4 which is a signal supply section to the mixing circuit 53
4, 4846- as capacitor C old + CH2 and ct, i l C
A high impedance device using L2 can be used, a good TMF signal can be generated, and the configuration can be simplified.

この点に関し、従来の出力合成回路は、第18図(&)
に示すように、入力端子54.55に供給された高群及
び低群コサイン波信号を、抵抗Ra+R+e介して電流
加算し、ダーリントン接続されたトランジスタTr2 
、 TrBを介して出力端子56からDTMF信号を得
るようにしたり、第18図(b)に示すように、入力端
子57゜58に供給された高群及び低群コサイン波信号
を、抵抗R5、R6を介して合成し、演算増幅器OP、
及び抵抗R7よりなる増幅器59を介して出力端子60
からDTMF信号を得るようにしている。このため、入
力インピーダンスが低く、入力信号源としてもインピー
ダンスの低いものでなければ使用することができないと
いう問題を有するとともに、特に低電圧で動作させるこ
とが困難になるものである。
Regarding this point, the conventional output synthesis circuit is shown in FIG.
As shown in , the high group and low group cosine wave signals supplied to the input terminals 54 and 55 are current-added via the resistors Ra+R+e, and the Darlington-connected transistor Tr2
, TrB to obtain the DTMF signal from the output terminal 56, or as shown in FIG. Combined via R6, operational amplifier OP,
and an output terminal 60 via an amplifier 59 consisting of a resistor R7.
The DTMF signal is obtained from For this reason, the input impedance is low, and there is a problem in that it cannot be used as an input signal source unless it has low impedance, and it is particularly difficult to operate at a low voltage.

ところが、第17図に示した出力合成回路18によれば
、入力信号源として前述したように容量性のものをも自
由に使用し得るとともに、MOS )ランジスタを用い
ることによシ容易に低電圧化を図ることができるもので
ある。
However, according to the output synthesis circuit 18 shown in FIG. 17, as mentioned above, a capacitive type can be freely used as the input signal source, and low voltage can be easily achieved by using a MOS transistor. It is possible to aim for

次に、第19図乃至第23図は、それぞれ上記出力合成
回路18の他の例を示すものである。
Next, FIGS. 19 to 23 show other examples of the output synthesis circuit 18, respectively.

まず、第19図に示すものは、前記緩衝増幅器49.5
0をNチャネルMOS )ランゾスタQs+Q4及びQ
s+Qsを用いて構成するようにしたもので、この場合
ソースフォロワ構成となされている。このようにすれば
、簡易な構成で入力インピーダンスを高くかつ出力イン
ピーダンス全群くすることができるとともに、特に低電
圧動作を容易に可能とすることができるものである。
First, what is shown in FIG. 19 is the buffer amplifier 49.5.
0 to N channel MOS) Lanzostar Qs+Q4 and Q
It is configured using s+Qs, and in this case, it has a source follower configuration. In this way, it is possible to make the input impedance high and the output impedance all the groups with a simple configuration, and in particular, low voltage operation can be easily made possible.

また、第20図に示すものは、NチャネルMOSトラン
ジスタQ7〜Q9で差動回路を構成し、トランジスタQ
? 、Qllのソース合成電圧’i DTMF信号とし
て取シ出すようにしたものである。
In addition, the one shown in FIG. 20 configures a differential circuit with N-channel MOS transistors Q7 to Q9, and the transistor Q
? , Qll's source composite voltage 'i is taken out as a DTMF signal.

さらに、第21図に示すものは、高群及び低群コサイン
波信号をコンデンサ61*、62@及び演算増幅器OP
410P5よ勺なる積分回路61.62と抵抗R81R
Iを介して合成し、抵抗RtO及び演算増幅器0Psよ
りなる増幅器63を介してDTMF信号を得るようにし
たものである。
Furthermore, what is shown in FIG.
Integrating circuit 61.62 and resistor R81R are better than 410P5
DTMF signal is obtained through an amplifier 63 consisting of a resistor RtO and an operational amplifier 0Ps.

また、第22図に示すものは、入力端子64゜65に供
給された高群及び低群コサイン波信号を、第19図に示
したようなソースフォロワ回路66.67及び抵抗al
l + Rls k介して合成し、抵抗ats l 1
R14* R15%演算増幅器OP7よシなる増幅器6
8及びトランジスタTr4ffi介してDTMF信号を
得るようにしたものである。この場合、演算増幅器0P
70反転入力端(−)に印される電圧は、基準電圧VR
4’cソースフォロワ回路69を介して得るようにして
いる。ここで、抵抗R13は演算増幅器0Pyの入力抵
抗でメク、抵抗R14r Rtsは増幅器68のrイン
設定用の49− ものとなる。
In addition, in the device shown in FIG. 22, the high group and low group cosine wave signals supplied to the input terminals 64 and 65 are connected to source follower circuits 66 and 67 and resistors al as shown in FIG.
synthesized through l + Rls k, resistor ats l 1
R14* R15% Amplifier 6 similar to operational amplifier OP7
8 and transistor Tr4ffi to obtain a DTMF signal. In this case, operational amplifier 0P
The voltage applied to the inverting input terminal (-) of 70 is the reference voltage VR
4'c source follower circuit 69. Here, the resistor R13 is the input resistance of the operational amplifier 0Py, and the resistor R14r Rts is the 49-pin resistor for setting the r-in of the amplifier 68.

さらに、第23図に示すものは、抵抗R11゜Rlmを
介して合成された信号を、演算増幅器OPs及び抵抗R
111r R1?よυなる増幅器70を介してトランジ
スタTr4に導くようにしたものである。この場合、抵
抗R16が増幅器70のrイン設定用であシ、抵抗at
yが演算増幅器opsの入力抵抗である。
Furthermore, in the configuration shown in FIG.
111r R1? The signal is led to the transistor Tr4 via an amplifier 70 of υ. In this case, resistor R16 is for the r-in setting of amplifier 70, and resistor at
y is the input resistance of the operational amplifier ops.

ここで、上述した種々の出力合成回路18において、高
群及び低群コサイン波信号のレベル変換の必要がない場
合には、高群及び低群コサイン波発生回路16.17か
ら出力された高群及び低群コサイン波信号を、高群及び
低群レベル変換回路44,411を介さずに、上述した
ように合成してもよいことはもちろんである。
Here, in the various output combining circuits 18 described above, if there is no need to convert the level of the high group and low group cosine wave signals, the high group and low group cosine wave signals output from the high group and low group cosine wave generating circuits 16 and 17 Of course, the and low group cosine wave signals may be combined as described above without going through the high group and low group level conversion circuits 44 and 411.

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be implemented with various modifications without departing from the gist thereof.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

したがって、以上詳述したようにこの発明に50− よれば、低電源電圧で動作可能であシ、構成簡易にして
経済的にも有利であるとともに、集積回路化を効果的に
促進させ得る極めて良好なりTMF信号発生装置を提供
することができる。
Therefore, as detailed above, according to the present invention, it is possible to operate with a low power supply voltage, has a simple structure, is economically advantageous, and is extremely effective in promoting integrated circuits. A good TMF signal generator can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明に係るDTMF信号発生装置の一実施
例を示すブロック回路構成図、第2図は同実施例の基準
発振回路の詳細を示す回路構成図、第3図及び第4図は
それぞれ同実施例の高群分周回路を示すブロック構成図
及びその動作を説明するためのタイミング図、第5図及
び第6図はそれぞれ同実施例の低群分周回路を示すブロ
ック構成図及びその動作を説明するためのタイミング図
、第7図は同実施例の高群コサイン波発生輿路を示すブ
ロック構成図、第8図は同高群コサイン波発生回路のス
イッチ回路の詳細金示す回路構成図、第9図及び第10
図はそれぞれ同高群コサイン波発生回路の動作を説明す
るためのタイミング図、第11図及び第12図はそれぞ
れ同実施例の低群コサイン波発生回路を示すブロック構
成図及びその動作を説明するためのタイミング図、第1
3図は従来のコサイン波発生回路の説明図、第14図及
び第15図はそれぞれ低群コサイン波発生回路の変形例
を示すブロック構成図及びその動作を説明するためのタ
イミング図、第16図は高群コサイン波発生回路の変形
例を示すブロック構成図、第17図は同実施例の出力合
成回路を示すブロック回路構成図、第18図は従来の出
力合成回路を示すブロック回路構成図、第19図乃至第
23図はそれぞれ同実施例の出力合成回路の他の例を示
すブロック回路構成図である。 11・・・基準発振回路、12・・・キー入力インター
フェース回路、13・・・高群分周回路、14・・・低
群分周回路、15・・・キー操作部、16・・・高群コ
サイン波発生回路、17・・・低群コサイン波発生回路
、18・・・出力合成回路、19・・・出力端子、20
・・・4ビツトシフトカウンタ回路、2ノ・・・プログ
ラマブル状態検出回路、22・・・バイナリカウンタ回
路、23・・・出力端子、24・・・6ビツトシフトカ
ウンタ回路、25・・・プログラマゾル状態検出回路、
26・・・R−8FF回路、27・・・出力端子、28
・・・9ビツトシフトカウ/り回路、29・・・NOR
回路、30・・・出力端子、31・・・スイッチ、32
・・・基準電圧発生回路、33・・・入力端子、34・
・・PチャネルMO8)ランジスタ、35・・・インバ
ータ、36・・・PチャネルMO8)ランジスタ、37
・・・出力端子、38・・・8ビツトシフトカウンタ回
路、39・・・抵抗、40・・・性分周回路、41・・
・入力端子、42・・・スイッチ回路、43・・・電源
端子、44・・・高群レベル変換回路、45・・・入力
端子、46・・・スイッチ回路、47・・・電源端子、
48・・・低群レベル変換回路、49.50・・・緩衝
増幅器、51・・・電源端子、52出力端子、53・・
・ミクシング回路、54.55・・・入力端子、56・
・・出力端子、57.58・・・入力端子、59・・・
増幅器、60・・・出力端子、61 t 62・・・積
分回路、63・・・増幅器、64.65・・・入力端子
、66.67・・・ソースフォロワ°回路ζ6“8・・
・増幅器、69・・・ソースフォロワ回路、70・・・
増幅器。 53− 第17図 第18図 (a) (b)
FIG. 1 is a block circuit configuration diagram showing an embodiment of the DTMF signal generator according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing details of the reference oscillation circuit of the same embodiment, and FIGS. 3 and 4 are FIGS. 5 and 6 are block configuration diagrams showing a high group frequency divider circuit of the same embodiment and timing diagrams for explaining its operation, respectively, and FIGS. 7 is a block diagram showing the high group cosine wave generation circuit of the same embodiment, and FIG. 8 is a circuit showing details of the switch circuit of the high group cosine wave generating circuit. Configuration diagram, Figures 9 and 10
The figures are timing diagrams for explaining the operation of the high-group cosine wave generation circuit, respectively, and FIGS. 11 and 12 are block diagrams showing the low-group cosine wave generation circuit of the same embodiment and their operations, respectively. Timing diagram for, 1st
3 is an explanatory diagram of a conventional cosine wave generation circuit, FIGS. 14 and 15 are a block diagram showing a modified example of the low group cosine wave generation circuit, and a timing diagram for explaining its operation, and FIG. 16 17 is a block diagram showing a modified example of the high group cosine wave generation circuit, FIG. 17 is a block circuit diagram showing the output synthesis circuit of the same embodiment, and FIG. 18 is a block circuit diagram showing a conventional output synthesis circuit. FIGS. 19 to 23 are block circuit configuration diagrams showing other examples of the output synthesis circuit of the same embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Reference oscillation circuit, 12... Key input interface circuit, 13... High group frequency dividing circuit, 14... Low group frequency dividing circuit, 15... Key operation section, 16... High Group cosine wave generation circuit, 17... Low group cosine wave generation circuit, 18... Output synthesis circuit, 19... Output terminal, 20
... 4-bit shift counter circuit, 2... Programmable state detection circuit, 22... Binary counter circuit, 23... Output terminal, 24... 6-bit shift counter circuit, 25... Programmer sol state detection circuit,
26... R-8FF circuit, 27... Output terminal, 28
...9-bit shift counter/recircuit, 29...NOR
Circuit, 30... Output terminal, 31... Switch, 32
...Reference voltage generation circuit, 33...Input terminal, 34.
...P channel MO8) transistor, 35...inverter, 36...P channel MO8) transistor, 37
... Output terminal, 38... 8-bit shift counter circuit, 39... Resistor, 40... Frequency divider circuit, 41...
- Input terminal, 42... Switch circuit, 43... Power supply terminal, 44... High group level conversion circuit, 45... Input terminal, 46... Switch circuit, 47... Power supply terminal,
48... Low group level conversion circuit, 49.50... Buffer amplifier, 51... Power supply terminal, 52 Output terminal, 53...
・Mixing circuit, 54.55... Input terminal, 56.
...Output terminal, 57.58...Input terminal, 59...
Amplifier, 60... Output terminal, 61 t 62... Integrating circuit, 63... Amplifier, 64.65... Input terminal, 66.67... Source follower ° circuit ζ6"8...
・Amplifier, 69... Source follower circuit, 70...
amplifier. 53- Figure 17 Figure 18 (a) (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 操作されたキーの種別に対応して基準周波数信号をそれ
ぞれ二種の規格周波数にまで分周するとともに該分周周
期とほぼ等しい周期をもつサイン波信号を発生する分周
及びサイン波発生手段と、このサイン波発生手段から出
力された両信号を合成して得られたDTMF信号全電話
回線に送出する合成手段とを有するDTMF信号発生装
置において、前記基準周波数信号を発生する回路(i−
MO8形半導体素子と固有振動素子とを含んで構成しか
つ発振周波数k 480 [kHz ]近傍に設定する
とともに、前記分周手段に対して前記480 [kHz
コ近傍の基準周波数信号を前記規格周波数にまで分周し
得る分周比分与えるようにしてなることを特徴とするD
TMF信号発生装置。
Frequency division and sine wave generation means that divides the reference frequency signal into two standard frequencies in accordance with the type of operated key, and generates a sine wave signal having a period approximately equal to the frequency division period; , and a DTMF signal generating means for combining both signals outputted from the sine wave generating means and transmitting the obtained DTMF signal to all telephone lines, the circuit for generating the reference frequency signal (i-
The structure includes an MO8 type semiconductor element and a natural vibration element, and the oscillation frequency is set near k 480 [kHz], and the 480 [kHz] is set in the vicinity of the frequency dividing means.
D characterized in that the reference frequency signal in the vicinity of D is provided by a frequency division ratio that can divide the reference frequency signal to the standard frequency.
TMF signal generator.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5289403A (en) * 1975-07-10 1977-07-27 Western Electric Co Scanning circuit
JPS545923A (en) * 1977-06-15 1979-01-17 Bayer Ag Phosphoric acid esters

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