JPS60126827A - Electron beam exposing method - Google Patents
Electron beam exposing methodInfo
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- JPS60126827A JPS60126827A JP58235868A JP23586883A JPS60126827A JP S60126827 A JPS60126827 A JP S60126827A JP 58235868 A JP58235868 A JP 58235868A JP 23586883 A JP23586883 A JP 23586883A JP S60126827 A JPS60126827 A JP S60126827A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
ta> 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特にサブ・デフレ
クタのビーム偏向−次変換係数を大偏向用と小偏向用の
デフレクタをマツチングさせ得るように決定する方法に
関する。[Detailed Description of the Invention] ta> Technical Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure method, and in particular, to an electron beam exposure method, in which beam deflection-order conversion coefficients of sub-deflectors can be matched between deflectors for large deflection and deflectors for small deflection. Regarding how to decide.
(bl 従来技術と問題点
電子ビーム露光を行う場合には第1図(al、 (bl
に示すように、描画領域1内を複数個のメイン・フィー
ルド2に分割し、更にその中を複数個のサブ・フィール
ド3に分割する。そしてサブ・フィールド3内に所定の
パターン4が描画される。(bl) Prior art and problems When performing electron beam exposure, Figure 1 (al, (bl)
As shown in FIG. 1, a drawing area 1 is divided into a plurality of main fields 2, which are further divided into a plurality of sub-fields 3. A predetermined pattern 4 is then drawn within the sub-field 3.
この描画工程において露光位置の選択は第2図に示すよ
うに、描画すべきメイン・フィールド2の選択は被露光
基板5を載置した試料台6を移動させることにより行い
、該メイン・フィールド2内におけるサブ・フィールド
3の選択はメイン・デフレクタ7を作動させることによ
り、また該サブ・フィールド3内における露光位置の選
択はサブ・デフレクタ8を作動させることにより電子ビ
ーム9を偏向させて行う。In this drawing step, the exposure position is selected as shown in FIG. The selection of the sub-field 3 within the sub-field 3 is performed by operating the main deflector 7, and the selection of the exposure position within the sub-field 3 is performed by deflecting the electron beam 9 by operating the sub-deflector 8.
即ち第3図に示すように、試料台6を移動させて所定の
メイン・フィールド2を選択し、メイン・デフレクタ7
を作動させて電子ビーム9をへの方向に偏向させ、上記
メイン・フィールド2内の所定のサブ・フィールド3を
選択する。次に該選択されたサブ・フィールド3(同図
のB点とC点の間)内を、サブ・デフレクタ8を作動さ
せることによって電子ビーム9で走査する。このように
して1つのサブ・フィールド3内の描画を終了すると、
再びメイン・デフレクタ7を作動させて電子ビーム9を
図のEの方向に偏向させ、次に露光するザブ・フィール
ド3を選択する。そしてこのサブ・フィールド3 (C
点とE点の間)内をサブ・デフレクタ8により走査し描
画する。That is, as shown in FIG. 3, the sample stage 6 is moved to select a predetermined main field 2, and the main deflector 7 is
is activated to deflect the electron beam 9 in the direction of and select a predetermined sub-field 3 within the main field 2. Next, the selected sub-field 3 (between points B and C in the figure) is scanned with the electron beam 9 by operating the sub-deflector 8. When the drawing in one sub-field 3 is finished in this way,
The main deflector 7 is operated again to deflect the electron beam 9 in the direction E in the figure, and the subfield 3 to be exposed next is selected. And this subfield 3 (C
The sub-deflector 8 scans and draws the area between point E and point E.
このようにして1つのメイン・フィールド2内の総ての
ザブ・フィールド3の露光を終了すると、試料台6を移
動させて次るメイン・フィールド2を選択し、上記と同
様の操作により該メイン・フィールド2内の露光を行う
。この操作を繰り返すことにより被露光基板5全面にわ
たって描画を行うことが出来る。After completing the exposure of all subfields 3 in one main field 2 in this way, move the sample stage 6 to select the next main field 2, and perform the same operation as above to select the next main field 2.・Exposure within field 2. By repeating this operation, drawing can be performed over the entire surface of the exposed substrate 5.
ところが一般に電子ビーム露光においては各種の誤差が
存在するため、上記一連の露光操作によって形成された
サブ・フィールド3”は、第3図に示すように所期のサ
ブ・フィールド3とは異なったものとなる。従ってその
中に描画されたパターン4も不連続となってしまう。However, since there are generally various errors in electron beam exposure, the sub-field 3'' formed by the series of exposure operations described above is different from the intended sub-field 3, as shown in Figure 3. Therefore, the pattern 4 drawn therein also becomes discontinuous.
上述の誤差には公知の如くサブ・デフレクタ8のゲイン
、ローティジョン、台形歪、オフセットの4つがあり、
次式で表される。As is well known, the above-mentioned errors include the gain of the sub-deflector 8, rotation, trapezoidal distortion, and offset.
It is expressed by the following formula.
Δx=gXx十rxy+hXxy+dx −■Δy=r
yy+gyy+hyxy十dy ・・・■上式において
、左辺のΔX、Δyは、X及びY方向の位置座標がそれ
ぞれX、 Yなるメイン・フィールド2内の座標が、(
x、y)なる位置におけるX方向及びY方向の誤差を表
し、右辺のgx。Δx=gXx×rxy+hXxy+dx −■Δy=r
yy+gyy+hyxy dy... ■In the above equation, ΔX and Δy on the left side are the coordinates in main field 2 where the position coordinates in the X and Y directions are X and Y, respectively, (
gx on the right side represents the error in the X and Y directions at the position (x, y).
gyはX方向及びY方向のサブ・デフレクタのゲイン、
rX+ TVはローテーション、hX、h。gy is the gain of the sub-deflector in the X and Y directions,
rX+ TV rotates, hX, h.
は台形歪、dX、d、はオフセット(或いは歪)を示す
サブ・デフレクタ8のビーム偏向−次変換係数(以後単
に変換係数と略記する)である。is a trapezoidal distortion, and dX and d are beam deflection-order conversion coefficients (hereinafter simply abbreviated as conversion coefficients) of the sub-deflector 8 indicating offset (or distortion).
上式の各変換係数をめるには、通常次のような方法が用
いられている。即ち第4図(alに見られるように、試
料基板10表面を選択的に除去して形成した凹部からな
るマーク11を、同図(b)に見られるように上記試料
基板10表面にX及びY方向に所定ピンチで複数個形成
する。つまり上記マーク11はメソシュの交点に位置す
ることとなる。そして図示せる如く1つの網目の中心点
F(これの座標をX、Yとする)にメイン・デフレクタ
7により電子ビーム9を偏向しておき、この位置を始点
としてサブ・デフレクタ8により電子ビーム9で上記4
個のマーク11を走査し、設計値と実測値との差から座
標X、Yにおける各変換係数をめていた。The following method is usually used to calculate each conversion coefficient in the above equation. That is, as shown in FIG. 4(al), a mark 11 consisting of a concave portion formed by selectively removing the surface of the sample substrate 10 is placed on the surface of the sample substrate 10 with an X and a mark as shown in FIG. 4(b). A plurality of marks are formed in the Y direction with a predetermined pinch.In other words, the above mark 11 is located at the intersection of the meshes.Then, as shown in the figure, the main mark is placed at the center point F of one mesh (its coordinates are X and Y).・The electron beam 9 is deflected by the deflector 7, and from this position as a starting point, the electron beam 9 is deflected by the sub-deflector 8 in the above 4.
The marks 11 were scanned, and each conversion coefficient at the coordinates X and Y was determined from the difference between the design value and the actual measurement value.
しかしこの方法は各マーク11により構成されるメソシ
ュの出来・不出来によって上記変換係数の値が影響され
る。例えばマーク11の肩部にだれを生じた場合にはた
とえマーク11の(装置は正確であっても実測値に誤差
を生じ、またマーク11と上記中心点Fとの間の距離に
誤差があっても、その真の値は不明であり設計値を正し
い値とみなさざるを得す、従って実測値は正確であって
も適切な変換係数をめることは出来ない。このため従来
は隣接する2つの区域の境界においてパターンが精度良
く接続し得たとは言い難い。このように従来の電子ビー
ム露光方法では精度上なお問題があった。However, in this method, the value of the conversion coefficient is influenced by the quality of the mesh formed by each mark 11. For example, if the shoulder of the mark 11 is sagging, there will be an error in the actual measurement value of the mark 11 even if the device is accurate, and there will also be an error in the distance between the mark 11 and the center point F. However, the true value is unknown and the design value must be regarded as the correct value. Therefore, even if the actual measured value is accurate, it is not possible to determine an appropriate conversion coefficient.For this reason, conventionally, adjacent It is difficult to say that the patterns could be connected with high accuracy at the boundary between the two areas.As described above, the conventional electron beam exposure method still had problems in terms of accuracy.
(C1発明の目的
本発明の目的はかかる問題点を解消して、上記変換係数
を高精度且つ容易に決定し得る、電子ビーム露光装置の
調整方法を提供することにある。(C1 Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to provide an adjustment method for an electron beam exposure apparatus that can solve the above problems and easily determine the conversion coefficient with high precision.
fdl 発明の構成
本発明の特徴は、メイン・デフレクタに偏向情報を与え
て試料に設けられたマークから該偏向情報に基づいた所
定の点に電子ビームを偏向し、次いでサブ・デフレクタ
により電子ビームを酸点から偏向して該マークを走査し
、酸点と該マークとの距離を測定し、該偏向情報に基づ
く酸点とマークとの距離と該測定値との差をめ、該差に
基づいて電子ビームの偏向量を補正して露光を行うこと
にある。fdl Structure of the Invention The characteristics of the present invention are that deflection information is given to the main deflector to deflect the electron beam from a mark provided on the sample to a predetermined point based on the deflection information, and then the electron beam is deflected by a sub-deflector. Scan the mark by deflecting from the acid point, measure the distance between the acid point and the mark, calculate the difference between the distance between the acid point and the mark based on the deflection information, and the measured value, and based on the difference. The purpose is to perform exposure by correcting the amount of deflection of the electron beam.
(8) 発明の実施例 以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。(8) Examples of the invention An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第5図は本実施例における変換係数の決定方法を説明す
るための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the method of determining conversion coefficients in this embodiment.
同図において、Gは座標(X、Y)の位置に形成された
マーク、F1〜F4はいずれも上記マークGに隣接する
4つの区域内の点であって、メイン・デフレクタにX方
向、Y方向とも座標(X。In the same figure, G is a mark formed at the coordinate (X, Y) position, F1 to F4 are all points in four areas adjacent to the mark G, and the main deflector is located in the X direction and Y direction. Both direction and coordinate (X.
Y)に対しそれぞれaだけ離れた位置を指定したときの
電子ビームの偏向位置、また、Δx1〜Δx4はそれぞ
れ上記F1〜F4とマークGとの間の距離の誤差を示す
。上記4個の点F1〜F4からサブ・デフレクタにより
電子ビームを偏向させてマークGを走査する。Δx1 to Δx4 respectively indicate the deflection position of the electron beam when a position separated by a from Y) is specified, and the error in the distance between F1 to F4 and the mark G, respectively. The mark G is scanned by deflecting the electron beam from the above four points F1 to F4 using a sub-deflector.
即ち、メイン・デフレクタに(X−a)、(Y−a)な
る位置を指定する信号を加えて電子ビームを点F1の位
置に偏向させる。次いでサブ・デフレクタにより電子ビ
ームを偏向させてマークGを走査し、上記マークGを検
出する。このときの点F°1 とマークGとのX方向及
びY方向の距離は(a+Δxl)、(a+Δy+)で表
される。なおこの距離の測定は複数回繰り返し、その平
均値をめ、これを上記距離として用いる。That is, signals specifying the positions (X-a) and (Y-a) are applied to the main deflector to deflect the electron beam to the position of point F1. Next, the electron beam is deflected by a sub-deflector to scan the mark G, and the mark G is detected. The distances between the point F°1 and the mark G at this time in the X and Y directions are expressed as (a+Δxl) and (a+Δy+). Note that this distance measurement is repeated multiple times, and the average value is calculated and used as the above-mentioned distance.
同様の操作を点F2〜F4について行い、それぞれに対
してマークGとの間の距離をめる。このようにして得ら
れたΔx1〜ΔX4.及びΔy1〜Δy4.及びaを前
記■、■式に代入して、八Xl = gx a+r)<
a+h×a2+d×Δx2 =−gx a+rXa−
hXa2+a×ΔX3 子−gx a−rxa+hxa
2+aXΔX4 = gx a−rx a−hxa2+
a×・・・・・・ ■
及び
ΔV1= gy a+r、a+h、a2+a。A similar operation is performed for points F2 to F4, and the distance between each point and the mark G is determined. Δx1 to ΔX4 obtained in this way. and Δy1 to Δy4. Substituting and a into the above formulas ① and ②, 8Xl = gx a+r) <
a+h×a2+d×Δx2 =-gx a+rXa-
hXa2+a×ΔX3 Child-gx a-rxa+hxa
2+aXΔX4 = gx a-rx a-hxa2+
a×...■ and ΔV1=gy a+r, a+h, a2+a.
hy2 = gy a−ry a−hy a2+dyΔ
y3 =−gy a”ry a+h、a2+dyΔ)’
a =−gy a+ry a−hy a2+dy・・・
・・・ ■
式が得られる。従って上記0.0式からdx=(ΔX、
+Δx2+Δx3+ΔXa)/4gx””(ΔXl−Δ
x2−Δx3+Δx4)/4r8=(Δx1+Δx2−
Δx3−ΔX4)/4hX=(Δx1−Δx2+Δx3
−Δx4)/4・・・・・・ ■
d、=(hy1 +Δy2 +Δy3 +Δya’)/
4gy−(Δy、+Δy2−Δy3−Δya)/4ry
=(Δy、−Δy2−Δy3 +Δya)/4h、=(
Δy、−Δy2 +Δy3−Δya)/4・・・・・・
■
となり、総ての変換係数が決定出来る。hy2 = gy a-ry a-hy a2+dyΔ
y3 =-gy a"ry a+h, a2+dyΔ)'
a =-gy a+ry a-hy a2+dy...
... ■ The formula is obtained. Therefore, from the above 0.0 formula, dx=(ΔX,
+Δx2+Δx3+ΔXa)/4gx””(ΔXl−Δ
x2-Δx3+Δx4)/4r8=(Δx1+Δx2-
Δx3-ΔX4)/4hX=(Δx1-Δx2+Δx3
-Δx4)/4... ■ d, = (hy1 +Δy2 +Δy3 +Δya')/
4gy-(Δy, +Δy2-Δy3-Δya)/4ry
=(Δy, -Δy2-Δy3 +Δya)/4h, =(
Δy, -Δy2 +Δy3-Δya)/4...
■ All conversion coefficients can be determined.
このようにして本実施例ではメイン・フィールド内の各
サンプル点において、メイン・デフレクタ及びサブ・デ
フレクタに与える座標の組合せを異ならしめ、複数の組
合せにより同一マークを走査して、サブ・フィールドの
ゲイン、ローテーション、台形歪、及びオフセットの4
個の変換係数を決定する。In this way, in this embodiment, the combinations of coordinates given to the main deflector and sub-deflector are made different at each sample point in the main field, and the same mark is scanned using multiple combinations to determine the gain of the sub-field. , rotation, keystone distortion, and offset 4
Determine the conversion coefficients.
更にこの操作を総てのサンプル点において実行し、各サ
ンプル点における変換係数をめ、補間法により各サンプ
ル点間における牢換係数を決定する。Furthermore, this operation is executed at all sample points, the conversion coefficients at each sample point are found, and the conversion coefficients between each sample point are determined by interpolation.
以上述べた如く本実施例では各変換係数をめるに際して
、従来方法のように各サンプル点により構成されるメソ
シュの出来具合に依存しない。As described above, in this embodiment, when determining each conversion coefficient, unlike the conventional method, it does not depend on the quality of the mesh formed by each sample point.
即ち本実施例ではまずメイン・デフレクタにより各サン
プル点の位置に電子ビームを偏向させ、そのときの座標
(X、Y)を基準として同じくメイン・デフレクタによ
り電子ビームをX方向及びY方向に所定量(上記一実施
例では±a)偏向せしめる。次にこの位置(第5図のF
1〜F4の点)からサブ・デフレクタにより電子ビーム
を偏向させて前記サンプル点を検出し、サンプル点との
距離をX方向及びY方向について実測し、前記aとの差
をめる。このあとは従来方法と同様にしてゲイン、ロー
テーション等の変換係数をめる。That is, in this embodiment, the main deflector first deflects the electron beam to the position of each sample point, and the main deflector deflects the electron beam by a predetermined amount in the X and Y directions based on the coordinates (X, Y) at that time. (±a in the above embodiment) is deflected. Next, at this position (F in Figure 5)
The sample point is detected by deflecting the electron beam from points 1 to F4) using a sub-deflector, the distance to the sample point is actually measured in the X direction and the Y direction, and the difference from a is calculated. After this, conversion coefficients such as gain and rotation are determined in the same manner as in the conventional method.
このように本実施例ではサンプル点がメツシュの交点に
あることを前提としていないので、メツシュの出来、不
出来に影響されることがなく、しかも同一サンプル点を
該サンプル点において隣接する4個の区域から走査して
上記変換係数を決定するので、隣接するサブ・フィール
ドにおける変換係数が不連続となることがなく、従って
描画されるパターンは滑らかに連結される。In this way, in this embodiment, it is not assumed that the sample point is at the intersection of the meshes, so it is not affected by the quality of the mesh, and moreover, the same sample point can be connected to four adjacent points at the sample point. Since the transform coefficients are determined by scanning from the area, the transform coefficients in adjacent sub-fields are not discontinuous, and therefore the drawn patterns are smoothly connected.
第6図は上述のようにしてめた変換係数を用いて描画を
行うだめの電子ビーム露光装置のシステム構成を示す要
部ブロック図である。FIG. 6 is a block diagram of a main part showing the system configuration of an electron beam exposure apparatus that performs writing using the conversion coefficients determined as described above.
同図において、20は中央処理装置(CPU)、21.
22はそれぞれ描画データ及び位置座標に対応して上記
変換係数を格納した外部記憶装置、23は上記外部記憶
装置21から転送されたパターンデータを格納するパタ
ーンデータ・バッファメモリ、24は上記パターンデー
タ・バッファメモリ23がら逐次転送されたパターンデ
ータを一次的に収容するレジスタ、25は外部記憶装置
22から転送された変換係数を位置座標に対応して収容
する補正メモリ、26は補正演算回路、27は加算回路
(ADD)、28、30.31はディジタル−アナログ
変換器(DAC) 、29.32.33は増幅器、34
はサブ・デフレクタ、35はメイン・デフレクタである
。In the figure, 20 is a central processing unit (CPU), 21.
Reference numeral 22 represents an external storage device that stores the conversion coefficients corresponding to the drawing data and position coordinates, 23 represents a pattern data buffer memory that stores the pattern data transferred from the external storage device 21, and 24 represents the pattern data. A register 25 temporarily stores pattern data sequentially transferred from the buffer memory 23, a correction memory 25 stores conversion coefficients corresponding to position coordinates transferred from the external storage device 22, a correction calculation circuit 26, and a correction calculation circuit 27. Addition circuit (ADD), 28, 30.31 is digital-to-analog converter (DAC), 29.32.33 is amplifier, 34
is a sub-deflector, and 35 is a main deflector.
前述のようにして請求めた変換係数は、位置座標ととも
に外部記憶装置22に格納されており、描画を行うに先
立ちCRU 20を介して補正メモリ25に転送される
。一方パターンデータは外部記憶装置21よりパターン
データ・バッファメモリ23に転送される。このように
したのちCPLIからの指令に基づきパターンデータが
パターンデータ・バッファメモリ23から順次レジスタ
24に送出され、更にメイン・デフレクタ35に対する
座標データX、Yは補正メモリ25及び加算器27に、
またサブ・デフレクタ34に対する座標データx、yは
補正演算回路26に送出される。これらデータを受けて
補正メモリ25から当該位置座標に対応する変換係数の
うちゲインgx+gy;ローテーションrX + r
y及び台形歪hx、h、が補正演算回路26に、またオ
フセソ)dX、d、は加算器27に送出される。The conversion coefficients requested as described above are stored in the external storage device 22 together with the position coordinates, and are transferred to the correction memory 25 via the CRU 20 prior to drawing. On the other hand, the pattern data is transferred from the external storage device 21 to the pattern data buffer memory 23. After doing this, the pattern data is sequentially sent from the pattern data buffer memory 23 to the register 24 based on commands from the CPLI, and the coordinate data X, Y for the main deflector 35 is sent to the correction memory 25 and the adder 27.
Further, the coordinate data x, y for the sub-deflector 34 is sent to the correction calculation circuit 26. Upon receiving these data, among the conversion coefficients corresponding to the position coordinates from the correction memory 25, gain gx + gy; rotation rX + r
y and trapezoidal distortion hx, h are sent to the correction calculation circuit 26, and offset) dX, d is sent to the adder 27.
加算器27は入力された2つの値を加算した結果をDA
C2Bに送り、D A C28はこれを対応するアナロ
グ値に変換し、更に増幅器29によって増幅されて偏向
電流としてメイン・デフレクタ35に加えられる。これ
により電子ビームは描画しようとするサブ・フィールド
の基準位置、即ちメイン・フィールド内の所定の座標に
偏向される。The adder 27 adds the two input values and outputs the result as DA.
The DAC 28 converts it into a corresponding analog value, which is further amplified by an amplifier 29 and applied to the main deflector 35 as a deflection current. As a result, the electron beam is deflected to the reference position of the sub-field to be drawn, that is, to a predetermined coordinate within the main field.
一方前記補正演算回路26は入力された変換係数とメイ
ン・フィールド内の座標x、yとにより補正演算を施し
、当該サブ・フィールド内における補正された位置座標
を示すデータを送出する。そしてDAC30,31によ
り対応するアナログデータに変換され、更に増幅器32
.33で増幅されてサブ・デフレクタ34に入力され、
電子ビームを当該サブ・フィールド内の所定位置に偏向
させる。On the other hand, the correction calculation circuit 26 performs a correction calculation using the input conversion coefficient and the coordinates x and y in the main field, and sends out data indicating the corrected position coordinates in the sub-field. Then, it is converted into corresponding analog data by the DACs 30 and 31, and then the amplifier 32
.. 33 and input to the sub-deflector 34,
The electron beam is deflected to a predetermined position within the sub-field.
本実施例では適切に決定された変換係数を用いているの
で、良好な精度をもってパターンを描画することが出来
る。In this embodiment, since appropriately determined conversion coefficients are used, patterns can be drawn with good accuracy.
なお上記第6図の説明において、4(11の変換係数の
うち、オフセットdx、d、はサブ・フィールド内の座
標がきまれば、その座標に一義的に対応する定数となる
ので、この値により直接電子ビームをシフトすれば良く
、補正演算を施す必要はない。従って4個の変換係数の
うちオフセットのみは補正演算回路26に送出すること
なく、メイン・デフレクタを制御するための座標データ
X、Yに加算して、メイン・デフレクタ35による偏向
位置を修正するようにしたものでる。従ってこれに変え
てサブ・デフレクタ34の座標データをシフトするよう
にしても良い。In the explanation of FIG. 6 above, among the 4 (11) conversion coefficients, the offsets dx and d become constants that uniquely correspond to the coordinates once the coordinates within the sub-field are determined, so this value It is sufficient to directly shift the electron beam, and there is no need to perform correction calculations.Therefore, among the four conversion coefficients, only the offset is not sent to the correction calculation circuit 26, and the coordinate data X, which is used to control the main deflector, is Y is added to correct the deflection position by the main deflector 35. Therefore, instead of this, the coordinate data of the sub-deflector 34 may be shifted.
ffl 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、サブ・デフレクタのビ
ーム偏向−次変換係数を高精度でしかも適切に決定し得
るので、電子ビーム露光位置を適切に調整することが出
来る。ffl As described in detail, according to the present invention, the beam deflection-order conversion coefficient of the sub-deflector can be determined with high accuracy and appropriately, so that the electron beam exposure position can be adjusted appropriately.
第1図〜第4図は従来の電子ビーム露光方法における調
整方法の問題点を説明するための図で、第1図は平面図
、第2図は電子ビームの偏向方法を模式的に示す要部側
面図、第3図は描画結果を示す平面図、第4図(a)、
(b)はそれぞれサブ・デフレクタのビーム偏向−次
変換係数のめ方を示す要部断面図及び平面図、第5図は
本発明の要部であるサブ・デフレクタのビーム偏向−次
変換係数の決定方法を示す平面図、第6図は本発明の一
実施例に用いた電子ビーム露光装置の電子ビーム制御部
の構成を示す要部ブロック図である。
図において、1は描画領域、2はメイン・フィ−ルド、
3はサブ・フィールド、4番よノ々ターン、5は被処理
基板、6は試料台、7及び35シまメイン・デフレクタ
、8及び34はサブ・デフレクタ、9は電子ビーム、1
1はマーク、G&まサンプル〜F4は上記点Gから所定
量変位した点を示す。
第1図
第2図Figures 1 to 4 are diagrams for explaining the problems of the adjustment method in the conventional electron beam exposure method. Figure 1 is a plan view, and Figure 2 is a diagram schematically showing the electron beam deflection method. Fig. 3 is a plan view showing the drawing result, Fig. 4(a),
(b) is a cross-sectional view and a plan view of the main part showing how to calculate the beam deflection-order conversion coefficient of the sub-deflector, respectively, and FIG. FIG. 6 is a plan view showing the determination method, and a block diagram of main parts showing the configuration of an electron beam control section of an electron beam exposure apparatus used in an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is the drawing area, 2 is the main field,
3 is a sub-field, 4 is a double turn, 5 is a substrate to be processed, 6 is a sample stage, 7 and 35 are main deflectors, 8 and 34 are sub-deflectors, 9 is an electron beam, 1
1 indicates a mark, and G & Ma sample ~ F4 indicates a point displaced from the above point G by a predetermined amount. Figure 1 Figure 2
Claims (1)
たマークから該偏向情報に基づいた所定の点に電子ビー
ムを偏向し、次いでサブ・デフレクタにより電子ビーム
を酸点から偏向して該マークを走査し、酸点と該マーク
との距離を測定し、該偏向情報に基づく酸点とマークと
の距離と該測定値との差をめ、該差に基づいて電子ビー
ムの偏向量を補正して露光を行うことを特徴とする電子
ビーム露光方法。Deflection information is given to the main deflector to deflect the electron beam from a mark provided on the sample to a predetermined point based on the deflection information, and then the sub-deflector deflects the electron beam from the acid point to scan the mark. Then, the distance between the acid point and the mark is measured, the difference between the distance between the acid point and the mark based on the deflection information and the measured value is calculated, and the amount of deflection of the electron beam is corrected based on the difference. An electron beam exposure method characterized by performing exposure.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235868A JPS60126827A (en) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Electron beam exposing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235868A JPS60126827A (en) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Electron beam exposing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60126827A true JPS60126827A (en) | 1985-07-06 |
JPH0515056B2 JPH0515056B2 (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=16992435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58235868A Granted JPS60126827A (en) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | Electron beam exposing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60126827A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57138757A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-27 | Hitachi Ltd | Correction of deflection distortion |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58235868A patent/JPS60126827A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57138757A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-27 | Hitachi Ltd | Correction of deflection distortion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0515056B2 (en) | 1993-02-26 |
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