JPS60136220A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS60136220A JPS60136220A JP24331783A JP24331783A JPS60136220A JP S60136220 A JPS60136220 A JP S60136220A JP 24331783 A JP24331783 A JP 24331783A JP 24331783 A JP24331783 A JP 24331783A JP S60136220 A JPS60136220 A JP S60136220A
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- Japan
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- gas
- substrate
- hydrogen
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- wall
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/0237—Materials
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- H01L21/02395—Arsenides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にＧａＡＳ。
ＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体装置を製造するための気
相エピタキシャル工程での製造設備に関するものである
。
相エピタキシャル工程での製造設備に関するものである
。
通常、ＧａＡｓ等の気相エピタキシャル成長ヲ行なうに
は、反応炉の形態として横型、タテ型、ペルジャー型等
の反応炉がある。また、成長機構としては、■族のガリ
ウムソースとしての金属ガリウムおよび■族のに９ ソ
ースとしての三塩化砒素（ＡｓＣ４）を用いるハライド
法や有機金Ｊｆ４（トリメチルガリウム、トリエチルガ
リウム）とアルシン（、Ａｓ八）の熱分解法がある。後
者はふつうＭＯ−ＣＶｉ）（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ Ｃｈｅｍｊｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法と称される。
は、反応炉の形態として横型、タテ型、ペルジャー型等
の反応炉がある。また、成長機構としては、■族のガリ
ウムソースとしての金属ガリウムおよび■族のに９ ソ
ースとしての三塩化砒素（ＡｓＣ４）を用いるハライド
法や有機金Ｊｆ４（トリメチルガリウム、トリエチルガ
リウム）とアルシン（、Ａｓ八）の熱分解法がある。後
者はふつうＭＯ−ＣＶｉ）（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ Ｃｈｅｍｊｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法と称される。
一般に、ＧａＡａのような化合物半導体の気相成長では
、非常に大きな反応生成物の反応管管壁への付着（ウオ
ールデボジ−ジョン）が認められる。
、非常に大きな反応生成物の反応管管壁への付着（ウオ
ールデボジ−ジョン）が認められる。
ウオールデポジ−ジョンが大きな場合には、この付着物
が管壁よシはかれ洛ちる。特に、成長前に基板を反応炉
内の所定位ちに置く際や成長中に、基板上に落下物があ
ると、エピタキシャル成長後の基板に結晶欠陥等を生じ
る原因となｐうる。さらには、半導体装置（例えば、Ｇ
ａＡｓ −ＦＥＴ、 Ｌ／ −ザー等）も、満足な特性
のものを得られない。
が管壁よシはかれ洛ちる。特に、成長前に基板を反応炉
内の所定位ちに置く際や成長中に、基板上に落下物があ
ると、エピタキシャル成長後の基板に結晶欠陥等を生じ
る原因となｐうる。さらには、半導体装置（例えば、Ｇ
ａＡｓ −ＦＥＴ、 Ｌ／ −ザー等）も、満足な特性
のものを得られない。
本発明は、結晶欠陥を防止するためにウオールデボジ−
ジョンを少なくし得る製造装置を掃供することにある。
ジョンを少なくし得る製造装置を掃供することにある。
本発明は、半導体の製造工程中水素やアルゴン等の気体
を反応管壁に沿りて流すことを特徴とするので、以下本
発明の実施例について図面によシ詳細に説明する。
を反応管壁に沿りて流すことを特徴とするので、以下本
発明の実施例について図面によシ詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例でアシ、ここに示された反応
炉は、ベルジャ型である。またソースガスはトリメチル
ガリウムとアルシン（Ａｊ！ＧａＡｓのような三元混晶
の場合には、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウムおよびアルシン）を用いたＭＯ−ＣＶＤ法である。
炉は、ベルジャ型である。またソースガスはトリメチル
ガリウムとアルシン（Ａｊ！ＧａＡｓのような三元混晶
の場合には、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウムおよびアルシン）を用いたＭＯ−ＣＶＤ法である。
第１図において、コイル８で高周波誘導によシ加熱され
るサセプタ２上に、ＧａＡｓの単結晶基板１が載置され
る。キャリア水素で希釈したソースガスは、中心部のガ
スノズルの中段３よシ、水平方向に放射状に反応炉内に
導入される。基板１上方で加熱されたソースガスが熱分
解され、基板１上にエピタキシャル層の形成がなされる
。反応後ガスは排気口４よシ反応炉外に排出される。熱
分解反応エピタキシャル成長を広うために基板１は□ｌ ６００〜７５０℃の温度に加熱される。このために反応
炉内部では大きな熱対流が生じる。熱分解で生じたＧａ
、 Ａｓ、 ＧａＡｓ等がこの熱対流に乗シ、反応炉内
上部にまで上昇し、石英製インナーベルジャ５の内側に
付着する。また、 ＭＯ−ＣＶＤ法は、通常トリメチル
ガリウム等の■族の流量よシ、■族のアルシン流量のｔ
Ｘうが多い状態でエピタキシャル成長が行なわれる。こ
のため、 ＧａＡｓとして不必要な過剰なＡｓ が多量
に存在する。このこともウォールデボジッションの大き
い、ひとつの要因である。なお７はステンレスベルジャ
ーで６．Ｌ。
るサセプタ２上に、ＧａＡｓの単結晶基板１が載置され
る。キャリア水素で希釈したソースガスは、中心部のガ
スノズルの中段３よシ、水平方向に放射状に反応炉内に
導入される。基板１上方で加熱されたソースガスが熱分
解され、基板１上にエピタキシャル層の形成がなされる
。反応後ガスは排気口４よシ反応炉外に排出される。熱
分解反応エピタキシャル成長を広うために基板１は□ｌ ６００〜７５０℃の温度に加熱される。このために反応
炉内部では大きな熱対流が生じる。熱分解で生じたＧａ
、 Ａｓ、 ＧａＡｓ等がこの熱対流に乗シ、反応炉内
上部にまで上昇し、石英製インナーベルジャ５の内側に
付着する。また、 ＭＯ−ＣＶＤ法は、通常トリメチル
ガリウム等の■族の流量よシ、■族のアルシン流量のｔ
Ｘうが多い状態でエピタキシャル成長が行なわれる。こ
のため、 ＧａＡｓとして不必要な過剰なＡｓ が多量
に存在する。このこともウォールデボジッションの大き
い、ひとつの要因である。なお７はステンレスベルジャ
ーで６．Ｌ。
このようなウォールデボジッションを防止するために設
けたのがガスノズル６である。このノズル６よシイノナ
−ペルシャ５天囲中央部に向けて水素ガス（アルゴンで
もよい）を放出する。放出されたガスはインナーベルジ
ヤ５０内面に沿って流れ下シ、排気口にむかう。インナ
ーベルジャ内側には、水素ガス流層が形成されることと
なる。
けたのがガスノズル６である。このノズル６よシイノナ
−ペルシャ５天囲中央部に向けて水素ガス（アルゴンで
もよい）を放出する。放出されたガスはインナーベルジ
ヤ５０内面に沿って流れ下シ、排気口にむかう。インナ
ーベルジャ内側には、水素ガス流層が形成されることと
なる。
このガス流層のない場合には、反応ガスが直接インナー
ベルジー５内面に接していたものが。
ベルジー５内面に接していたものが。
ス流層のために接触は阻止されることとなる。
れでウォールデボジッシジンは大幅に低減で以上の説明
はエピタキシャル成長の場合にて説明したものであるが
、サセプタ上に堆積多結晶ＱａＡＳ Ｗｔ ケ塩化水素
により気相エッチ全行なう場合にも同様のことである。
はエピタキシャル成長の場合にて説明したものであるが
、サセプタ上に堆積多結晶ＱａＡＳ Ｗｔ ケ塩化水素
により気相エッチ全行なう場合にも同様のことである。
第１図は本発明の一実施例を示す反応炉の１図である。
１・・・・・・ＧａＡ ｓ単結晶基板、２・・・・・・
サセプタ・・・・・・ガスノズル（ソースガス部）、４
・・・・・・排・５・・・・・・インナーベルジャ、６
・・・・・・ガスノズル、・・・・・・ステンレスベル
ジャ、８・・・・・・誘導加熱用ル。 ガ こ きる。 つい した ／グ 近面 、３ 八日、 ゴイ 箔 ！ ■
サセプタ・・・・・・ガスノズル（ソースガス部）、４
・・・・・・排・５・・・・・・インナーベルジャ、６
・・・・・・ガスノズル、・・・・・・ステンレスベル
ジャ、８・・・・・・誘導加熱用ル。 ガ こ きる。 つい した ／グ 近面 、３ 八日、 ゴイ 箔 ！ ■
Claims (1)
- 反応管の管壁に沿って気体を流すようにしたことを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24331783A JPS60136220A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24331783A JPS60136220A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136220A true JPS60136220A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17102035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24331783A Pending JPS60136220A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059177A1 (fr) * | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Ebara Corporation | Tuyau d'echappement equipe de moyens permettant de prevenir l'agglutination de sous-produit reactif et procede permettant de prevenir l'agglutination |
| US6730613B1 (en) * | 1998-01-07 | 2004-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24331783A patent/JPS60136220A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730613B1 (en) * | 1998-01-07 | 2004-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment |
| WO2001059177A1 (fr) * | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Ebara Corporation | Tuyau d'echappement equipe de moyens permettant de prevenir l'agglutination de sous-produit reactif et procede permettant de prevenir l'agglutination |
| EP1270763A1 (en) * | 2000-02-14 | 2003-01-02 | Ebara Corporation | Exhaust pipe with reactive by-product adhesion preventing means and method of preventing the adhesion |
| EP1270763A4 (en) * | 2000-02-14 | 2004-09-15 | Ebara Corp | EXHAUST PIPE WITH DEVICE FOR PREVENTION AGAINST ADDITION OF BY-PRODUCTS AND METHOD FOR PREVENTION AGAINST ADDITION |
| KR100760319B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2007-09-20 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응 부생성물 부착방지수단을 구비하는 배기관 및부착방지방법 |
| US7635501B2 (en) | 2000-02-14 | 2009-12-22 | Ebara Corporation | Exhaust pipe having means for preventing deposition of a reaction by-product and method for preventing deposition of a reaction by-product |
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