JPS60136141A - Charged particle radiation device - Google Patents

Charged particle radiation device

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JPS60136141A
JPS60136141A JP24214683A JP24214683A JPS60136141A JP S60136141 A JPS60136141 A JP S60136141A JP 24214683 A JP24214683 A JP 24214683A JP 24214683 A JP24214683 A JP 24214683A JP S60136141 A JPS60136141 A JP S60136141A
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JP
Japan
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charged particle
aperture
irradiation device
electrode
particle irradiation
Prior art date
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Pending
Application number
JP24214683A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Shimase
朗 嶋瀬
Hiroshi Yamaguchi
博司 山口
Takeoki Miyauchi
宮内 建興
Hideshi Kadooka
門岡 英志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS60136141A publication Critical patent/JPS60136141A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE:To simplify axial adjusting of a charged particle optical system and a charged particle source together with location of a movable diaphragm by providing the movable diaphragm with an electrode for detection of a charged particle beam. CONSTITUTION:Two kinds of electrodes for detecting a current of a charged particle beam 9 are provided on a movable diaphgram 5. When an electrode for location is properly provided on the movable diaphgram 5, the relation of relative positions of the pass position of the charged particle beam 9 and the movable diaphgram 5 proper, further an aperture can easily be known. Further, the electrode 41 for axial adjusting makes it easy to see the extent of distribution of the charged particles and whether a state of the charged particle beam 9 is symmetric with respect to the axis or not. Thereby, axial adjusting of a charged particle optical system and a charged particle source as well as location of the movable diaphragm can be simplified.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、加工、リソグラフィー、分析、成膜表面改善
等を目的として使用される荷電粒子照射装置に係り、特
に可動絞りに荷電粒子ビーム電流検出用の電極を設ける
ことによって、荷電粒子光学系と荷電粒子源との軸合せ
、可動絞りの位置設定を容易ならしめた荷電粒子照射装
置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a charged particle irradiation device used for the purposes of processing, lithography, analysis, film forming surface improvement, etc. This invention relates to a charged particle irradiation device that facilitates the alignment of a charged particle optical system and a charged particle source and the position setting of a movable diaphragm by providing electrodes for the charged particle optical system and the charged particle source.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第1図は可動絞りを装備してなる荷電粒子層′射装置の
一例での構成概要を示すが、これによると荷電粒子ビー
ムの通過位置にアノ4−チャを位置決め設定することは
困難であるなど、不具合を有するものとなっている。
Figure 1 shows an overview of the configuration of an example of a charged particle beam irradiation device equipped with a movable diaphragm, but this shows that it is difficult to position and set the anno-cha at the position where the charged particle beam passes. It has some problems, such as:

即ち、可動絞り装備荷電粒子照射装置においては真空チ
ェンバー11内に荷電粒子源lが配され、この荷電粒子
源lからは電子またはイオンが引出電極2によって引き
出さ丸るよ5になっている。
That is, in a charged particle irradiation device equipped with a movable aperture, a charged particle source 1 is arranged in a vacuum chamber 11, and electrons or ions are extracted from this charged particle source 1 by an extraction electrode 2, forming a round hole 5.

このようにして引き出された荷電粒子ビーム9は先ず固
定絞り3にて絞られた後レンズ4によって集束され、更
にこの後デフレクタ6によって偏向されたうえテーブル
8上に載置されたターゲット7に照射されるようになっ
ているものである。ターゲット7に荷電粒子ビーム9を
照射することによってターゲット7より放出される2次
電子などの2次粒子を検出し各種の分析を行なったり、
照射荷電粒子によってターゲツト7自体を加工するよう
になっているものである。ところで、荷電粒子ビーム9
をターダッ1.7に照射てる際そのビーム電流やビーム
径は所定に調整される必要があるが、それら調整のため
に装備されているのがレンズ4とデフレクタ6との間に
挿入されている可動絞り5である。この可動絞り5につ
いては後述するところであるが、径が異なる数10μm
φ程度のアノ4−チャ(孔)が数個穿たれており、荷電
粒子ビーム90通過位置に何れかのア/4’−チャを真
空外よりxy移動機構10によって位置決め設定してや
れば・そのアノQ−チャ忙応じたビーム電流およびビー
ム径をもった荷電粒子ビームが得られるわけである。
The charged particle beam 9 extracted in this way is first narrowed down by a fixed aperture 3, then focused by a lens 4, and then deflected by a deflector 6 and irradiated onto a target 7 placed on a table 8. This is what is meant to be done. By irradiating the target 7 with the charged particle beam 9, secondary particles such as secondary electrons emitted from the target 7 are detected and various analyzes are performed.
The target 7 itself is processed by irradiated charged particles. By the way, charged particle beam 9
When irradiating the Tadak 1.7, the beam current and beam diameter need to be adjusted to a specified value, and the equipment for these adjustments is inserted between the lens 4 and the deflector 6. This is a movable aperture 5. As will be described later, this movable aperture 5 has different diameters of several tens of μm.
Several 4-chats (holes) of about φ are bored, and if one of the 4'-chases is positioned at the position where the charged particle beam 90 passes from outside the vacuum using the xy moving mechanism 10, the hole can be opened. A charged particle beam having a beam current and a beam diameter corresponding to the Q-chamber can be obtained.

第2図は現在通常に使用されている可動絞りとそのXY
Y動機構の具体例を示したものである。
Figure 2 shows the movable diaphragm commonly used today and its XY
This figure shows a specific example of the Y movement mechanism.

図示の如く可動絞り5には列状にアノヤーチャ(本例で
は・4個)が穿設されており、可動絞り5自体はシャフ
ト12を介し前後動可、首振り運動可となッテイる。X
YY動機構はフランジ14を介LX空チェンバーに気密
にして取付されるが、XY移移動動機構自体シャフト1
2、フランジ12以外にペローズ15、スライダ16、
ホルダ17、バネ23 、押しバネ19、支点部材13
、マイクロメータ18 、20などよりなるものとなっ
ている。マイクロメータ加によっては可動絞り50前後
方向位置が、また、マイクロメータ18によっては首振
りの位置が設定可とされ、結局マイクロメータis 、
 20を調整てれば、可動絞り5上に穿たれているアパ
ーチャの何れをも荷電粒子ビームの通過位置に位置決゛
め設定し得るものである。
As shown in the figure, the movable diaphragm 5 is provided with apertures (four in this example) in a row, and the movable diaphragm 5 itself can be moved back and forth and oscillated via a shaft 12. X
The YY movement mechanism is airtightly attached to the LX empty chamber via the flange 14, but the XY movement mechanism itself is attached to the shaft 1.
2. In addition to the flange 12, there is a perose 15, a slider 16,
Holder 17, spring 23, push spring 19, fulcrum member 13
, micrometers 18, 20, etc. The position of the movable diaphragm 50 in the front and back direction can be set depending on the micrometer, and the swing position can be set depending on the micrometer 18. In the end, the micrometer is,
20, any of the apertures formed on the movable diaphragm 5 can be positioned and set at the position through which the charged particle beam passes.

しかしながら、一般に荷電粒子ビームが通過される穴の
径は数10μmオーダと小さいことから、その通過位置
にア・や−チャが位置すべく可動絞りを移動させること
は容易ではなく多くの時間を要しているのが実状である
。また、例え通過位置にアパーチャを位置させ得たとし
ても最適位置に位置設定することはこれまた容易でない
のが実状である。最適位置への位置設定は、例えばター
ゲットより放出される2次電子を検出したうえそれの2
次電子像を得、その2次電子像を観察しつつアパーチャ
の位置を調整することが行なわれているが、一般に調整
に多くの時間を要するばかりか、その時間はまた個人差
に大きく左右されるものとなっている。更に荷電粒子源
の交換時とか荷電粒子源自体の特性で荷電粒子放出点が
時間的に変化するような場合には荷電粒子源の軸と光軸
(レンズ4等よりなる荷電粒子光学系の中心軸)とを一
致させる必要があるが、このような場合にも荷電粒子源
の位置を移動させて2次電子像の明るさの変化を観察し
つつ軸合せを行なっているのが実状である。しかしなが
ら、このようにして軸合せを行なう場合には、最適位置
ヘア、41−チャを位置設定する場合と全く同様の不具
合を生じるものとなっている。
However, since the diameter of the hole through which the charged particle beam passes is generally small, on the order of several tens of micrometers, it is not easy to move the movable diaphragm so that the aperture is located at the passing position, and it takes a lot of time. The reality is that this is happening. Further, even if it were possible to position the aperture at the passing position, the reality is that it is still not easy to set the aperture at the optimum position. Setting the position to the optimal position can be done, for example, by detecting secondary electrons emitted from the target and
It is common practice to obtain a secondary electron image and adjust the aperture position while observing the secondary electron image. However, not only does it generally take a lot of time to adjust, but the time is also greatly influenced by individual differences. It has become something that Furthermore, when replacing the charged particle source or when the charged particle emission point changes over time due to the characteristics of the charged particle source itself, the axis of the charged particle source and the optical axis (the center of the charged particle optical system consisting of lens 4, etc.) It is necessary to align the two axes), but even in such cases, the reality is that alignment is performed while moving the position of the charged particle source and observing changes in the brightness of the secondary electron image. . However, when the axis alignment is performed in this manner, the same problem occurs as when setting the optimal position hair, 41-cha.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

よって本発明の目的は、可動絞り上におけるアノ4−チ
ャの荷電粒子ビーム通過位置への位置設定が状態良好に
、しかも迅速容易にして、また、荷電粒子源と光軸との
軸合せも迅速容易に行ない得る荷電粒子照射装置を供す
るにある。
Therefore, it is an object of the present invention to quickly and easily set the ano-cha on the movable aperture to the charged particle beam passing position in good condition, and to quickly and easily align the charged particle source and the optical axis. The object of the present invention is to provide a charged particle irradiation device that can be easily used.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この目的のため本発明は、可動絞り上に荷電粒子ビーム
の電流を検出するための電極を2種類設けるようになし
たものである。可動絞り土に位置設定用電極を適当に設
ける場合は荷電粒子ビームの通過位置と可動絞り自体、
更には了パーチャとの相対的な位置関係が容易に知れる
ものであり、また、軸合せ用電極によっては荷電粒子ビ
ームの電流分布の拡がりや荷電粒子ビーム−の状態が軸
対称性であるか否かが容易に知れるものである。
For this purpose, the present invention provides two types of electrodes on the movable aperture for detecting the current of the charged particle beam. When positioning electrodes are appropriately installed on the movable aperture, the passage position of the charged particle beam and the movable aperture itself,
Furthermore, the relative positional relationship with the percher can be easily known, and depending on the axial alignment electrode, it is also possible to determine whether the current distribution of the charged particle beam spreads or whether the state of the charged particle beam is axially symmetric. It is easy to know.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明を第3図から第14図により説明する。 The present invention will be explained below with reference to FIGS. 3 to 14.

先ず第3図(at 、 (blによりアパーチャの荷電
粒子ビーム通過位置への位置設定が迅速容易とされた可
動絞りについて説明する。ブ、Cお、本発明に係る可動
絞りにはアパーチャの荷電粒子ビーム通過位置への位置
設定用電極と、荷電粒子源と光軸との軸合せ用電極とが
設けられるが、説明の便宜上先ず位置設定用のものより
説明する◎ 第3図(at 、 (bl K示す如く本態様での可動
絞り5列状に穿たれているア/4’−チャの両側に短冊
状の電極22 、23を配してなるものである。1!極
22 、23としては例えば100μm厚のMo板が用
いられるが、これらを可動絞り5に0.5mm厚のセラ
ミックリング26とネジ冴を介し絶縁状態を保って取付
でるものである。
First, we will explain the movable diaphragm that allows the aperture to be quickly and easily set to the charged particle beam passing position using FIGS. An electrode for positioning the beam passing position and an electrode for aligning the charged particle source with the optical axis are provided, but for convenience of explanation, the electrode for positioning will be explained first. As shown in K, strip-shaped electrodes 22 and 23 are arranged on both sides of the apertures/4'-chas that are bored in five rows of movable apertures in this embodiment.1!The poles 22 and 23 are as follows. For example, Mo plates with a thickness of 100 μm are used, and these are attached to the movable diaphragm 5 through a ceramic ring 26 with a thickness of 0.5 mm and screws while maintaining an insulating state.

第4図はその可動絞り5によってアパーチャの荷電粒子
ビーム通過位置への位置設定が如何にして行なわれるか
を示したものである。これによる場合の可動絞り5を荷
電粒子ビーム9の軌道近傍に挿入した状態でXY移動機
構10によって首振り運動させれば、外部で電気的に接
続されている電極オ、22が荷電粒子ビーム9の軌道を
順次通過することになるが、その通過時点で電極22 
、23には荷電粒子ビーム9による電流が流れるという
ものである。この電流は引出線5を介し電流計nによっ
て検出されたうえレコーダ郡によって2つのピークとし
て記録されることになるが、2つ目のピークが検出され
゛たならば可動絞り5を逆方向に戻すようにするもので
ある。逆方向に戻しているうちに最初のピークが検出さ
れたならばその時点で首振り運動を停止させるわけであ
るが、これにより可動絞り5は電極22 、23間に荷
電粒子ビーム9が存在てる状態で位置設定されるもので
ある。
FIG. 4 shows how the movable diaphragm 5 sets the aperture to the charged particle beam passing position. In this case, if the movable aperture 5 is inserted near the orbit of the charged particle beam 9 and is oscillated by the XY moving mechanism 10, the electrodes 22 electrically connected to the outside will move the charged particle beam 9. At the time of passing, the electrode 22
, 23, a current due to the charged particle beam 9 flows through them. This current is detected by the ammeter n via the lead wire 5 and is recorded by the recorder as two peaks, but if the second peak is detected, the movable diaphragm 5 is moved in the opposite direction. It is intended to bring it back. If the first peak is detected while returning in the opposite direction, the oscillation movement is stopped at that point, and as a result, the movable diaphragm 5 detects that the charged particle beam 9 exists between the electrodes 22 and 23. The location is determined by the state.

しかして、この後可動絞り5をXY移動機構10によっ
て前後方向に移動すれば、各アパーチャの位置を荷電粒
字ビーム9が必ず通過することになるから、可動絞り5
の下で電流の有無を検出することによって、所望の了パ
ーチャに荷電粒子ビームを通過させ得るわけである。こ
れまでは専ら経験を頼りに位置設定を行ない位置設定に
10分近くの時間を要していたが、上記のようにして位
置設定を行なう場合は僅か1分以内にそれが可能となる
ものである。
If the movable aperture 5 is then moved in the front-rear direction by the XY moving mechanism 10, the charged particle beam 9 will definitely pass through the position of each aperture, so the movable aperture 5
By detecting the presence or absence of current under the current, the charged particle beam can be passed through the desired percha. Previously, positioning was done solely by relying on experience, and it took nearly 10 minutes to set the position, but when setting the position as described above, it can be done in just one minute. be.

第5図、第6図は第3図に示した可動絞りの更に好まし
い態様を示したものである。先ず第5図に示すものより
説明1−れば、この態様においては電極22 、23に
加え更にアパーチャ間には電極29が電極22 、23
と同様にして配されるものとなっている。可動絞り5を
前後方向に移動させて荷電粒子ビーム9をア/や−チャ
に通す際、ア/4’−チャ間に配された電極四に流れる
電流を検出、記録てる場合は、荷電粒子ビーム9が何れ
のア/4’−チャあるいはその近傍にあるかが容易に知
れるものである・次に第6図に示すものについて説明て
れは、この態様ではアパーチャ各々の周囲に電極Iが複
数(本例では4個)配されるものとなっている。この電
極間によって荷電粒子ビーム9が何れのアパーチャある
いはその近傍にあるかが知れるばかりか、ア/4’−チ
ャの荷電粒子ビーム通過位置への設定がより状態良好に
して行1.Cい得るものである。
5 and 6 show a more preferable embodiment of the movable diaphragm shown in FIG. 3. First of all, according to the explanation shown in FIG.
It is arranged in the same way. When moving the movable diaphragm 5 in the front-back direction to pass the charged particle beam 9 through the apertures/4'-cha, if the current flowing through the electrode 4 arranged between the apertures/4'-cha is detected and recorded, the charged particle beam 9 is detected and recorded. It is easy to know in which aperture the beam 9 is located or in its vicinity.Next, referring to FIG. 6, in this embodiment an electrode I is provided around each aperture. A plurality of them (four in this example) are arranged. This gap between the electrodes not only allows us to know which aperture or its vicinity the charged particle beam 9 is located, but also allows us to set the aperture to the charged particle beam passage position of the aperture in a better condition.1. C. It is possible.

例えば第7図に示す如く最小径のア・平−チャに荷電粒
子ビームを逆T場合を想定てれは、領域(破線表示)3
1に荷電粒子ビーム9が照射されている場合には4つの
電極間に入射される電荷量には差が生じること明らかで
ある。しかして、それら電極間からの電流を引出線32
を弁し電流計27で検出し、検出された電流にもとづき
XY移動機構コントローラおがそれら電流が等しくなる
べくXY移動機構10を制御するようにすれば、荷電粒
子ビームはそのアノ!−チャに状態良好にして入射され
得るものである。したがって、これまで2次電子像のI
IJ 0) 流れ等によってアノ4−チャの位置設定が
行なわれそれに多くの時間を要していたが、自動的に、
しかも速やかに位置設定を行なうことが可能となるもの
である。
For example, assuming an inverted T case where a charged particle beam is applied to an aperture with the smallest diameter as shown in FIG.
It is clear that when the charged particle beam 9 is irradiated onto the four electrodes, there is a difference in the amount of charge incident between the four electrodes. Therefore, the current from between these electrodes is transferred to the lead wire 32.
If the current is detected by the ammeter 27 and the XY movement mechanism controller controls the XY movement mechanism 10 so that the currents are equal, the charged particle beam will be - It can be injected into tea in good condition. Therefore, until now the I of the secondary electron image
IJ 0) The position of Anno 4-cha was set depending on the flow etc., which took a lot of time, but it was automatically set.
Moreover, it becomes possible to quickly set the position.

第8図は第3図(al 、 (blに示すものとは異な
る本発明に係る可動絞りの構成を示したものである。
FIG. 8 shows a structure of a movable diaphragm according to the present invention which is different from that shown in FIGS. 3(al and bl).

図示の如くアパーチャ毎にその周囲に゛電極あを配した
ものである。この場合での電極34は既述の電極22 
、23の機能を有する他、荷電粒子ビームが何れのアノ
モーチャあるいはその近傍にあるかもそれによって知れ
るものとなっている。但し、電極n+おの機能をもたせ
るためには電極別間に存する隙間の長さは適当に短かく
設定されなければならない。その長さは可動絞り位置で
の荷電粒子ビーム径よりも小さく設定される必要がある
わけであるが、これは可動絞り5を首振り運動させた際
電極34の何れかによって荷電粒子ビームが検出される
必要があるからである。例えは液体金属イオン源を荷電
粒子源としてイオンビームを集束する場合、可動絞りの
上部に存するレンズの倍率はほぼ1であることから、固
定絞りのアパーチャ径と同程度のビーム径をもったイオ
ンビームが可動絞りに入射てるが、固定絞りのアパーチ
ャ径を500μmとする場合に41隙間の長さは少なく
とも500μmよりも小さく設定される必要があるわけ
である。ところで、隙間の長さを500μmよりも小さ
くした状態で電極諷を配置することは、Mo板をセラミ
ックリングで絶縁する方式によっては殆ど実現不可能で
ある。このため電極調をセラミックシート上に印刷によ
って形成することが考えられる・なお・電極34を電極
30の如くに構成することも考えられる。
As shown in the figure, electrodes are arranged around each aperture. In this case, the electrode 34 is the electrode 22 described above.
, 23 functions, and it is also possible to know in which anomaly or its vicinity the charged particle beam is located. However, in order to provide the function of electrode n+, the length of the gap existing between the electrodes must be set appropriately short. The length needs to be set smaller than the charged particle beam diameter at the movable aperture position, but this is because when the movable aperture 5 is oscillated, the charged particle beam is detected by one of the electrodes 34. This is because it needs to be done. For example, when focusing an ion beam using a liquid metal ion source as a charged particle source, the magnification of the lens at the top of the movable aperture is approximately 1, so ions with a beam diameter similar to the aperture diameter of the fixed aperture can be focused. The beam is incident on the movable aperture, and if the aperture diameter of the fixed aperture is 500 μm, the length of the gap 41 needs to be set at least smaller than 500 μm. By the way, it is almost impossible to arrange the electrode joints with the length of the gap smaller than 500 μm depending on the method of insulating the Mo plate with a ceramic ring. For this reason, it is conceivable to form the electrode tone on a ceramic sheet by printing.It is also conceivable to configure the electrode 34 like the electrode 30.

さて、第9図、第10図により絞り板目体が位置設定用
電極とされた可動絞りについて説明する。
Now, with reference to FIGS. 9 and 10, a movable diaphragm in which the diaphragm plate eye is used as a position setting electrode will be explained.

これまでの本発明に係る可動絞りにおいては位置設定用
電極は何れもアパーチャが穿たれている導体板、即ち、
絞り板とは別個なものとして構成されていたが、第9図
、第10図にそれぞれ示すものにおいては絞り板目体が
位置設定用電極を兼ねるものとなっている。
In the movable diaphragm according to the present invention to date, the position setting electrodes are all conductive plates with apertures, that is,
The aperture plate was constructed separately from the aperture plate, but in the ones shown in FIGS. 9 and 10, the aperture plate eye body also serves as a position setting electrode.

先ず第9図に示すものより説明すれば、本態様での可動
絞りは保持部材36に短形状の絞り板35が取付された
ものとしてなり、絞り板35上部にはスリット状開口部
38が形成されてなを導体カバー37が絞り板35とは
電気的に絶縁された状態で取付されるものとなっている
。この場合絞り板35によってビーム電流を検出してい
る状態で可動絞り自体の前後動によって必ず何れかのア
、4+−チャに荷電粒子ビームが入射されるためには絞
り板350幅は絞り板35上でのビーム径の2倍以下と
するのが望ましいと云える。このためには絞り板35自
体の幅を狭くてればよいが、一般に絞り板35の幅を狭
くすることは困難となっている。とい5のは、了パーチ
ャ内での荷電粒子ビームの散乱を抑御丁べく絞り板35
はMoなどよりなる厚さ10μm程度の薄い箔として構
成されるが、その幅を狭くてる程に強度が弱くなるから
である。したがって、本態様では絞り板35によってで
はなく導体カバー37によって結果的に絞り板あの幅を
狭くしている。スリット状開口部あの幅がビーム径の2
倍以下として形成されていれはよいわけである。例えは
絞り板35上でのビーム径が500μm程度である場合
には、スリット状開口部あの幅は1000μm以下とし
て設定されるものである。
First, to explain what is shown in FIG. 9, the movable diaphragm in this embodiment has a rectangular diaphragm plate 35 attached to a holding member 36, and a slit-shaped opening 38 is formed in the upper part of the diaphragm plate 35. Furthermore, the conductor cover 37 is attached in a state where it is electrically insulated from the aperture plate 35. In this case, in order for the charged particle beam to be incident on either A or 4+-Char by the back and forth movement of the movable aperture itself while the beam current is being detected by the aperture plate 35, the width of the aperture plate 350 must be equal to the width of the aperture plate 35. It can be said that it is desirable to make the beam diameter twice or less the above beam diameter. For this purpose, it is sufficient to narrow the width of the aperture plate 35 itself, but it is generally difficult to reduce the width of the aperture plate 35. 5 is a diaphragm plate 35 to suppress scattering of the charged particle beam within the percha.
is constructed as a thin foil made of Mo or the like with a thickness of about 10 μm, and the narrower the width, the weaker the strength becomes. Therefore, in this embodiment, the width of the aperture plate is narrowed not by the aperture plate 35 but by the conductor cover 37. The width of the slit opening is 2 times the beam diameter.
It is good as long as it is formed less than double the size. For example, when the beam diameter on the aperture plate 35 is about 500 μm, the width of the slit-shaped opening is set to be 1000 μm or less.

次に第10図に示すものについて説明すれは、これの第
10図に示すものとの相違は導体カバー37が2分割さ
れているOとのみである。導体カバー39゜40間に存
在するスリットを以て前述したスリット状開口部あに代
えるものであるが、このように構成する場合は可動絞り
が簡単容易に構成され得ることになる。なお、絞り板3
5としてはア、41−チャ中間に間隙を設け、これによ
って各ア/1−チャが独立に荷電粒子ビームを検出する
ことも可となっている。
Next, the device shown in FIG. 10 will be described. The only difference between this and the device shown in FIG. 10 is that the conductor cover 37 is divided into two parts. The slit existing between the conductor covers 39 and 40 is used instead of the slit-shaped opening described above, and with this configuration, the movable diaphragm can be constructed easily. In addition, the aperture plate 3
As for 5, a gap is provided between the a and 41-cha, thereby making it possible for each a/1-cha to independently detect the charged particle beam.

さて、以上述べた位置設定用電極によってアパーチャの
荷電粒子ビーム通過位置への位置設定が迅速、且つ容易
にして行ない得るが、アパーチャの位置設定に先立って
一般には荷電粒子源と元軸との軸合せが完了している必
要がある。アノ(−チャの位置設定はビーム電流の空間
分布が軸対称であることが前提となっているからである
Now, using the above-mentioned position setting electrode, the aperture can be quickly and easily positioned at the charged particle beam passing position, but prior to positioning the aperture, it is generally necessary to Matching must be completed. This is because the position setting of the anno(-cha) is based on the premise that the spatial distribution of the beam current is axially symmetrical.

第11図(at 、 (blに示すように荷電粒子源1
と光軸との軸合せが完了あるいは良好な場合には、ビー
ム電流Iの空間分布もまた軸対称となる。しかしながら
、第12図(at 、 fblに示すように荷電粒子源
1と元軸とがずれている場合は、ビーム電流工の空間分
布も光学系に非点収差を生じることから、軸対称とはな
らないものである。したがって、ビーム電流工の空間分
布が軸対称でない場合にはこれを軸対称なものに1−る
必要がある。軸対称とするために用いられるのが既述の
軸合せ用電極なわけである。
Charged particle source 1 as shown in Figure 11 (at, (bl)
When the alignment between the beam and the optical axis is complete or good, the spatial distribution of the beam current I also becomes axially symmetrical. However, if the charged particle source 1 and the original axis are misaligned as shown in Figure 12 (at, fbl), the spatial distribution of the beam current also causes astigmatism in the optical system, so axial symmetry cannot be achieved. Therefore, if the spatial distribution of the beam current is not axially symmetrical, it is necessary to make it axially symmetrical. It's an electrode.

軸合せ用電極は例えは第13図に示すようにしてq#I
絞り5上に設けられるようになっている。本態様での軸
合せ用電極41は第6図に示す位置設定用電極と組合さ
れ、しかも全体としては十字状として位置設定用電極近
傍圧設けられているが、如何なる位置設定用電極との組
合せも自由であり、また、その全体形状や個々の電極形
状も必ずしも図示のものに限定されない。個々の電極形
状は円形状であってもよく、また、全体としては基盤目
状に配してもよいが、個々の電極がμ0何に配されるか
は゛ol動絞り上でのビーム径を考慮して適当に定めら
れる必要がある。例えばビーム径が500pm程度であ
る場合、軸合せ用電極4Jは30μm角形状とされた5
え20pm間隔で縦横11個として十字状に配されるも
のとなっている。
For example, the alignment electrode is q#I as shown in FIG.
It is arranged on the aperture 5. In this embodiment, the alignment electrode 41 is combined with the positioning electrode shown in FIG. 6, and is shaped like a cross as a whole and is provided near the positioning electrode; however, it may be combined with any positioning electrode. Also, the overall shape and the individual electrode shapes are not necessarily limited to those shown in the drawings. The shape of each individual electrode may be circular, or the shape of the electrode may be arranged in the shape of a grid as a whole, but where each electrode is arranged depends on the beam diameter on the dynamic aperture. It is necessary to take this into consideration and determine it appropriately. For example, when the beam diameter is about 500 pm, the alignment electrode 4J has a 30 μm square shape.
They are arranged in a cross shape with 11 pieces in the vertical and horizontal directions at 20 pm intervals.

ところで軸合せ用電極はビーム電流の2次元空間分布を
検出丁べく2次元的に複数配されその、大きさは相当小
さいが、このような電極はスパッタ蒸着やフ3ラズマエ
ッチングによって形成可能である。
By the way, multiple alignment electrodes are arranged two-dimensionally to detect the two-dimensional spatial distribution of the beam current, and although their size is quite small, such electrodes can be formed by sputter deposition or plasma etching. .

第14図(al 、 (blはそのようにして形成され
た軸合せ用電極とその周辺の構成を示したものである。
FIG. 14 (al, (bl) shows the structure of the alignment electrode and its surroundings formed in this way.

これによるとAlよりなる軸合せ用電極41は5r02
絶縁層43の井戸状窪みの中に形成され、また、5iQ
2絶縁層43外表面のうち側面および電極形成部分以外
にはAI薄膜42が形成されるようになっている。Al
薄膜の形成は、これは電極形成部分以外の部分で絶縁層
が露出され帯電したのでは電流測定に支障をきたすから
である。si o、絶縁層43の電極形成部分下部には
またスルーホール45が形成されており、軸合せ用電極
41は下部5i(h絶縁層44上部に形成されているA
I配線層47を介し外部に引出可とされる一方、これら
全体はS二基板46上に形成されたうえアパーチャ最後
尾に配置されるところとなるものである。
According to this, the alignment electrode 41 made of Al is 5r02
It is formed in the well-shaped depression of the insulating layer 43, and 5iQ
An AI thin film 42 is formed on the outer surface of the second insulating layer 43 other than the side surfaces and the electrode forming portion. Al
The reason for forming a thin film is that if the insulating layer is exposed and charged in areas other than the electrode formation area, it will interfere with current measurement. A through hole 45 is also formed in the lower part of the electrode forming part of the insulating layer 43, and the alignment electrode 41 is formed in the lower part 5i (h) of the insulating layer 44.
While they can be drawn out to the outside via the I wiring layer 47, they are all formed on the S2 substrate 46 and are placed at the rear end of the aperture.

第15図は以上のようにして形成された軸合せ用電極の
使用法の一例を示したものである。これによると先ず短
冊状の電極22 、23によって荷電粒子ビーム直下に
軸合せ用電極41群が位置設定された後、電極41群の
中心とビーム照射領域51の中心とが一致するよう調整
される。この時点ではまだ荷電粒子源の軸が元軸と合っ
ていないためX方向。
FIG. 15 shows an example of how to use the alignment electrode formed as described above. According to this, first, the alignment electrode group 41 is positioned directly under the charged particle beam using the strip-shaped electrodes 22 and 23, and then adjusted so that the center of the electrode group 41 and the center of the beam irradiation area 51 coincide. . At this point, the axis of the charged particle source is not yet aligned with the original axis, so it is in the X direction.

Y方向両方とも引出線48、セレクタ49を介し電流計
nで検出した電流をコントローラ犯上のCRTに棒グラ
フで表示すると左右非対称のグラフになっている。そこ
で荷電粒子源の位置を調整し、再度電極41群の中心と
ビーム照射領域51の中心とを合わせ、ビーム電流の分
布をCRT上で確認する。
When the current detected by the ammeter n through the leader line 48 and selector 49 in both Y directions is displayed as a bar graph on the CRT on the controller, the graph is asymmetrical. Therefore, the position of the charged particle source is adjusted, the center of the group of electrodes 41 is again aligned with the center of the beam irradiation area 51, and the distribution of the beam current is confirmed on the CRT.

まだ、分布が非対称ならばさらに荷電粒子源の位置を調
整し直し、X、Y両方向ともに分布が対称になるまでこ
れを繰り返す。この操作によって、荷電粒子源の軸と光
軸とを完全に合わせられるものである。その後電極30
を用い可動絞り5の軸と光軸との軸を合わせ、全ての軸
合せが完了するわけである。本例では荷電粒子源の軸合
わせを手動で行なったが、このような方法によらない時
の半分以下の時間で軸合わせが完了したうえ、軸が合っ
た状態か否かをCRT上で明瞭に判定することができた
If the distribution is still asymmetrical, the position of the charged particle source is further adjusted, and this is repeated until the distribution becomes symmetrical in both the X and Y directions. This operation allows the axis of the charged particle source to be perfectly aligned with the optical axis. Then the electrode 30
is used to align the axis of the movable diaphragm 5 with the optical axis, and all axis alignment is completed. In this example, the axes of the charged particle source were aligned manually, but the alignment was completed in less than half the time it would take without such a method, and it was clearly shown on the CRT whether the axes were aligned or not. It was possible to determine.

第16図は可動絞り5上のビーム電流検出機構を用いビ
ーム電流を検出し、電流計27を通してその情報をコン
トローラ刃に入力し、コントローラ刃の指示で可動絞り
XY移動機構10と荷電粒子源XY移動機構52を動か
し、荷電粒子源1の軸と可動絞り5の軸と光軸とを自動
で合わせる機構の構成を示したものである。軸合わせの
過程は先の場合と同様であるが、これにより軸合わせが
自動的に・しかも短時間に行ない得るものである。
In FIG. 16, the beam current is detected using the beam current detection mechanism on the movable aperture 5, the information is input to the controller blade through the ammeter 27, and the movable aperture XY moving mechanism 10 and the charged particle source This figure shows the configuration of a mechanism that moves the moving mechanism 52 to automatically align the axis of the charged particle source 1, the axis of the movable aperture 5, and the optical axis. The alignment process is the same as in the previous case, but the alignment can be done automatically and in a short time.

尚、本発明による荷電粒子照射装置は既述の如く2種類
の電極を備えてなるが、場合によっては何れか1種類の
もののみで必要十分である。
Although the charged particle irradiation device according to the present invention is equipped with two types of electrodes as described above, depending on the case, only one type of electrode is necessary and sufficient.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、可動絞り上に、アパーチ
ャを荷電粒子ビーム通過位置へ設定するための位置設定
用電極と、荷電粒子ビームの電流分布の拡がりを検出す
るための軸合せ用電極とを設けるようになしたものであ
る。したがって、本発明による場合は、可動絞り上にお
けるアパーチャの荷電粒子ビーム通過位置への位置設定
と、荷電粒子源と元軸との軸合せとが迅速容易に行ない
得るという効果がある。
As explained above, the present invention includes a position setting electrode for setting the aperture to a charged particle beam passing position, and an alignment electrode for detecting the spread of the current distribution of the charged particle beam, on the movable aperture. It was designed to provide a. Therefore, the present invention has the advantage that positioning of the aperture on the movable aperture to the charged particle beam passing position and alignment of the charged particle source and the original axis can be performed quickly and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、可動絞りを装備してなる荷電粒子照射装置の
一例での構成を示す図、第2図は、一般的な可動絞りと
そのXY移動機構の具体例を示す図、第3図(al 、
 (blは、位置設定用電極が設けられた本発明に係る
可動絞りの平面と断面を示す図、第4図は、その可動絞
りにょるアパーチャの荷電粒子ビーム通過位置への設定
方法を説#JAするため図、第5図、第6図は、それぞ
れ第3図(al 、 lblに示す可動絞りの好ましい
構成態様を示す図、第7図は、第6図に示す可動絞りに
よるアパーチャの荷電粒子ビーム通過位置への設定方法
を説明するだめの図、第8図は、第3図(at 、 (
blに示すものとは異なる本発明に係る可動絞りの平面
を示す図、第9図、第10図は、それぞれ絞り板自体が
位置設定用電極として構成された本発明に係る可動絞り
の平面を示す図、第11図(al 、 (blおよび第
12図(a)。 (blは、荷電粒子源と元軸との軸合せ如何によってビ
ーム電流の空間分布が如何に変化するかを説明するため
の図゛、第13図は、軸合せ用電極が設けられてなる本
発明に係る可動絞りの一部平面を示す図、第14図ia
l 、 (blは、軸合せ用電極の一例での構成を示す
図、第15図は、軸合せ用電極による荷電粒子源と元軸
との軸合せ方法を説明するための図・第16図は、その
軸合せを自動的に行なう場合での構成な示す図である。 1・・・荷電粒子源、5・・・可動絞り、10・・・X
Y移動機構、22 、23 、29 、30 、34・
・・(アパーチャ位置設定用)電極、35・・・(アパ
ーチャ位置設定用)絞り板、37 、39 、40・・
・導体カバー、41・・・(荷電粒子源と光軸との軸合
せ用)電極。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第1図 第2 図 第3図 第4図 第5図 第7図 第9図 第10図 第11図 (a) 第12図 (a) 第13図 第14図 (b) 第15図 第16図
Figure 1 is a diagram showing the configuration of an example of a charged particle irradiation device equipped with a movable aperture, Figure 2 is a diagram showing a specific example of a general movable aperture and its XY movement mechanism, and Figure 3 is a diagram showing a specific example of a general movable aperture and its XY movement mechanism. (al,
(bl is a diagram showing a plane and a cross section of a movable aperture according to the present invention provided with a position setting electrode, and FIG. 5 and 6 are diagrams showing preferred configurations of the movable diaphragm shown in FIGS. 3 (al and lbl), respectively, and FIG. Figure 8, which is a diagram for explaining the setting method to the particle beam passing position, is similar to Figure 3 (at, (
Figures 9 and 10 showing the plane of the movable diaphragm according to the present invention, which are different from those shown in bl, respectively show the plane of the movable diaphragm according to the present invention in which the diaphragm plate itself is configured as a positioning electrode. Figures 11 (al), (bl) and Figure 12 (a). (bl is for explaining how the spatial distribution of the beam current changes depending on the alignment of the charged particle source and the original axis. FIG.
l, (bl is a diagram showing the configuration of an example of the alignment electrode, FIG. 15 is a diagram for explaining the method of aligning the charged particle source and the original axis using the alignment electrode, and FIG. 16 is 1 is a diagram showing the configuration when the axis alignment is automatically performed. 1... Charged particle source, 5... Movable aperture, 10...
Y movement mechanism, 22 , 23 , 29 , 30 , 34 ・
... (for aperture position setting) electrode, 35 ... (for aperture position setting) aperture plate, 37 , 39 , 40 ...
- Conductor cover, 41... (for alignment of charged particle source and optical axis) electrode. Representative Patent Attorney Tadashi Akimoto Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 7 Figure 9 Figure 10 Figure 11 (a) Figure 12 (a) Figure 13 Figure 14 (b) Figure 15 Figure 16

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 真空槽内にて、荷電粒子源より引き出された荷電
粒子を加速、集束した状態で可動絞り上に設けられたア
パーチャを通過させた後偏向するようにしてターゲット
に照射すべくなした荷電粒子照射装置において、径が異
なるアミ+−チャが複数直線状に穿設されてなる可動絞
りに、アパーチャを荷電粒子ビームに通過位置に設定す
るための位置設定用電極と、荷電粒子ビームの直流分布
の拡がりを検出するための軸合せ用電極とを設けたこと
を特徴とする荷電粒子照射装置。 2、 アパーチャ穿設部分としての絞り板とは別個に位
置設定用電極が設けられる特許請求の範囲第1項記載の
荷電粒子照射装置。 3、アパーチャ穿設部分としての絞り板目体が位置設定
用電極とされる特許請求の範囲第1項記載の荷電粒子照
射装置。 4、複数直線状に穿設されてなるアパーチャの両側に、
該アパーチャに沿って短冊状の電極が位置設定用電極と
して設けられる特許請求の範囲第2項記載の荷電粒子照
射装置。 5、 複数直線状に穿設されてなるアパーチャの上部に
、該アパーチャ相当部分に窓が形成されてなる短冊状の
電極が位置設定用電極として設けられる特許請求の範囲
第2項記載の荷電粒子照射装置O 6、絞り板におけるアパーチャの両側に、該アパーチャ
に沿って導体カバーがそれぞれ設けられる特許請求の範
囲第3項記載の荷電粒子照射装置。 7、絞り板にふ・けるア/f−チャの上部に、該ア/?
−チャに沿ってスリット状窓が形成されてなる導体カバ
ーが設けられる特許請求の範囲第3項記載の荷電粒子照
射装置。 8、 アパーチャ近傍に独立とされた小電極が設けられ
る特許請求の範囲第4項記載の荷電粒子照射装置。 9、隣合うアノf−チャ中間に存する電極部分に間隙が
設けられる特許請求の範囲第5項記載の荷電粒子照射装
置。 10. 導体カバー間間隔あるいはスリット状窓のスリ
ット幅は導体カバー上での荷電粒子ビーム径の2倍以下
とされる特許請求の範囲第6項または第7項記載の荷電
粒子照射装置。 11、小電極は隣合うアノヤーチャ中間に設けられる特
許請求の範囲第8項記載の荷電粒子照射装置。 12、小電極はア/4’−チャ各々の周囲に少なくとも
2個以上設けられる特許請求の範囲第8項記載の荷電粒
子照射装置。 13、間隙によって独立とされた電極部分にはアパーチ
ャを中心とした放射状間隙が設けられる特許請求の範囲
第9項記載の荷電粒子照射装置。 14、絞り板に;ける隣合うア・・−チャ中面に間隙が
設けられる特許請求の範囲第3項、第6項、第7項また
は第10項記載の荷電粒子照射装置。 15、短冊状の電極は互いに電気的に接続される特許請
求の範囲第4項、第8項、第1】項または第12項記載
の荷電粒子照射装置。 16、アパーチャあるいは絞り板と、位置設定用電極と
を除く可動絞り領域上に、可動絞り上での荷電粒子ビー
ム径のV3以下とされた大きさの微小電極が少なくとも
5個以上二次元的に設けられる特許請求の範囲第1項か
ら第15項の何れかに記載の荷電粒子照射装置。 17、可動絞り上での荷電粒子ビーム径の2倍以下の範
囲内で微小電極が十字状に設けられる特許請求の範囲第
16項記載の荷電粒子照射装置。 18、可動絞り上での荷電粒子ビーム径の2倍以下の範
囲内で微小電極が基盤状に設けられる特許請求の範囲第
16項記載の荷電粒子照射装置。
[Claims] 1. Charged particles extracted from a charged particle source are accelerated and focused in a vacuum chamber, passed through an aperture provided on a movable aperture, and then deflected to a target. In a charged particle irradiation device designed to perform irradiation, a movable aperture consisting of a plurality of apertures with different diameters drilled in a straight line is equipped with a positioning electrode for setting the aperture to a position through which the charged particle beam passes. A charged particle irradiation device characterized in that it is provided with an axial alignment electrode for detecting the spread of a DC distribution of a charged particle beam. 2. The charged particle irradiation device according to claim 1, wherein a position setting electrode is provided separately from the aperture plate as the aperture forming portion. 3. The charged particle irradiation device according to claim 1, wherein the aperture plate body serving as the aperture forming portion is used as a position setting electrode. 4. On both sides of the aperture formed by multiple linear holes,
The charged particle irradiation device according to claim 2, wherein a strip-shaped electrode is provided along the aperture as a position setting electrode. 5. The charged particle according to claim 2, wherein a strip-shaped electrode having a window formed in a portion corresponding to the aperture is provided as a positioning electrode above a plurality of linear apertures. The charged particle irradiation device according to claim 3, wherein conductor covers are provided on both sides of the aperture in the diaphragm plate of the irradiation device O6 and along the aperture. 7. Place the a/f-cha on the top of the aperture plate.
- The charged particle irradiation device according to claim 3, further comprising a conductor cover in which a slit-shaped window is formed along the conductor cover. 8. The charged particle irradiation device according to claim 4, wherein an independent small electrode is provided near the aperture. 9. The charged particle irradiation device according to claim 5, wherein a gap is provided between the electrode portions existing between adjacent anofa. 10. The charged particle irradiation device according to claim 6 or 7, wherein the interval between the conductor covers or the slit width of the slit-like window is not more than twice the diameter of the charged particle beam on the conductor cover. 11. The charged particle irradiation device according to claim 8, wherein the small electrode is provided between adjacent annoyarchs. 12. The charged particle irradiation device according to claim 8, wherein at least two or more small electrodes are provided around each of the armatures. 13. The charged particle irradiation device according to claim 9, wherein the electrode portions separated by the gaps are provided with radial gaps around the aperture. 14. The charged particle irradiation device according to claim 3, 6, 7, or 10, wherein a gap is provided between the intermediate surfaces of adjacent apertures in the aperture plate. 15. The charged particle irradiation device according to claim 4, 8, 1] or 12, wherein the strip-shaped electrodes are electrically connected to each other. 16. On the movable aperture region excluding the aperture or aperture plate and the positioning electrode, there are at least five two-dimensional microelectrodes with a size that is equal to or less than V3 of the charged particle beam diameter on the movable aperture. A charged particle irradiation device according to any one of claims 1 to 15. 17. The charged particle irradiation device according to claim 16, wherein the microelectrodes are provided in a cross shape within a range less than twice the diameter of the charged particle beam on the movable aperture. 18. The charged particle irradiation device according to claim 16, wherein the microelectrode is provided on a base within a range of twice or less the diameter of the charged particle beam on the movable aperture.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140347A (en) * 1985-12-16 1987-06-23 Hitachi Ltd Electron beam device
JPH0218844A (en) * 1988-07-07 1990-01-23 Jeol Ltd Automatic diaphragm centering device for electron microscope
JPH10134746A (en) * 1996-10-29 1998-05-22 Seiko Instr Inc Optical axis adjustment method for focused ion beam and focused ion beam device
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WO2023032083A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-09 株式会社日立ハイテクサイエンス Charged particle beam device and method for adjusting charged particle beam device

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