JPS60134505A - Transistor amplifier circuit - Google Patents

Transistor amplifier circuit

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JPS60134505A
JPS60134505A JP58241846A JP24184683A JPS60134505A JP S60134505 A JPS60134505 A JP S60134505A JP 58241846 A JP58241846 A JP 58241846A JP 24184683 A JP24184683 A JP 24184683A JP S60134505 A JPS60134505 A JP S60134505A
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JP
Japan
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transistor
emitter
collector
resistor
current
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JP58241846A
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Inventor
Kazumitsu Takaku
高久 和光
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To realize a broad band and a low distortion factor at large amplification by applying a prescribed current to a collector of a transistor (TR) of the 1st stage of the inverted Darlington circuit comprising two TRs. CONSTITUTION:A base of a TR7 is connected to a signal source 3, a collector and a base of the TR1 are connected respectively to a constant current source 11, an emitter of the TR7 and the collector of the TR1 are connected and grounded via a resistor 4. The emitter of the TR1 is connected to a power supply 6 via a resistor 5, the power supply 6 is connected to a current source 11 and an output signal is extracted from the collector of the TR1. Since the collector current of the TR7 is the constant current in this way, the emitter current of the TR7 is unchanged, then the change in the equivalent emitter resistance (hib) due to the emitter current change of the TR7 is not caused, the distortion due to the change in the (hib) is not produced so as to amplify a signal with a low distortion factor, thereby realizing the broad band and low distortion factor at large amplification.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ビデオテープレコーダのビデオ信号回路等に
用いるに好適なトランジスタ増幅回路に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a transistor amplifier circuit suitable for use in a video signal circuit of a video tape recorder or the like.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

ビデオ信号回路等では広帯域、大振幅、低歪率のトラン
ジスタ増幅回路が必要である。第1図は従来のトランジ
スタ増幅回路の一例を示した回路図である。トランジス
タ1はエミッタ接地の増幅回路を構成し、そのベースは
内部抵抗2を有する信号源3に接続され、そのエミッタ
は抵抗4を介して接地されている。更にトランジスタ1
のコレクタは負荷抵抗5を介して電源6に接続されてい
る。但し、ベースバイアス回路は省略されている。
Video signal circuits and the like require wideband, large amplitude, and low distortion transistor amplifier circuits. FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional transistor amplifier circuit. The transistor 1 constitutes a common emitter amplifier circuit, its base is connected to a signal source 3 having an internal resistor 2, and its emitter is grounded via a resistor 4. Furthermore, transistor 1
The collector of is connected to a power source 6 via a load resistor 5. However, the base bias circuit is omitted.

上記のような回路は1個のトランジスタの電流帰還増幅
回路であり、トランジスタ1のエミッタ電流ieが信号
源3の信号によって変化する。即ち、このような回路は
トランジスタ1のエミッタ電流に略反比例する等価エミ
ッタ抵抗hibを有するため、大振幅時においては、エ
ミッタ電圧が信号波形に正確に追従せず、この結果コレ
クタ出力電圧が歪むという欠点がありた。この欠点は、
第2図に示したような、トランジスタ1のコレクタに直
接電源6が接続され、そのエミッタより出力を取出すエ
ミッタフォロワにおいても同様であった。
The circuit as described above is a current feedback amplifier circuit of one transistor, and the emitter current ie of the transistor 1 changes depending on the signal from the signal source 3. In other words, since such a circuit has an equivalent emitter resistance hib that is approximately inversely proportional to the emitter current of transistor 1, the emitter voltage does not accurately follow the signal waveform when the amplitude is large, and as a result, the collector output voltage is distorted. There were drawbacks. This drawback is
The same applies to the emitter follower shown in FIG. 2, in which the power source 6 is directly connected to the collector of the transistor 1 and the output is output from the emitter.

第3図及び第4図は上記問題点を少しでも是正するため
に2個のトランジスタを組合わせたダーリントン回路及
びインバーテートダーリントン回路を用いた回路例であ
る。第3図ではトランジスタ7のエミッタはトランジス
タ1のベースに接続されると共に、抵抗8を介して接地
されている。
3 and 4 show examples of circuits using a Darlington circuit and an inverted Darlington circuit in which two transistors are combined in order to correct the above-mentioned problems even to some extent. In FIG. 3, the emitter of transistor 7 is connected to the base of transistor 1, and is also grounded via resistor 8.

トランジスタ7のエミッタは内部抵抗2を有する信号源
3に接地され、そのコレクタはトランジスタ1のコレク
タと共に抵抗5を介して電源6に接続されている。トラ
ンジスタ1のエミッタは抵抗4を介して接地されている
。第4図では、トランジスタ7のコレクタはトランジス
タ1のベースに接続されると共に、抵抗9を介して電源
6に接続されている。トランジスタ7のベースは内部抵
抗2を有する信号源3に接続され、そのエミッタはトラ
ンジスタ1のコレクタと共に抵抗4を介して接地されて
いる。トランジスタ1のエミッタは抵抗5を介し″C電
源6に接続されている。これらの回路は第1段目のトラ
ンジスタ7に小信号用トランジスタのような比較的直線
性の良好なものを使用し、トータルの歪を小さくしよう
とするものである。しかし直線性の良好なトランジスタ
と言えども、エミッタ電流により等価エミッタ抵抗hi
bが変化するというトランジスタの本質的動作に変わり
はなく、歪をある値以下とすることはできない。即ち、
第3図のダーリントン回路では、抵抗8及び抵抗4を流
れる電流により、トランジスタ7の等価エミッタ抵抗h
ib及びトランジスタlの等価エミッタ抵抗hibが変
化し、結果的に出力が歪むことになる。第4図のインバ
ーテツドダーリントン回路では、抵抗9に流れる電流が
信号により変化し、これによりトランジスタ7のコレク
タ電流も変化し、更にトランジスタ7の等価エミッタ抵
抗hibの変化をもたらし、やはり出力が歪むことにな
る。
The emitter of the transistor 7 is grounded to a signal source 3 having an internal resistor 2, and its collector, together with the collector of the transistor 1, is connected to a power source 6 via a resistor 5. The emitter of transistor 1 is grounded via resistor 4. In FIG. 4, the collector of transistor 7 is connected to the base of transistor 1 and is also connected to power supply 6 via resistor 9. In FIG. The base of the transistor 7 is connected to a signal source 3 having an internal resistor 2, and its emitter, together with the collector of the transistor 1, is grounded via a resistor 4. The emitter of the transistor 1 is connected to the C power supply 6 through a resistor 5. In these circuits, a transistor with relatively good linearity, such as a small signal transistor, is used as the first stage transistor 7. This is an attempt to reduce the total distortion.However, even though the transistor has good linearity, the equivalent emitter resistance hi increases due to the emitter current.
There is no change in the essential operation of the transistor in that b changes, and the distortion cannot be reduced below a certain value. That is,
In the Darlington circuit of FIG. 3, the current flowing through resistor 8 and resistor 4 causes the equivalent emitter resistance h of transistor 7 to
ib and the equivalent emitter resistance hib of transistor l will change, resulting in a distorted output. In the inverted Darlington circuit shown in Figure 4, the current flowing through the resistor 9 changes depending on the signal, which causes the collector current of the transistor 7 to change, which in turn causes a change in the equivalent emitter resistance hib of the transistor 7, which also distorts the output. It turns out.

ここで、トランジスタ1のペースエミッタ間電圧を■y
sm、エミッタ電流をIc、ベースエミッタ逆方向飽和
電流をIs、ボルツマン定数をに、電子電荷をq、絶対
温度をTとすると以下の関係がある。
Here, the pace emitter voltage of transistor 1 is ■y
When sm is the emitter current, Ic is the base-emitter reverse saturation current, Is is the Boltzmann constant, q is the electron charge, and T is the absolute temperature, the following relationship exists.

Vllll # ” In (−−12’; ’ In
’■!(°、°h>xすkTIs kTIs ・・・(す +Z hib= d7;m q緊晋・・・(2)第5図
は(0式のVBIとIeの関係を示したものである。図
から明らかな如<VBKとシは非線形の関係となってお
り、第1図の回路におけるトランジスタ1のエミッタ電
圧とベース電圧(入力電圧)との関係は第6図の如くな
り、非直線性歪が発生していることが分る。なお第6図
の破線は歪が発生しない場合の特性を比較のために示し
たものである。上記のような歪発生原理は、第3図に示
したダーリントン回路においてもvti+が2段重ねに
なるだけで、基本的には同様である。一方、第4図に示
したインバーテツドダーリントン回路では負帰還がかか
るため若干異なるが、抵抗9の両端の交流電圧は出力抵
抗5の両端の電圧と略等しくなり、トランジスタ7のエ
ミッタ電流は出力電圧と略等しい変化をする。従って、
抵抗5の両端の電圧変化は′gTJ1図に示したエミッ
タ接地増幅回路の場合と同様の歪を持つことになる。な
お、(2)式は等価エミッタ抵抗hlbがエミッタ電流
Ieの変化に対して、反比例して変化することを示して
いる。
Vlll # ” In (--12';' In
'■! (°, °h>x kTIs kTIs...(su+Z hib=d7;m q tense...(2) Figure 5 shows the relationship between VBI and Ie of equation (0). As is clear from the figure, <VBK and C have a nonlinear relationship, and the relationship between the emitter voltage and base voltage (input voltage) of transistor 1 in the circuit of Figure 1 is as shown in Figure 6, and the nonlinear relationship is It can be seen that distortion is occurring.The broken line in Figure 6 shows the characteristics when no distortion occurs for comparison.The principle of distortion generation as described above is shown in Figure 3. The inverted Darlington circuit shown in FIG. The AC voltage becomes approximately equal to the voltage across the output resistor 5, and the emitter current of the transistor 7 changes approximately equal to the output voltage.Therefore,
The voltage change across the resistor 5 has the same distortion as in the case of the common emitter amplifier circuit shown in FIG.'gTJ1. Note that equation (2) indicates that the equivalent emitter resistance hlb changes in inverse proportion to the change in the emitter current Ie.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記の欠点に鑑み、広帯域、大振幅時
においても低歪率を実現するトランジスタ増幅回路を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above drawbacks, an object of the present invention is to provide a transistor amplifier circuit that achieves low distortion even in a wide band and large amplitude.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、第1のトランジスタのコレクタがこれと逆極
性の第2のトランジスタのベースに接続され、第1のト
ランジスタのエミッタと第2のトランジスタのコレクタ
が抵抗を介して共通に接地されてなるインバーテツドダ
ーリントン回路において、第1のトランジスタのコレク
タに一定電流を供給する定電流源を設け、第2のトラン
ジスタのコレクタにコレクタ電圧を印加し、第1のトラ
ンジスタのベースに信号を印加して第2のトランジスタ
のコレクタ又はエミッタから出力を取出す構成とするこ
とにより、上記目的を達成するものである。
In the present invention, the collector of the first transistor is connected to the base of the second transistor having the opposite polarity, and the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor are commonly grounded through a resistor. In an inverted Darlington circuit, a constant current source is provided to supply a constant current to the collector of the first transistor, a collector voltage is applied to the collector of the second transistor, and a signal is applied to the base of the first transistor. The above object is achieved by taking out the output from the collector or emitter of the second transistor.

ここで本発明の原理について説明する。第4図で示した
インバーテツドダーリントン回路での歪発生過程をもう
少し厳密に解析する。即ち、第4図のインバーテツドダ
ーリントン回路はC−E負帰還2段トランジスタ増幅回
路の変形で、100チ負帰還回路と言える。しかし、負
帰還増幅回路の歪は、ループゲインが大きな場合はほと
んど初段における歪であることが知られている。即ち、
インバーテツドダーリントン回路ではトランジスタ7で
の歪が最も重要なファクタとなる。前述のように、トラ
ンジスタではエミッタ電流による等価エミッタ抵抗ht
bが変化して仁れが歪の原因となる。第4図でトランジ
スタ7のエミッタ電流はトランジスタ7の入力インピー
ダンスhfeが大きな場合は、コレクタ電流と等しくな
る。トランジスタ7のコレクタ電流は抵抗9を流れる電
流とトランジスタ1のペース電流の和であるが、トラン
ジスタ1の入力インピーダンスhfeが十分大きな場合
には、はとんど抵抗9を流れる電流と一致する。
The principle of the present invention will now be explained. The distortion generation process in the inverted Darlington circuit shown in FIG. 4 will be analyzed more strictly. That is, the inverted Darlington circuit shown in FIG. 4 is a modification of the C-E negative feedback two-stage transistor amplifier circuit, and can be said to be a 100-chi negative feedback circuit. However, it is known that distortion in a negative feedback amplifier circuit occurs mostly in the first stage when the loop gain is large. That is,
In the inverted Darlington circuit, distortion in the transistor 7 is the most important factor. As mentioned above, in a transistor, the equivalent emitter resistance ht due to the emitter current
b changes and the burr causes distortion. In FIG. 4, the emitter current of the transistor 7 becomes equal to the collector current when the input impedance hfe of the transistor 7 is large. The collector current of the transistor 7 is the sum of the current flowing through the resistor 9 and the pace current of the transistor 1, but if the input impedance hfe of the transistor 1 is sufficiently large, it will almost always match the current flowing through the resistor 9.

即ち、抵抗9を流れる電流が変化しないようにすれば、
トランジスタ7のエミッタ電流を変化しないようにでき
、従ってこのエミッタ電流の変化によるエミッタ等価抵
抗hibが変化せず、低歪を実現することができるよう
になる。抵抗9の両端の電圧は交流的には負荷抵抗5の
両端の電圧に略等しく、信号源3の信号により変化する
。従って、抵抗9の代わりに定電流源を用いてトランジ
スタ7のコレクタ電流を一定とすることにより、上記低
歪を実現することができる。
That is, if the current flowing through the resistor 9 is kept unchanged,
The emitter current of the transistor 7 can be kept unchanged, and therefore the emitter equivalent resistance hib does not change due to a change in the emitter current, making it possible to realize low distortion. The voltage across the resistor 9 is approximately equal to the voltage across the load resistor 5 in terms of alternating current, and varies depending on the signal from the signal source 3. Therefore, by using a constant current source instead of the resistor 9 to keep the collector current of the transistor 7 constant, the above-mentioned low distortion can be achieved.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明の一実施例を従来例と同一部には同一符号を
付して図面に従って説明する。第7図は本発明のトラン
ジスタ増幅回路の一実施例を示す回路図である。トラン
ジスタ70ベースは内部抵抗2を有する信号源3に接続
され、そのコレクタはトランジスタ1のベースと共に定
電流源11に接続されている。トランジスタ7のエミッ
タとトランジスタ1のコレクタは共通に接続され、抵抗
4を介して接地されている。トランジスタ1のエミッタ
は抵抗5を介し℃電源6に接続され、この電源6は定電
流源11に接続されている。トランジスタ1のコレクタ
から′出力信号が取出される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings, in which the same parts as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals. FIG. 7 is a circuit diagram showing an embodiment of the transistor amplifier circuit of the present invention. The base of the transistor 70 is connected to a signal source 3 having an internal resistance 2, and the collector thereof, together with the base of the transistor 1, is connected to a constant current source 11. The emitter of transistor 7 and the collector of transistor 1 are commonly connected and grounded via resistor 4. The emitter of the transistor 1 is connected through a resistor 5 to a °C power supply 6, which is connected to a constant current source 11. The 'output signal is taken out from the collector of transistor 1.

本実施例ではトランジスタ7のコレクタ電流が定電流源
11から供給される一定電流のため、はとんど変化する
ことがな(、このためトランジスタ7のエミッタ電流も
ほとんど変化することがない。従って、トランジスタ7
のエミッタ電流の変化によるトランジスタ7の等価エミ
ッタ抵抗hibの変化がなく、このhibの変化に起因
する歪はほとんどなくなる。第7図で示したインバーテ
ツドダーリントン回路ではトランジスタ7の歪が全体の
歪を制するため、トランジスタ7の歪が非常に小さくな
ることにより、本トランジスタ増幅回路は低歪率を実現
することができる。特に、等価エミッタ抵抗hibの変
化による歪は、回路が広帯域、大振幅時において顕著と
なるため、第7図に示した実施例では広帯域、大振幅時
において低歪率を実現することができ、ビデオテープレ
コーダ等のビデオ信号回路等に用いるのに最適となる。
In this embodiment, since the collector current of the transistor 7 is a constant current supplied from the constant current source 11, it hardly changes (therefore, the emitter current of the transistor 7 also hardly changes. , transistor 7
There is no change in the equivalent emitter resistance hib of the transistor 7 due to a change in the emitter current, and distortion caused by this change in hib is almost eliminated. In the inverted Darlington circuit shown in Fig. 7, the distortion of transistor 7 controls the overall distortion, so the distortion of transistor 7 becomes extremely small, making it possible for this transistor amplifier circuit to achieve a low distortion rate. can. In particular, distortion due to changes in the equivalent emitter resistance hib becomes noticeable when the circuit has a wide band and large amplitude, so the embodiment shown in FIG. 7 can achieve a low distortion rate when the circuit has a wide band and large amplitude. It is ideal for use in video signal circuits such as video tape recorders.

第8図は本発明の他の実施例を示した回路図である。本
回路は第7図に示した回路をエミッタフォロワとしたも
のである。即ち、トランジスタ7のエミッタとトランジ
スタ1のコレクタの接続点から出力信号を取出すように
し、トランジスタ1のエミッタに直接電源6を接続して
いる。本回路も第7図の回路と同様にトランジスタ7の
コレクタに定電流源11から常に一定の電流を供給して
いる。従って本実施例も前実施例と同様であり、広帯域
、大振幅時に低歪率を実現することができる。
FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. This circuit uses the circuit shown in FIG. 7 as an emitter follower. That is, the output signal is taken out from the connection point between the emitter of the transistor 7 and the collector of the transistor 1, and the power supply 6 is directly connected to the emitter of the transistor 1. Similarly to the circuit shown in FIG. 7, this circuit also always supplies a constant current to the collector of the transistor 7 from the constant current source 11. Therefore, this embodiment is similar to the previous embodiment, and can achieve low distortion in a wide band and large amplitude.

第9図は本発明の更に他や実施例を示した回路図である
。本回路は第7図に示したインバーテツドダーリントン
回路をコンプリメンタリ接続とした回路図である。即ち
、トランジスタ7のコレクタはトランジスタ1のベース
に接続され、そのエミッタはトランジスタ1のコレクタ
と共に抵抗4を介して電源6に接舷されている。トラン
ジスタ7′のコレクタはトランジスタ1′のペースに接
続され、そのエミッタはトランジスタ1′のコレクタと
共に抵抗4′を介して電源6′に接続されている。トラ
ンジスタ1.1′のペースは抵抗13を介して接続され
、またこれらのエミッタは共通に接続され、抵抗5を介
して接地されている。トランジスタ7.7′のベースは
それぞれバイアス電圧12.12′を介して抵抗2を有
する信号源3に接続されている。
FIG. 9 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. This circuit is a circuit diagram in which the inverted Darlington circuit shown in FIG. 7 is connected in a complementary manner. That is, the collector of the transistor 7 is connected to the base of the transistor 1, and its emitter, together with the collector of the transistor 1, is connected to the power supply 6 via the resistor 4. The collector of transistor 7' is connected to the base of transistor 1', and its emitter, together with the collector of transistor 1', is connected to power supply 6' via resistor 4'. The leads of the transistors 1.1' are connected via a resistor 13, and their emitters are connected together and grounded via a resistor 5. The bases of the transistors 7.7' are each connected to a signal source 3 with a resistor 2 via a bias voltage 12.12'.

トランジスタ1.1′の両エミッタの接続点から出力が
取出される。本回路ではコンプリメンタリ接続を採用し
、トランジスタ7.7′のベースに同相の信号を印加し
ているため、抵抗13の両端の交流電圧は略等しくなり
、この抵抗13にはほとんど交流電流が流れない。この
ため、この抵抗13は定電流源と同様の動作を行なり。
The output is taken from the connection point between the two emitters of transistor 1.1'. This circuit uses complementary connection and applies signals of the same phase to the bases of transistors 7 and 7', so the AC voltages across the resistor 13 are approximately equal, and almost no AC current flows through this resistor 13. . Therefore, this resistor 13 performs the same operation as a constant current source.

このため、トランジスタ7.7′のコレクタ電流が略一
定となり、前述した如(トランジスタ7.7′の等価エ
ミッタ抵抗bibに起因する歪がほとんどなくなり、本
回路も広帯域、大4局幅時に低歪率を実現することがで
きる。しかも、定電流源を使用せず抵抗13で済まずこ
とができろため回路を簡単とすることができろ。
Therefore, the collector current of the transistor 7.7' becomes approximately constant, and as mentioned above (distortion caused by the equivalent emitter resistance bib of the transistor 7.7' is almost eliminated), and this circuit also has low distortion in a wide band and large 4-channel width. In addition, since a constant current source is not used and only the resistor 13 is required, the circuit can be simplified.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上記述した如く本発明のトランジスタ増幅回路によれ
ば、2個のトランジスタで構成されるインバーテツドダ
ーリントン回路の初段のトランジスタのコレクタに定電
流源から一定電流を供給するようにし、このトランジス
タのエミッタ電流の変化を僅少として、等価エミッタ抵
抗の変化による初段トランジスタの歪をほとんど取除く
回路構成とすることにより、広帯域、大振幅時に低歪率
を実現する効果がある。
As described above, according to the transistor amplifier circuit of the present invention, a constant current is supplied from a constant current source to the collector of the first stage transistor of an inverted Darlington circuit composed of two transistors, and the emitter of this transistor is supplied with a constant current to the collector of the first stage transistor. By minimizing the change in current and eliminating most of the distortion in the first-stage transistor caused by changes in the equivalent emitter resistance, it is possible to achieve a low distortion rate over a wide band and large amplitude.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のエミッタ接地トランジスタ増幅回路の一
例を示した回路図、第2図は従来のエミブタフォロワト
ランジスタ増幅回路の一例を示した回路図、第3図は従
来のダーリントン接続を用いたエミッタ接地増幅回路の
一例を示した回路図、第4図は従来のインバーテツドダ
ーリントン接続を用いた等制約エミッタ接地増幅回路の
一例を示した回路図、第5図は第1図の回路例における
トランジスタのベースエミッタ電圧とエミッタ電流との
関係を示した特性図、第6図は第1図の回路例における
トランジスタのベース電圧とエミッタ電圧との関係を示
した特性図、第7図は本発明のトランジスタ増幅回路の
一実施例を示した回路図、第8図は本発明のトランジス
タ増幅回路の他の実施例を示した回路図、第9図は本発
明のトランジスタ増幅回路の更に他の実施例を示した回
路図である。 1.1’、7.7’・−・トランジスタ3・・・イボ力
源 4.4’、5.5’、13・・・抵抗 6・・・電漁 11・・・電流源 代理人 弁理士 則 近 意 佑 (ほか1名) 第1図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
Fig. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional emitter common transistor amplifier circuit, Fig. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional emitter follower transistor amplifier circuit, and Fig. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional emitter follower transistor amplifier circuit. A circuit diagram showing an example of a common emitter amplifier circuit. Figure 4 is a circuit diagram showing an example of an equal constraint common emitter amplifier circuit using a conventional inverted Darlington connection. Figure 5 is an example of the circuit shown in Figure 1. FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the base emitter voltage and emitter current of the transistor in the circuit example of FIG. FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the transistor amplifier circuit of the invention. FIG. 9 is a circuit diagram showing another embodiment of the transistor amplifier circuit of the invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example. 1.1', 7.7' -- Transistor 3... Power source 4.4', 5.5', 13... Resistor 6... Electric fishing 11... Current source agent Patent attorney Shi Nori Chika (and 1 other person) Figure 1 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1のトランジスタのエミッタとこのトランジスタと逆
極性の第2のトランジスタのコレクタが共通に抵抗を介
して第1の点に接続され、第1のトランジスタのコレク
タが第2のトランジスタのベースに接続されると共に定
電流手段を介して第2の点に接続され、第2のトランジ
スタのエミッタが抵抗を介してまたは直接比2の点に接
続され、第1の点と第2の点間に電源が接続され、第4
のトランジスタのベースに信号を印加し第2のトランジ
スタのコレクタまたはエミッタから出力を取出すことを
特徴とするトランジスタ増幅回路。
The emitter of the first transistor and the collector of a second transistor of opposite polarity to this transistor are commonly connected to the first point via a resistor, and the collector of the first transistor is connected to the base of the second transistor. and is connected to a second point via a constant current means, the emitter of the second transistor is connected via a resistor or directly to a point with a ratio of 2, and a power source is connected between the first point and the second point. Connected and 4th
A transistor amplifier circuit characterized in that a signal is applied to the base of a second transistor and an output is taken out from the collector or emitter of a second transistor.
JP58241846A 1983-12-23 1983-12-23 Transistor amplifier circuit Pending JPS60134505A (en)

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