JPS6010131A - 漏洩ガスの検知方法 - Google Patents
漏洩ガスの検知方法Info
- Publication number
- JPS6010131A JPS6010131A JP11694183A JP11694183A JPS6010131A JP S6010131 A JPS6010131 A JP S6010131A JP 11694183 A JP11694183 A JP 11694183A JP 11694183 A JP11694183 A JP 11694183A JP S6010131 A JPS6010131 A JP S6010131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- gas
- light
- outer pipe
- output light
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/05—Flow-through cuvettes
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- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は漏洩ガスの検知方法、さらに詳しくは。
半導体ｆＪ＋Ｊ費装置等において使用する毒性のあるガ
スの配管系においてガスが漏洩していないかどうかを検
知する方法に関するものである。
スの配管系においてガスが漏洩していないかどうかを検
知する方法に関するものである。
従来技術と問題点
半導体製造装置においては毒性のあるガスＡｇＨ３（ア
ルミン）、ＰＨ３（ホスフィン）等を使用する。
ルミン）、ＰＨ３（ホスフィン）等を使用する。
これらのガスを利用するイオン注入装置は従来第１図の
ごとく構成される。図にお員て１は絶縁容器、２はボン
ベ、５はＡ＋、Ｐ＋等のイオンンースを示す。同図に示
すごとくイオンンース３は同じン く絶縁容器１の内・部に配置されたボンベよりアルミン
、ホスフィン等のガスを供給される。絶縁容器１は絶縁
されその内部は２００ ＫＶ程度までの高圧を印加でき
るようになっている。かかる第１図のごとき装置におい
て毒性ガスの漏洩を検知するためにはガスを取出孔４よ
り配管５を介して取出すことによって行っていた。
ごとく構成される。図にお員て１は絶縁容器、２はボン
ベ、５はＡ＋、Ｐ＋等のイオンンースを示す。同図に示
すごとくイオンンース３は同じン く絶縁容器１の内・部に配置されたボンベよりアルミン
、ホスフィン等のガスを供給される。絶縁容器１は絶縁
されその内部は２００ ＫＶ程度までの高圧を印加でき
るようになっている。かかる第１図のごとき装置におい
て毒性ガスの漏洩を検知するためにはガスを取出孔４よ
り配管５を介して取出すことによって行っていた。
しかしかかる装置においてはボンベ２およびづオンンー
ス３を同じ絶縁容器１の内部に収容していたためにその
収容個数に限界があり、且つガスボンベの交換もいちい
ち絶縁容器１から取出して外部から新しいボンベを挿入
しなければならず取扱いも厄介であった。
ス３を同じ絶縁容器１の内部に収容していたためにその
収容個数に限界があり、且つガスボンベの交換もいちい
ち絶縁容器１から取出して外部から新しいボンベを挿入
しなければならず取扱いも厄介であった。
発明の目的
本発明はかかる従来技術の欠点にかんがみ取扱いが容易
にして大規模な半導体製造装置の招性ガス配管系におけ
る漏洩ガス検知方法を提供することを目的とするもので
ある。
にして大規模な半導体製造装置の招性ガス配管系におけ
る漏洩ガス検知方法を提供することを目的とするもので
ある。
発明の構成
この目的ｅよ本発明によれば２重管の内管にガスを流す
ガス配管系において、内管の表面および外管の内面を鏡
面とし、前記外管の外部より光を導入して前記表面およ
び外管の内面にて多重反射せしめ出力光を外部に取出し
前記出力光をスペクトル分析を行ない＾１１記内管を流
れる前記ガスの漏洩を検出することを特徴とする漏洩ガ
スの検知方法を提供することによって達成される。
ガス配管系において、内管の表面および外管の内面を鏡
面とし、前記外管の外部より光を導入して前記表面およ
び外管の内面にて多重反射せしめ出力光を外部に取出し
前記出力光をスペクトル分析を行ない＾１１記内管を流
れる前記ガスの漏洩を検出することを特徴とする漏洩ガ
スの検知方法を提供することによって達成される。
発明の実施例
以下本発明にかかる実施例を図面を＃照しつつ詳＃１に
説明−する。
説明−する。
本発明は薮１〜を大規模にするために第２図に示すごと
くイオンンースのみを多数個容益１の内部に収容し、ボ
ンベは外部において配管系７によりガスを倶給するよう
にしたものである。
くイオンンースのみを多数個容益１の内部に収容し、ボ
ンベは外部において配管系７によりガスを倶給するよう
にしたものである。
第２図のとと！＆架装置おいて毒性のあるガスを配管系
７により配管するためにはその安全性が問題となり２重
管とするのが望ましい。しかし２重管とした場合、内管
におけるガスの漏洩場所を検知することは困難である。
７により配管するためにはその安全性が問題となり２重
管とするのが望ましい。しかし２重管とした場合、内管
におけるガスの漏洩場所を検知することは困難である。
そこで本発明においては第３図（ａｌ 、 （ｂ）に示
す内管１ｐａの表面および外管１０ｂの内面ケ反射面と
し、外管ｉｏｂに透明部１１ａ、ｌ１ｂｆ：設は透明部
１１ａよυ光１１を入射し、内管表面および外管内面に
て多重反射せしめその出力光ヲ透明部１１Ｌ＋より取出
しその光をスペクトル分析を行なう。第６図において（
ａ）は外観図、（ｂ）は断面図である。第４図は透明部
１１８の詳１ｔｎｌ１図でおって内管１０ａ１外管１０
ｂ、透明部１１ａおよび光ガイド１３の相互関係が示さ
れている。光ガイド１３は例えばキセノンランプ（図示
せず）の発光による光が導かれる。光ガイド１３の内ｊ
ｊ７１３ ａも鏡面とし光は多重反射をくυかえして透
明部１１ａに投射される。なお透明部１１ｂはｙｒガイ
ド１３の方向が反対になるだけで第４図の場合と同様に
構成できることは勿論である。
す内管１ｐａの表面および外管１０ｂの内面ケ反射面と
し、外管ｉｏｂに透明部１１ａ、ｌ１ｂｆ：設は透明部
１１ａよυ光１１を入射し、内管表面および外管内面に
て多重反射せしめその出力光ヲ透明部１１Ｌ＋より取出
しその光をスペクトル分析を行なう。第６図において（
ａ）は外観図、（ｂ）は断面図である。第４図は透明部
１１８の詳１ｔｎｌ１図でおって内管１０ａ１外管１０
ｂ、透明部１１ａおよび光ガイド１３の相互関係が示さ
れている。光ガイド１３は例えばキセノンランプ（図示
せず）の発光による光が導かれる。光ガイド１３の内ｊ
ｊ７１３ ａも鏡面とし光は多重反射をくυかえして透
明部１１ａに投射される。なお透明部１１ｂはｙｒガイ
ド１３の方向が反対になるだけで第４図の場合と同様に
構成できることは勿論である。
第５図は光のスペクトル分析上行うだめのプロ、り図で
あって透明部１１ｂよりの光は分光器１５により分析さ
れその出力はＸ−Ｙレコーダ１８に入力されるとともに
光増倍管１６によ、り電気信号に変喚され増幅器１７を
介してＸ−Ｙレコーダ１８を駆動す。Ｘ −Ｙレコーダ
１８においては漏洩毒性ガスにより吸収されたスＲクト
ルの波長が表示される。あるいは分光器１５の柚に吸収
されるスペクトルのフィルタを設置してそのスペクトル
のみケ監視すればスペクトル分析系はさらに簡単となる
。
あって透明部１１ｂよりの光は分光器１５により分析さ
れその出力はＸ−Ｙレコーダ１８に入力されるとともに
光増倍管１６によ、り電気信号に変喚され増幅器１７を
介してＸ−Ｙレコーダ１８を駆動す。Ｘ −Ｙレコーダ
１８においては漏洩毒性ガスにより吸収されたスＲクト
ルの波長が表示される。あるいは分光器１５の柚に吸収
されるスペクトルのフィルタを設置してそのスペクトル
のみケ監視すればスペクトル分析系はさらに簡単となる
。
発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば極めて簡単な
装置によシ漏洩ガスの検知が可能となシ。
装置によシ漏洩ガスの検知が可能となシ。
本発明はとくに大観（益な半導体製造装置に適用してそ
の効果は頗る大なものがある。
の効果は頗る大なものがある。
第１図は従来の漏洩ガス検知方法の説明のための図、第
２図は本発明にかかる方法の適用される装置の概略図、
第３図は本発明にかかる方法の１実施例を示す図、第４
図は第６図の要部の詳細図。 第５図は出力光のスペクトル分析のためのブロック図を
示す。 図面において、１０ａは内管、１０ｂは外管。 １１ａ、１１ｂは透明部、１２は入射および出力光、１
５は光ガイドをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 始 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 第３図 ０ｂ 第４図 第５図
２図は本発明にかかる方法の適用される装置の概略図、
第３図は本発明にかかる方法の１実施例を示す図、第４
図は第６図の要部の詳細図。 第５図は出力光のスペクトル分析のためのブロック図を
示す。 図面において、１０ａは内管、１０ｂは外管。 １１ａ、１１ｂは透明部、１２は入射および出力光、１
５は光ガイドをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 始 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２図 第３図 ０ｂ 第４図 第５図
Claims (1)
- ２重管の内管にガスを流すガス配管系において、内管の
表面および外管の内面を鏡面とし、 ｅｔｔ記外管外管
部より光を導入して前記表面および外管の内面にて多重
反射せしめ出力光を外部に取出し前記出力光をスペクト
ル分析ｒ行ない前記内管を流れる前記ガスの漏洩を検出
することを特徴とする漏洩ガスの検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11694183A JPS6010131A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 漏洩ガスの検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11694183A JPS6010131A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 漏洩ガスの検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010131A true JPS6010131A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14699499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11694183A Pending JPS6010131A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 漏洩ガスの検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147337A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | ウエブ、テクノロジ−、インコ−ポレ−テツド | 電子部品パッケージの密閉度試験方法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11694183A patent/JPS6010131A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147337A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-07-01 | ウエブ、テクノロジ−、インコ−ポレ−テツド | 電子部品パッケージの密閉度試験方法 |
| JPH0464572B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1992-10-15 | Uebu Tekunorojii Inc |
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