JPS60121822A - Counter circuit - Google Patents

Counter circuit

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JPS60121822A
JPS60121822A JP22948483A JP22948483A JPS60121822A JP S60121822 A JPS60121822 A JP S60121822A JP 22948483 A JP22948483 A JP 22948483A JP 22948483 A JP22948483 A JP 22948483A JP S60121822 A JPS60121822 A JP S60121822A
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JP
Japan
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inverter
series
counter circuit
phi2
transistor
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JP22948483A
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Japanese (ja)
Inventor
Junichi Miyamoto
順一 宮本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain a counter circuit which does not require complicate control by connecting plural basic units each consisting of a transfer gate MOS switch controlled with two phase clocks which never overlap each other in the same period, inverter, and a capacitor. CONSTITUTION:The transfer gate switch SW formed by connecting an n channel CHMOS transistor Tr1 and a pCHMOSTr2 in parallel and the SW consisting of an nMOSTr3 and a pMOSTr4 are connected in series, and the inverter consisting of an nMOSTr5 and a pMOSTr6 is connected thereto; and capacitors C1 and C2 are connected to the connection point of each SW and the inverter, and clock signals phi1 and -phi1, and phi2 and -phi2 are applied to gates of respective SWs to constitute a basic unit 10. When frequencies of the clocks phi2 and phi2 are both denoted as (f), the basic unit 10 has delay time with a time constant C2/fC1. Plural basic units 10 are connected in series and the final stage output is inputted to the 1st stage to obtain a stable counter circuit which counts pulses with a signal period of generate a pulse with a long period and is not influenced by the manufacture process.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は短周期のパルスをカウントとしてこれよセ長周
期のパルスを発生するカウンタ回路に関するもので、特
に電気的に消去可能なEEPROMにおげろ書込/消去
制御回路等に使用されるものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a counter circuit that counts short-period pulses and generates longer-period pulses, and is particularly applicable to electrically erasable EEPROMs. It is used in write/erase control circuits, etc.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

電気的に消去可能プ:CEE PROM(Electr
icallyErasable Programmab
le Read 0nly Memory )は従来の
EFROMのような紫外線消去を必要としないことから
近時芯く用いられている。このEE PROM におい
ては昇圧回路を始めとする各種のタイミング制御を行う
必要があり、このため10 MI−1zすなわち周期1
00口S程度のクロック発振器を有している。ところで
、書込み/消去サイクルは約lms、データのベリファ
イサイクルは約10μs程度であシ、周期の短かいクロ
ックパルスを利用して長周期のパルスを発生しなければ
ならない。
Electrically erasable program: CEE PROM (Electrical
icallyErasable Programmab
EFROM) has been widely used in recent years because it does not require erasure by ultraviolet rays unlike conventional EFROM. In this EE PROM, it is necessary to perform various timing controls including the booster circuit, and for this reason, 10 MI-1z, that is, the period 1
It has a clock oscillator of about 00 S. Incidentally, the write/erase cycle is approximately 1 ms, and the data verify cycle is approximately 10 μs, so long-period pulses must be generated using short-period clock pulses.

このような短周期のパルスから長周期のパルスを発生す
る方法として、まず抵抗とコンデンサによシ定する時定
数によって遅延を発生させるRC遅延法がある。しかし
ながら、MOSコンデンサをLSI上で形成する場合、
占有面積との関係で最大でもl0PFの容量が得られる
にすぎない。したかつて10μSの時定数を得るために
は抵抗値Rとしては】MΩが必要となるが、これを実現
することはL S Iの製造工程数が増加するばかシで
なく、プロセス変動によるばらつきのため正確な高抵抗
値を得るのは困難であり、RC遅延法は現実には不可能
である。
As a method for generating long-period pulses from such short-period pulses, there is an RC delay method in which a delay is generated using a time constant determined by a resistor and a capacitor. However, when forming a MOS capacitor on an LSI,
In relation to the occupied area, a maximum capacity of only 10 PF can be obtained. In order to obtain a time constant of 10 μS, a resistance value R of 】MΩ is required, but achieving this does not mean increasing the number of LSI manufacturing steps, but also reducing variations due to process variations. Therefore, it is difficult to obtain an accurate high resistance value, and the RC delay method is practically impossible.

第2の方法として基本クロック周波を分周する方法があ
るが、10μSのノくルスを得るために100倍の分周
をディジタル的に行うには7段のT型フリップフロップ
か必要となpLs I上で大きな面積を専有することと
1より、さらに1mSのパルスを得るためにはさらに7
〜8段のフリップフロップが必要となるため専有面積の
関係力・ら現実的ではない。
The second method is to divide the basic clock frequency, but in order to digitally divide the frequency by a factor of 100 to obtain a 10 μS clock pulse, a 7-stage T-type flip-flop is required. To occupy a large area on I and to obtain an additional 1 mS pulse, an additional 7
~8 stages of flip-flops are required, which is not realistic due to the exclusive area.

第3の方法としてはいわゆるチャージポンプ″の原理に
よってアナログ的にノ(ルスカウントを行う方法かある
。チャージポンプとは界面準位に補獲された信号電荷が
基板に注入されることを@(・、第1図に示す回路が代
表的である。これはダイナミックRAMのリフレッシュ
制御に使用されて(・るもので、入力端子1はコンデン
サC□ とゲート・ソース間で自己](イアスされたM
OSトランジスタT を介してIvi OS )ランジ
スタ′r2 のドしインに接続されており、そのソース
側にはコンデンサC、プリチャージ用トランジスタT3
 σ〕ドレイン、インバータ40入力端子か接続さ才t
”’Cおり、このインバータ4の出力側が出力端子とな
っている。またプリチャージ用トランジスタ′r3 の
ソース電極6には高電位が与えられ、コンデンサ゛C、
トランジスタT1 のドレイン、トランジスりT のゲ
ートはそれぞれ基板に接地さして(・る。
The third method is to perform analog noise counting using the principle of a so-called charge pump.A charge pump is a method in which signal charges captured in an interface state are injected into a substrate.・, The circuit shown in Figure 1 is typical. This is used for refresh control of dynamic RAM (・), and input terminal 1 is connected between capacitor C M
It is connected to the doin of the Ivi OS ) transistor 'r2 via the OS transistor T, and a capacitor C and a precharge transistor T3 are connected to its source side.
σ] drain, connected to inverter 40 input terminal
The output side of the inverter 4 is the output terminal.A high potential is applied to the source electrode 6 of the precharge transistor 'r3, and the capacitors C,
The drain of transistor T1 and the gate of transistor T are both grounded to the substrate.

このような構成において、トランジスタT3 のゲート
を一定時間開いぞ共通接続点であるノード3を高電位に
プリチャージしておぎ入力姑子1に所定のクロックパル
スを与えると、コンデンサC工に蓄積された′電荷によ
ってトランジスタTエ のゲートか開くのでコンデンサ
C6K蓄積された゛電荷は少しずつトランジスタ′r2
 およびTエ を通じて基板に放出され、この結果ノー
ド3の電位は上昇していき、インバータ4の閾値を超え
た時点で出力端子2における電位か反転する。
In such a configuration, when the gate of the transistor T3 is opened for a certain period of time, the common connection point Node 3 is precharged to a high potential, and a predetermined clock pulse is applied to the input terminal 1, the voltage accumulated in the capacitor C is Since the gate of transistor Te opens due to the electric charge, the electric charge accumulated in capacitor C6K is gradually transferred to transistor R2.
As a result, the potential at node 3 rises, and when it exceeds the threshold of inverter 4, the potential at output terminal 2 is inverted.

このようなカウンタではカウント数か2つのコブこめ製
造工程プロセスの影響を受けにくいこと、を大き1工専
有面積を使用ぜすに実現できることがら前2法の欠点を
解消1−ることができる7、しかしなから、このチャー
ジポンプを使用した方法にオ6いてはバラ・/ゲートバ
イアスをかけないCMO8+−ランジスタ等を使用した
回路中では使用できないという問題かある。1−なわち
、トランジスタT をオンにするためにはトランジスタ
゛1゛3のゲート電極5の電位は低電位のVss以下に
する必要かあるが一一般に基板電位はVssであるたI
〕、トランジスタT2 のドレインがそのゲートに対し
テ順方向バイアスとなって正常な動作が妨り′ら才℃る
。しかもとの11賭方向電流によって相補トランジスタ
の一方か動作してI7マいラッチをかけるト1ツガとな
るという不都合かある。また、出力端2の電位が反転し
た後に所定のタイミングでグ1jチャージ用トランジス
タT3 のゲート5にノくルスを与えてT3 をプリチ
ャージしてノくルスを再反転させパルスのデユーティを
50%にする必要があるか、このタイミング制御は非常
に複雑であると共にデユーティを50%にするための波
形成形も必要と゛なりコストアップの装置とナル。
With such a counter, the disadvantages of the previous two methods can be overcome because the count number is not easily affected by the two lump-filling manufacturing processes, and it can be achieved without using a large area. However, this method using a charge pump has a problem in that it cannot be used in a circuit using a CMO8+- transistor or the like to which no gate bias is applied. 1-In other words, in order to turn on the transistor T, the potential of the gate electrode 5 of the transistors 1 and 3 needs to be lower than the low potential Vss, but generally the substrate potential is Vss, so I
], the drain of transistor T2 becomes forward biased with respect to its gate, preventing normal operation. Moreover, there is the disadvantage that one of the complementary transistors operates due to the current in the original 11 direction, causing the I7 to latch. In addition, after the potential at the output terminal 2 is inverted, a pulse is applied to the gate 5 of the charging transistor T3 at a predetermined timing to precharge T3, and the pulse is inverted again to reduce the duty of the pulse to 50%. However, this timing control is very complicated and requires waveform shaping to make the duty 50%, which increases the cost of equipment and equipment.

〔発明の目的〕 本発明は上記問題点VC鑑みてなされたもので、バック
ゲートバイアスを使用せす、製造フ゛ロセスの変動の影
響を受けずに安定したカウント力・可能であり、しかも
複雑な制御を必要としな(・カウン夕回路を提供するこ
とを目的とする。
[Object of the Invention] The present invention was made in view of the above-mentioned problems in VC, and it is possible to achieve stable counting force without being affected by fluctuations in the manufacturing process by using a back gate bias, and to achieve complicated control. The purpose is to provide a counter circuit that does not require

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

」−餌口的達成のため一本発明においては周期が等しく
かつ互いに重複しない少くとも2相のクロックによりそ
れぞれ制御され、かつ互いに直列に1鯰続されたトラン
スフアゲ−) M OSスイッチと、この直列に接続さ
れたスイッチの@終段に接続されたインク9−夕と、ス
イッチの各相互接続点並ヒに最終段スイッチおよびイン
バータの接続点と基準電位点間に接続された容琶とを基
本構成単位とし、この基本構成単位を任意の段数直列接
続するようにしており、カウント数か容−l゛比のみに
よってボまるため、製造フロセスの変動の影響を受け才
、峻雑な制御を必炊としないものである。
In order to achieve this objective, in the present invention, the transfer gates are connected in series to each other, each controlled by at least two phase clocks having equal and non-overlapping periods. An ink wire connected to the last stage of the switches connected in series, and an ink wire connected to each interconnection point of the switches as well as between the last stage switch and the inverter connection point and the reference potential point. This is a basic structural unit, and any number of stages of this basic structural unit are connected in series, and because it is determined only by the number of counts or the capacity-l ratio, it is susceptible to fluctuations in the manufacturing process and requires complicated control. It is not required to be cooked.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照しながら本発明の実施例を詳細に説明
する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図にI)は本発明にかかるカウンタの基本構成単位
10を示す回路図であって、nチャンネルMOSトラン
ジスタT、およびPチャネルIν1ts)ランジスタT
r2を並列接続した第1のトランスファゲートスイッチ
とnチャネルへ・10Sトランジスタ′r13およびp
チャネ、ルヘ・IOSトランジスタ′「r4を 。
In FIG. 2, I) is a circuit diagram showing the basic constituent unit 10 of the counter according to the present invention, which includes an n-channel MOS transistor T, and a P-channel Iν1ts) transistor T.
The first transfer gate switch with r2 connected in parallel and the n-channel 10S transistor 'r13 and p
Channel, Ruhe IOS transistor''r4.

並列接続した第2のトランスファゲートスイッチとが直
列にmbeされ、この第2のトランスノアゲートスイッ
チの出力(+411には11チヤネル[\I OS +
−ランジスタl]′r5どpチャネル1S10 S t
・ランジスタを的外に接続したインバータのjlUゲー
 トか1沈絖さ7tており扼1のトランスファゲートと
第2のトランスファゲートの接続点には接地1L位との
間で在欧トランジスタTr1、Tr2、i’ 、3、’
I’r4の各ゲートにはそれぞれクロック信号φ1、φ
1、φ2、φ2 か印加されている。なおφとφはレベ
ルの商低関係fJ\逆の信号でルンる。まブこ−N!、
1のトランスファゲートの入力端は入力端11、インバ
ータのT1.およびTr60ソース・ドレイン共ノを旧
χ続点り、出力啼12にそれぞれなっている。このより
なイ1す成は第2図(blに示す記号で表わされる。
A second transfer gate switch connected in parallel is connected in series, and the output of this second transfer gate switch (+411 has 11 channels [\I OS +
- transistor l]'r5 do p channel 1S10 S t
・The jlU gate of the inverter with the transistor connected outside the target is 7t long, and the European transistors Tr1 and Tr2 are connected to the ground 1L at the connection point of the first transfer gate and the second transfer gate. ,i',3,'
Clock signals φ1 and φ are applied to each gate of I'r4, respectively.
1, φ2, φ2 are applied. Note that φ and φ are expressed by signals having a quotient-low relationship fJ\opposite to the level. Mabuko-N! ,
The input terminal of the transfer gate 1 is the input terminal 11, and the input terminal of the inverter T1. And the source and drain of Tr60 are connected to each other, and output signal 12 is obtained. This flexible structure is represented by the symbols shown in Figure 2 (bl).

このような基本構成JOにおける動作を次に説明する。The operation in such a basic configuration JO will be explained next.

いま入力端」lの電位V、、第2のトランスファゲート
とインバータの共通接続点j3の可、泣をv2 とする
と、このV□、■2と転送される電荷Qとの関係は C1(Vl−V2) =CJ で表わされる。クロック信号φ1、φ2が共に周波数r
を有しているものとすれば、入力端11と7′−ド12
との間をθ;Lれる電流1は + 二fc、 < vl v2) で表わさi主、したかつて (■ビー■2)/1−届。−1、 で表わされる告価抵抗とみなすことかでき、電位わされ
る遅れtd を有1−ることに1よる。
Now let V2 be the potential V of the input terminal ``1'', and the potential of the common connection point j3 between the second transfer gate and the inverter is v2, then the relationship between these V□, 2 and the transferred charge Q is C1 (V −V2) =CJ. Both clock signals φ1 and φ2 have a frequency r
If the input end 11 and the 7'-end 12
The current 1 flowing between θ; -1, and can be regarded as a resistance expressed by 1, which is 1 due to the fact that there is a delay td in applying the potential.

このような基本構成単位1oを発振を起さないように奇
数段循環従続することにまりカウンタを(イク成するこ
とができる。第3図は3段の接続を行った例であって、
;う段目のt?G成単位の出力は4目段に入力されてい
る。
By cyclically following such a basic structural unit 1o in an odd number of stages so as not to cause oscillation, a counter can be formed. Fig. 3 shows an example in which three stages are connected.
;The second t? The output of the G component unit is input to the fourth stage.

N段接続の場合、全体の発振周波数Fは2 td N 
2RCN l+i 2 C22NIn2で表わされ、C
にO,IPF、 C2=lOPF、 N=3とすると 得られる出力は約420倍の長い周期を有するものとな
り、例えば、クロック周波数f = HJMH2;とす
れは42μsのパルスか容易に得られる。第4図はこの
場合における第3図の)−ド15における出力電位V。
In the case of N-stage connection, the overall oscillation frequency F is 2 td N
2RCN l+i 2 C22NIn2, C
When O, IPF, C2=lOPF, and N=3, the output obtained has a period about 420 times longer. For example, if the clock frequency f=HJMH2; then a pulse of 42 μs can be easily obtained. FIG. 4 shows the output potential V at the node 15 in FIG. 3 in this case.

とクロック信号φ1 およびφ2 との関係を示したタ
イムチャートであって、420個のクロック信号分の周
期を有する長周期ノくルスか発生することがわかる。
This is a time chart showing the relationship between the clock signals φ1 and φ2, and it can be seen that a long-period pulse having a period equal to 420 clock signals is generated.

第5図はEEPROMにおける昇圧回路20と共に本発
明のカウンタ回路21を使用した実施例を示す回路図で
あって、カウンタ回路21を駆動する2つのクロック信
号φ1、φ2により昇圧回路2oも駆動するようにして
いる。この昇圧回路20は自己バイアスされたM段のM
OSトランジスタT、。1、T 、・・・・・・Tro
mか直列接続され、各ゲートに02 は容縫C6を介して2つのクロック信号φ1とφ2が交
互に印加されている。このようy’1.B圧回路ではク
ロック信号か進むと共に、後段のM OS )ランジス
タはど昇圧していき、容置CL を介して昇圧電圧Vp
pとして取出される。この昇圧回路を電源′電圧Vl)
DからVPPfで昇圧するのに要する時間tHは で表わされる。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment in which the counter circuit 21 of the present invention is used together with a boost circuit 20 in an EEPROM, and the boost circuit 2o is also driven by the two clock signals φ1 and φ2 that drive the counter circuit 21. I have to. This booster circuit 20 has M stages of self-biasing.
OS transistor T. 1,T,...Tro
02 are connected in series, and two clock signals φ1 and φ2 are applied alternately to each gate via a connection C6. Like this y'1. In the B voltage circuit, as the clock signal advances, the subsequent stage MOS transistor boosts the voltage, and the boosted voltage Vp is generated via the capacitor CL.
It is taken out as p. This booster circuit is used as a power supply'voltage Vl)
The time tH required to boost the voltage from D to VPPf is expressed by .

ここで■Lはクロック信号の振幅−VPPは昇圧電圧、
■1hはトランジスタの閾値、Mは昇圧段数、fはクロ
ックの基本周波数であり−[を除いて定数として取扱う
ことかできるのでtllはfの関数となる。
Here ■L is the amplitude of the clock signal - VPP is the boosted voltage,
(2) 1h is the threshold value of the transistor, M is the number of boosting stages, and f is the fundamental frequency of the clock, which can be treated as a constant except for -[, so tll is a function of f.

したがって、昇圧回路で得られるVppの波形とカウン
タ回路で得られる■。の波形とは回路定数としての容置
:を適当に選ぷことによって周期を一致させることかで
きへこの様子は第6図(a)および(b)に示されてい
る。EEPROMにおいては■さ込み/消去特性は所定
のタイミングで所要の昇圧電位か加わるか否かに影響さ
れる。したかって各種制御を行うためのパルスを発生す
るカウンタ回路と昇圧回路のクロックパルスを共通VC
=jることによりタイミングが良好にとれることになる
Therefore, the waveform of Vpp obtained by the booster circuit and (2) obtained by the counter circuit. By appropriately selecting the waveform and the circuit constant, the periods can be made to match, as shown in FIGS. 6(a) and 6(b). In an EEPROM, insert/erase characteristics are affected by whether or not a required boosted potential is applied at a predetermined timing. Therefore, the clock pulses of the counter circuit and booster circuit, which generate pulses for various controls, are connected to a common VC.
=j allows for good timing.

以上の実施例においてはクロック信号は2種類であった
か、同様の原典に基ついて等周期でかつ重複しない3相
以上のクロック信号を用い、これらで制御されるトラン
スファゲートMOSスイッチを直列接続するようにして
もよい。
In the above embodiments, two types of clock signals were used, or clock signals of three or more phases with equal periods and non-overlapping based on the same source were used, and transfer gate MOS switches controlled by these clock signals were connected in series. It's okay.

また基本構成におけるトランスファゲートMOSスイッ
チは実施例においてはpチャネルのものとnチャネルの
ものを組合わせたCMO8構成であったが、必すしもそ
の必要はなくいずれかの導電型のみでよく、その回路構
成もEEs成あるいはED構成のいずれも使用できる。
In addition, although the transfer gate MOS switch in the basic configuration is a CMO8 configuration in which a p-channel type and an n-channel type are combined in the embodiment, it is not necessary and may be of either conductivity type. As for the circuit configuration, either an EEs configuration or an ED configuration can be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のような本発明にかかるカウンタ回路によれは、周
期か等しくかつ互いに重複しない少くとも2相のクロッ
クで制御され互いに直りり接続されたトランスファゲー
トsi o sスイッチおよびインバータを有5し、こ
れらの各接続点と基準電位間に接続された容景を構成の
一単位として俵数段直列接続−チーるようにし、スイッ
チと容黛により定まる等測的な茜抵抗を利用してカウン
タを形成しておシ、カウント数か容量比のみによって定
まるため、製造プロセスの変動の影響を受けずに正確な
カウント数を実現でき、しかもカウント時に複雑な制御
を必要としないものである。
The counter circuit according to the present invention as described above includes a transfer gate SiOS switch and an inverter that are controlled by at least two-phase clocks having equal periods and that do not overlap with each other and are directly connected to each other. A counter is formed by connecting several stages of straw bales in series, using the connection point connected between each connection point and the reference potential as one unit of the configuration, and using the isometric resistance determined by the switch and the resistance. Moreover, since it is determined only by the count number or the capacity ratio, accurate counts can be achieved without being affected by variations in the manufacturing process, and moreover, no complicated control is required during counting.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のRC遅延型カウンタの構成を示ず回路図
、第2図は本発明のカウンタ回路の基本構成単位の一実
施例を示す回路図、第3し1はこの基本構成単位を3段
直列接続した実施例を示す回路図、第4図は使用するク
ロック信号とカウンタ出力との関係を示すタイムチャー
ト、第5図はカウンタ回路のクロック信号をE E P
 ROMの昇圧回路と共通にした実施例を示¥接続図、
絹6図は電5図における昇圧回路とカウンタ回路の谷出
力タイミングの一致を示1−タイムチャートである。 10・・・基本構成単位、11・・・入力端、12・・
・出力端、13 、15・・・ノード、20・・・昇圧
回路、2■・・・カウンタ回路、Tr、、゛昏3 + 
Tr 5 ”’ nチャネルMO’Sトランジスタ、7
I+r2. Ill、 4.11,6.・・pチャネル
MO8)ランジスタ。 出願人代理人 猪 股 清 第1 図 6 第2図 第4図 420伺 ■ 第5図 2′1 第6図
Fig. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional RC delay type counter, Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the basic structural unit of the counter circuit of the present invention, and Fig. 3 and 1 are circuit diagrams showing the basic structural unit of the counter circuit of the present invention. A circuit diagram showing an example in which three stages are connected in series, Fig. 4 is a time chart showing the relationship between the clock signal used and the counter output, and Fig. 5 shows the clock signal of the counter circuit E E P
Connection diagram showing an example that is common to the ROM booster circuit,
Figure 6 is a 1-time chart showing the coincidence of the valley output timings of the booster circuit and the counter circuit in Figure 5. 10...Basic structural unit, 11...Input terminal, 12...
・Output terminal, 13, 15... Node, 20... Boost circuit, 2 ■... Counter circuit, Tr, ゛3 +
Tr 5''' n-channel MO'S transistor, 7
I+r2. Ill, 4.11,6. ... p-channel MO8) transistor. Applicant's agent Kiyoshi Inomata 1 Figure 6 Figure 2 Figure 4 420 inquiry■ Figure 5 2'1 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、周期が等しくかつ互いに重複しない少くとも2相の
クロック信号によりそれぞれ制御され、かつ互いに直列
に接続されたトランスファゲートMOSスイッチと、 前記直列に接続されたスイッチの最終段に接続されたイ
ンバータと、 前記直列に接続されたスイッチの各相互接続点並びに前
記最終段スイッチおよび前記インバータの接続点と基準
電位点間に接続された容最とを基本構成単位とし、 この基本構成単位を任意の段数直列接続し、最終段出力
を第1段に入力したことを特徴とするカウンタ回路。 2、基準電位が電源′電圧または接地電位である特許請
求の範囲第1項記載のカウンタ回路。 3、クロック信号がEEPROMの昇圧回路の制御クロ
ックと一致するものである特許請求の範囲第1項または
第2項記載のカラン′り回路。
[Claims] 1. Transfer gate MOS switches controlled by at least two-phase clock signals having equal periods and non-overlapping periods and connected in series to each other; and a final stage of the series-connected switches. The basic structural unit is an inverter connected to the inverter, each interconnection point of the switches connected in series, and a capacitor connected between the connection point of the final stage switch and the inverter and the reference potential point, A counter circuit characterized in that an arbitrary number of stages of constituent units are connected in series, and the output of the final stage is inputted to the first stage. 2. The counter circuit according to claim 1, wherein the reference potential is a power supply voltage or a ground potential. 3. The run-up circuit according to claim 1 or 2, wherein the clock signal coincides with the control clock of the booster circuit of the EEPROM.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295528A (en) * 1988-05-23 1989-11-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Dynamic frequency divider
US6099183A (en) * 1993-02-08 2000-08-08 L'oreal Make-up brush and method for manufacturing such a brush

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