JPS6013196B2 - Gas discharge panel drive circuit - Google Patents

Gas discharge panel drive circuit

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JPS6013196B2
JPS6013196B2 JP51122391A JP12239176A JPS6013196B2 JP S6013196 B2 JPS6013196 B2 JP S6013196B2 JP 51122391 A JP51122391 A JP 51122391A JP 12239176 A JP12239176 A JP 12239176A JP S6013196 B2 JPS6013196 B2 JP S6013196B2
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pulse
turned
driver
transistor
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外与志 河田
洋之 石崎
章三 梅田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、消費電力を低減して集積化を容易にしたガス
放電パネルの駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a drive circuit for a gas discharge panel that reduces power consumption and facilitates integration.

誘電体層で被覆した複数の電極の放電ガス封入空間に対
面して対向又は隣接配置したガス放電パネルは、電極間
に形成された放電点にサステインパルスを印刷し、選択
された放電点に書込パルスを印加して発生された放電ス
ポットをサスティンパルスにより継続的に発生させるも
ので、AC型ガス放電パネルと称されるものである。
A gas discharge panel placed facing or adjacent to a discharge gas filled space of a plurality of electrodes covered with a dielectric layer prints a sustain pulse at a discharge point formed between the electrodes, and writes a sustain pulse at a selected discharge point. This panel is called an AC type gas discharge panel, and a discharge spot generated by applying an inrush pulse is continuously generated by a sustain pulse.

このようなガス放電パネルに対する駆動回路は既に種々
提案されており、ガス放電パネルの駆動回路の低電圧化
に伴なつて、駆動回路の集積化が開発されている。第1
図は従来例のX側又はY側の駆動回路のブ。
Various drive circuits for such gas discharge panels have already been proposed, and as the voltage of drive circuits for gas discharge panels has been reduced, integration of drive circuits has been developed. 1st
The figure shows a diagram of a conventional X-side or Y-side drive circuit.

ック線図を示すもので、ガス放電パネル(図示せず)の
×側又はY側の電極LII〜Lmn対応のラインドライ
バを複数個1チップ上に集積回路化したドライバDRV
I〜DRVmが設けられ、電極数が512本の場合、例
えばm=32、n=16としてアドレス情報は9ビット
構成となり、その上位5ビットがシフトレジスタSRI
に、又下位4ビットがシフトレジス夕SR2にそれぞれ
クロツクclに従って蓄積され、ストローブ信号stに
より並列情報信号としてアンド回路を介してパルストラ
ンス回路PTC1,PTC2にそれぞれシフトレジスタ
SR1,SR2から加えられる。シフトレジスタSRI
の出力はパルストランス回路PTCIを介してデコーダ
DECに加えられ、デコード出力はチップセレクト信号
csl〜csmとなってドライバDRVI〜DRVmの
選択を行ない、シフトレジスタSR2の出力はパルスト
ランス回路PTC2を介してドライバDRVI〜DRV
mに同時に加えられ、ドライバDRVI〜DRVm内の
デコーダでデコードされて電極LI I〜Lmnが選択
される。
This is a driver DRV in which a plurality of line drivers corresponding to electrodes LII to Lmn on the X side or Y side of a gas discharge panel (not shown) are integrated on one chip.
When I to DRVm are provided and the number of electrodes is 512, for example, m = 32 and n = 16, the address information has a 9-bit configuration, and the upper 5 bits are the shift register SRI.
Furthermore, the lower 4 bits are stored in the shift register SR2 according to the clock cl, and are applied from the shift registers SR1 and SR2 as a parallel information signal to the pulse transformer circuits PTC1 and PTC2 through the AND circuit in response to the strobe signal st. shift register SRI
The output of the shift register SR2 is applied to the decoder DEC via the pulse transformer circuit PTCI, the decoded output becomes the chip select signal csl to csm to select the drivers DRVI to DRVm, and the output of the shift register SR2 is applied to the decoder DEC via the pulse transformer circuit PTC2. Driver DRVI~DRV
m at the same time, and are decoded by decoders in drivers DRVI to DRVm to select electrodes LI I to Lmn.

又ドライバDRVI〜DRVmには後述のパルス発生回
路からパルス電圧ASD,SUが加えられ、サスティン
期間に於いてはドライバDRVI〜DRVmを介して電
極LII〜Lmnにサスティンパルスが印加され、書込
み又は消去期間に於いては、パルス電圧ASDが書込パ
ルス又は消去パルスを含む波形となり、その書込パルス
又は消去パルスが前述の如く選択された電極にドライバ
から印加される。ドライバORVi(i:1、2、・・
・・・…・m)は第2図に示す構成を有するもので、Q
ul〜Q肌,Qcl〜Qcnなラインドライバを構成す
るトランジスタ、RI〜Rnはベース電流供給及びパル
ス電圧側路用の抵抗、DECiはデコーダであり、チッ
プセレクト信号にsiが“1”となったとき、デコーダ
DECiの“1”の出力に対応するトランジスタQcl
〜Qcnがオフとなり、そのオフとなったトランジスタ
に対応するトランジスタQul〜Qunがオンとなって
、パルス電圧ASOが電極に印加される。
Further, pulse voltages ASD and SU are applied to the drivers DRVI to DRVm from a pulse generation circuit described later, and during the sustain period, sustain pulses are applied to the electrodes LII to Lmn via the drivers DRVI to DRVm, and during the write or erase period. In this case, the pulse voltage ASD has a waveform including a write pulse or an erase pulse, and the write pulse or erase pulse is applied from the driver to the selected electrode as described above. Driver ORVi (i:1, 2,...
......m) has the configuration shown in Figure 2, and Q
Transistors that constitute the line driver ul~Q skin, Qcl~Qcn, RI~Rn are resistors for base current supply and pulse voltage bypass, DECi is a decoder, and si is "1" in the chip select signal. When the transistor Qcl corresponding to the “1” output of the decoder DECi
Qcn is turned off, transistors Qul to Qun corresponding to the turned off transistors are turned on, and pulse voltage ASO is applied to the electrodes.

第3図及び第4図はX側及びY側のパルス電圧発生回路
を示すもので、第5図はその動作説明波形図である。
3 and 4 show the X-side and Y-side pulse voltage generation circuits, and FIG. 5 is a waveform diagram illustrating its operation.

×側のパルス電圧発生回路は第3図に示すように、トラ
ンジスタQXI〜QX6及び電圧Vaxのフローティン
グ電源FPxから構成され、パルス電圧ASD−X,S
U−×を出力し、Y側のパルス電圧発生回路は第4図に
示すように、トランジスタQYI〜QY5及び電圧Va
yのフロ−ティング電源FPyから構成され、パルス電
圧ASD−Y,SU−Yを出力する。このパルス電圧発
生回路の動作を簡単に説明すると、第3図及び第5図を
参照し、サスティン期間に於いては、トランジスタQX
IがオンとなってVsの波高値のパルスの立上りとなり
、次にトランジスタQX2及びQX4がオンとなってV
Nの波高値とし、次にトランジスタQX3及びQX5が
オンとなってパルスの立下りとなり、パルス電圧ASD
−X,SU−Xは波高値VsとVMとの2段波形のもの
となる。
As shown in FIG. 3, the pulse voltage generation circuit on the × side is composed of transistors QXI to QX6 and a floating power supply FPx of voltage Vax, and pulse voltages ASD-X, S
As shown in FIG. 4, the pulse voltage generating circuit on the Y side outputs U-
It is composed of a floating power supply FPy of y and outputs pulse voltages ASD-Y and SU-Y. To briefly explain the operation of this pulse voltage generating circuit, with reference to FIGS. 3 and 5, during the sustain period, the transistor QX
I is turned on and the pulse of the peak value of Vs rises, then transistors QX2 and QX4 are turned on and Vs
Next, transistors QX3 and QX5 are turned on and the pulse falls, and the pulse voltage ASD is set to the peak value of N.
-X and SU-X have a two-stage waveform of peak values Vs and VM.

書込期間に於いては、トランジスタQXIがオンとなっ
てVsの波高値のパルスの立上りとなり、次にトランジ
スタQX2とQX4がオンとなると共にトランジスタQ
X6がオンとなり、次にトランジスタQX3,QX5を
オンとする。従ってパルス電圧ASD−×は波高値Vs
(VM+Vax)との2段波形となり、パルス電圧SU
−Xは波高値VsとVMとの2段波形となる。又消去期
間に於いては、トランジスタQX6及びQX5がオンと
なり、次にトランジスタQX3がオンとなるので、パル
ス電圧ASD一×のみ波高値Vaxの細幅の波形となる
。又第4図及び第5図を参照して説明すると、サステイ
ン期間に於いては、トランジスタQYIがオンとなって
Vsの波高値のパルスの立上りとなり、次にトランジス
タQY3がオンとなって立下りとなり、パルス鰭圧AS
D−Y,SU−Yは波高値Vsの波形となる。
During the write period, transistor QXI is turned on and a pulse with the peak value of Vs rises, and then transistors QX2 and QX4 are turned on and transistor Q
X6 is turned on, and then transistors QX3 and QX5 are turned on. Therefore, the pulse voltage ASD-× is the peak value Vs
It becomes a two-stage waveform with (VM+Vax), and the pulse voltage SU
-X has a two-stage waveform of peak values Vs and VM. In the erase period, transistors QX6 and QX5 are turned on, and then transistor QX3 is turned on, so that only the pulse voltage ASD1x has a narrow waveform with a peak value Vax. Also, to explain with reference to FIGS. 4 and 5, during the sustain period, transistor QYI is turned on and the pulse of the peak value of Vs rises, and then transistor QY3 is turned on and the pulse falls. Therefore, the pulse fin pressure AS
DY and SU-Y have waveforms with a peak value Vs.

又書込期間に於いては、トランジスタQY3,QY4が
オンとなり、次にトランジスタQY2がオンとなって、
パルス電圧ASD−Yは零、パルス電圧SU一YはVa
yの波高値の波形となる。又消去期間に於いては、トラ
ンジスタQY3,QY4がオンとなった後短時間後にト
ランジスタQY2がオンとなってパルス電圧SU−Yの
み一Vayの波高値の紬幅の波形となる。サステイン期
間に於いては、チップセレクト信号csiが“0”であ
るから、ドライバDRViのトランジスタQcl〜Qc
nはオンとなり、トランジスタQul〜Qunはオフで
あって、パルス電圧SU(SU−X,SU−Y)はダイ
オードを介して全電極Lil〜Linに加えられる。又
書込期間に於いては、チップセレクト信号csiとデコ
ーダDECiの出力とにより選択されたX側のドライバ
に於いては、選択されたトランジスタQcl〜Qcnが
オフとなって、対応するトランジスタQul〜Qunが
オンとなり、非選択のX側ドライバに於いては、総ての
トランジスタQcl〜Qcnがオンで、且つトランジス
タQul〜Q肌がオフとなる。又Y側のドライバに於い
てはデコーダDECiの出力により選択されたトランジ
スタQcl〜Qcnがオンとなる構成とする。従ってX
側の選択された電極にはパルス電圧ASD−Xが、又Y
側の選択された電極にはダイオードを介してパルス電圧
SU−Yがそれぞれ印放され、選択放電点には第5図の
VAで示す波形が、又非選択放電点には第5図のVBで
示す波形がそれぞれ印加され、VM+Vax+Vay=
Vwの書込パルスが選択放電点に印加されて書込みが行
なわれることになる。又消去期間に於いても書込期間と
同様の動作が行なわれ、選択放電則こVax+Vayに
消去パルスが印加されて消去が行なわれる。前述の書込
動作に於いて、X側のドライバでは、選択電極対応のト
ランジスタQcl〜Qcn以外のトランジスタがオンと
なり、(ASD‐X)−(SU−X)=Vaxの電圧が
抵抗RI〜Rnに印加され、オンとなったトランジスタ
を介して電流が流れる。
Also, during the write period, transistors QY3 and QY4 are turned on, then transistor QY2 is turned on,
Pulse voltage ASD-Y is zero, pulse voltage SU-Y is Va
This is the waveform of the peak value of y. In the erasing period, the transistor QY2 is turned on a short time after the transistors QY3 and QY4 are turned on, and only the pulse voltage SU-Y has a waveform with a peak value of one Vay. During the sustain period, since the chip select signal csi is "0", the transistors Qcl to Qc of the driver DRVi
n is turned on, transistors Qul to Qun are turned off, and pulse voltage SU (SU-X, SU-Y) is applied to all electrodes Lil to Lin via diodes. Also, during the write period, in the X-side driver selected by the chip select signal csi and the output of the decoder DECi, the selected transistors Qcl to Qcn are turned off, and the corresponding transistors Qul to Qcn are turned off. Qun is turned on, and in unselected X-side drivers, all transistors Qcl to Qcn are turned on and transistors Qul to Q are turned off. The Y-side driver is configured such that transistors Qcl to Qcn selected by the output of the decoder DECi are turned on. Therefore, X
A pulse voltage ASD-X is applied to the selected electrode on the side, and a pulse voltage ASD-X is applied to the selected electrode on the side.
A pulse voltage SU-Y is applied to the selected electrodes on the side through diodes, and the waveform indicated by VA in Fig. 5 is applied to the selected discharge point, and the waveform shown by VB in Fig. 5 is applied to the non-selected discharge point. The waveforms shown are respectively applied, and VM+Vax+Vay=
A write pulse of Vw is applied to the selected discharge point to perform writing. Also, in the erase period, the same operation as in the write period is performed, and an erase pulse is applied to Vax+Vay according to the selective discharge rule to perform erasing. In the write operation described above, in the X side driver, transistors other than the transistors Qcl to Qcn corresponding to the selection electrodes are turned on, and the voltage of (ASD-X)-(SU-X)=Vax becomes the voltage of the resistors RI to Rn. current flows through the transistor that is turned on.

例えば51Z本の電極に対して1本の電極が選択された
場合、抵抗R(RI〜Rn)に流れる電流を1とすると
、511・P・R=Wの電力損失が生じることになる。
この電力損失Wを4・さくする為に抵抗R(RI〜Rn
)を大きくすると、トランジスタそQul〜Q肌のベー
ス電流が充分に供給されないので、その動作速度が低下
することになる。本発明は、前述の如き欠点を改善した
もので、その目的は、前述のドライバの抵抗による電力
損失を全体の構成からみて著しく低減させることにある
For example, when one electrode is selected out of 51Z electrodes, and assuming that the current flowing through the resistor R (RI to Rn) is 1, a power loss of 511·P·R=W will occur.
In order to reduce this power loss W by 4.
) increases, the base current of the transistors Qul to Q will not be sufficiently supplied, resulting in a decrease in their operating speed. The present invention has been made to improve the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to significantly reduce the power loss due to the resistance of the above-mentioned driver from the viewpoint of the overall configuration.

以で実施例について詳細に説明する。第6図は本発明の
一実施例のドライバを示すもので、第2図と同一符号は
同一部分を示す。この実施例は、抵抗RI〜Rnと直列
に受光素子としてのホトダイオードDPI〜DPnをそ
れぞれ接続し、チップセレクト信号にsiで動作するト
ランジスタQsiにより発光素子としての発光ダイオー
ドLEDiを駆動するもので、Vccは発光ダイオード
LEDiの駆動用電圧である。この発光ダイオードLE
DiとホトダイオードDPI〜DPnとは光学的に結合
されてホトカプラ−を構成しているもので、ホトダィオ
ードDPI〜DPnを発光ダイオードLEDiの周囲に
配置するか、又はそれらの間に光ファィバを設ける等の
光学的結合手段を採用することができる。第7図は第6
図に示すドライバDRVjからなる要部ブロック線図で
あり、第1図と同一符号は同一部分を示すものである。
Examples will now be described in detail. FIG. 6 shows a driver according to an embodiment of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same parts. In this embodiment, photodiodes DPI to DPn as light-receiving elements are connected in series with resistors RI to Rn, respectively, and a light-emitting diode LEDi as a light-emitting element is driven by a transistor Qsi operated with si in response to a chip select signal. is the driving voltage of the light emitting diode LEDi. This light emitting diode LE
Di and the photodiodes DPI to DPn are optically coupled to form a photocoupler, and the photodiodes DPI to DPn are arranged around the light emitting diode LEDi, or an optical fiber is provided between them. Optical coupling means can be employed. Figure 7 is the 6th
2 is a block diagram of main parts of the driver DRVj shown in the figure, in which the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts. FIG.

各ドライバDPVI〜DRVm‘ま第6図に示すように
チップセレクトト信号csl〜csm‘こより発光状態
となる発光ダイオードLEDiを備えているものであり
、デコ−ダDECの出力とストローブ信号stとのアン
ド条件でチップセレクト信号csl〜csmが形成され
る。第1図に於けるパルストランス回路PTCIを設け
ていないのは、デコーダDECの出力がホトカブラーに
加えられる構成となったことにより、論理回路と比較的
高電圧のドライバとの間の電気的分離がホトカプラーで
達成されるからである。又パルストランジスタ回路PT
C2を設けない代わりに、シフトレジスタSR2の出力
はしベル変換回路LCを介して各ドライバのデコーダD
FCjに加えられる。前述の如き構成に於いて、×側電
極の512本の電極のうち1本のみ(第6図の例えば電
極Li2)が選択された場合を考えると、チップセレク
ト信号csi‘こより選択されたドライバDRviの発
光ダイオードLEDiが発光し、対応するホトダィオー
ドDPI〜DPnがオン状態となって、そのドライバD
RViの16本の抵抗RI〜Rnに前述の如くVaxに
よる電流が流れる状態となるが、選択された電極(第6
図の電極Lj2)対応の抵抗(R2)は、デコーダDE
Ciの出力でトランジスタ(Qc2)がオフ状態とされ
るため、当該電流は流れず、従って実際は、15本の非
選択電極(Lil,Li3〜Lin)対応の抵抗(R1
,R3〜Rn)に対してだけ前記電流が流れることにな
る。
As shown in FIG. 6, each of the drivers DPVI to DRVm' is equipped with a light emitting diode LEDi that is turned on by chip select signals csl to csm', and the output of the decoder DEC and the strobe signal st are connected. Chip select signals csl to csm are formed under the AND condition. The reason why the pulse transformer circuit PTCI in FIG. 1 is not provided is that the output of the decoder DEC is applied to the photocoupler, so electrical isolation between the logic circuit and the relatively high voltage driver is achieved. This is because it is achieved with a photocoupler. Also, pulse transistor circuit PT
Instead of not providing C2, the output of shift register SR2 is sent to the decoder D of each driver via a bell conversion circuit LC.
Added to FCj. In the above-mentioned configuration, if we consider the case where only one of the 512 electrodes on the x side (for example, electrode Li2 in FIG. 6) is selected, the selected driver DRvi is determined by the chip select signal csi'. The light emitting diode LEDi emits light, the corresponding photodiodes DPI to DPn are turned on, and the driver D
As mentioned above, the current due to Vax flows through the 16 resistors RI to Rn of RVi, but when the selected electrode (sixth
The resistor (R2) corresponding to the electrode Lj2) in the figure is the decoder DE
Since the transistor (Qc2) is turned off by the output of Ci, the current does not flow, and therefore, in reality, the resistor (R1) corresponding to the 15 non-selected electrodes (Lil, Li3 to Lin)
, R3 to Rn).

なお非選択のドライバはチップセレクト信号によりホト
カプラーが駆動されないので、各ドライバの抵抗茂羊に
は前記電流は全く供給されない。従って、本発明の構成
によれば、従来例に比較して15/511に電力損失が
低減するものとなる。なおサスティン期間に於いてはパ
ルス電圧ASD,SUが同一波形であるから、ホトダィ
オードDPI〜DPnはオン状態でも問題は生じない。
前述の実施例は、1個の発光ダイオードLEDiに対し
て電極Lil〜Ljn対応のホトダイオードDPI〜D
Pnを結合した場合であるが、発光ダイオードLEDi
を複数個設けて並列又は直列駆動し、発光ダイオードと
ホトダィオードとを1:k(k=1、2、3・・・・・
・・・・)の組合せで結合することもできる。
Note that since the photocouplers of unselected drivers are not driven by the chip select signal, the current is not supplied to the resistor of each driver at all. Therefore, according to the configuration of the present invention, power loss is reduced by 15/511 compared to the conventional example. Note that since the pulse voltages ASD and SU have the same waveform during the sustain period, no problem occurs even if the photodiodes DPI to DPn are in the on state.
In the above embodiment, photodiodes DPI to D corresponding to electrodes Lil to Ljn are provided for one light emitting diode LEDi.
In the case of combining Pn, the light emitting diode LEDi
A plurality of light emitting diodes and photodiodes are provided and driven in parallel or in series to form a 1:k (k=1, 2, 3...
) can also be combined.

第8図は本発明の他の実施例のドライバDRViを示す
もので、第6図と同一符号は同一部分を示し、LEDc
l〜LE戊n及びDPcl〜DPcnはホトカプラーを
構成する発光ダイオード及びホトダィオードであり、第
6図に於けるトランジスタQcl〜Qcnに対応する動
作を行なうものである。
FIG. 8 shows a driver DRVi according to another embodiment of the present invention, in which the same reference numerals as in FIG. 6 indicate the same parts, and the LED c
1 to LE and DPcl to DPcn are light emitting diodes and photodiodes constituting a photocoupler, and perform operations corresponding to transistors Qcl to Qcn in FIG.

又RD,RLI〜RLnはそれぞれ発光ダイオードと直
列に接続された抵抗である。情報信号をデコーダDEC
iでデコードし、そのデコード出力“1”となった出力
線に接続されている発光ダイオード、例えば電極Li2
を選択した時、発光ダイオードLEDc2のみ電流が流
れず、他の発光ダイオードLEDcl,LE比3〜LE
Dcnには鰭圧Vccにより抵抗RL1,RL3〜RL
nを介して電流が流れ、ホトダイオードDPcl,DP
c3〜DPcnがオン状態となり、又チップセレクト信
号にsiが“1”となると、発光ダイオードLEDiに
抵抗戊○を介して電流が流れ、ホトダィオードDPI〜
DPnがオン状態となる。従って電極Li2にのみトラ
ンジスタQu2を介してパルス電圧ASDが印加され、
他の電極Lil,Li3〜Linに対しては、パルス電
圧ADSはホトダィオードDP1,DP3〜DPn、抵
抗R1,R3〜Rn、ホトダイオードDPcl,DPc
3〜DPcnの径路で側路される。即ち選択された電極
Li2にのみ書込み又は消去の動作に対応したパルス電
圧ASDが印加されることになる。第9図は、トランジ
スタQcl〜Qcnのベースにホトカプラ−を構成する
ホトダィオードDPcl〜DPcnを接続した実施例を
示すもので、第8図と同一符号は同一部分を示し、Rc
l〜Rcnは抵抗である。
Further, RD and RLI to RLn are resistors connected in series with the light emitting diodes, respectively. Information signal decoder DEC
A light emitting diode, for example, an electrode Li2, is connected to the output line that is decoded by i and the decode output becomes "1".
When selecting , current does not flow only to the light emitting diode LEDc2, and the other light emitting diodes LEDcl, LE ratio 3 to LE
Dcn has resistors RL1, RL3 to RL depending on the fin pressure Vcc.
A current flows through the photodiodes DPcl, DP
When c3 to DPcn are turned on and si becomes "1" in the chip select signal, a current flows through the light emitting diode LEDi through the resistor ○, and the photodiode DPI to
DPn is turned on. Therefore, the pulse voltage ASD is applied only to the electrode Li2 via the transistor Qu2,
For the other electrodes Lil, Li3 to Lin, the pulse voltage ADS is applied to the photodiodes DP1, DP3 to DPn, the resistors R1, R3 to Rn, and the photodiodes DPcl, DPc.
3 to DPcn. That is, the pulse voltage ASD corresponding to the write or erase operation is applied only to the selected electrode Li2. FIG. 9 shows an embodiment in which photodiodes DPcl to DPcn constituting a photocoupler are connected to the bases of transistors Qcl to Qcn. The same reference numerals as in FIG. 8 indicate the same parts, and Rc
1 to Rcn are resistances.

唯デコーダDECiの出力論理レベルが第8図に示し実
施例と反対になるもので、例えば電極Li2を選択した
場合、発光ダイオードLE比2にのみ電流が流れ、それ
によってホトダィオードDPc2がオン状態となり、ト
ランジスタQc2がオフ状態、トランジスタQu2がオ
ン状態となるものである。第10図は、第9図に於ける
ホトダィオードDPcl〜DPcnが、パルス電圧AS
Dを印加する線とトランジスタQcl〜Qcnのベース
との間に接続され、デコーダDECiの出力論理レベル
は第8図に示す場合と同様のものとなる。
The output logic level of the decoder DECi is opposite to that shown in FIG. 8 and is opposite to the embodiment shown in FIG. 8. For example, when electrode Li2 is selected, current flows only to the light emitting diode LE ratio 2, thereby turning on the photodiode DPc2. The transistor Qc2 is in an off state and the transistor Qu2 is in an on state. FIG. 10 shows that the photodiodes DPcl to DPcn in FIG.
It is connected between the line to which D is applied and the bases of the transistors Qcl to Qcn, and the output logic level of the decoder DECi is similar to that shown in FIG.

即ち選択された電極Lil〜Lin対応のホトカプラー
の発光ダイオードLEDcl〜LEDcnに電流が流れ
ず、他の発光ダイオードには電流が流れて発光し、その
発光したダイオードに対応するホトダィオードDPcl
〜DPcnがオン状態となってトランジスタQI〜Qc
nのオン、オフが制御され、選択された電極対応のトラ
ンジスタQcl〜Qcnがオフ、トランジスタQul〜
Q血がオンとなる。第11図は前述の第8図、第9図及
び第10図に示す実施例のドライバDRViを用いた場
合のX側又はY側の要部プ。
In other words, no current flows through the light-emitting diodes LEDcl-LEDcn of the photocoupler corresponding to the selected electrodes Lil-Lin, current flows through the other light-emitting diodes and they emit light, and the photodiode DPcl corresponding to the light-emitting diode
~DPcn turns on and transistors QI~Qc
On and off of n are controlled, transistors Qcl to Qcn corresponding to the selected electrode are turned off, and transistors Qul to Qcn are turned off.
Q Blood turns on. FIG. 11 shows a main part of the X side or Y side when the driver DRVi of the embodiment shown in FIGS. 8, 9 and 10 is used.

ック線図を示すもので、第7図と同一符号は同一部分を
示す。この実施例に於いては第7図に於けるレベル変換
回路LCが省略されているもので、ラインドライバを駆
動する為のデコーダDECiの出力がホトカプラ−によ
りパルス電圧側と論理レベル側とが光学的に結合されて
いることにより、パルストランス回路やレベル変換回路
を必要としないものとなる。又チップセレクト信号cs
l〜csmによりドライバDRVI〜DRVmが選択さ
れて動作することについては第7図に示す実施例と同機
である。第12図はデコーダをドライバDRViが内蔵
していない場合の実施例を示すもので、電極Lil〜L
inを選択するデ−タDATがトランジスタQ1i〜Q
1nのベースに加えられ、これらのトランジスタQ1i
〜Q1nによりホトカプラーを構成する発光ダイオード
LEDcl〜LEDcnが制御されるものである。
This is a diagram showing the same reference numerals as in FIG. 7 indicating the same parts. In this embodiment, the level conversion circuit LC in FIG. 7 is omitted, and the output of the decoder DECi for driving the line driver is optically connected between the pulse voltage side and the logic level side by a photocoupler. By being coupled symmetrically, there is no need for a pulse transformer circuit or a level conversion circuit. Also, chip select signal cs
This is the same as the embodiment shown in FIG. 7 in that the drivers DRVI to DRVm are selected and operated by l to csm. FIG. 12 shows an embodiment in which the driver DRVi does not have a built-in decoder, and the electrodes Lil to L
The data DAT that selects in is transmitted through transistors Q1i to Q
1n to the base of these transistors Q1i
~Q1n controls the light emitting diodes LEDcl~LEDcn that constitute the photocoupler.

例えば電極Li2を選択する場合、トランジスタQI1
,Q13〜Q1nがオン、トランジスタQ12のみオフ
となるデータDATが入力され、チップセレクト信号c
siがトランジスタQSiのベースに加えられると、ト
ランジスタQu2のみオンとなるので、パルス電圧AS
Dが電極Li2に印加されるものとなる。なお第10図
に示す符号と同一符号は同一部分を示すものである。こ
の実施例の場合、n=10m=32とすると、チップセ
レクト信号csiを形成する為の5ビットと電極選択の
為の16ビットとの21ビット構成のアドレス情報とな
り、選択されたドライバDRViに於いて全電極Lil
〜Linを同時に選択してパルス電圧ASDを印加する
こともできる。
For example, when selecting electrode Li2, transistor QI1
, Q13 to Q1n are turned on and only the transistor Q12 is turned off.
When si is applied to the base of transistor QSi, only transistor Qu2 is turned on, so the pulse voltage AS
D is applied to the electrode Li2. Note that the same reference numerals as those shown in FIG. 10 indicate the same parts. In this embodiment, if n=10m=32, the address information will be 21 bits consisting of 5 bits for forming the chip select signal csi and 16 bits for electrode selection, and All electrodes Lil
~Lin can be selected at the same time to apply the pulse voltage ASD.

前述の各実施例に於いて、ホトカプラーを構成するホト
ダイオードDPI〜DPn,DPcl〜DPcnは、ホ
トトランジスタ等の受光素子を用いることも勿論可能で
あり、又集積回路化したドライバDRViのチップ上に
ホトカプラーを形成することも可能である。
In each of the above-mentioned embodiments, it is of course possible to use photodiodes DPI to DPn, DPcl to DPcn constituting the photocouplers using light receiving elements such as phototransistors, or the photocouplers can be mounted on the chip of the driver DRVi which is an integrated circuit. It is also possible to form

以上説明したように、本発明は、電極対応のラインドラ
イバを複数毎にまとめてドライバDRVI〜DRVmを
構成し、パルス電圧発生回路からサステイン期間、書込
期間、消去期間等に対応したパルス電圧ASD,SUを
ドライバDRVI〜DRVmに印加し、書込パルスや消
去パルスの如く選択された電極に印加するパルス電圧は
トランジスタQ心1〜Q血を制御して印加し、その時の
パルス電圧を非選択電極に対しては抵抗RI〜Rnを介
してトランジスタQcl〜Qcn又はホトダイオードD
Pcl〜DPcn等の素子を介して側略し、抵抗RI〜
Rnと直列にホトカプラーのホトダイオードDPI〜D
Pn等の受光素子を接続して、チップセレクト信号cs
iにより発光したホトカブラ−の発光ダイオードLED
i等の発光素子対応のドライバに於いてのみ、非選択電
極に対するパルス電圧の抵抗RI〜Rnによる側路が行
なわれ、他のドライバに於いては、ホトダィオードDP
I〜DPnがオフ状態であることにより、抵抗RI〜R
nによる電力損失を零とすることができるものである。
As described above, in the present invention, a plurality of line drivers corresponding to electrodes are grouped together to form drivers DRVI to DRVm, and a pulse voltage ASD corresponding to a sustain period, write period, erase period, etc. is generated from a pulse voltage generation circuit. , SU are applied to the drivers DRVI to DRVm, and the pulse voltage applied to the selected electrode, such as a write pulse or an erase pulse, is applied by controlling the transistors Q cores 1 to Q, and the pulse voltage at that time is applied to the selected electrode. Transistors Qcl to Qcn or photodiodes D are connected to the electrodes via resistors RI to Rn.
It is omitted through elements such as Pcl to DPcn, and resistors RI to
Photodiode DPI~D of photocoupler in series with Rn
By connecting a light receiving element such as Pn, the chip select signal cs
Photocoupler light emitting diode LED emitted by i
Only in drivers compatible with light emitting elements, such as i, bypassing of pulse voltages to non-selected electrodes is performed by resistors RI to Rn;
Since I to DPn are in the off state, the resistances RI to R
The power loss caused by n can be reduced to zero.

従って全体としての電力損失が著しく少なくなり、経済
的な構成となるものである。
Therefore, the overall power loss is significantly reduced, resulting in an economical configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のガス放電パネルの×側又はY側の駆動回
路の要部ブロック線図、第2図は従来のドライバの説明
図、第3図及び第4図はガス放電パネルの×側及びY側
のパルス電圧発生回路、第5図はパルス電圧の説明図、
第6図は本発明の一実施例のドライバの説明図、第7図
は第6図に示すドライバを用いた本発明の実施例のブロ
ック線図、第8図、第9図及び第10図は本発明のそれ
ぞれ異なる実施例のドライバの説明図、第11図は第8
図、第9図及び第10図に示すドライバを用いた本発明
の実施例のブロック線図、第12図は本発明の更に他の
実施例のドライバの説明図である。 DRVI〜DRVmはドライバ、LII〜Lmnは電極
、DEC,DECiはデコ−ダ、SR1,SR2はシフ
トレジスタ、LEDi、LEDcl〜LEDcnは発光
ダイオード、DPI〜DPn,DPcl〜DPcnはホ
トダイオ−ド、Qul〜Q皿,Qcl〜Qcn,QSi
はトランジスタ、RI〜Rn‘ま抵抗、ASD,SUは
パルス電圧、csl〜csmはチップセレクト信号であ
る。 第1図. 第2図 第3図 L第4図 第5図 第7図 第6図 第8図 第9図 第10図 第11図 第12図
Figure 1 is a block diagram of the main parts of the drive circuit for the X or Y side of a conventional gas discharge panel, Figure 2 is an explanatory diagram of a conventional driver, and Figures 3 and 4 are for the × side of the gas discharge panel. and the pulse voltage generation circuit on the Y side, FIG. 5 is an explanatory diagram of the pulse voltage,
FIG. 6 is an explanatory diagram of a driver according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a block diagram of an embodiment of the present invention using the driver shown in FIG. 6, and FIGS. 8, 9, and 10. are explanatory diagrams of drivers of different embodiments of the present invention, and FIG.
FIG. 12 is a block diagram of an embodiment of the present invention using the driver shown in FIGS. DRVI~DRVm are drivers, LII~Lmn are electrodes, DEC, DECi are decoders, SR1, SR2 are shift registers, LEDi, LEDcl~LEDcn are light emitting diodes, DPI~DPn, DPcl~DPcn are photodiodes, Qul~ Q plate, Qcl~Qcn, QSi
are transistors, RI to Rn' are resistors, ASD and SU are pulse voltages, and csl to csm are chip select signals. Figure 1. Figure 2 Figure 3 L Figure 4 Figure 5 Figure 7 Figure 6 Figure 8 Figure 9 Figure 10 Figure 11 Figure 12

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ガス放電パネルの電極対応のラインドライバを複数
毎にまとめて構成したドライバに、パルス電圧発生回路
からサステイン期間、書込期間、消去期間等に対応した
パルス電圧をそれぞれ印加し、前記ラインドライバは、
選択された電極に前記パルス電圧を印加する為のトラン
ジスタと、該トランジスタのベースに接続された抵抗と
、非選択電極に前記パルス電圧が印加されないように該
パルス電圧を前記抵抗を介して側路する素子とからなる
ガス放電パネルの駆動回路に於いて、前記ドライバにそ
れぞれチツプセレクト信号により発光する発光素子と該
発光素子からの光が入射される受光素子とかるなるホト
カプラーを設け、該ホトカプラーの受光素子を前記抵抗
と直列に接続したことを特徴とするガス放電パネルの駆
動回路。
1 A pulse voltage corresponding to a sustain period, a write period, an erase period, etc. is applied from a pulse voltage generation circuit to a driver configured by combining a plurality of line drivers corresponding to electrodes of a gas discharge panel, and the line driver ,
a transistor for applying the pulse voltage to a selected electrode; a resistor connected to the base of the transistor; and a transistor for bypassing the pulse voltage through the resistor so that the pulse voltage is not applied to non-selected electrodes. In a drive circuit for a gas discharge panel, each driver is provided with a photocoupler consisting of a light emitting element that emits light in response to a chip select signal, a light receiving element that receives light from the light emitting element, and A drive circuit for a gas discharge panel, characterized in that a light receiving element is connected in series with the resistor.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6043297U (en) * 1983-08-26 1985-03-27 有限会社 タイガ−製作所 model airplane

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JPS6043297U (en) * 1983-08-26 1985-03-27 有限会社 タイガ−製作所 model airplane

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