JPS60135935A - Polymer composition sensitive to chemical ray - Google Patents

Polymer composition sensitive to chemical ray

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JPS60135935A
JPS60135935A JP24425983A JP24425983A JPS60135935A JP S60135935 A JPS60135935 A JP S60135935A JP 24425983 A JP24425983 A JP 24425983A JP 24425983 A JP24425983 A JP 24425983A JP S60135935 A JPS60135935 A JP S60135935A
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JP
Japan
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polymer
compound
group
actinic radiation
aromatic
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Pending
Application number
JP24425983A
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Japanese (ja)
Inventor
Gentaro Obayashi
大林 元太郎
Susumu Umemoto
梅本 晋
Yoshi Hiramoto
平本 叔
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides

Abstract

PURPOSE:To obtain a polymer composition having superior sensitivity to chemical rays by blending a polymer having specified principal structural units with a compound dimerizable or polymerizable under chemical rays and contg. an unsatd. bond and an amino group or a quaternized salt thereof, an aromatic secondary or tertiary amino compound nonsensitive to chemical rays, and an o-quinonediazido compound. CONSTITUTION:This polymer composition is obtd. by blending a polymer having principal structural units represented by formula I (where R<1> is a ter- or quatervalent org. group having two or more carbon atoms, R2 is a bivalent org. group having two or more carbon atoms, R<3> is H or an ammonium ion, and n is 1 or 2) with a compound dimerizable or polymerizable under chemical rays and contg. an unsatd. bond and an amino group or a quaternized salt thereof, an aromatic secondary or tertiary amino compound nonsensitive to chemical rays, and an o- quinonediazido compound. In order to improve the heat resistance of the polyimide polymer, the polymer is preferably provided with a structure in which the bonding of R<1> to a carbonyl group in the principal chain of the polymer and the bonding of R<2> to an amido group in the principal chain of the polymer are carried out directly from an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は耐熱性ポリマの前駆体であって9化学線感応性
に優れた重合体組成物に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a polymer composition that is a precursor of a heat-resistant polymer and has excellent sensitivity to actinic radiation.

〔従来技術〕[Prior art]

化学線、特に光感応性を付与したポリイミド前駆体組成
物としては、半導体の絶縁層や/くツシベーション層用
に開発された次のものが知られている。
As polyimide precursor compositions imparted with actinic radiation, particularly photosensitivity, the following ones developed for use in semiconductor insulating layers and/or oxidation layers are known.

(a) ポリアミド酸と1〜5重量重量型クロム酸塩と
からなる組成物(例えばusp562387D )(b
)下式 で例示されるような構造のエステル基で感光性基を導入
したポリイミド前駆体組成物(例えばUSP3.957
,512.usp4,040,8ろ1)。
(a) A composition comprising a polyamic acid and a 1 to 5 wt chromate (e.g. USP 562387D) (b
) A polyimide precursor composition into which a photosensitive group is introduced with an ester group having a structure as exemplified by the following formula (for example, USP 3.957
,512. usp4,040,8ro1).

(c) ポリアミド酸に化学線により2量化又は重合可
能な炭素−炭素二重結合およびアミノ基又はその四級化
塩を含む化合物を添加した組成物(例えば特開昭54−
145’794)。
(c) A composition in which a compound containing a carbon-carbon double bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation is added to polyamic acid (for example, JP-A-54-1999
145'794).

これらはいずれも適当な有機溶剤に溶解したワニス状態
で基板に塗布、乾燥して塗膜とした後に。
All of these are dissolved in a suitable organic solvent and applied to the substrate in the form of a varnish, and then dried to form a coating film.

適当なフォトマスクを介して紫外線照射した後に現像し
、リンス処理して所望のレリーフ・パターンを得ている
After irradiating with ultraviolet rays through a suitable photomask, the film is developed and rinsed to obtain the desired relief pattern.

パターン化したポリイミド前駆体の被膜はさらに適当な
加熱処理を行なうことによシ耐熱性を有するポリイミド
被膜としている。
The patterned polyimide precursor film is further subjected to an appropriate heat treatment to form a heat-resistant polyimide film.

しかし、かかる従来の組成物は光で直接パターン化し得
るが次の欠点を有している。すなわち。
However, although such conventional compositions can be directly patterned with light, they have the following drawbacks. Namely.

(a)においては組成物の安定性が著しく悪く、ポリア
ミド酸と重クロム酸の混合後ただちに使用する必要があ
り、工業的な利用には大きな制約となるという欠点があ
る。またパターン化した膜中に無機イオンが存在するた
めに、無機イオンの存在が信頼性に悪影響を及ぼす半導
体用途には不適であつた。
In (a), the stability of the composition is extremely poor and it is necessary to use it immediately after mixing the polyamic acid and dichromic acid, which is a drawback in that it is a major restriction on industrial use. Furthermore, since inorganic ions exist in the patterned film, it is unsuitable for semiconductor applications where the presence of inorganic ions adversely affects reliability.

(+))においては、ポリマは主として、感光性基と2
酸塩化物基を有する化合物とジアミンとを反応させるこ
とによって重合しておシ、その製造工程が複雑であるば
かシでなく9脱塩酸によって生じる塩素イオンが膜中に
残るために半導体用途では信頼性に悪影響を及ぼす可能
性があった。
(+)), the polymer mainly contains photosensitive groups and 2
Polymerization is achieved by reacting a compound with an acid chloride group with a diamine, and the manufacturing process is not complicated, but the chlorine ions produced by dehydrochlorination remain in the film, making it reliable for semiconductor applications. It could have a negative impact on sexuality.

(C)に記した材料はこれらの欠点を改良した材料であ
るが、これらにおいてもその感度がいずれも数百Jm/
cm”程度と低く半導体工業で通常用いられている露光
装置で処理するには不充分である。
The materials listed in (C) are materials that have improved these drawbacks, but even in these materials, the sensitivity is still only several hundred Jm/m.
cm", which is insufficient for processing with exposure equipment commonly used in the semiconductor industry.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、上記従来技術の欠点を解消せしめ。 The present invention eliminates the drawbacks of the prior art described above.

耐熱性ポリマの前駆体において、化学線に感応性の優れ
た重合体組成物を提供せんとするものである。
It is an object of the present invention to provide a polymer composition having excellent sensitivity to actinic radiation as a precursor for a heat-resistant polymer.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

本発明は上記目的を達成するため次の構成、すなわち。 In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.

族 (a) 一般式 %式% ) で表わされる構造単位CIIを主成分とするポリマ(但
し1式中 R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有す
るろ価または4価の有機基、R2は少な−くとも2個以
上の炭素原子を有する2価の有機基。
Group (a) A polymer whose main component is the structural unit CII represented by the general formula - A divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms.

R1は水素またはアンモニウムイオンを表わす。R1 represents hydrogen or ammonium ion.

nは1−4:、たは2である)と。n is 1-4:, or 2).

(b)化学線によシ2量化または重合可能な不飽和結合
及びアミノ基またはその4級化塩を含む化合物(I[’
lと。
(b) A compound (I['
l and.

(c) 化学線不感応性の芳香族第2級または第6級ア
ミノ化合物〔■〕と。
(c) With an aromatic secondary or 6th class amino compound [■] which is insensitive to actinic radiation.

(d)オルソキノンジアジド化合物[: IV ]とか
らなる化学線感応性重合体組成物を特徴とするものであ
る。
(d) An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising an orthoquinone diazide compound [: IV ].

本発明における構造単位〔I〕を有するポリマ(以後、
ポリイミド系ポリマ前駆体と呼ぶ)とは。
A polymer having the structural unit [I] in the present invention (hereinafter referred to as
What is a polyimide polymer precursor?

前記一般式で示される構造を有し、加熱あるいは適当な
触媒によジイミド環や、その他の環状構造を有する。ポ
リマ(以後、ポリイミド系ポリマと呼ぶ)となシ得るも
のである。
It has a structure represented by the above general formula, and has a diimide ring or other cyclic structure formed by heating or a suitable catalyst. It can be used as a polymer (hereinafter referred to as polyimide polymer).

上記構造単位〔l〕中、R1は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する6価または4価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマの耐熱性の面から、R′はポリマ主鎖のカ
ルボニル基との結合が芳香族環あるいは芳香族複素環か
ら直接性なわれる構造を有するものが好ましい。従って
 R1としては、芳香族環又は芳香族複素環を含有し、
かつ炭素数6〜30の3価または4価の基が好ましい。
In the above structural unit [l], R1 is a hexavalent or tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms. In view of the heat resistance of the polyimide polymer, R' preferably has a structure in which the bond to the carbonyl group in the main chain of the polymer is directly formed from an aromatic ring or an aromatic heterocycle. Therefore, R1 contains an aromatic ring or an aromatic heterocycle,
And a trivalent or tetravalent group having 6 to 30 carbon atoms is preferred.

R1のより好ましい具体的な例としては。More preferable specific examples of R1 include:

CI(、CF。CI(,CF.

(式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置するが、−この結合手は上記構造式には記載していな
い)。
(In the formula, the bond represents a bond with the carbonyl group of the polymer main chain, and the carboxyl group is located at the ortho position to the bond; however, this bond is not shown in the above structural formula).

などが挙げられるが、これらに限定されない。Examples include, but are not limited to, the following.

また構造単位CI)を有するポリマは9R′がこれらの
うちただ1種から構成されていてもよいし。
Further, in the polymer having the structural unit CI), 9R' may be composed of only one of these types.

2種以上から構成される共重合体であってもよい。A copolymer composed of two or more types may also be used.

R1として特に望ましいものは。What is particularly desirable as R1?

である(但し式中、結合手の定義については前述と同様
である)。
(However, the definition of the bond in the formula is the same as above).

上記構造単位CI)中、R2は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基であるが、ポリイミド系ポ
リマとした時の耐熱性の面から、ポリマ主鎖のアミド基
との結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接性な
われる構造を有するものが好ましい。従って R2とし
ては芳香族環又は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6
〜3oの2価の基が好ましい。
In the above structural unit CI), R2 is a divalent organic group having at least two or more carbon atoms, but from the viewpoint of heat resistance when used as a polyimide polymer, the bond with the amide group of the polymer main chain is Those having a structure directly formed from an aromatic ring or an aromatic heterocycle are preferred. Therefore, R2 contains an aromatic ring or an aromatic heterocycle and has 6 carbon atoms.
-3o divalent groups are preferred.

R2の好ましい具体的な例としては。Preferred specific examples of R2 include:

O CH。O CH.

CH,、CH。CH,,CH.

C式中、結合手は主鎖のアミド基との結合を表わす)な
どが挙げられる。また、これらがポリイミド系ポリマの
耐熱性に悪影響を与えない範囲内でアミノ基、アミド基
、カルボキシル基、スルホンアミド基などの核置換基を
有していても差支えない。これらの核置換基を有するも
のの内で特に好ましい例として が挙げられる。
In formula C, the bond represents a bond with an amide group in the main chain). Further, these may have a nuclear substituent such as an amino group, an amide group, a carboxyl group, a sulfonamide group, etc., within a range that does not adversely affect the heat resistance of the polyimide polymer. Particularly preferred examples of those having these nuclear substituents include:

構造単位[I]を有するポリマは、R2がこれらのうち
ただ1種から構成されていてもよいし、2種以上から構
成される共重合体であってもよい。
In the polymer having the structural unit [I], R2 may be composed of only one type among these, or may be a copolymer composed of two or more types.

さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲で R2として、シロキ
サン構造を有する脂肪族性の基を共重合することも可能
である。好ましい具体例として CHCH 例として。
Furthermore, in order to improve the adhesiveness of the polyimide polymer, it is also possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane structure as R2 within a range that does not reduce the heat resistance. CHCH as a preferred example.

ピロメリット酸二無水物と4.4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル。
Pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether.

ピロメリット酸二無水物および3.3/、 4.4/−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸と4,41−ジアミノ
ジフェニルエーテル。
Pyromellitic dianhydride and 3.3/, 4.4/-
Benzophenone tetracarboxylic acid and 4,41-diaminodiphenyl ether.

3、3/、、 4.4/−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物と4+4′〜ジアミノジフエニルエーテル
3, 3/, 4.4/-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4+4'-diaminodiphenyl ether.

3、3/、 4.4/−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物ト4.4/−ジアミノジフェニルエーテル。
3, 3/, 4.4/-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4.4/-diaminodiphenyl ether.

3、6′、 4.4r−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物および3.3/、 4.4/−ペンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物と4+4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル。
3,6',4.4r-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3.3/,4.4/-penzophenonetetracarboxylic dianhydride and 4+4'-diaminodiphenyl ether.

ピロメリット酸二無水物と6,3′−ジアミノジフェニ
ルスルホン。
Pyromellitic dianhydride and 6,3'-diaminodiphenylsulfone.

ピロメリット酸二無水物および6ダ、4.4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物と6.ダ−(又は4
.4/ −)ジアミノジフェニルスルホン。
6. pyromellitic dianhydride and 6da,4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; Dar (or 4
.. 4/-) diaminodiphenylsulfone.

5、3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物と3.3/ −(又は4.4’−)ジアミノ
ジフェニルスルホン。
5,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 3.3/-(or 4,4'-)diaminodiphenylsulfone.

ろ、乙t、4.4t−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物とろ3/ (又は4.4/ −)ジアミノジフェニ
ルスルホン。
Ro, Ot, 4.4t-biphenyltetracarboxylic dianhydride Toro3/ (or 4.4/ -) diaminodiphenylsulfone.

3、3/、 4.4/−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物および3.3/、 4.4/−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸覧東物とi、 3/ −(又は4.4/
 −、)ジアミノジフェニルスルホン。
3, 3/, 4.4/-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3.3/, 4.4/-benzophenone tetracarboxylic acid and i, 3/ - (or 4.4/
-,) diaminodiphenylsulfone.

ピロメリット酸二無水物と4,41−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン。
Pyromellitic dianhydride, 4,41-diaminodiphenyl ether and bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

ピロメリット酸二無水物および3.3’、 4.4/−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と4.4’−
ジアミノジフェニルエーテルおよびビス(3−アミノプ
ロピル)テトラメチルジシロキサン。
Pyromellitic dianhydride and 3.3', 4.4/-
Benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4.4'-
Diaminodiphenyl ether and bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

6、ろt、4.4t−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と4.4′−ジアミノジフェニルエーテルおよ
びビス(6−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン。
6. Filter, 4.4t-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4.4'-diaminodiphenyl ether and bis(6-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

3、3/、 4.4′−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよび
ビス(6−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
3,3/,4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and bis(6-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

3、3/、 4.4/−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物および3.3/、 4.4/−ベンゾフェノンテ
トラカルボン−餐水物と4,41−ジアミノジフェニル
エーテルおよびビス(6−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン。
3,3/,4.4/-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3.3/,4.4/-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride and 4,41-diaminodiphenyl ether and bis(6-aminopropyl) Tetramethyldisiloxane.

ピロメリット酸二無水物と3.3/ −(又は4.4t
−)ジアミノジフェニルスルホンおよびビス(6−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン。
Pyromellitic dianhydride and 3.3/- (or 4.4t
-) diaminodiphenylsulfone and bis(6-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

ピロメリット酸二無水物および3.3’、 4.4’−
ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水物と3,3/−
(又は4,4/−)ジアミノジフェニルスルホンおよび
ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
Pyromellitic dianhydride and 3.3', 4.4'-
Hensiphenotetracarboxylic dianhydride and 3,3/-
(or 4,4/-)diaminodiphenylsulfone and bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane.

ろ、3/、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と3.3’ −(又は4.4/ −)ジアミノ
ジフェニルスルホンおよびビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン。
3/, 4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3.3'-(or 4.4/-)diaminodiphenylsulfone and bis(3-aminopropyl)
Tetramethyldisiloxane.

ろ、ダ、4,4/−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、!= 3.3/ −(又は4.4/ −)ジアミノ
ジフェニルスルホンおよびビス(6−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン。
Ro, da, 4,4/-biphenyltetracarboxylic dianhydride! = 3.3/-(or 4.4/-)diaminodiphenylsulfone and bis(6-aminopropyl)
Tetramethyldisiloxane.

ろ、ろ/、44/−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物および6.6′、4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物と3.3/ −(又は4.4/ −)
ジアミノジフェニルスルホンおよびビス(6−アミノプ
ロピル)テトラメチルジシロキサン などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いられる
Ro, Ro/, 44/-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 6.6',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3.3/- (or 4.4/-)
Polyamic acid synthesized from diaminodiphenylsulfone, bis(6-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, etc. is preferably used.

構造単位〔I〕を主成分とするポリマとは9構造単位〔
I〕のみから成るものであってもよいし、他の構造単位
との共重合体であってもよい。共重合に用いられる11
4造単位の種類、量は最終加熱処理によって得られるポ
リイミド系ポリマの耐熱性を典型的な例として挙げられ
るが、これらには限定されない。
A polymer whose main component is structural unit [I] is 9 structural units [
I], or may be a copolymer with other structural units. 11 used in copolymerization
The type and amount of the four-structured units are typically exemplified by the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment, but are not limited thereto.

化学線によシ2量化又は重合可能な不飽和結合及びアミ
ン基又はその4級化塩を含む化合物(II)とは、1分
子中に炭素−炭素二重結合とアミン基又は4級化したア
ミノ基を含む化合物である。
Compound (II) containing an unsaturated bond and an amine group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation is a compound containing a carbon-carbon double bond and an amine group or a quaternized salt thereof in one molecule. It is a compound containing an amino group.

下記の一般式〔A〕 R’ くことでR4は水素又はフェニル基、R5は水素又は炭
素数1〜乙の低級チルキル基、R6は置換又は無置換の
炭素数2〜するの炭化水素基、R“、R“は置換又は無
置換の炭素数1〜乙のアルキル基を各々表わす)と。
In the following general formula [A] R', R4 is hydrogen or a phenyl group, R5 is hydrogen or a lower methyl group having 1 to 2 carbon atoms, R6 is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 2 to 2 carbon atoms, R" and R" each represent a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 2 carbon atoms).

一般式〔E] (ここでR7は無置換又は置換の炭素数1〜乙のアルキ
ル基を表わす)と。
General formula [E] (where R7 represents an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 2 carbon atoms).

一般式〔C〕 R1゜ (CH,= C−CH1+N −I(〕 〔C〕(ここ
で9R10は水素又はメチル基を表わし。
General formula [C] R1゜(CH,=C-CH1+N-I() [C] (where 9R10 represents hydrogen or a methyl group.

n+1 = 3 、 n = 1〜5である)あるいは
これらの四級化塩などが好ましく用いられる。
n+1 = 3, n = 1 to 5) or their quaternized salts are preferably used.

好ましい具体的な例として CH,= CH−CH,NH2。As a preferred specific example CH,=CH-CH,NH2.

CH。CH.

CH,=C−CH,NH,。CH,=C-CH,NH,.

(CH,= CH−CH3)、NH などが挙げられるが、これらに限定されない。(CH,=CH-CH3), NH Examples include, but are not limited to, the following.

化学線感応性の面から、とくに不飽和基としてアクリル
基又はメタクリル基を有するアミノ化合物が望ましい。
From the viewpoint of actinic radiation sensitivity, amino compounds having an acrylic or methacrylic group as an unsaturated group are particularly desirable.

アミノ基が四級化されていない化合物の場合は構造単位
〔I〕の R′が水素のものと組合せるのが望丑しい。
In the case of a compound in which the amino group is not quaternized, it is preferable to combine the structural unit [I] with one in which R' is hydrogen.

アミノ基が四級化されている化合物の場合は構造単位C
I)の R″がアンモニラみ・イオンのものと組合せる
のが望ましい。
In the case of compounds in which the amino group is quaternized, the structural unit C
It is desirable that R″ in I) be combined with that of ammonia/ion.

化合物CII)は構造単位〔I〕を主成分とするポリマ
の全カルボキシル基(又はその塩)の005当量以上、
好1しくけ03当量以上で、かつ2倍当量以下でポリマ
と混合されているのが望せしい。
Compound CII) is 005 equivalent or more of all carboxyl groups (or salts thereof) of the polymer mainly composed of structural unit [I],
Preferably, it is mixed with the polymer in an amount of 3 equivalents or more and 2 times the equivalent or less.

この範囲をはずれると化学線感応性が悪くなった9、現
像時間、温度などの現像条件の許容巾が狭くなったりす
るおそれがあるので注意を要する。
If it is outside this range, there is a risk that the sensitivity to actinic radiation will deteriorate (9) or that the allowable range of development conditions such as development time and temperature will be narrowed, so care must be taken.

伺、化合物〔■〕にこれと共重合しうるモノマとして9
例えば好ましくはモノマレイミド、ポリマレイミドある
いけこれらの置換体を併用して用いると化学線感応性が
向上してi好ましい。
9 as a monomer that can be copolymerized with the compound [■].
For example, it is preferable to use monomaleimide, polymaleimide, or a combination of substituted substances thereof, since the sensitivity to actinic radiation is improved.

化学線不感応性の芳香族第2級又は第6級アミノ化合物
14〕とは2本発明の目的を達成する程度の照射量では
化学線による直接的な化学変化1例えば光化学的な変化
を生じないような化合物であす る。このような化合物〔賢〕としては例えば化学線によ
り容易に2量化又は重合可能な不飽和結合や。
Actinic radiation-insensitive aromatic secondary or 6th-class amino compounds 14] are compounds that cause direct chemical changes (1), such as photochemical changes, due to actinic radiation at an irradiation dose sufficient to achieve the purpose of the present invention. It is made with a compound that does not have any Examples of such compounds include unsaturated bonds that can be easily dimerized or polymerized by actinic radiation.

アミノ基のついた芳香核に共役したケトン性のカルボニ
ル基は当然分子中に存在しない化合物といえる。本発明
にいう化学線不感応性の芳香族第2級又は第6級アミン
化合物〔■〕としては、芳香核とその芳香核と直接結合
したアミン基を有し、そのアミン基の少なくとも1個の
水素を置換又は無置換のアルキル基で置換した化合物を
さす。
A ketonic carbonyl group conjugated to an aromatic nucleus with an amino group can naturally be said to be a compound that does not exist in the molecule. The actinic radiation-insensitive aromatic secondary or quaternary amine compound [■] according to the present invention has an aromatic nucleus and an amine group directly bonded to the aromatic nucleus, and at least one of the amine groups Refers to a compound in which hydrogen is replaced with a substituted or unsubstituted alkyl group.

ここでいう芳香核とはベンゼン核、ナフタレン核などを
さす。これら芳香核は、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン基などの置換基すなわち。
The aromatic nucleus referred to here refers to benzene nucleus, naphthalene nucleus, etc. These aromatic nuclei include substituents such as alkyl groups, alkoxy groups, and halogen groups.

通常この種の感光組成物の露光に用いる程度の照射量で
は三量化等の光化学変化を生じないような置換基で置換
されていてもよい。
It may be substituted with a substituent that does not cause a photochemical change such as trimerization at the irradiation dose normally used for exposure of this type of photosensitive composition.

また、 −CH,−基、−so、−基、÷基などの簡単
な2価の基を介して置換または無置換の他の芳香核と結
合していても良い。通常炭素数6〜60゜好ましくは6
〜15のものである。アミン基に結合しているアルキル
基は鎖状であってもよいし。
Further, it may be bonded to another substituted or unsubstituted aromatic nucleus via a simple divalent group such as -CH, - group, -so, - group, ÷ group. Normally carbon number is 6 to 60°, preferably 6
~15. The alkyl group bonded to the amine group may be chain-like.

アミノ基の窒素原子を含む環状(環の中に酸素。Cyclic (oxygen in the ring) containing the nitrogen atom of the amino group.

イオウ、窒素などのへテロ原子を含んでいてもよい)を
呈していてもよく、極性の置換基を有していてもよい。
may contain a heteroatom such as sulfur or nitrogen), and may have a polar substituent.

そして通常炭素数1〜12.好ましくは1〜乙のものが
用いられる。
And usually has 1 to 12 carbon atoms. Preferably, those of 1 to B are used.

アミノ化合物CI)の好ましい具体的な例としては、N
−フェニルエチルアミン、N−フェニルジエチルアミン
、N−フェニル−N−エチルベンジルアミン、N−フェ
ニルモルホリン、3−エチルアミノ−p−クレゾール、
N−フェニル−N、−(2鴬シアノエチル)エチルアミ
ン、N−フェニルエタノールアミン、N−フェニル−N
−メチルエタノールアミン、N−フェニル−N−エチル
エタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン。
Preferred specific examples of the amino compound CI) include N
-phenylethylamine, N-phenyldiethylamine, N-phenyl-N-ethylbenzylamine, N-phenylmorpholine, 3-ethylamino-p-cresol,
N-phenyl-N, -(cyanoethyl)ethylamine, N-phenylethanolamine, N-phenyl-N
-Methylethanolamine, N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine.

N−(,3−メチルフェニル)ジェタノールアミン。N-(,3-methylphenyl)jetanolamine.

N−(4−メチルフェニル)ジェタノールアミン。N-(4-methylphenyl)jetanolamine.

N−フェニルジイソプロパツールアミンなどが挙げられ
る。
Examples include N-phenyldiisopropazuramine.

上記アルキル基が結合したアミン基を有する芳香族第2
級または第3級のアミノ化合物のうちでアルキル基に極
性の置換基を有するものがよシ好ましく、とくに極性の
置換基として水酸基を有するアミノ化合物すなわち、ア
ミノ基の少なくとも1個の水素を水酸基を有するアルキ
ル基で置換した芳香族アミノ化合物が最も好ましい。
Aromatic secondary compound having an amine group to which the above alkyl group is bonded
Of the primary or tertiary amino compounds, those having a polar substituent on the alkyl group are particularly preferred.Amino compounds having a hydroxyl group as a polar substituent, that is, those in which at least one hydrogen of the amino group is replaced by a hydroxyl group, are preferred. Most preferred are aromatic amino compounds substituted with an alkyl group.

具体的にはN−フェニルエタノールアミン、N−フェニ
ルーN−エチルエタノールアミン、N−フェニルジエタ
ノールアミン、N−(3−メチルフェニル)ジェタノー
ルアミン、’N−(4−メチルフェニル)ジェタノール
アミンなどが挙げられる。
Specifically, N-phenylethanolamine, N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-(3-methylphenyl)jetanolamine, 'N-(4-methylphenyl)jetanolamine, etc. Can be mentioned.

化合物(1)は構造単位〔■〕を主成分とするポリマの
重量に対しO11重量重量上混合するのが望ましく、よ
シ好ましくはポリマの重量に対し05重量係以上で、か
つ20重量係以下の割合で混合するのがよい。この範囲
をけずれると化学線感応性が悪くなったり、現像時間、
温度などの現像条件の許容巾が狭くなったシするおそれ
があるので注意を要する。
It is desirable that the compound (1) be mixed in an amount of O11 based on the weight of the polymer containing the structural unit [■] as a main component, and preferably in an amount of 05 or more and 20 or less based on the weight of the polymer. It is best to mix them in the following proportions. If you deviate from this range, the sensitivity to actinic radiation may deteriorate, the development time may
Care must be taken because the allowable range of developing conditions such as temperature may be narrowed.

オルソキノンジアジド化合物〔■〕とは1分子中にオル
ソキノンジアジド基を1つ又はそれ以上含有する化合物
である。
The orthoquinonediazide compound [■] is a compound containing one or more orthoquinonediazide groups in one molecule.

オルソキノンジアジド基としてはベンゼン系。The orthoquinonediazide group is benzene-based.

ナフタレン系、キノリン系などが用いられる。ベンゾキ
ノンジアジド又はナフトキノンジアジドが好ましく用い
られるが、安定性の良い(1,2)−ナフトキノン−(
2)−ジアジド基が特に好ましく用いられる。
Naphthalene type, quinoline type, etc. are used. Benzoquinone diazide or naphthoquinone diazide is preferably used, but (1,2)-naphthoquinone-(
2)-diazide group is particularly preferably used.

オルソキノンジアジド化合物CIV)としては。As the orthoquinonediazide compound CIV).

通常、前記オルソキノンジアジドのスルホン酸誘導体と
アミノ化合物とからなるオルソキノンジアジドスルホン
酸アミド化合物あるいは、ヒドロキシ化合物とからなる
オルソキノンジアジドスルホン酸エステルが好ましく用
いられる。
Usually, an orthoquinonediazide sulfonic acid amide compound consisting of the sulfonic acid derivative of orthoquinonediazide and an amino compound, or an orthoquinonediazide sulfonic acid ester consisting of a hydroxy compound is preferably used.

例えば。for example.

(1,2)−ナフトキノン−(2)−ジアジド−(4)
−スルホン酸または。
(1,2)-naphthoquinone-(2)-diazide-(4)
-sulfonic acid or.

(1,2)−ナフトキノン−(2)−ジアジド−(5)
−スルホン酸と、アンモニア、メチルアミン、エタノー
ルアミン、アニリン、2−ヒドロキシアニリン、3−ヒ
ドロキシアニリン、4−ヒドロキシアニリン、2,6−
ジヒドロキシアニリン。
(1,2)-naphthoquinone-(2)-diazide-(5)
- Sulfonic acid, ammonia, methylamine, ethanolamine, aniline, 2-hydroxyaniline, 3-hydroxyaniline, 4-hydroxyaniline, 2,6-
Dihydroxyaniline.

2.5−ジヒドロキシアニリン、0−アミノ−p−クレ
ゾール、p−アミノ安息香酸、3−アミノ−4−ヒドロ
キシ−ジフェニルなどから選ばれたアミノ化合物とから
ガるスルホン酸アミド化合物。
2. A sulfonic acid amide compound consisting of an amino compound selected from 5-dihydroxyaniline, 0-amino-p-cresol, p-aminobenzoic acid, 3-amino-4-hydroxy-diphenyl, etc.

または。or.

前記ナエトキノンジアジドスルホン酸誘導体と。and the naethoquinonediazide sulfonic acid derivative.

エチレングリコール、グリセ白−ル、フェノール。Ethylene glycol, glycerol, phenol.

カテコール、ヒト90キノン、p−ヒト90キシ安息香
酸、p−ヒドロキシベンズアミド、p−ヒドロキシベン
ゼンスルホンアミド” 、 2.3.4 ’−)リヒド
ロキシベンゾフエノン、などから選ばれたヒドロキシ化
合物とからなるスルホン酸エステル化合物が好ましく用
いられるが、これらに限定されない。
A hydroxy compound selected from catechol, human 90 quinone, p-human 90 xybenzoic acid, p-hydroxybenzamide, p-hydroxybenzenesulfonamide, 2.3.4'-) hydroxybenzophenone, etc. Although the following sulfonic acid ester compounds are preferably used, the present invention is not limited thereto.

これらオルソキノンジアジド9スルホン酸アミド化合物
あるいはオルソキノンジアジドスルホン酸エステル化合
物は1通常、オルンキノンジアジドスルホン酸の酸クロ
リドと、アミノ化合物又は。
These orthoquinonediazide 9 sulfonic acid amide compounds or orthoquinonediazide sulfonic acid ester compounds are usually composed of an acid chloride of orthoquinonediazide sulfonic acid and an amino compound or.

ヒドロキシ化合物の縮合反応によって製造される。Produced by condensation reaction of hydroxy compounds.

オルソキノンジアジド化合物(IV ]は、構造単位〔
I〕を主成分とするポリマの重量に対し、01重量係以
上加えるのが望ましく、よシ好ましくはポリマの重量に
対し、05重量係以上で60重量係以下の割合で加える
のがよい。この範囲をはずれると、現像性や組成物の安
定性に悪影響を及ぼすおそれがあるので注意を要する。
The orthoquinonediazide compound (IV) has the structural unit [
It is desirable to add 01 parts by weight or more to the weight of the polymer whose main component is I], and more preferably in a ratio of 05 parts to more than 60 parts by weight to the weight of the polymer. If it is out of this range, it may adversely affect the developability and stability of the composition, so care must be taken.

化合物〔■〕は1種類のみを用いてもよいし、また2種
あるいはそれ以上の種類を併用してもよい。
Only one type of compound [■] may be used, or two or more types may be used in combination.

本発明の組成物の一製造方法について説明する。One method for producing the composition of the present invention will be explained.

まず溶媒中でジアミン化合物と酸二無水物を反応させ、
構造単位白〕を主成分とするポリマを得。
First, a diamine compound and an acid dianhydride are reacted in a solvent,
A polymer containing the structural unit [white] as the main component was obtained.

次にこの溶液に化合物CI[]、CHI)および〔■〕
、必要に応じて他の添加剤を溶解調合することにより製
造することができる。なお、上記のポリマとして固体状
のポリアミド酸ポリマあるいは9反応後に溶液から分離
精製したポリマを再溶解して用いても差支えない。
Next, compounds CI[], CHI) and [■] were added to this solution.
, can be manufactured by dissolving and blending other additives as necessary. In addition, as the above-mentioned polymer, a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from the solution after 9 reactions may be redissolved and used.

上記製造方法で用いる溶媒としてはポリマの溶解性の面
から極性溶媒が好ましく用いられ、特に非プロトン性極
性溶媒が好適である。非プロトン性極性溶媒としては、
N−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルホルム
アミI−、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホオキシド。
As the solvent used in the above production method, polar solvents are preferably used from the viewpoint of solubility of the polymer, and aprotic polar solvents are particularly suitable. As an aprotic polar solvent,
N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide I-,N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide.

ヘキサメチルホスホロトリアミド、t−ブチロラクトン
などが好ましく用いられる。
Preferably used are hexamethylphosphorotriamide, t-butyrolactone, and the like.

他の添加剤としては、増感剤、共重合モノマあるいは基
板との接着改良剤を感度と耐熱性が大幅に低下しない範
囲で含んでいてもよい。
As other additives, a sensitizer, a copolymer monomer, or an adhesion improver with the substrate may be included as long as the sensitivity and heat resistance are not significantly reduced.

次に本発明の組成物の使用方法について説明する。本発
明の組成物は化学線を用いた周知の微細加工技術でパタ
ーン加工が可能である。
Next, a method of using the composition of the present invention will be explained. The compositions of the present invention can be patterned using well-known microfabrication techniques using actinic radiation.

まず本発明の組成物を適当な支持体の上に塗布する。塗
布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレ
ーコータを用いた噴霧塗布、浸漬。
First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Application methods include rotation coating using a spinner, spray coating using a spray coater, and dipping.

印刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗
布膜厚は塗布手段1組成物の固型分濃度。
Means such as printing, roll coating, etc. are possible. The coating film thickness is the solid content concentration of the coating means 1 composition.

粘度によって調節することができる。It can be adjusted by viscosity.

本発明の組成物を塗布する支持体の材質としては9例え
ば金属、ガラス、半導体、金属酸化物絶縁体(例えば、
 Tie、 、 Ta、O,、Sin、など)、窒化ケ
イ素などが挙げられる。
Examples of materials for the support to which the composition of the present invention is applied include metals, glass, semiconductors, metal oxide insulators (e.g.
Tie, Ta, O, Sin, etc.), silicon nitride, and the like.

本発明の組成物の塗膜又は加熱処理後のポリイミド被膜
と支持体との接着性を向上させるために適宜接着助剤を
用いることもできる。
In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after heat treatment and the support, an adhesion aid may be used as appropriate.

接着助剤として、オキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン。
As an adhesion aid, oxypropyltrimethoxysilane,
γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane.

γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなど
の有機ケイ素化合物あるいは、アルミニウムモノエチル
アセトアセテートジインプロピレート、アルミニウムト
リス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネート)などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセトネート
)などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用い
られる。
Organosilicon compounds such as γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, aluminum chelate compounds such as aluminum monoethylacetoacetate diimpropylate, aluminum tris (ethylacetoacetate), aluminum tris (acetylacetonate), or titanium bis(acetylacetonate). A titanium chelate compound such as Nate) is preferably used.

次に上記支持体上で塗膜となった本発明の組成物に所望
のパターン状に化学線を照射する。化学線としてはX線
、電子線、紫外線、可視光線などが例として挙げられる
が、紫外線および短波長の可視光線、すなわち波長範囲
で300nm〜500nmが好ましい。
Next, the composition of the present invention, which has become a coating film on the support, is irradiated with actinic radiation in a desired pattern. Examples of actinic radiation include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible light, etc., but ultraviolet rays and short-wavelength visible rays, that is, wavelengths in the range of 300 nm to 500 nm are preferred.

ついで未照射部を現像液で溶解除去することによシレリ
ーフ・パターンをうる。現像液はポリマの構造に合せて
適当なものを選択する。
Then, a sill relief pattern is obtained by dissolving and removing the unirradiated area with a developer. An appropriate developer is selected depending on the structure of the polymer.

現像液は本組成物の溶媒であるN−メチル−2−ピロリ
ドン、N−アセチル−2−ピロリド0ン。
The developing solution is N-methyl-2-pyrrolidone and N-acetyl-2-pyrrolidone, which are the solvents of this composition.

N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミト″、ジメチルスルホオキシド、へキサメチルホ
スホルトリアミドなどを単独あるいはメタノール、エタ
ノール、インプロピルアルコール、水、メチルカルピト
ール、エチルカルピトールなどの組成物の非溶媒との混
合液として用いることができる。又アンモニア水やその
他のアルカリ水溶液が使用可能な場合が多い。
N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, etc. alone or in a composition of methanol, ethanol, inpropyl alcohol, water, methylcalpitol, ethylcalpitol, etc. It can be used as a mixed solution with a non-solvent of the product.Also, aqueous ammonia and other alkaline aqueous solutions can often be used.

現像は上記の現像液を塗膜面にスプレィする。For development, the above developer is sprayed onto the coating surface.

あるいは、現像液中に浸漬する。あるいは浸漬しながら
超音波をかけるなどの方法によって行なうことができる
Alternatively, immerse it in a developer. Alternatively, it can be carried out by a method such as applying ultrasonic waves while being immersed.

現像によって形成したレリーフ・パターンは。The relief pattern formed by development.

ついでリンス液により洗浄することが好ましい。It is then preferable to wash with a rinsing liquid.

リンス液には現像液との混和性の良いメタノール。The rinse solution is methanol, which has good miscibility with the developer.

エタノール9イソプロピルアルコール、酢酸ブチルなど
が好ましく用いられる。
Ethanol, isopropyl alcohol, butyl acetate, and the like are preferably used.

上記の処理によって得られたレリーフ・パターンのポリ
マは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの前駆体であり
、加熱処理によジイミド環やその他の環状構造を有する
耐熱ポリマとなる。
The relief pattern polymer obtained by the above treatment is a precursor of a heat-resistant polyimide polymer, and by heat treatment becomes a heat-resistant polymer having a diimide ring or other cyclic structure.

本発明の組成物の化学線感応性の度合(感度)は支持体
基板上に形成した被膜に、グレースケール(コダック社
Photographic 5tep tablet 
Nα221 BTEPE )を介して高圧水銀灯の光を
照射し。
The degree of actinic radiation sensitivity (sensitivity) of the composition of the present invention is determined by measuring the gray scale (Kodak Photographic 5tep tablet) on the coating formed on the support substrate.
Light from a high-pressure mercury lamp was irradiated through the Nα221BTEPE).

次に現像し、最少光量で被膜が残った段数で判定した。Next, the film was developed and judged based on the number of layers that remained on the film under the minimum amount of light.

上記グレースケールでは段数が1段増加するごとに透過
光量が前段の17.7F K減少する。したがって段数
の大きいもの程、感度が高い。
In the above gray scale, each time the number of stages increases by one stage, the amount of transmitted light decreases by 17.7FK of the previous stage. Therefore, the larger the number of stages, the higher the sensitivity.

本発明の化学線感応性重合体組成物は、半導体のパッシ
ベーション膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積回
路の層間絶縁膜、プリント回路の半田杆袈護膜、液晶用
配向膜などの形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォ
トレジストとして金属付着や、卜゛ヲイ・エツチング・
プロセスへの応用も可能である。その他ポリイミドの公
知の用途へ適用できる。
The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention can be used to form passivation films for semiconductors, interlayer insulating films for multilayer integrated circuits, interlayer insulating films for hybrid integrated circuits, solder shielding films for printed circuits, alignment films for liquid crystals, etc. It is offered to In addition, as a highly heat-resistant photoresist, it can be used for metal adhesion, printing, etching, etc.
Application to processes is also possible. It can be applied to other known uses of polyimide.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は上述したように構造単位〔I〕を主成分とする
ポリマと、化学線により2量化又は重合可能な不飽和結
合およびアミノ基又はその4級化塩を含む化合物(II
)と芳香族節、2級又は第6級アミノ化合物〔■〕とオ
ルソキノンジアジド化合物〔I■〕とから化学線感応性
の組成物としたので1周知の化学線感応剤であるオルソ
キノンジアジドラ用いた組成物に比べて大幅に感度が向
上するという予想外の効果を得ることができたものであ
る。
As described above, the present invention relates to a polymer having the structural unit [I] as a main component, and a compound containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation
), an aromatic node, a secondary or 6th class amino compound [■], and an orthoquinonediazide compound [I■] to form an actinic radiation-sensitive composition. The unexpected effect was that the sensitivity was significantly improved compared to the previous composition.

なお1本発明で用語の定義は次の通りである。Note that the terms used in the present invention are defined as follows.

耐熱性とは、窒素雰囲気中、200°Cで1時間加熱し
ても形成したレリーフ・パターンのぼけや熱減量がほと
んどないことをいう。
Heat resistance means that there is almost no blurring or thermal loss of the formed relief pattern even when heated at 200° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere.

次に、実施例に基づいて本発明の実施態様を説明する。Next, embodiments of the present invention will be described based on Examples.

実施例1 ジアミノジフェニルエーテル68 gfN−メチル−2
−ピロトドン600gに溶解し、アミン浴液を調合した
。ベンゾフェノンテトラカルボン酸二酸無水物108g
を加えて分散し、ついで50°0で6時間反応させるこ
とにより、30℃で20ポアズのポリマ溶液(A)を得
た。
Example 1 Diaminodiphenyl ether 68 gfN-methyl-2
- An amine bath solution was prepared by dissolving pyrotodone in 600 g. Benzophenone tetracarboxylic diacid anhydride 108g
was added and dispersed, and then reacted at 50°C for 6 hours to obtain a polymer solution (A) of 20 poise at 30°C.

溶液(A) 40 gとジエチルアミノエチルメタクリ
レート5.6 gを混合し、ついでN−フェニルジエタ
ノールアミン03gと、 (1,2)−ナフトキノン−
(2)−ジアジド−(5)−スルホ(4′−ヒドロキシ
)アニリド03gを、N−メチルピロリドン4.5gに
溶解した溶液と混合、175過した。
40 g of solution (A) and 5.6 g of diethylaminoethyl methacrylate were mixed, and then 03 g of N-phenyldiethanolamine and (1,2)-naphthoquinone-
A solution of 03 g of (2)-diazide-(5)-sulfo(4'-hydroxy)anilide dissolved in 4.5 g of N-methylpyrrolidone was mixed and filtered for 175 minutes.

得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハ上に回転塗
布し、ついで80℃で1時間乾燥して5μの塗膜を得た
。この塗膜は平坦でむらがなく。
The obtained solution was spin-coated onto a silicon wafer using a spinner, and then dried at 80° C. for 1 hour to obtain a coating film of 5 μm. This coating is flat and even.

かつ基板に十分密着していた。Moreover, it was in sufficient contact with the substrate.

感度をグレースケール法で調べた。露光は高圧水銀灯で
10秒間行った。紫外線の強度は665nmの波長域で
10 m W / cm”であった。現像はジメチルア
セトアミド(5部)とメタノール(2部)の混合溶媒で
行ない9次いでリンス液で洗浄した。
Sensitivity was investigated using the gray scale method. Exposure was performed using a high pressure mercury lamp for 10 seconds. The intensity of the ultraviolet rays was 10 mW/cm'' in the wavelength range of 665 nm.Development was carried out using a mixed solvent of dimethylacetamide (5 parts) and methanol (2 parts), followed by washing with a rinse solution.

被膜が残存する最少露光段数、すなわち感度は11段で
あった。
The minimum number of exposure steps at which the film remained, that is, the sensitivity was 11 steps.

比較例1 実施例1で得たポリマ溶液(A) 40 gとミヒラ・
ケトンおよびジエチルアミノエチルメタクリレート5.
6gをN−メチルピロリドン45gに溶解した溶液を混
合、濾過した組成物を実施例1と同様にしてテストした
。ミヒラ・ケトンの量を0.009Bから、0.9gま
で調節して調べたところ、約02g添加したところで増
感効果の向上は頭うちとなった。現像後、被膜が残存す
る最少露光段数、すなわち、感度は4段であった。
Comparative Example 1 40 g of the polymer solution (A) obtained in Example 1 and Mihira.
Ketones and diethylaminoethyl methacrylate5.
A composition prepared by dissolving 6 g of N-methylpyrrolidone in 45 g of N-methylpyrrolidone was mixed and filtered and tested in the same manner as in Example 1. When the amount of Mihira Ketone was adjusted from 0.009 B to 0.9 g, the improvement in the sensitizing effect reached a plateau when approximately 0.2 g was added. The minimum number of exposure steps at which the film remained after development, that is, the sensitivity was 4 steps.

実施例2 実施例1で得たポリマ溶液(A) 40 gとジメチル
アミンエチルメタクリレート5.6 g i混合し、つ
いで、N−フェニルジエタノールアミン06gと(1,
2)−ナフトキノン−(2)−ジアジド−(5)−スル
ホ(4′−ヒドロキシ)アニリド” 0.2 gを、N
−メチルヒロリドン5gに溶解した溶液を混合・濾過し
た。
Example 2 40 g of the polymer solution (A) obtained in Example 1 and 5.6 g of dimethylamine ethyl methacrylate were mixed, and then 06 g of N-phenyldiethanolamine and (1,
2)-naphthoquinone-(2)-diazide-(5)-sulfo(4'-hydroxy)anilide" 0.2 g was added to N
- A solution dissolved in 5 g of methylhydrolidone was mixed and filtered.

実施例1と同様にしてシリコンウェハ上に塗膜を形成し
、ついでこの塗膜の上に縞文様のマスクを密着させ、実
施例1と同様の方法で4秒間露光し、現像・リンスした
ところ、シャープな端面を持ったレリーフ・パターンを
得た。このパターンを3511MC,30分間熱処理す
ることによシ耐熱性のレリーフ・パターンを得た。この
パターンを200°Cで1時間熱処理しても、パターン
のぼやけも熱減量もなかった。
A coating film was formed on a silicon wafer in the same manner as in Example 1, and then a striped pattern mask was placed on top of this coating film, exposed for 4 seconds in the same manner as in Example 1, and developed and rinsed. , a relief pattern with sharp edges was obtained. This pattern was heat treated with 3511MC for 30 minutes to obtain a heat resistant relief pattern. Even when this pattern was heat-treated at 200°C for 1 hour, there was no pattern blurring or thermal loss.

特許出願人 東 し 株 式 会 社Patent applicant Higashi Shikikai Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) (a) 一般式 %式%) ) で表わされる構造単位〔■〕を主成分とするポリマ(但
し1式中 R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有す
る6価または4価の有機基、R′は少なくとも2個以上
の炭素原子を有する2価の有機基、R8は水素またはア
ンモニウムイオンを表わす。nは1または2である)と
。 (b)化学線によシ2量化または重合可能な不飽和結合
及びアミノ基またはその4級化塩を含む化合物〔■〕と
。 (c)化学線不感応性の芳香族第2級または第3級アミ
ン化合物〔■〕と。 (d) オルソキノンジアジド化合物CIV ]とから
なる化学線感応性重合体組成物。
(1) (a) A polymer whose main component is a structural unit [■] represented by the general formula %) (wherein R1 is a hexavalent or tetravalent organic compound having at least 2 or more carbon atoms) group, R' is a divalent organic group having at least 2 carbon atoms, R8 is hydrogen or ammonium ion, n is 1 or 2). (b) A compound [■] containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation. (c) an aromatic secondary or tertiary amine compound [■] that is insensitive to actinic radiation; (d) An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising an orthoquinonediazide compound CIV.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2005101125A1 (en) * 2004-03-31 2008-03-06 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Heat-resistant photosensitive resin composition, pattern manufacturing method using the composition, and electronic component

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005101125A1 (en) * 2004-03-31 2008-03-06 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Heat-resistant photosensitive resin composition, pattern manufacturing method using the composition, and electronic component
US7932012B2 (en) 2004-03-31 2011-04-26 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Heat-resistant photosensitive resin composition, method for forming pattern using the composition, and electronic part

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