JPS6010027B2 - N↑2−ナフタレンスルホニル−l−アルギニン誘導体およびその酸付加塩 - Google Patents
N↑2−ナフタレンスルホニル−l−アルギニン誘導体およびその酸付加塩Info
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- JPS6010027B2 JPS6010027B2 JP51000255A JP25576A JPS6010027B2 JP S6010027 B2 JPS6010027 B2 JP S6010027B2 JP 51000255 A JP51000255 A JP 51000255A JP 25576 A JP25576 A JP 25576A JP S6010027 B2 JPS6010027 B2 JP S6010027B2
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- naphthalenesulfonyl
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン
誘導体およびその酸付加塩に関する。
誘導体およびその酸付加塩に関する。
また本発明はN2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギ
ニン譲導体およびその酸付加塩から成る抗血液凝固剤に
関する。従来より血栓症の治療薬に関する多くの研究が
なされており、そのひとつとしてN2−(p−トリルス
ルホニル)−L−アルギニンェステル類が血栓を溶解す
る作用を有することが知られている。
ニン譲導体およびその酸付加塩から成る抗血液凝固剤に
関する。従来より血栓症の治療薬に関する多くの研究が
なされており、そのひとつとしてN2−(p−トリルス
ルホニル)−L−アルギニンェステル類が血栓を溶解す
る作用を有することが知られている。
(米国特許3622615)また本発明者等はN2ーダ
ンシル−L−アルギニンェステルまたはアミドが強い抗
トロビン作用を有し血栓症の治療薬として医薬上有用な
化合物であることを報告している。
ンシル−L−アルギニンェステルまたはアミドが強い抗
トロビン作用を有し血栓症の治療薬として医薬上有用な
化合物であることを報告している。
(米国特許出願496939)本発明者等はさらに強い
抗トロンビン作用を有する新規な化合物を探索した結果
、N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン譲導体
およびその酸付加塩が強力な抗トロンビン作用を有する
ことを見出し本発明を完成した。
抗トロンビン作用を有する新規な化合物を探索した結果
、N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン譲導体
およびその酸付加塩が強力な抗トロンビン作用を有する
ことを見出し本発明を完成した。
すなわちN2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニン
誘導体およびその酸付加塩は血液凝固系に関与する重要
なたん白質分解酵素の一つであるトロンビンに対し強い
阻害作用を有し、医薬上血液凝固を抑制する特異な生理
活性物質であり、抗トロンビン作用が持続的であるとい
う特徴を有するため、抗血液凝固剤として有用である。
誘導体およびその酸付加塩は血液凝固系に関与する重要
なたん白質分解酵素の一つであるトロンビンに対し強い
阻害作用を有し、医薬上血液凝固を抑制する特異な生理
活性物質であり、抗トロンビン作用が持続的であるとい
う特徴を有するため、抗血液凝固剤として有用である。
本発明を詳細に説明すると、本発明化合物であるN2−
ナフタレンスルホニル一Lーアルギニン譲導体およびそ
の酸付加塩は下記一般式(1)で表わされる。上言己一
対史式(1)中でRは以下に詳述する一般式{または‘
で表わ される。
ナフタレンスルホニル一Lーアルギニン譲導体およびそ
の酸付加塩は下記一般式(1)で表わされる。上言己一
対史式(1)中でRは以下に詳述する一般式{または‘
で表わ される。
なお、本明細書中でC,,C2等は炭素数を表わす。m
R=−OR,の場合 R′,はメチル基、エチル基、プロピル基」ィソプロピ
ル基、ブチル基、tーブチル基Lペンチル基、ヘキシル
基等のC,〜C,oのアルキル基:シクロヘキシル基等
のC3〜C,oのシクロアルキル基;2ークロロェチル
基、4−クロロプチル基等のC.〜C,oのハロゲン化
アルキル基:2ーメトキシェチル基、2−ェトキシェチ
ル基等のC2〜C,oのアルコキシアルキル基:アリル
基、2ーブテニル基等のC2〜C,oのアルケニル基:
3−ブチニル基等のC2〜C,oのアルキニル基または
ペンジル基、フェネチル基等のC7〜C,5のアラルキ
ル基を表わす。
R=−OR,の場合 R′,はメチル基、エチル基、プロピル基」ィソプロピ
ル基、ブチル基、tーブチル基Lペンチル基、ヘキシル
基等のC,〜C,oのアルキル基:シクロヘキシル基等
のC3〜C,oのシクロアルキル基;2ークロロェチル
基、4−クロロプチル基等のC.〜C,oのハロゲン化
アルキル基:2ーメトキシェチル基、2−ェトキシェチ
ル基等のC2〜C,oのアルコキシアルキル基:アリル
基、2ーブテニル基等のC2〜C,oのアルケニル基:
3−ブチニル基等のC2〜C,oのアルキニル基または
ペンジル基、フェネチル基等のC7〜C,5のアラルキ
ル基を表わす。
の場合
R2およびR3は水素原子:メチル基、エチル基、ブロ
ピル基、ィソプロピル基、ブチル基、ィソブチル基、ベ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチルタ基等のC,〜C,o
のアルキル基:ペンジル基、フェネチル基、3−フェニ
ルプロピル基等のC7〜C,5のアラルキル基:または
メトキシェチル基、メトキシフ。
ピル基、ィソプロピル基、ブチル基、ィソブチル基、ベ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチルタ基等のC,〜C,o
のアルキル基:ペンジル基、フェネチル基、3−フェニ
ルプロピル基等のC7〜C,5のアラルキル基:または
メトキシェチル基、メトキシフ。
ロピル基、ェトキシェチル基、ェトキシカルボニルメチ
ル基、2ーメトキシカルボニルェチ0ル基、2ーェトキ
シカルボニルエチル基、3ーェトキシカルボニルプロピ
ル基等のC,。以下のアルコキシ基もしくはアルコキシ
カルボニル基で置換されたC,〜C,oのアルキル基を
表わす。夕{3}R:−N3の場合zはメチレン基一C
H2一およびモノ置換メチレン基(式中でR4はC,〜
C,oのアルキル 基、C,〜C,oのアシル基、C,〜C,oのアルコキ
シ基またはC2〜CMのアルコキシカルボニル基を表わ
す。
ル基、2ーメトキシカルボニルェチ0ル基、2ーェトキ
シカルボニルエチル基、3ーェトキシカルボニルプロピ
ル基等のC,。以下のアルコキシ基もしくはアルコキシ
カルボニル基で置換されたC,〜C,oのアルキル基を
表わす。夕{3}R:−N3の場合zはメチレン基一C
H2一およびモノ置換メチレン基(式中でR4はC,〜
C,oのアルキル 基、C,〜C,oのアシル基、C,〜C,oのアルコキ
シ基またはC2〜CMのアルコキシカルボニル基を表わ
す。
)から選択される2以上の基ならびにオキタシ基一○−
、ァルキル置換ィミノ基(式中でR7はC,〜C,oの
アルキル基を表わす。
、ァルキル置換ィミノ基(式中でR7はC,〜C,oの
アルキル基を表わす。
)、アシル置換ィミノ基(式中でR8はC,〜C,oの
アルキル基を表わす。
アルキル基を表わす。
)およびフェニレン基か
ら選択される0または1以上の基が任意の順序に結合し
た2価基を表わし、上記の結合する基の数は20以下で
ある。
た2価基を表わし、上記の結合する基の数は20以下で
ある。
さらに具体的には上記Rは1ーアジリジニル基、1ーァ
ゼチジニル基、3ーメトキシー1−アゼチジニル基、3
ーェトキシー1ーアゼチジニル基、1ーピロリジニル基
、2ーピロリドンー1ーィル基、ピベリジノ基、4−ピ
ベリドンー1−ィル基、4−メチルピベリジノ基、4ー
ェチルピベリジノ基、4ープロピルピベリジノ基、4−
インプロピルピベリジノ基、2ーメチルピベリジ/基、
3−メチルピベリジノ基「2ーェトキシカルボニル−1
ーピロリジニル基、4ーメトキシピベリジノ基、4ーア
セチルピベリジノ基、4ーメトキシカルボニルピベリジ
ノ基「1−へキサメチレンィミニル基、1ーオクタメチ
レンィミニル基等の1一ポリメチレンィミニル基または
その誘導体:3−オキサゾリジニル基等のオキサゾール
系の基:2一ィソオキサゾリジニル基等のィソオキサゾ
ール系の基:モルフオリノ基、2,6一ジメチルモルフ
オリノ基、テトラヒドロー1,3−オキサジンー3−ィ
ル基等のオキサジン系の基:4ーメチルー1ーピベラジ
ニル基、4ーアセチルー1ーピベラジニル基、2−ィソ
ィンドリニル基、1−インドリニル基、1,2,3,4
ーテトラヒドo−2ーィソキノリル基、3ーアザビシク
ロ〔3,2,2〕−3ーノニル基、1,2,3,4−テ
トラヒドロ−1ーキノリル基等である。
ゼチジニル基、3ーメトキシー1−アゼチジニル基、3
ーェトキシー1ーアゼチジニル基、1ーピロリジニル基
、2ーピロリドンー1ーィル基、ピベリジノ基、4−ピ
ベリドンー1−ィル基、4−メチルピベリジノ基、4ー
ェチルピベリジノ基、4ープロピルピベリジノ基、4−
インプロピルピベリジノ基、2ーメチルピベリジ/基、
3−メチルピベリジノ基「2ーェトキシカルボニル−1
ーピロリジニル基、4ーメトキシピベリジノ基、4ーア
セチルピベリジノ基、4ーメトキシカルボニルピベリジ
ノ基「1−へキサメチレンィミニル基、1ーオクタメチ
レンィミニル基等の1一ポリメチレンィミニル基または
その誘導体:3−オキサゾリジニル基等のオキサゾール
系の基:2一ィソオキサゾリジニル基等のィソオキサゾ
ール系の基:モルフオリノ基、2,6一ジメチルモルフ
オリノ基、テトラヒドロー1,3−オキサジンー3−ィ
ル基等のオキサジン系の基:4ーメチルー1ーピベラジ
ニル基、4ーアセチルー1ーピベラジニル基、2−ィソ
ィンドリニル基、1−インドリニル基、1,2,3,4
ーテトラヒドo−2ーィソキノリル基、3ーアザビシク
ロ〔3,2,2〕−3ーノニル基、1,2,3,4−テ
トラヒドロ−1ーキノリル基等である。
上記Rのうち好ましいものは次のとおりである。{1}
R=−OR,の場合 C,〜C8のアルコキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
C2〜C6の山一クロロアルキルオキシ基「C2〜C6
の■ーアルコキシアルキルオキシ基、C3〜C6のアル
ケニルオキシ基、C2〜C6のアルキニルオキシ基、C
7〜C9のアラリキルオキシ基C,〜C9のアルキルア
ミノ基、C2〜C6の山一アルコキシキアルキルアミノ
基「C3〜C5ののーアルコキシカルボニルアルキルア
ミノ基、C,〜C,oのアラルキルアミ/基、C2〜C
,oのジアルキルアミ/基の場合 C3〜C,oのN,N−ポリメチレンィミニル基:C以
下のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル
基もしくはアシル基で置換されたC3〜C,oのN.N
一ポリメチレンィミニル基:テトラヒドロー1、nーオ
キサジンーnーィル基(nは2,3または4を表わす)
:ィソィンドリニル基:またはC5以下のアルキル基も
しくはアシル基で置換された1ーピベラジニル基さらに
好ましいRの具体例を挙げれば次のとおりである。
R=−OR,の場合 C,〜C8のアルコキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
C2〜C6の山一クロロアルキルオキシ基「C2〜C6
の■ーアルコキシアルキルオキシ基、C3〜C6のアル
ケニルオキシ基、C2〜C6のアルキニルオキシ基、C
7〜C9のアラリキルオキシ基C,〜C9のアルキルア
ミノ基、C2〜C6の山一アルコキシキアルキルアミノ
基「C3〜C5ののーアルコキシカルボニルアルキルア
ミノ基、C,〜C,oのアラルキルアミ/基、C2〜C
,oのジアルキルアミ/基の場合 C3〜C,oのN,N−ポリメチレンィミニル基:C以
下のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル
基もしくはアシル基で置換されたC3〜C,oのN.N
一ポリメチレンィミニル基:テトラヒドロー1、nーオ
キサジンーnーィル基(nは2,3または4を表わす)
:ィソィンドリニル基:またはC5以下のアルキル基も
しくはアシル基で置換された1ーピベラジニル基さらに
好ましいRの具体例を挙げれば次のとおりである。
{11 R=−OR,の場合
ェトキシ基、プロポキシ基、プトキシ基、ヘキシルオキ
シ基、シクロヘキシルオキシ基、3ークロロプロポキシ
基、2ーメトキシェトキシ基、2ーブテニルオキシ基、
3ーブチニルオキシ基、ベンジルオキシ基の場合 ブチルアミノ基け2−メトキシェチルアミノ基、2−メ
トキシカルボニルェチルアミノ基、2ーェトキシカルボ
ニルエチルアミ/基、ベンジルアミノ基、N−メチル−
Nーブチルアミノ基【3}R=−N3の場合ピベリジノ
基、ヘキサメチレンィミニル基「4ーメチルピベリジノ
基、4ーェチルピベリジノ基、4ーメトキシピベリジノ
基、4−アセチルピベリジノ基、4ーメトキシカルボニ
ルピベリジノ基、モルホリノ基、2−ィソィンドリニル
基、4ーメチルー1ーピベラジニル基、4−アセチル−
1ーピベラジニル基上記一般式(1)中でR′は一般式 で表わされる。
シ基、シクロヘキシルオキシ基、3ークロロプロポキシ
基、2ーメトキシェトキシ基、2ーブテニルオキシ基、
3ーブチニルオキシ基、ベンジルオキシ基の場合 ブチルアミノ基け2−メトキシェチルアミノ基、2−メ
トキシカルボニルェチルアミノ基、2ーェトキシカルボ
ニルエチルアミ/基、ベンジルアミノ基、N−メチル−
Nーブチルアミノ基【3}R=−N3の場合ピベリジノ
基、ヘキサメチレンィミニル基「4ーメチルピベリジノ
基、4ーェチルピベリジノ基、4ーメトキシピベリジノ
基、4−アセチルピベリジノ基、4ーメトキシカルボニ
ルピベリジノ基、モルホリノ基、2−ィソィンドリニル
基、4ーメチルー1ーピベラジニル基、4−アセチル−
1ーピベラジニル基上記一般式(1)中でR′は一般式 で表わされる。
上記一般式中でR″とR″′が結合していない場合には
R″,R′′′はメチル基、エチル基、プロビル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、ィソブチル基、tーブチル基
等のC,〜C,o、好ましくはC,〜C5のアルキル基
を表わし、R″とR…が結合している場合には一R″−
R′′′一はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基
等、C,〜C,。、好ましくはC.〜C5のアルキレン
基を表わす。なお、アルコキシ基(一OR″,OR肌)
またはアルキレンジオキシ基(一OR″−R…○一)お
よびスルホニル基はチフタレン環のいずれの炭素原子(
1位〜8位)に結合していてもよい。通常、スルホニル
基の位置は1位または2位であり、アルキレンジオキシ
基は6,7ーアルキレンジオキシ基である。R′の好ま
しい具体例を挙げれば次のとおりである。
R″,R′′′はメチル基、エチル基、プロビル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、ィソブチル基、tーブチル基
等のC,〜C,o、好ましくはC,〜C5のアルキル基
を表わし、R″とR…が結合している場合には一R″−
R′′′一はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基
等、C,〜C,。、好ましくはC.〜C5のアルキレン
基を表わす。なお、アルコキシ基(一OR″,OR肌)
またはアルキレンジオキシ基(一OR″−R…○一)お
よびスルホニル基はチフタレン環のいずれの炭素原子(
1位〜8位)に結合していてもよい。通常、スルホニル
基の位置は1位または2位であり、アルキレンジオキシ
基は6,7ーアルキレンジオキシ基である。R′の好ま
しい具体例を挙げれば次のとおりである。
6,7ージメトキシー2ーナフチル基、4,6−ジメト
キシー2ーナフチル基、6,7ージェトキシ−2ーナフ
チル基、6,7−エチレンジオキシ−2ーナフチル基。
キシー2ーナフチル基、6,7ージェトキシ−2ーナフ
チル基、6,7−エチレンジオキシ−2ーナフチル基。
本発明化合物であるN2ーナフタレンスルホニル−L−
アルギニン誘導体(1)の代表例を次に挙げる。‘1’
ヱステル譲導体の場合 N2一(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンスルホニ
ル)−L−アルギニンブロピルエステルN2−(6,7
ージメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)一Lーアル
ギニンブチルヱステルN2−(6,7ージメトキシ−2
−ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンヘキシルエ
ステルN2一(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンス
ルホニル)−LーアルギニンベンジルエステルN2−(
6,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)一L
−アルギニン3−クロロプロピルエステ′レN2−(6
,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)一Lー
アルギニン シクロヘキシルヱステ/しN2−(6,7
ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアル
ギニン 2−メトキシエチルエステ′レN2−(6,7
ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)−L−アル
ギニン 3−ブチニルエステ′レN2一(6,7−ジメ
トキシー2一ナフタレンスルホニル)‐L−アルギニン
2ーブテニルエステルN2−(6,7−ジメトキシー
2−ナフタレンスルホニル)‐L−アルギニン ブチル
ヱステルN2−(6,7ージエトキシ−2−ナフタレン
スルホニル)‐Lーアルギニン2−メトキシエチルエス
テノレN2−(6,7−ジエトキシー2一ナフタレンス
ルホニル)−Lーアルギニン 2ーブテニルエステルN
2−(4,6ージメトキシー2−ナフタレンスルホニル
)一L−アルギニン ブチルエステルN2一(4,6ー
ジメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギ
ニン エチルエステルで表わされるアミド誘導体の場合
N2−(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニ
ル)−N−プチルーLーアルギニンアミドN2−(6,
7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)一N−(
2−メトキシエチル)一L−アルギーニンアミドN2一
(6,7ージメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)−
N−(2−メトキシカルボニルエチル)−Lーアルギニ
ンアミドN2一(6,7ージメトキシ−2−ナフタレン
スルホニル)−N−(2−エトキシカルボニルエチル)
一L−アルギニンアミドN2−(6,7−エチレンジオ
キシー2一ナフタレンスルホニル)−N一(2ーメトキ
シエチル)−LーアルギニンアミドN2一(6,7−ジ
エトキシー2一ナフタレンスルホニル)一N一(2ーメ
トキシエチル)一L−アルギニソアミドN2一(6,7
ージエトキシ−2ーナフタレンスルホニル)一N一(2
ーメトキシカルポニルエチル)一Lーアルギニンアミド
N2一(6,7−ジエトキシー2−ナフタレンスルホニ
ル)一N一(2ーエトキシカルボニルエチル)一Lーア
ルギニンアミドN2一(6,7−ジメトキシー2一ナフ
タレンスルホニル)一NーベンジルーL−アルギニンア
ミドN2一(6,7−ジメトキシー2一ナフタレンスル
ホニル)−Nーメチル−N−プチル−L−アルギニンア
ミドN2一(6,7ージメトキシ−2−ナフタレンスル
ホニル)一NーメチルーNーブチルーL−アルギニンア
ミド【3’R=−NZで表わされるアミド誘導体の場合
4ーメチルー1−■2一(6,7ージメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)−L−アルギニル)ピベリジン4
ーエチルー1一〔N2一(6,7ージメトキシ−2一ナ
フタレンスルホニル)一L−アルギニル〕ピベリジンN
2−(6,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル
)一N,NーヘキサメチレンイミニルーL−アルギニン
アミド4一〔N2一(6,7ージメトキシー2一ナフタ
レンスルホニル)一Lーアルギニル〕モルホリン2−〔
N2一(6,7−ジメトキシー2一ナフタレンスルホニ
ル)一Lーアルギニル〕イソインドリン4ーメトキシー
1−〔N2−(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンス
ルホニル)一L−アルギニル〕ピベリジン4−アセチル
ー1−〔N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレン
スルホニル)−L−アルギニル〕ピベリジン4−メトキ
シカルボニル−1一〔N2−(6,7ージメトキシー2
一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジ
ン4ーメチルー1一〔N2−(6,7−ジメトキシ−2
一ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル〕ピベラジ
ン4ーアセチル−1一〔N2一(6,7ージメトキシー
2一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベラ
ジン4ーエチル−1一〔N2−(6,7ーエチレンジオ
キシ−2−ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル〕
ピベリジン4−メチル−1一〔N2−(6,7ージエト
キシ−2−ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニル〕
ピベリジン4−メトキシ−1一〔N2一(6,7ージエ
トキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニル
〕ピベリジンN2−(6,7ージエトキシ−2−ナフタ
レンスルホニル)−N,N−へキサメチレンイミニル一
L−アルギニンアミド1−〔N2一(6,7−ジエトキ
シ−2−ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピ
ベリジン4−〔N2−(6,7ージエトキシー2−ナフ
タレンスルホニル)−L−アルギニル〕モルホリン4ー
メチル−1−〔N2−(4,6ージメトキシ−2一ナフ
タレンスルホニル)−Lーアルギニル〕ピベリジン4−
エチル一1一〔N2−(4,6ージメトキシ−2一ナフ
タレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジン4ー
エチル−1−〔N2一(6,7ージヱトキシー2一ナフ
タレンスルホニル)一Lーアルギニル)ピベリジンなお
上記化合物の薬剤的に許容される塩もまた本発明の範囲
に含まれる。
アルギニン誘導体(1)の代表例を次に挙げる。‘1’
ヱステル譲導体の場合 N2一(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンスルホニ
ル)−L−アルギニンブロピルエステルN2−(6,7
ージメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)一Lーアル
ギニンブチルヱステルN2−(6,7ージメトキシ−2
−ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンヘキシルエ
ステルN2一(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンス
ルホニル)−LーアルギニンベンジルエステルN2−(
6,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)一L
−アルギニン3−クロロプロピルエステ′レN2−(6
,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)一Lー
アルギニン シクロヘキシルヱステ/しN2−(6,7
ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアル
ギニン 2−メトキシエチルエステ′レN2−(6,7
ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)−L−アル
ギニン 3−ブチニルエステ′レN2一(6,7−ジメ
トキシー2一ナフタレンスルホニル)‐L−アルギニン
2ーブテニルエステルN2−(6,7−ジメトキシー
2−ナフタレンスルホニル)‐L−アルギニン ブチル
ヱステルN2−(6,7ージエトキシ−2−ナフタレン
スルホニル)‐Lーアルギニン2−メトキシエチルエス
テノレN2−(6,7−ジエトキシー2一ナフタレンス
ルホニル)−Lーアルギニン 2ーブテニルエステルN
2−(4,6ージメトキシー2−ナフタレンスルホニル
)一L−アルギニン ブチルエステルN2一(4,6ー
ジメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギ
ニン エチルエステルで表わされるアミド誘導体の場合
N2−(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニ
ル)−N−プチルーLーアルギニンアミドN2−(6,
7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)一N−(
2−メトキシエチル)一L−アルギーニンアミドN2一
(6,7ージメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)−
N−(2−メトキシカルボニルエチル)−Lーアルギニ
ンアミドN2一(6,7ージメトキシ−2−ナフタレン
スルホニル)−N−(2−エトキシカルボニルエチル)
一L−アルギニンアミドN2−(6,7−エチレンジオ
キシー2一ナフタレンスルホニル)−N一(2ーメトキ
シエチル)−LーアルギニンアミドN2一(6,7−ジ
エトキシー2一ナフタレンスルホニル)一N一(2ーメ
トキシエチル)一L−アルギニソアミドN2一(6,7
ージエトキシ−2ーナフタレンスルホニル)一N一(2
ーメトキシカルポニルエチル)一Lーアルギニンアミド
N2一(6,7−ジエトキシー2−ナフタレンスルホニ
ル)一N一(2ーエトキシカルボニルエチル)一Lーア
ルギニンアミドN2一(6,7−ジメトキシー2一ナフ
タレンスルホニル)一NーベンジルーL−アルギニンア
ミドN2一(6,7−ジメトキシー2一ナフタレンスル
ホニル)−Nーメチル−N−プチル−L−アルギニンア
ミドN2一(6,7ージメトキシ−2−ナフタレンスル
ホニル)一NーメチルーNーブチルーL−アルギニンア
ミド【3’R=−NZで表わされるアミド誘導体の場合
4ーメチルー1−■2一(6,7ージメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)−L−アルギニル)ピベリジン4
ーエチルー1一〔N2一(6,7ージメトキシ−2一ナ
フタレンスルホニル)一L−アルギニル〕ピベリジンN
2−(6,7ージメトキシー2一ナフタレンスルホニル
)一N,NーヘキサメチレンイミニルーL−アルギニン
アミド4一〔N2一(6,7ージメトキシー2一ナフタ
レンスルホニル)一Lーアルギニル〕モルホリン2−〔
N2一(6,7−ジメトキシー2一ナフタレンスルホニ
ル)一Lーアルギニル〕イソインドリン4ーメトキシー
1−〔N2−(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンス
ルホニル)一L−アルギニル〕ピベリジン4−アセチル
ー1−〔N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレン
スルホニル)−L−アルギニル〕ピベリジン4−メトキ
シカルボニル−1一〔N2−(6,7ージメトキシー2
一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジ
ン4ーメチルー1一〔N2−(6,7−ジメトキシ−2
一ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル〕ピベラジ
ン4ーアセチル−1一〔N2一(6,7ージメトキシー
2一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベラ
ジン4ーエチル−1一〔N2−(6,7ーエチレンジオ
キシ−2−ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル〕
ピベリジン4−メチル−1一〔N2−(6,7ージエト
キシ−2−ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニル〕
ピベリジン4−メトキシ−1一〔N2一(6,7ージエ
トキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニル
〕ピベリジンN2−(6,7ージエトキシ−2−ナフタ
レンスルホニル)−N,N−へキサメチレンイミニル一
L−アルギニンアミド1−〔N2一(6,7−ジエトキ
シ−2−ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピ
ベリジン4−〔N2−(6,7ージエトキシー2−ナフ
タレンスルホニル)−L−アルギニル〕モルホリン4ー
メチル−1−〔N2−(4,6ージメトキシ−2一ナフ
タレンスルホニル)−Lーアルギニル〕ピベリジン4−
エチル一1一〔N2−(4,6ージメトキシ−2一ナフ
タレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジン4ー
エチル−1−〔N2一(6,7ージヱトキシー2一ナフ
タレンスルホニル)一Lーアルギニル)ピベリジンなお
上記化合物の薬剤的に許容される塩もまた本発明の範囲
に含まれる。
上記化合物は本発明化合物であるN2ーナフタレンスル
ホニルーLーアルギニン譲導体(1)の代表例であり、
本発明に包含される化合物は上記化合物に限定されるも
のではない。
ホニルーLーアルギニン譲導体(1)の代表例であり、
本発明に包含される化合物は上記化合物に限定されるも
のではない。
本発明化合物であるN2ーナフタレンスルホニルーLー
アルギニン誘導体(1)の製造法は出発原料および/ま
たは製造中間体によって種々考えられるが以下にその製
造法について概説する。
アルギニン誘導体(1)の製造法は出発原料および/ま
たは製造中間体によって種々考えられるが以下にその製
造法について概説する。
【11N2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニンヱ
ステルの製造法(a) N2ーナフタレンスルホニルー
L−アルギニン類のヱステル化:本反応は下記反応式で
表わされる。
ステルの製造法(a) N2ーナフタレンスルホニルー
L−アルギニン類のヱステル化:本反応は下記反応式で
表わされる。
上記反応式中でR′は一般式(1)中で定義したとおり
であり、Rは一般式(1)で定義したRのうち−OR,
で表わされるものを示す。
であり、Rは一般式(1)で定義したRのうち−OR,
で表わされるものを示す。
すなわちN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン
類(0)をアルコール(m)で下記に説明する方法によ
りェステル化することによりN2ーナフタレンスルホニ
ルーLーアルギニシエステル(1)が得られる。
類(0)をアルコール(m)で下記に説明する方法によ
りェステル化することによりN2ーナフタレンスルホニ
ルーLーアルギニシエステル(1)が得られる。
(i)N2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニン類
(0)とアルコール(m)を加熱してェステル化する。
(0)とアルコール(m)を加熱してェステル化する。
この方法では反応速度が小さいので、高温加圧下反応さ
せることが望ましい。しかしN2−ナフタレンスルホニ
ル一L−アルギニン類は高温では分解し易いので注意が
必要である。皿 N2−ナフタレンスルホニル−Lーア
ルギニン類(0)をェステル化触媒の存在下アルコール
(m)と反応させる。
せることが望ましい。しかしN2−ナフタレンスルホニ
ル一L−アルギニン類は高温では分解し易いので注意が
必要である。皿 N2−ナフタレンスルホニル−Lーア
ルギニン類(0)をェステル化触媒の存在下アルコール
(m)と反応させる。
ェステル化触媒としては塩化水素、臭化水素等のハ。
ゲン化水素:硫酸、硝酸、リン酸等の鉱酸:トルェンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、陽イ
オン交手製樹脂等の有機酸および三フッ化ホウ素、塩化
アルミニウム等のルイス酸が挙げられるが、特に強酸が
適している。ェステル化触媒である強酸はN2ーナフタ
レンスルホニルーL−アルギニンヱステル類に付加して
酸付加塩を形成する。
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、陽イ
オン交手製樹脂等の有機酸および三フッ化ホウ素、塩化
アルミニウム等のルイス酸が挙げられるが、特に強酸が
適している。ェステル化触媒である強酸はN2ーナフタ
レンスルホニルーL−アルギニンヱステル類に付加して
酸付加塩を形成する。
通常N2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンェス
テル類1当量に対し、酸1当量が付加するので、ェステ
ル化触媒はN2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニ
ン類(0)に対し1当量以上使用することが望ましい。
N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニン類(0)
は当モルのアルコールと反応するが、反応速度を上昇さ
せるためには5モル倍以上アルコ−ルを使用することが
望ましい。
テル類1当量に対し、酸1当量が付加するので、ェステ
ル化触媒はN2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニ
ン類(0)に対し1当量以上使用することが望ましい。
N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニン類(0)
は当モルのアルコールと反応するが、反応速度を上昇さ
せるためには5モル倍以上アルコ−ルを使用することが
望ましい。
また該ェステル化反応はベンゼン、トルェン、キシレン
などの芳香族炭化水素:四塩化炭素、クロロホルム、塩
化メチレンなどの塩素化炭化水素:へキサン、シクロヘ
キサンなどの炭化水素:ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどのエーテルおよびこれらの混合物等の不活性溶媒
中で行うことができる。
などの芳香族炭化水素:四塩化炭素、クロロホルム、塩
化メチレンなどの塩素化炭化水素:へキサン、シクロヘ
キサンなどの炭化水素:ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどのエーテルおよびこれらの混合物等の不活性溶媒
中で行うことができる。
特にベンゼン、トルェン、キシレン、シクロヘキサン、
四塩化炭素、塩化メチレン等の溶媒は水と共鍵混合物を
作るので、ェステル化反応で生成した水を反応系外に除
去でき、平衡的に有利に反応を進めることができる。反
応温度は使用するアルコールおよび触媒の活用に応じて
適宜選べばよいが、一般には0℃からアルコールあるい
は溶媒の沸点までの温度範囲から選ばれる。
四塩化炭素、塩化メチレン等の溶媒は水と共鍵混合物を
作るので、ェステル化反応で生成した水を反応系外に除
去でき、平衡的に有利に反応を進めることができる。反
応温度は使用するアルコールおよび触媒の活用に応じて
適宜選べばよいが、一般には0℃からアルコールあるい
は溶媒の沸点までの温度範囲から選ばれる。
反応時間は使用するアルコールおよび触媒の活用ならび
に反応温度によって大きく異なり10分から1虫時間程
度である。
に反応温度によって大きく異なり10分から1虫時間程
度である。
反応終了後アルコールおよび/または不活性溶媒を蟹去
すると、N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン
ェステル類(1)あるいはその酸付加塩が得られる。
すると、N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン
ェステル類(1)あるいはその酸付加塩が得られる。
N2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンェステル
類(1)の酸付加塩はpHを調節することによって、容
易にN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギーニンェ
ステル類(1)に変えることができる。N2ーナフタレ
ンスルホニルーL−アルギニンェステル類(1)および
その酸付加塩はエーテル、アルコール、アセトン等の溶
媒を組合わせて再結晶することにより、あるいはこれを
アルコールに溶解して、エーテルを加え再沈澱させるこ
とにより精製することができる。(iii)N2−ナフ
タレンスルホニル−L−アルギニンェステル類(0)に
アルコール(m)およびハロゲン化チオニルを反応させ
る。
類(1)の酸付加塩はpHを調節することによって、容
易にN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギーニンェ
ステル類(1)に変えることができる。N2ーナフタレ
ンスルホニルーL−アルギニンェステル類(1)および
その酸付加塩はエーテル、アルコール、アセトン等の溶
媒を組合わせて再結晶することにより、あるいはこれを
アルコールに溶解して、エーテルを加え再沈澱させるこ
とにより精製することができる。(iii)N2−ナフ
タレンスルホニル−L−アルギニンェステル類(0)に
アルコール(m)およびハロゲン化チオニルを反応させ
る。
ハロゲン化チオニルとしては塩化チオニル、臭化チオニ
ルを挙げることができる。
ルを挙げることができる。
N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン類は当モ
ルのハロゲン化チオニルと反応するが、反応の完結を期
するためにはハロゲン化チオニルは2モル以上使用する
ことが好ましい。
ルのハロゲン化チオニルと反応するが、反応の完結を期
するためにはハロゲン化チオニルは2モル以上使用する
ことが好ましい。
反応によってハロゲン化チオニルはハロゲン化水素とS
02に分解し、生成したハロゲン化水素はN2−ナフタ
レンスルホニル一Lーアルギニンェステル類に付加して
、通常N2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニンェ
ステル類のハロゲノ酸塩が生成する。反応温度、反応時
間、使用するアルコール類、アルコールの使用量、生成
物の分離および精製法に関しては(0)の方法(ェステ
ル化触媒を用いたェステル化法)と同じである。
02に分解し、生成したハロゲン化水素はN2−ナフタ
レンスルホニル一Lーアルギニンェステル類に付加して
、通常N2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニンェ
ステル類のハロゲノ酸塩が生成する。反応温度、反応時
間、使用するアルコール類、アルコールの使用量、生成
物の分離および精製法に関しては(0)の方法(ェステ
ル化触媒を用いたェステル化法)と同じである。
qW N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニン類
(0)とジアゾメタンとの反応、N2一ナフタレンスル
ホニル−Lーアルギニン類(0)とジメチルスルフアイ
トおよびトシルスルホン酸との反応、およびN2−ナフ
タレンスルホニル−L−ァルギニン類(0)とジメチル
硫酸と*の反応によってN2−ナフタレンスルホニル一
L−アルギニン類のメチルェステルが得られる。
(0)とジアゾメタンとの反応、N2一ナフタレンスル
ホニル−Lーアルギニン類(0)とジメチルスルフアイ
トおよびトシルスルホン酸との反応、およびN2−ナフ
タレンスルホニル−L−ァルギニン類(0)とジメチル
硫酸と*の反応によってN2−ナフタレンスルホニル一
L−アルギニン類のメチルェステルが得られる。
M N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニン類(
ロ)のアルカリ金属塩とハロゲン化アルキルを極性溶媒
中で反応させることにより「N2ーナフタレンスルホニ
ルーLーアルギニン類のアルキルェステルが得られる。
ロ)のアルカリ金属塩とハロゲン化アルキルを極性溶媒
中で反応させることにより「N2ーナフタレンスルホニ
ルーLーアルギニン類のアルキルェステルが得られる。
これ以外の方法によってもN2一ナフタレンスルホニル
−Lーアルギニン類(0)はェステル化され得るが、一
般的には〔ii)および(iii)の方法が利用される
。本反応で原料として用いられるN2ーナフタレンスル
ホニルーL−アルギニン類(0)は塩基の存在下Lーア
ルギニンとナフタレンスルホニルハロゲニド誘導体R′
−S02×(式中でRrは一般式(1)で定義したとお
りであり、×はハロゲン原子を表わす。
−Lーアルギニン類(0)はェステル化され得るが、一
般的には〔ii)および(iii)の方法が利用される
。本反応で原料として用いられるN2ーナフタレンスル
ホニルーL−アルギニン類(0)は塩基の存在下Lーア
ルギニンとナフタレンスルホニルハロゲニド誘導体R′
−S02×(式中でRrは一般式(1)で定義したとお
りであり、×はハロゲン原子を表わす。
)を反応させて得るものが最も一般的であるが、塩基存
在下オメガ位を保護したL−オルニチンとナフタレンス
ルホニルハロゲニド誘導体R′−S02×を反応させ、
ついでオメガ位の保護基を切断して、生成するN2−ナ
フタレンスルホニル−L−オルニチン類を常法でグアニ
ジル化することによって得ることもできる。【b)Lー
アルギニンエステルとナフタレンスルホニルハロゲニド
誘導体の縮合反応本反応は下記反応式で表わされる。
在下オメガ位を保護したL−オルニチンとナフタレンス
ルホニルハロゲニド誘導体R′−S02×を反応させ、
ついでオメガ位の保護基を切断して、生成するN2−ナ
フタレンスルホニル−L−オルニチン類を常法でグアニ
ジル化することによって得ることもできる。【b)Lー
アルギニンエステルとナフタレンスルホニルハロゲニド
誘導体の縮合反応本反応は下記反応式で表わされる。
上記反応式でR′は一般式(1)中で定義したとおりで
あり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち−OR,
で表わされるものを示す。
あり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち−OR,
で表わされるものを示す。
また、Xはハロゲン原子を表わす。
すなわちLーアルギニンエステル(W)とナフタレンス
ルホニルハロゲニド誘導体(V)を反応させてN2ーナ
フタレンスルホニルーL−アルギニンェステル誘導体(
1)が得られる。
ルホニルハロゲニド誘導体(V)を反応させてN2ーナ
フタレンスルホニルーL−アルギニンェステル誘導体(
1)が得られる。
L−アルギニンェステル(W)または酸付加塩とナフタ
レンスルホニルハロゲニド誘導体(V)の反応は通常塩
基の存在下行われる。
レンスルホニルハロゲニド誘導体(V)の反応は通常塩
基の存在下行われる。
塩基は反応で生成するハロゲン化水素を捕捉し反応を促
進する。塩基としては、トリェチルアミン、ピリジン等
の有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
カリウム等の一般的な無機塩基を挙げることができる。
進する。塩基としては、トリェチルアミン、ピリジン等
の有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
カリウム等の一般的な無機塩基を挙げることができる。
無機塩基は通常水溶液として用いられる。塩基はLーア
ルギニンェステルに対し通常当量以上使用される。
ルギニンェステルに対し通常当量以上使用される。
原料としてLーアルギニンエステルの酸付加塩を使用す
る場合、L−アルギニンェステルの酸付加塩をL−アル
ギニンェステルに変えるに十分な量の塩基を過剰に用い
ることが好ましい。ナフタレンスルホニルハロゲニド誘
導体Mは通常等モルのL−アルギニンェステルまたはそ
の酸付加塩と反応させる。
る場合、L−アルギニンェステルの酸付加塩をL−アル
ギニンェステルに変えるに十分な量の塩基を過剰に用い
ることが好ましい。ナフタレンスルホニルハロゲニド誘
導体Mは通常等モルのL−アルギニンェステルまたはそ
の酸付加塩と反応させる。
Lーアルギニンェステルまたはその酸付加塩とナフタレ
ンスルホニルハロゲニド誘導体(V}の反応は一般には
溶媒中で行われる。溶媒としては水:塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素などの塩化系溶媒:ベンゼン、
トルェン、キシレンなどの芳香族炭化水素三エーテル、
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどのエーテ
ル系溶媒:アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノンなどのケトン系溶媒:ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、テトラメチル尿素、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン、キノリンなどの塩基性溶媒または
2以上のこれら溶媒の混合物が用いられる。塩基性溶媒
を用いると、これら溶媒は酸受容剤として作用するので
、塩基を添加する必要はない。反応温度は使用するL−
アルギニンェステルお*よび塩基によって異なるが、一
般には0℃〜溶媒の沸点までの温度から選ばれる。
ンスルホニルハロゲニド誘導体(V}の反応は一般には
溶媒中で行われる。溶媒としては水:塩化メチレン、ク
ロロホルム、四塩化炭素などの塩化系溶媒:ベンゼン、
トルェン、キシレンなどの芳香族炭化水素三エーテル、
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどのエーテ
ル系溶媒:アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノンなどのケトン系溶媒:ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、テトラメチル尿素、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン、キノリンなどの塩基性溶媒または
2以上のこれら溶媒の混合物が用いられる。塩基性溶媒
を用いると、これら溶媒は酸受容剤として作用するので
、塩基を添加する必要はない。反応温度は使用するL−
アルギニンェステルお*よび塩基によって異なるが、一
般には0℃〜溶媒の沸点までの温度から選ばれる。
反応時間は使用するL−アルギニンヱステルによって異
なるが、通常IQ分から1虫時間の範囲から選ばれる。
なるが、通常IQ分から1虫時間の範囲から選ばれる。
反応時間は使用するLーアルギニンェステルによって異
なるが、通常10分かち1虫時間の範囲から選ばれる。
反応終了後生成した塩類を水洗して除去し、溶媒を留去
後、水および/または溶媒で生成物を洗浄する。こうし
て得られるN2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニ
ンェステル類(1)にエーテルおよび酸(たとえば塩酸
、pートルヱンスルホン酸など)を加え、生成したN2
−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンヱステル類(
1)の酸付加塩を単離する。本反応で原料として用いら
れるLーアルギニンェステル(W)またはその酸付加塩
は、Lーアルギニンとアルコールを酸触媒の存在下反応
させて得る方法が最も一般的である。
なるが、通常10分かち1虫時間の範囲から選ばれる。
反応終了後生成した塩類を水洗して除去し、溶媒を留去
後、水および/または溶媒で生成物を洗浄する。こうし
て得られるN2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニ
ンェステル類(1)にエーテルおよび酸(たとえば塩酸
、pートルヱンスルホン酸など)を加え、生成したN2
−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンヱステル類(
1)の酸付加塩を単離する。本反応で原料として用いら
れるLーアルギニンェステル(W)またはその酸付加塩
は、Lーアルギニンとアルコールを酸触媒の存在下反応
させて得る方法が最も一般的である。
酸触媒を用いてェステル化すると一般にL−アルギニン
ェステルの酸付加塩が得られる。
ェステルの酸付加塩が得られる。
【21 N2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニン
アミドの製造法′ 【aI N2−ナフタレンスルホニ
ル一L−アルギニンェステルと一級アミンとの反応本反
応は下記反応式で表わされる。
アミドの製造法′ 【aI N2−ナフタレンスルホニ
ル一L−アルギニンェステルと一級アミンとの反応本反
応は下記反応式で表わされる。
上記反応式中でR′は一般式(1)中で定義したとおり
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち(R2
は水素原子ではな し・)に相当し、Rは炭素数10以下の低級アルコキシ
基を表わす。
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち(R2
は水素原子ではな し・)に相当し、Rは炭素数10以下の低級アルコキシ
基を表わす。
すなわち、N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニ
ンアミド誘導体(1)はN2ーナフタレンスルホニルー
Lーアルギニンエステル(町)またはその酸付加塩とア
ミン類(肌)の反応により製造される。
ンアミド誘導体(1)はN2ーナフタレンスルホニルー
Lーアルギニンエステル(町)またはその酸付加塩とア
ミン類(肌)の反応により製造される。
上記反応でアミン類(肌)はN2−ナフタレンスルホニ
ル−Lーアルギニンェステル(町)に対し当量以上使用
される。
ル−Lーアルギニンェステル(町)に対し当量以上使用
される。
反応速度を高め」平衡的に有利に反応を進めるためには
アミン類は過剰使用することが望ましく、通常N2−ナ
フタレンスルホニル−Lーアルギニンェステルに対し2
〜10倍モル使用される。原料としてN2ーナフタレン
スルホニルーL−アルギニンェステル(W)の酸付加塩
を使用する場合は、一般に添加するァミン類が酸付加塩
に変化するので生成する酸付加塩に相当するアミン類を
過剰に使用する必要がある。
アミン類は過剰使用することが望ましく、通常N2−ナ
フタレンスルホニル−Lーアルギニンェステルに対し2
〜10倍モル使用される。原料としてN2ーナフタレン
スルホニルーL−アルギニンェステル(W)の酸付加塩
を使用する場合は、一般に添加するァミン類が酸付加塩
に変化するので生成する酸付加塩に相当するアミン類を
過剰に使用する必要がある。
触媒としては塩基性化合物を使用することができる。
具体的にはナトリウムメトキシド等のアルカリ金属原子
のアルコキシド、ピリジン等の第三級アミン等が用いら
れる。これらの触媒を使用すれば、反応速度が上昇する
のでアミン類の使用量を低減し、反応条件を緩和するこ
とができる。アミン類を大過剰使用するとアミン類はN
2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニンエステル(
W)またはその酸付加塩を溶解するので、無溶媒でも反
応は進行するが、必要に応じてメタノ−ル、エタノール
、ブタノール等のアルコール類:*エチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類:ベンゼ
ン、トルェン、シクロヘキサン等の炭化水素類:四塩化
炭素、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素類および水等の溶媒を使用することができる。一般
に反応はN2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニン
ェステル(W)またはその酸付加塩と過剰のァミン類(
肌)を混合燈拝して均一溶液となし、これを室温で放置
して行われる。
のアルコキシド、ピリジン等の第三級アミン等が用いら
れる。これらの触媒を使用すれば、反応速度が上昇する
のでアミン類の使用量を低減し、反応条件を緩和するこ
とができる。アミン類を大過剰使用するとアミン類はN
2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニンエステル(
W)またはその酸付加塩を溶解するので、無溶媒でも反
応は進行するが、必要に応じてメタノ−ル、エタノール
、ブタノール等のアルコール類:*エチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類:ベンゼ
ン、トルェン、シクロヘキサン等の炭化水素類:四塩化
炭素、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素類および水等の溶媒を使用することができる。一般
に反応はN2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニン
ェステル(W)またはその酸付加塩と過剰のァミン類(
肌)を混合燈拝して均一溶液となし、これを室温で放置
して行われる。
しかし反応速度を高めるためには反応液をァミン類ある
いは溶媒の沸点までの温度に加熱することができる。反
応時間は反応温度、アミン類の塩基性、アミン類の使用
量等によって異なるが数時間から数日間の範囲から選ば
れる。
いは溶媒の沸点までの温度に加熱することができる。反
応時間は反応温度、アミン類の塩基性、アミン類の使用
量等によって異なるが数時間から数日間の範囲から選ば
れる。
反応終了後析出した生成物を炉取して水洗し、これを適
当な溶媒たとえば含水メタ/ール等から再結晶して精製
することができる。
当な溶媒たとえば含水メタ/ール等から再結晶して精製
することができる。
反応生成物が析出しない場合には過剰のアミンおよび/
または使用した溶媒を蟹去し、残澄を水洗してから、適
当な溶媒を用いて再結晶を行い、精製する。‘b) L
ーアルギニンアミドとナフタレンスルホニルハロゲニド
誘導体の縮合反応本発応は下記反応式で表わされる。
または使用した溶媒を蟹去し、残澄を水洗してから、適
当な溶媒を用いて再結晶を行い、精製する。‘b) L
ーアルギニンアミドとナフタレンスルホニルハロゲニド
誘導体の縮合反応本発応は下記反応式で表わされる。
上記反応式中でR′は一般式(1)中で定義したとおり
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち、また
は で表わされ るものを示す。
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうち、また
は で表わされ るものを示す。
また、Xはハロゲン原子を表わす。すなわちN2ーナフ
タレンスルホニルーLーアルギニンアミド誘導体(1)
はL−アルギニンアミドと好ましくは当モルのナフタレ
ンスルホニルハロゲニド誘導体(好ましくはナフタレン
スルホニルクロリド誘導体)の縮合反応により製造され
る。
タレンスルホニルーLーアルギニンアミド誘導体(1)
はL−アルギニンアミドと好ましくは当モルのナフタレ
ンスルホニルハロゲニド誘導体(好ましくはナフタレン
スルホニルクロリド誘導体)の縮合反応により製造され
る。
この縮合反応は一般に過剰の塩基の存在下適当な、反応
に不活性な溶媒中行われる。
に不活性な溶媒中行われる。
塩基としてはトリェチルアミン、ピリジン等の有機塩基
、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩の水溶液
が用いられる。
、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩の水溶液
が用いられる。
反応は0℃から溶媒の沸点までの温度範囲で、10分か
ら1虫時間行われる。
ら1虫時間行われる。
溶媒としてはベンゼン−ジェチルェーテル、ジェチルェ
ーテルー水、ジオキサンー水等の渡合溶媒が用いられる
。
ーテルー水、ジオキサンー水等の渡合溶媒が用いられる
。
反応終了後生成した塩を水で抽出除去し減圧蒸留等の通
常の方法により溶媒を留去するとN2ーナフタレンスル
ホニルーLーアルギニンアミド譲導体(1)が得られる
。
常の方法により溶媒を留去するとN2ーナフタレンスル
ホニルーLーアルギニンアミド譲導体(1)が得られる
。
このN2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニンアミ
ド誘導体(1)はジエチルエーテルーテトラヒドロフラ
ン、ジエチルェーテルーメ夕/一ル、水−メタノール等
の溶媒を用いての再沈澱、再結晶またはシリカゲルクロ
マトグラフィー等により精製することができる。本反応
で原料として用いられるLーアルギニンアミド(W)ま
たはその酸付加塩はアルギニンの*グアニジノ基および
aーアミノ基をニトロ化,アセチル化,ホルミル化,フ
タロイル化、トリフルオロアセチル化、pーメトキシベ
ンジルオキシカルボニル化、ベンゾイル化、ベンジルオ
キシカルポニル化、t−ブトキシカルボニル化あるいは
トリチル化等によって保護して、これを上記一般式(1
)のR‘こ対応するpHで表わされるァミンと酸塩化物
法、酸アジド法、混合酸無水物法、活性ェステル法、カ
ルボジィミド法等の常法に従って縮合させた後保護基を
脱離させることによって得られる。
ド誘導体(1)はジエチルエーテルーテトラヒドロフラ
ン、ジエチルェーテルーメ夕/一ル、水−メタノール等
の溶媒を用いての再沈澱、再結晶またはシリカゲルクロ
マトグラフィー等により精製することができる。本反応
で原料として用いられるLーアルギニンアミド(W)ま
たはその酸付加塩はアルギニンの*グアニジノ基および
aーアミノ基をニトロ化,アセチル化,ホルミル化,フ
タロイル化、トリフルオロアセチル化、pーメトキシベ
ンジルオキシカルボニル化、ベンゾイル化、ベンジルオ
キシカルポニル化、t−ブトキシカルボニル化あるいは
トリチル化等によって保護して、これを上記一般式(1
)のR‘こ対応するpHで表わされるァミンと酸塩化物
法、酸アジド法、混合酸無水物法、活性ェステル法、カ
ルボジィミド法等の常法に従って縮合させた後保護基を
脱離させることによって得られる。
【c} NG−置換−N2ーナフタレンスルホニルーL
ーアルギニンァミド譲導体からNG−置換基の分解除去
本反応は下記反応式で表わされる。
ーアルギニンァミド譲導体からNG−置換基の分解除去
本反応は下記反応式で表わされる。
上記反応式中でR′は一般式(1)中で定義したとおり
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうちまたは で表わされ るものを示す。
であり、Rは一般式(1)中で定義したRのうちまたは で表わされ るものを示す。
また、Xはハロゲン原子を表わし、Y′はペンジルオキ
シカルボニル基、t−フトキシカルボニル基等のアミノ
保護基を表わしLYおよびYは水素原子またはニトロ基
、トシル基、トリチル基、オキシカルボニル基等のグア
ニジノ基の保護基を表わす。(ただしYおよびY′のう
ち少なくとも一つはグアニジノ基の保護基を表わす。)
すなわちNG−置換−N2−ナフタレンスルホニル−L
リアルギニンアミド誘導体(狐)のNG−置換基を酸分
解あるいは水素化分解で分解除去することによりN2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド誘導体(
1)が得られる。
シカルボニル基、t−フトキシカルボニル基等のアミノ
保護基を表わしLYおよびYは水素原子またはニトロ基
、トシル基、トリチル基、オキシカルボニル基等のグア
ニジノ基の保護基を表わす。(ただしYおよびY′のう
ち少なくとも一つはグアニジノ基の保護基を表わす。)
すなわちNG−置換−N2−ナフタレンスルホニル−L
リアルギニンアミド誘導体(狐)のNG−置換基を酸分
解あるいは水素化分解で分解除去することによりN2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド誘導体(
1)が得られる。
酸分解に使用される酸としては塩化水素、臭化水素、フ
ッ化水素等のハロゲン化水素、トリフルオロ酢酸、トリ
フルオロメタンスルホン酸、ギ酸、酢酸等の有機酸を挙
げることができる。酸分解は上述した酸の存在下無溶媒
あるいはメタノール、エタノール等のアルコール、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル:酢酸等の有
機酸:酢酸エチル等のェステル等の有機溶媒中−10℃
〜100qo、好ましくは室温で、3び分〜2独特間N
G−置換−N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニ
ンァミド誘導体(柳)またはその酸付加塩を処理するこ
とによって行われる。分解終了後溶媒および過剰の酸を
蟹去するか、適当な溶媒を加えて生成する沈澱を炉過し
乾燥させることによりN2ーナフタレンスルホニルーL
ーアルギニンアミド誘導体(1)またはその酸付加塩が
得られる。
ッ化水素等のハロゲン化水素、トリフルオロ酢酸、トリ
フルオロメタンスルホン酸、ギ酸、酢酸等の有機酸を挙
げることができる。酸分解は上述した酸の存在下無溶媒
あるいはメタノール、エタノール等のアルコール、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル:酢酸等の有
機酸:酢酸エチル等のェステル等の有機溶媒中−10℃
〜100qo、好ましくは室温で、3び分〜2独特間N
G−置換−N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニ
ンァミド誘導体(柳)またはその酸付加塩を処理するこ
とによって行われる。分解終了後溶媒および過剰の酸を
蟹去するか、適当な溶媒を加えて生成する沈澱を炉過し
乾燥させることによりN2ーナフタレンスルホニルーL
ーアルギニンアミド誘導体(1)またはその酸付加塩が
得られる。
通常、過剰の酸を用いるので保護基を除去して得られる
N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニンァミド誘
導体(1)は使用した酸と酸付加塩を形成するが、これ
を中和することによりN2ーナフタレソスルホニルーL
ーアルギニンアミド誘導体((1)が容易に得られる。
N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニンァミド誘
導体(1)は使用した酸と酸付加塩を形成するが、これ
を中和することによりN2ーナフタレソスルホニルーL
ーアルギニンアミド誘導体((1)が容易に得られる。
ニトロ基およびペンジルオキシカルボニル基、pーニト
ロベンジルオキシカルボニル基等のオキシカルボニル基
の分解除去は水素化分解によっても容易になされる。水
素分解はラネーニッケルトパラジウム、白金等の水素活
性化触媒の存在下水素雰囲気中で行われる。
ロベンジルオキシカルボニル基等のオキシカルボニル基
の分解除去は水素化分解によっても容易になされる。水
素分解はラネーニッケルトパラジウム、白金等の水素活
性化触媒の存在下水素雰囲気中で行われる。
反応溶媒としてはメタノール、エタノール等のアルコー
ル:ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル等の
不活性溶媒を用いることができる。
ル:ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル等の
不活性溶媒を用いることができる。
反応は通常0℃から溶媒の沸点までの温度で2時間から
12畑時間行われる。
12畑時間行われる。
水素左は臨界的ではないが、大気圧で十分である。
タ 水素化分解後、触媒を炉去して溶媒を蟹去するとN
2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンアミド誘導
体(1)が得られる。
2−ナフタレンスルホニル一Lーアルギニンアミド誘導
体(1)が得られる。
N2−ナフタレンスルホニル一L−アルギニンアミド誘
導体は上述の方法により精製される。
導体は上述の方法により精製される。
0 本反応の原料であるNG‐置換−N2ーナフタレン
スルホニルーLーアルギニンアミド譲導体(刈)はNG
−置換−N2−置換ァルギニン(肌)(N2−置換基は
通常ペンジルオキシカルボニル基、tープトキシカルボ
ニル基等のアミ/保護基夕である。
スルホニルーLーアルギニンアミド譲導体(刈)はNG
−置換−N2−置換ァルギニン(肌)(N2−置換基は
通常ペンジルオキシカルボニル基、tープトキシカルボ
ニル基等のアミ/保護基夕である。
)とァミン(K)とを酸アジド法、混合酸無水物法,活
性化ェステル法、カルボジィミド法等によって縮合させ
て後、No‐置換−N2一置換アルギニンァミド(X)
のN2一置換基のみを接触水素化分解または酸分解によ
って選択的に分0解除去させて得られるNo−置換アル
ギニンアミド(M)またはその酸付加塩とナフタレンス
ルホニルハロゲニド誘導体(V)(好ましくはナフタレ
ンスルホニルクロリド誘導体)を溶媒中で塩基の存在下
反応させることにより得られる。これらの反応の条件は
Lーアルギニンアミドとナフタレンスルホニルハロゲニ
ド誘導体の縮合反応、NG−置換−N2−ナフタレンス
ルホニル−Lーァルギニンァミド誘導体のNG−置換基
の分解除去で述べたと同様である。
性化ェステル法、カルボジィミド法等によって縮合させ
て後、No‐置換−N2一置換アルギニンァミド(X)
のN2一置換基のみを接触水素化分解または酸分解によ
って選択的に分0解除去させて得られるNo−置換アル
ギニンアミド(M)またはその酸付加塩とナフタレンス
ルホニルハロゲニド誘導体(V)(好ましくはナフタレ
ンスルホニルクロリド誘導体)を溶媒中で塩基の存在下
反応させることにより得られる。これらの反応の条件は
Lーアルギニンアミドとナフタレンスルホニルハロゲニ
ド誘導体の縮合反応、NG−置換−N2−ナフタレンス
ルホニル−Lーァルギニンァミド誘導体のNG−置換基
の分解除去で述べたと同様である。
【dl N2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニル
ハラィドとァミン類の縮合反応本反応は下記反応式で表
わされる。
ハラィドとァミン類の縮合反応本反応は下記反応式で表
わされる。
上記反応式中R′は一般式(1)中で定義したとおりで
あり、Rは一般式(1)中で定義したRのうちまたは で表わされる ものを示す。
あり、Rは一般式(1)中で定義したRのうちまたは で表わされる ものを示す。
また、Xはハロゲン原子を表わす。すなわちN2ーナフ
タレンスルホニルーL−アルギニルハラィド(Xm)と
アミン類(K)の縮合反応によりN2ーナフタレンスル
ホニルーL−アルギニンアミド誘導体(1)が得られる
。N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニルハラィ
ド(Xm)(好ましくはN2−ナフタレンスルホニル−
L−アルギニルクロリド)は少くとも当モルのアミン類
(K)と反応する。本反応は無溶媒でも進行するが、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の塩基性
溶媒:クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒等
の溶媒中で行うのが好ましい。
タレンスルホニルーL−アルギニルハラィド(Xm)と
アミン類(K)の縮合反応によりN2ーナフタレンスル
ホニルーL−アルギニンアミド誘導体(1)が得られる
。N2−ナフタレンスルホニル−L−アルギニルハラィ
ド(Xm)(好ましくはN2−ナフタレンスルホニル−
L−アルギニルクロリド)は少くとも当モルのアミン類
(K)と反応する。本反応は無溶媒でも進行するが、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の塩基性
溶媒:クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒等
の溶媒中で行うのが好ましい。
溶媒の量は臨界的ではないが、N2−ナフタレンスルホ
ニル−Lーアルギニルハラィド‘こ対し5〜10折音(
重量)程度である。
ニル−Lーアルギニルハラィド‘こ対し5〜10折音(
重量)程度である。
反応温度は−1oo〜室温の範囲であり、反応時間は臨
界的ではなく使用するアミン類により異なるが一般的に
5分から1餌時間の範囲である。
界的ではなく使用するアミン類により異なるが一般的に
5分から1餌時間の範囲である。
反応終了後N2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニ
ンアミド誘導体(1)は前述の方法により単離、精製さ
れうる。本反応で原料として用いられるN2−ナフタレ
ンスルホニル−L−アルギニルハライド(Xm)はN2
ーナフタレンスルホニルーL−アルギニンと少なくとも
当モルのハロゲン化剤を反応させることにより製造され
る。
ンアミド誘導体(1)は前述の方法により単離、精製さ
れうる。本反応で原料として用いられるN2−ナフタレ
ンスルホニル−L−アルギニルハライド(Xm)はN2
ーナフタレンスルホニルーL−アルギニンと少なくとも
当モルのハロゲン化剤を反応させることにより製造され
る。
ハロゲン化剤としては塩化チオニル、三塩化ホスホリル
、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リン等が挙げられる
。
、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リン等が挙げられる
。
ハロゲン化反応は無溶媒でも、クロロホルム・ジクロロ
メタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラソ、ジオキサ
ン等のエーテル系溶媒中でも行われる。
メタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラソ、ジオキサ
ン等のエーテル系溶媒中でも行われる。
溶媒の使用量は臨界的ではないがN2ーナフタレンスル
ホニルーL−アルギニンに対して5〜10ぴ音(重量)
程度である。
ホニルーL−アルギニンに対して5〜10ぴ音(重量)
程度である。
好ましい反応温度は−10qoから室温の範囲であり、
反応時間はハロゲン化剤、反応温度等により異なるが通
常1扮劫)ら5時間である。{e} N2−ナフタレン
スルホニル一L−オルニチソアミドまたはその酸付加塩
のグアニジノ化本反応は下記反応式で表わされる。
反応時間はハロゲン化剤、反応温度等により異なるが通
常1扮劫)ら5時間である。{e} N2−ナフタレン
スルホニル一L−オルニチソアミドまたはその酸付加塩
のグアニジノ化本反応は下記反応式で表わされる。
上記反応式中でR′は一般式(1)中で定義したとおり
であり、Rは一般式(1)で定義したRのうちまたは で表わされる ものを示す。
であり、Rは一般式(1)で定義したRのうちまたは で表わされる ものを示す。
すなわちN2一ナフタレンスルホニル−Lーオルニチン
アミド(XW)を通常のグアニジノ化剤でグアニジノ化
するとN2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニンア
ミドが得られる。
アミド(XW)を通常のグアニジノ化剤でグアニジノ化
するとN2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニンア
ミドが得られる。
グアニジノ化剤としては、0−アルキルィソ尿素、S−
アルキルィソチオ尿素、1−グアニルー3、5−ジメチ
ルピラゾール、カルボジィミド等が用いられるが、0−
アルキルィソ尿素、S−アルキルィソチオ尿素が好まし
い。
アルキルィソチオ尿素、1−グアニルー3、5−ジメチ
ルピラゾール、カルボジィミド等が用いられるが、0−
アルキルィソ尿素、S−アルキルィソチオ尿素が好まし
い。
0−ァルキルィソ尿素、Sーアルキルィソチオ尿素を用
いてのグアニジ/化反応は通常塩基の存在下、溶媒中で
行われる。
いてのグアニジ/化反応は通常塩基の存在下、溶媒中で
行われる。
反応温度は0℃から溶媒の沸点までの温度範囲であり反
応時間は3粉劫1ら即時間程度である。
応時間は3粉劫1ら即時間程度である。
塩基としてはトリェチルアミン、ピリジント水酸化ナト
リウム、ナトリウムメトキシド等が用いられる。塩基の
使用量はN2−ナフタレンスルホニル−L−オルニチン
アミドに対して0.01〜0.1当量である。
リウム、ナトリウムメトキシド等が用いられる。塩基の
使用量はN2−ナフタレンスルホニル−L−オルニチン
アミドに対して0.01〜0.1当量である。
溶媒としては水、水−エタノール、水ージオキサン等が
用いられる。
用いられる。
反応終了後、溶媒を留去し、過剰の塩基や生成した塩類
を水洗して除去してN2−ナフタレンスルホニル−Lー
アルギニンアミド譲導体(1)を単離する。
を水洗して除去してN2−ナフタレンスルホニル−Lー
アルギニンアミド譲導体(1)を単離する。
本発明化合物であるN2−ナフタレンスルホニル−L−
アルギニン議導体(1)は種々の無機酸、有機酸と酸付
加塩を形成する。
アルギニン議導体(1)は種々の無機酸、有機酸と酸付
加塩を形成する。
上述の反応で得られるN2−ナフタレンスルホニル−L
−アルギニン議導体(1)は遊離の塩基としてまたは酸
付加塩として単離される。
−アルギニン議導体(1)は遊離の塩基としてまたは酸
付加塩として単離される。
遊離の塩基を酸と反応させることによりN2ーナフタレ
ンスルホニルーL−アルギニン誘導体(1)の薬剤的に
許容されうる酸付加塩を得ることができる。
ンスルホニルーL−アルギニン誘導体(1)の薬剤的に
許容されうる酸付加塩を得ることができる。
上記の酸としては、塩化水素酸、臭化水素酸、ョウ化水
素酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸、クエン酸、マレィン
酸、コハク酸、乳酸、酒石酸、グルコン酸、安息香酸、
メタンスルホン酸、ェタンスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、p−トルェンスルホン酸等が挙げられる。
素酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸、クエン酸、マレィン
酸、コハク酸、乳酸、酒石酸、グルコン酸、安息香酸、
メタンスルホン酸、ェタンスルホン酸、ベンゼンスルホ
ン酸、p−トルェンスルホン酸等が挙げられる。
既述のとおり本発明のN2一ナフタレンスルホニル−L
−アルギニン誘導体(1)およびその酸付加塩、トロン
ビンに対して特異性の高い阻害効果を有することから、
血中のトロンビンを測定する診断薬あるいは血栓の治療
および予防に有用である。
−アルギニン誘導体(1)およびその酸付加塩、トロン
ビンに対して特異性の高い阻害効果を有することから、
血中のトロンビンを測定する診断薬あるいは血栓の治療
および予防に有用である。
本発明のN2ーナフタレンスルホニルーLーアルギニン
議導体(1)の抗トロンビン作用をフィブリノーゲン凝
固時間を測定することにより、既知の抗トロンビン剤で
あるTAM旧(N2一(p−トリルスルホニル)一Lー
アルギニンメチルエステルと比較した。
議導体(1)の抗トロンビン作用をフィブリノーゲン凝
固時間を測定することにより、既知の抗トロンビン剤で
あるTAM旧(N2一(p−トリルスルホニル)一Lー
アルギニンメチルエステルと比較した。
試験は次のようにして行った。
牛フィブリノーゲン(コーン フラクション1(Coh
nFractionl)、アーマー(Armour)社
製15■hgを40偽のボレートサラインバツフア(舷
raにSalj船B山fer(pH7.4))に溶解し
た溶液0.8の‘と0.1の上のボレート サライン
バツフア(対照試料)または試料溶液を氷冷下で混和し
、さらに5肌iG/の‘のトロンビン(持田製薬■製試
薬)0.1の‘を氷袷下で添加してよく混和し直ちに2
5q0の恒温槽に移す。
nFractionl)、アーマー(Armour)社
製15■hgを40偽のボレートサラインバツフア(舷
raにSalj船B山fer(pH7.4))に溶解し
た溶液0.8の‘と0.1の上のボレート サライン
バツフア(対照試料)または試料溶液を氷冷下で混和し
、さらに5肌iG/の‘のトロンビン(持田製薬■製試
薬)0.1の‘を氷袷下で添加してよく混和し直ちに2
5q0の恒温槽に移す。
値溢槽に入れた瞬間にストップウオッチを始動させ、フ
ィブリン系を認めた時までの時間を測定した。試料無添
加の場合(対照実験)の凝固時間は50−59酸であっ
た。実験結果を表一1に示す。表一1で凝固時間を2倍
に延長する濃度とは、対照実験での凝固時間50〜5白
砂を凝固時間100〜11現物こ延長するのに必要な濃
度を表わす。TAMEについては、その凝固時間を2倍
に延長する濃度は1100仏Mであった。
ィブリン系を認めた時までの時間を測定した。試料無添
加の場合(対照実験)の凝固時間は50−59酸であっ
た。実験結果を表一1に示す。表一1で凝固時間を2倍
に延長する濃度とは、対照実験での凝固時間50〜5白
砂を凝固時間100〜11現物こ延長するのに必要な濃
度を表わす。TAMEについては、その凝固時間を2倍
に延長する濃度は1100仏Mであった。
なお下記表−1においてN2−ナフタレンスル**ホニ
ル−Lーアルギニン誘導体(1)は表中のR,R′およ
び付加物を特定することにより表わす。
ル−Lーアルギニン誘導体(1)は表中のR,R′およ
び付加物を特定することにより表わす。
本発明のN2−ナフタレンスルホニル−Lーアルギニン
誘導体(1)の溶液を動物に静脈投与した場合、循環血
中の高い抗トロンビソ作用が1〜3時間保持され、本発
明の抗トロンビン剤の循環血中の消失半減期はほぼ3ひ
げであった。
誘導体(1)の溶液を動物に静脈投与した場合、循環血
中の高い抗トロンビソ作用が1〜3時間保持され、本発
明の抗トロンビン剤の循環血中の消失半減期はほぼ3ひ
げであった。
実験動物(ラット、兎、犬およびチンパンジー)の生理
状態は良好に保たれた。実験動物にトロンピンを連続注
入することによって起るフィブリノーゲンの減少はこの
発明の阻害剤を同時注入することにより抑制された。
状態は良好に保たれた。実験動物にトロンピンを連続注
入することによって起るフィブリノーゲンの減少はこの
発明の阻害剤を同時注入することにより抑制された。
本発明化合物のマウス(雄性、2腿)に対する経口投与
による急性毒性(LD5o)は約1000〜10,00
0hg/k9体重である。本発明化合物の代表的なLD
5o値を以下に示す。本発明化合物は、治療剤として用
いられる場合単独または薬剤的に可能な担体と複合して
投与される。その組成は、化合物の溶解度、化学的性質
、投与経路、投与計画等によって決定される。たとえば
化合物を非経口的に筋肉内注射、静脈内注射、皮下注射
で投与する場合、溶液を等張にするために食塩あるいは
グルコース等の他の溶質を添加した無菌溶液として使用
される。また化合物は、でんぷん、乳糖、白糠等の適当
な賦形剤を含む錠剤、カプセル剤または顎粒剤の形で経
口投与される。また化合物に糖、コーンシロップ、香料
、色素等を加えて脱水成型し固型化してトローチまたは
ロゼンジのような口中錠として使用する。また溶液とし
て経口投与する場合は着色剤および香料を加える。本発
明化合物の投与量は投与法、化合物の種類、患者の状態
により医師によって決定される。
による急性毒性(LD5o)は約1000〜10,00
0hg/k9体重である。本発明化合物の代表的なLD
5o値を以下に示す。本発明化合物は、治療剤として用
いられる場合単独または薬剤的に可能な担体と複合して
投与される。その組成は、化合物の溶解度、化学的性質
、投与経路、投与計画等によって決定される。たとえば
化合物を非経口的に筋肉内注射、静脈内注射、皮下注射
で投与する場合、溶液を等張にするために食塩あるいは
グルコース等の他の溶質を添加した無菌溶液として使用
される。また化合物は、でんぷん、乳糖、白糠等の適当
な賦形剤を含む錠剤、カプセル剤または顎粒剤の形で経
口投与される。また化合物に糖、コーンシロップ、香料
、色素等を加えて脱水成型し固型化してトローチまたは
ロゼンジのような口中錠として使用する。また溶液とし
て経口投与する場合は着色剤および香料を加える。本発
明化合物の投与量は投与法、化合物の種類、患者の状態
により医師によって決定される。
経口投与で非経口投与で得られるのと同等の効果を得る
には大量投与が必要である。袷療量は一般に非経口投与
で10一50mg/kgl日、経口投与で10〜50仇
hgノk91日である。
には大量投与が必要である。袷療量は一般に非経口投与
で10一50mg/kgl日、経口投与で10〜50仇
hgノk91日である。
次に本発明化合物の製法を実施例にて具体的に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、これらの実施例
で合成された化合物に限定されない。実施例 1 4−エチル−1−〔NG−ニトロ一N2一(6,7ージ
メトキシー2一ナフタレンスルホニル)一L−アルギニ
ル〕ピベリジン1.0g(0.0018mole)にア
ニソール5.ね(0.0053hole)およびフツ化
水素3の‘をドライアイスーアセトン冷却下加え、氷冷
下30分間鷹拝する。
が、本発明はその要旨を超えない限り、これらの実施例
で合成された化合物に限定されない。実施例 1 4−エチル−1−〔NG−ニトロ一N2一(6,7ージ
メトキシー2一ナフタレンスルホニル)一L−アルギニ
ル〕ピベリジン1.0g(0.0018mole)にア
ニソール5.ね(0.0053hole)およびフツ化
水素3の‘をドライアイスーアセトン冷却下加え、氷冷
下30分間鷹拝する。
アニソールおよび過剰のフッ化水素を氷袷下減圧留去し
、残存している油状物質に無水エーテル100の‘を加
え、よく洗浄する。エーテル層をデカンテーションによ
り除き、得られた粉末をメタノールに溶解した後、エー
テルを加えて再沈澱すると、75%の収率で粉体状の4
ーエチルー1−〔N2−(6,7ージメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジン・
フッ化水素塩が得られる。元素分析:C25日3705
SN5・HFとしてC 日N計算値(%) 55.64
7.10 12.98実験値(%) 55.50
7.12 12.87実施例 24一〔NGーニトロ
−N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホ
ニル)−Lーアルギニル〕モルホリン1.雌(0.00
186モル)をエタノール30の【および酢酸10の上
からなる溶媒に溶解し、パラジウム−黒0.1gの存在
下、室温で水素ガスを導入する。
、残存している油状物質に無水エーテル100の‘を加
え、よく洗浄する。エーテル層をデカンテーションによ
り除き、得られた粉末をメタノールに溶解した後、エー
テルを加えて再沈澱すると、75%の収率で粉体状の4
ーエチルー1−〔N2−(6,7ージメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニル〕ピベリジン・
フッ化水素塩が得られる。元素分析:C25日3705
SN5・HFとしてC 日N計算値(%) 55.64
7.10 12.98実験値(%) 55.50
7.12 12.87実施例 24一〔NGーニトロ
−N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホ
ニル)−Lーアルギニル〕モルホリン1.雌(0.00
186モル)をエタノール30の【および酢酸10の上
からなる溶媒に溶解し、パラジウム−黒0.1gの存在
下、室温で水素ガスを導入する。
60時間で反応を終了し、触媒を炉夫し、溶媒を減圧蟹
去すると、粘鋼な油状物質が得られる。
去すると、粘鋼な油状物質が得られる。
この油状物質をメタノールに溶解後、エーテルを加えて
再沈澱すると「82%の収率で粉体状の4一〔N2一(
6,7−ジメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)一L
−アルギニル〕モルホリン・酢酸塩が得られる。元素分
析:C22日3,06N5S・CH3COO日としてC
日N計算値(%) 52.07 6.37 12.65
実験値(%) 51.99 6.28 12.41実
施例 3N一〔NG,NGージベンジルオキシカルポニ
ルーN2−(6,7−ジメトキシ−2一ナフタレンスル
ホニル)−L−アルギニル〕プチルアミン2.雌(0.
0027モル)をエタノール50のとおよび酢酸10私
からなる混合溶媒に溶解し、20%パラジウム−カーボ
ンの存在下、室温で水素ガスを導入する。
再沈澱すると「82%の収率で粉体状の4一〔N2一(
6,7−ジメトキシ−2−ナフタレンスルホニル)一L
−アルギニル〕モルホリン・酢酸塩が得られる。元素分
析:C22日3,06N5S・CH3COO日としてC
日N計算値(%) 52.07 6.37 12.65
実験値(%) 51.99 6.28 12.41実
施例 3N一〔NG,NGージベンジルオキシカルポニ
ルーN2−(6,7−ジメトキシ−2一ナフタレンスル
ホニル)−L−アルギニル〕プチルアミン2.雌(0.
0027モル)をエタノール50のとおよび酢酸10私
からなる混合溶媒に溶解し、20%パラジウム−カーボ
ンの存在下、室温で水素ガスを導入する。
1餌時間で反応を終了し、溶媒を炉去し、溶媒を減圧蟹
去すると粘稲な油状物質が得られる。
去すると粘稲な油状物質が得られる。
この油状物質をメタノールーェーテルで再沈澱すると7
8%の収率で粉体状のN−〔N2一(6,7ージメトキ
シー2−ナフタレンスルホニル)一L−アルギニル〕ブ
チルアミン・酢酸塩が得られる。元素分析:C22日3
305N2S・CH3COO日としてC日N計算値(%
) 53.42 6.91 12.98実験値(%)
53.39 6.72 12.73実施例 4冷塩化チ
オニル5.0の‘(0.06靴ol)に「強く縄拝しな
がらN2−(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンスル
ホニル)‐Lーアルギニン1.雌(0。
8%の収率で粉体状のN−〔N2一(6,7ージメトキ
シー2−ナフタレンスルホニル)一L−アルギニル〕ブ
チルアミン・酢酸塩が得られる。元素分析:C22日3
305N2S・CH3COO日としてC日N計算値(%
) 53.42 6.91 12.98実験値(%)
53.39 6.72 12.73実施例 4冷塩化チ
オニル5.0の‘(0.06靴ol)に「強く縄拝しな
がらN2−(6,7−ジメトキシー2−ナフタレンスル
ホニル)‐Lーアルギニン1.雌(0。
0023跡01)を加え、室温で1時間反応させる。
反応後これに無水エーテル100Mを加える。析出した
沈澱物をさらに無水エーテル50の‘でよく洗浄する。
得られた粉末状のN2−(6,7−ジメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニルクロリド・2塩
酸塩を、クロロホルム10の‘に4−メチルピベリジン
1.衣(0.012hol)を溶かした溶液に燈拝しな
がら加え、室温で3時間放置する。反応終了後、溶媒お
よび過剰の4−メチルピベリジンを減圧で蟹去し、残燈
をクロロホルム20泌に溶かす。クロロホルム層を飽和
食塩水でよく洗浄する。クロロホルム層を硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧で蟹去する。残澄に酢酸10私
を加え、酢酸塩とする。これにエーテル100の【を加
えると油状物質が析出する。エーテルをデカントして除
き、油状物質をさらに無水エーテルでよく洗浄すると、
粉末状の4ーメチルー1一(N2一(6,7ージメトキ
シ−2一ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル)ピ
ベリジン・1酢酸塩を得る。収量1.1g、収率84%
。元素分析値:C24日35N505S・CH5COO
日としてC日N計算値(%) 55.21 6.95
12.斑実験値(%) 55.11 6.74 12
.01実施例 5N2−(6,7ージメトキシ−2一ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニン10咳(0.0
023脚ol)を無水テトラヒドロフラン20泌に懸濁
させ、これに、氷水で冷却しながら五塩化リン0.9礎
(0.0047mol)を少量ずつ加える。
沈澱物をさらに無水エーテル50の‘でよく洗浄する。
得られた粉末状のN2−(6,7−ジメトキシー2−ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニルクロリド・2塩
酸塩を、クロロホルム10の‘に4−メチルピベリジン
1.衣(0.012hol)を溶かした溶液に燈拝しな
がら加え、室温で3時間放置する。反応終了後、溶媒お
よび過剰の4−メチルピベリジンを減圧で蟹去し、残燈
をクロロホルム20泌に溶かす。クロロホルム層を飽和
食塩水でよく洗浄する。クロロホルム層を硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧で蟹去する。残澄に酢酸10私
を加え、酢酸塩とする。これにエーテル100の【を加
えると油状物質が析出する。エーテルをデカントして除
き、油状物質をさらに無水エーテルでよく洗浄すると、
粉末状の4ーメチルー1一(N2一(6,7ージメトキ
シ−2一ナフタレンスルホニル)−L−アルギニル)ピ
ベリジン・1酢酸塩を得る。収量1.1g、収率84%
。元素分析値:C24日35N505S・CH5COO
日としてC日N計算値(%) 55.21 6.95
12.斑実験値(%) 55.11 6.74 12
.01実施例 5N2−(6,7ージメトキシ−2一ナ
フタレンスルホニル)一Lーアルギニン10咳(0.0
023脚ol)を無水テトラヒドロフラン20泌に懸濁
させ、これに、氷水で冷却しながら五塩化リン0.9礎
(0.0047mol)を少量ずつ加える。
混合液を000〜5℃で1時間濃伴し、さらに室温で2
時間鷹梓した後、これに無水エーテル100泌を加え、
上澄液をデカントして除き、油状物質を得る。この油状
物質をさらに無水エーテル50の‘で洗浄し、得られた
粉末状のN2−(6,7−ジメトキシー2一ナフタレン
スルホニル)一Lーアルギニルクロリド・2塩酸塩を、
クロロホルム10私にNーメチル−N−ブチルアミン1
.31g(o.01跡ol)を溶かした溶液に蝿拝しな
がら加える。以下、実施例1と同様の操作を行ってN−
メチル一N−ブチル−N2−(6,7ージメトキシー2
一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンァミド・1
酢酸塩を得る。収量0.7鍵・収率58%元素分析値:
C25日35N505S・CH3COO日としてC日N
計算値(%) 54.24 7.10 1フS5実験値
(%) 54.00 7.21 乙.46実施例 6
Lーアルギニンェチルェステル・2塩酸塩1.雌(0.
004モル)に塩化メチレン50泌、トリェチルアミン
1.1班(0.012モル)を加え、室温で鷹梓下さら
に4,6ージメトキシ−2ーナフタレンスルホニルクロ
リド1.1処(0.004モル)を加える。
時間鷹梓した後、これに無水エーテル100泌を加え、
上澄液をデカントして除き、油状物質を得る。この油状
物質をさらに無水エーテル50の‘で洗浄し、得られた
粉末状のN2−(6,7−ジメトキシー2一ナフタレン
スルホニル)一Lーアルギニルクロリド・2塩酸塩を、
クロロホルム10私にNーメチル−N−ブチルアミン1
.31g(o.01跡ol)を溶かした溶液に蝿拝しな
がら加える。以下、実施例1と同様の操作を行ってN−
メチル一N−ブチル−N2−(6,7ージメトキシー2
一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンァミド・1
酢酸塩を得る。収量0.7鍵・収率58%元素分析値:
C25日35N505S・CH3COO日としてC日N
計算値(%) 54.24 7.10 1フS5実験値
(%) 54.00 7.21 乙.46実施例 6
Lーアルギニンェチルェステル・2塩酸塩1.雌(0.
004モル)に塩化メチレン50泌、トリェチルアミン
1.1班(0.012モル)を加え、室温で鷹梓下さら
に4,6ージメトキシ−2ーナフタレンスルホニルクロ
リド1.1処(0.004モル)を加える。
室温で5時間縄梓後、反応液を水洗し、生成したトリェ
チルアミンの塩酸塩を除去する。硫酸ナトリウムを加え
て脱水乾燥後塩化メチレンを減圧蟹去すると、N2(4
,6ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)−Lー
アルギニンヱチルエステルが得られる。これにエーテル
を加えて、塩酸ガスを吹込み」生成したN2一(4,6
ージメトキシー2−ナフタレンスルホニル)一Lーアル
ギニンェチルェステル・1塩酸塩の粉体を炉取する。収
率84%。元素分析:C2日2906N4SCIとして
C 日N計算値(%) 49.13 5.97 11
.46実験値(%) 48.96 6.15 11.5
2実施例 7L−アルギニンプチルエステル・2塩酸塩
1.5咳(0.005モル)を炭酸カリウム1.公およ
び水10の【からなる溶液に懸濁させ0〜5℃に冷却す
る。
チルアミンの塩酸塩を除去する。硫酸ナトリウムを加え
て脱水乾燥後塩化メチレンを減圧蟹去すると、N2(4
,6ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニル)−Lー
アルギニンヱチルエステルが得られる。これにエーテル
を加えて、塩酸ガスを吹込み」生成したN2一(4,6
ージメトキシー2−ナフタレンスルホニル)一Lーアル
ギニンェチルェステル・1塩酸塩の粉体を炉取する。収
率84%。元素分析:C2日2906N4SCIとして
C 日N計算値(%) 49.13 5.97 11
.46実験値(%) 48.96 6.15 11.5
2実施例 7L−アルギニンプチルエステル・2塩酸塩
1.5咳(0.005モル)を炭酸カリウム1.公およ
び水10の【からなる溶液に懸濁させ0〜5℃に冷却す
る。
この懸濁液中に激しく縄拝しながら、6,7−ジメトキ
シー2−ナフタレンスルホニルクロリド1.4礎(0.
005モル)を10の乙のエチルエーテルに溶解した溶
液を3粉粉)けて滴下し、さらに10分間縄拝すると粘
穂な析出物が得られる。デカンテーションによって溶媒
を分離し、析出物を水およびエーテルで洗浄する。これ
をエーテル20必中に懸濁させ、これにp−トルヱンス
ルホン酸・1水和物滋を加えてよく混合すると結晶が析
出する。これを炉取してエーテルで数回洗浄すると、融
点113−115qCのN2−(6,7−ジメトキシー
2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニンブチルェ
ステル・Pートルェンスルホン酸塩が収率92%で得ら
れる。元素分析:C2虹4・09N4S2としてC日N 計算値(%) 球.36 6.18 8.59実験値(
%) 53.23 6.14 8.70実施例 84−
エチル−1一(L−アルギニル)ピベリジン1.0雌(
0.0037モル)を炭酸カリウム0.61g(0.0
044モル)および水10の【からなる溶液に懸濁させ
、0℃に冷却する。
シー2−ナフタレンスルホニルクロリド1.4礎(0.
005モル)を10の乙のエチルエーテルに溶解した溶
液を3粉粉)けて滴下し、さらに10分間縄拝すると粘
穂な析出物が得られる。デカンテーションによって溶媒
を分離し、析出物を水およびエーテルで洗浄する。これ
をエーテル20必中に懸濁させ、これにp−トルヱンス
ルホン酸・1水和物滋を加えてよく混合すると結晶が析
出する。これを炉取してエーテルで数回洗浄すると、融
点113−115qCのN2−(6,7−ジメトキシー
2一ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニンブチルェ
ステル・Pートルェンスルホン酸塩が収率92%で得ら
れる。元素分析:C2虹4・09N4S2としてC日N 計算値(%) 球.36 6.18 8.59実験値(
%) 53.23 6.14 8.70実施例 84−
エチル−1一(L−アルギニル)ピベリジン1.0雌(
0.0037モル)を炭酸カリウム0.61g(0.0
044モル)および水10の【からなる溶液に懸濁させ
、0℃に冷却する。
この懸濁液に激しく縄拝しながら、6.7−ジメトキシ
ー2−ナフタレンスルホニルクロリド1.2舷(0.0
044モル)を30泌のジオキサンに溶解した溶液を3
0分かけて滴下する。
ー2−ナフタレンスルホニルクロリド1.2舷(0.0
044モル)を30泌のジオキサンに溶解した溶液を3
0分かけて滴下する。
室温で5時間鷹梓後析出物を炉去し、溶媒を減圧留去す
る。クロロホルム50泌を加え、不溶物を炉去後硫酸ナ
トリウムで乾燥し、酢酸low‘を加えて溶媒を蟹去す
ると粘鋼油状物質が得られる。これをメタノールーェー
テルで再沈毅すると、4−エチル−1−(N2−(6,
7−ジメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーア
ルギニル)ピベリジン・酢酸塩が62%の収率で得られ
る。元素分析:C24日3507N5SとしてC日N 計算値(%) 55.01 7.28 12.34実験
値(%) 54.93 7.14 12.28実施例
94一(Lーアルギニル)モルホリン1.0雌(0.0
041モル)にクロロホルム50叫およびトリエチルア
ミン0.5雄(0.0052モル)を加え、室温で凝梓
下さらに6,7−ジメトキシ−2ーナフタレンスルホニ
ルクロリド1.4鍵(0.0052モル)を加える。
る。クロロホルム50泌を加え、不溶物を炉去後硫酸ナ
トリウムで乾燥し、酢酸low‘を加えて溶媒を蟹去す
ると粘鋼油状物質が得られる。これをメタノールーェー
テルで再沈毅すると、4−エチル−1−(N2−(6,
7−ジメトキシー2一ナフタレンスルホニル)−Lーア
ルギニル)ピベリジン・酢酸塩が62%の収率で得られ
る。元素分析:C24日3507N5SとしてC日N 計算値(%) 55.01 7.28 12.34実験
値(%) 54.93 7.14 12.28実施例
94一(Lーアルギニル)モルホリン1.0雌(0.0
041モル)にクロロホルム50叫およびトリエチルア
ミン0.5雄(0.0052モル)を加え、室温で凝梓
下さらに6,7−ジメトキシ−2ーナフタレンスルホニ
ルクロリド1.4鍵(0.0052モル)を加える。
室温で5時間燈梓後、水10机【を加えて洗浄し水層を
分液して除く。クロロホルム層を硫酸ナトリウムで乾燥
後、酢酸2の‘を加えてクロロホルムを留去すると、粘
穂な油状物質が残る。これをメタノールーェーテルで再
沈澱すると、66%の収率で4一(N2−(6,7−ジ
メトキシ−2−ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニ
ル)モルホリン・酢酸塩が得られる。元素分析:C2,
日2908N5SとしてC日N 計算値(%) 52.07 6.37 12.65実験
値(%) 51.総 6.26 12.26実施例 1
0N2一(4,6ージメトキシ−2一ナフタレンスルホ
ニル)一Lーアルギニン1.0gをエタノール30Mに
懸濁させた中へチオニルクロラィドを徐々に加えながら
雛辞する。
分液して除く。クロロホルム層を硫酸ナトリウムで乾燥
後、酢酸2の‘を加えてクロロホルムを留去すると、粘
穂な油状物質が残る。これをメタノールーェーテルで再
沈澱すると、66%の収率で4一(N2−(6,7−ジ
メトキシ−2−ナフタレンスルホニル)−Lーアルギニ
ル)モルホリン・酢酸塩が得られる。元素分析:C2,
日2908N5SとしてC日N 計算値(%) 52.07 6.37 12.65実験
値(%) 51.総 6.26 12.26実施例 1
0N2一(4,6ージメトキシ−2一ナフタレンスルホ
ニル)一Lーアルギニン1.0gをエタノール30Mに
懸濁させた中へチオニルクロラィドを徐々に加えながら
雛辞する。
懸濁溶液は間もなく均一溶液になる。さらに凝拝しなが
ら4時間還流したのち減圧下でエタノールを留去すると
粘稲な液状物質が残る。20の上のエチルエーテルで3
回よく洗練すると無色粉体のN2一(4,6ージメトキ
シ−2一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンエチ
ルェステル、塩酸塩が96%の収率で得られる。
ら4時間還流したのち減圧下でエタノールを留去すると
粘稲な液状物質が残る。20の上のエチルエーテルで3
回よく洗練すると無色粉体のN2一(4,6ージメトキ
シ−2一ナフタレンスルホニル)一Lーアルギニンエチ
ルェステル、塩酸塩が96%の収率で得られる。
元素分析値:C2汎2906N4SCIとしてC日N計
算値(%) 49.13 5.97 11.46実験値
(%) 48.96 6.15 11.52実施例 1
1N2−(6,7ージメトキシー2−ナフタレンスルホ
ニル)‐L−アルギニン1.雌およびpートルヱンスル
ホン酸・1水和物1.雌にブチルアルコール5叫および
ベンゼン30地を加え、反応で生成する水を除去しなが
ら5時間還流した。
算値(%) 49.13 5.97 11.46実験値
(%) 48.96 6.15 11.52実施例 1
1N2−(6,7ージメトキシー2−ナフタレンスルホ
ニル)‐L−アルギニン1.雌およびpートルヱンスル
ホン酸・1水和物1.雌にブチルアルコール5叫および
ベンゼン30地を加え、反応で生成する水を除去しなが
ら5時間還流した。
減圧下に濃縮し、残留物にエーテルを加えると結晶が析
出する。この結晶を炉取し数回エーテルで洗濃すると、
N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニ
ル)一L−アルギニンブチルエステル・Pートルェンス
ルホン酸塩が得られる。収率92%、融点113〜11
5℃元素分析値:C2幻4ぬ9N4S2としてC日N 計算値(%) 53.36 6.18 8.59実験
値(%) 53.23 6.14 8.70その他各
種のN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン誘導
体(1)を上記実施例の方法に従って合成した。
出する。この結晶を炉取し数回エーテルで洗濃すると、
N2一(6,7ージメトキシ−2一ナフタレンスルホニ
ル)一L−アルギニンブチルエステル・Pートルェンス
ルホン酸塩が得られる。収率92%、融点113〜11
5℃元素分析値:C2幻4ぬ9N4S2としてC日N 計算値(%) 53.36 6.18 8.59実験
値(%) 53.23 6.14 8.70その他各
種のN2ーナフタレンスルホニルーL−アルギニン誘導
体(1)を上記実施例の方法に従って合成した。
その結果を実施例1〜11の結果と弊せて表−1に示す
。■ 船
。■ 船
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記一般式(I)中でRは一般式(1)−OR_1
(式中でR_1はC_1〜C_1_0のアルキル基、C
_3〜C_1_0のシクロアルキル基、C_1〜C_1
_0のハロゲン化アルキル基、C_2〜C_1_0のア
ルコキシアルキル基、C_2〜C_1_0のアルケニル
基、C_2〜C_1_0のアルキニル基またはC_7〜
C_1_5のアラルキル基を表わす。 )一般式(2)▲数式、化学式、表等があります▼ (式中でR_2およびR_3は水 素原子、C_1〜C_1_0のアルキル基、C_7〜C
_1_5のアラルキル基またはC_1〜C_1_0のア
ルコキシ基もしくはC_2〜C_1_0のアルコキシカ
ルボニル基で置換されたC_1〜C_1_0のアルキル
基を表わす。 )、または一般式(3)−Nz(式中でzはメチレン基
−CH_2−およびモノ置換メチレン基▲数式、化学式
、表等があります▼ (式中でR_4はC_1〜 C_1_0のアルキル基、C_1〜C_1_0のアシル
基、C_1〜C_1_0のアルコキシ基またはC_2〜
C_1_0のアルコキシカルボニル基を表わす。 )から選択される2以上の基ならびにオキシ基−O−、
アルキル置換イミノ基▲数式、化学式、表等があります
▼(式中でR_7はC_1〜C_1_0のアルキル基を
表わす。 )、アシル置換イミノ基▲数式、化学式、表等がありま
す▼ (式中 でR_8はC_1〜C_1_0のアルキル基を表わす。 )およびフエニレン基▲数式、化学式、表等があります
▼ から選択される0また は1以上の基が任意の順序に結合した2価基を表わし、
上記の結合する基の数は20以下である。 )を表わす。またR′は一般式▲数式、化学式、表等が
あります▼ (式中、R″とR′″が 結合していない場合には、R″およびR′″はそれぞれ
C_1〜C_1_0のアルキル基を表わし、R″とR′
″が結合している場合には−R″−R′″−はC_1〜
C_1_0のアルキレン基を表わす。 )を表わす。)で表わされるN^2−ナフタレンスルホ
ニル−L−アルギニン誘導体およびその酸付加塩。2
特許請求の範囲第1項に於て、Rが一般式−OR_1(
式中でR_1はC_1〜C_1_0のアルキル基、C_
3〜C_1_0のシクロアルキル基、C_1〜C_1_
0のハロゲン化アルキル基、C_2〜C_1_0のアル
コキシアルキル基、C_2〜C_1_0のアルケニル基
、C_2〜C_1_0のアルキニル基またはC_7〜C
_1_5のアラルキル基を表わす。 )で表わされ、R″が一般式▲数式、化学式、表等があ
ります▼ (式中、R″とR′″が 結合していない場合には、R″およびR′″はそれぞれ
C_1〜C_1_0のアルキル基を表わし、R″とR′
″が結合している場合には−R″−R′″−はC_1〜
C_1_0のアルキレン基を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第2項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンエステル類およ
びその酸付加塩。3 特許請求の範囲第2項に於て、R
がC_1〜C_8のアルコキシ基、シクロヘキシルオキ
シ基、C_2〜C_6のω−クロロアルキルオキシ基、
C_2〜C_8のω−アルコキシアルキルオキシ基、C
_3〜C_6のアルケニルオキシ基、C_2〜C_6の
アルキニルオキシ基またはC_7〜C_9のアラルキル
オキシ基であり、R′が一般式▲数式、化学式、表等が
あります▼ (式中、 R″とR′″が結合していない場合にはR″およびR′
″はそれぞれC_1〜C_5のアルキル基を表わし、R
″とR′″が結合している場合には−R″−R′″−は
C_1〜C_5のアルキレン基を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第2項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンエステル類およ
びその酸付加塩。4 特許請求の範囲第3項に於て、R
がエトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、3−クロロプロポキ
シ基、2−メトキシエトキシ基、2−ブチニルオキシ基
、3−ブチニルオキシ基またはベンジルオキシ基であり
、R′が6,7−ジメトキシ−2−ナフチル基、4,6
−ジメトキシ−2−ナフチル基、6,7−ジエトキシ−
2−ナフチル基または6,7−エチレンジオキシ−2−
ナフチル基である、特許請求の範囲第3項記載のN^2
−ナフタレンスルホニル−L−アルギニンエステル類お
よびその酸付加塩。 5 特許請求の範囲第1項に於て、Rが一般式▲数式、
化学式、表等があります▼(式中でR_2およびR_3
は水素原子、C_1〜C_1_0のアルキル基、C_7
〜C_1_5のアラルキル基またはC_1〜C_1_0
のアルコキシ基もしくはC_2〜C_1_0のアルコキ
シカルボニル基で置換されたC_1〜C_1_0のアル
キル基を表わす。 )で表わされ、R′が一般式▲数式、化学式、表等があ
ります▼(式中、R″とR′″が結合していない場合に
は、R″およびR′″はそれぞれC_1〜C_1_0の
アルキル基を表わし、R″とR′″が結合している場合
には−R″−R′″−はC_1〜C_1_0のアルキレ
ン基を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第1項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド類および
その酸付加塩。6 特許請求の範囲第5項に於て、Rが
C_1〜C_9のアルキルアミノ基、C_2〜C_6の
ω−アルコキシアルキルアミノ基、C_3〜C_8のω
−アルコキシカルボニルアルキルアミノ基、C_7〜C
_1_0のアラルキルアミノ基またはC_2〜C_1_
0のジアルキルアミノ基であり、Rが一般式▲数式、化
学式、表等があります▼ (式中、R″とR′″が 結合していない場合にはR″およびR′″はそれぞれC
_1〜C_5のアルキル基を表わし、R″とR′″が結
合している場合には−R″−R′″−はC_1〜C_5
のアルキル基を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第5項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド類および
その酸付加塩。7 特許請求の範囲第6項に於て、Rが
ブチルアミノ基、2−メトキシエチルアミノ基、2−メ
トキシカルボニルエチルアミノ基、2−エトキシカルボ
ニルエチルアミノ基、ベンジルアミノ基またはN−メチ
ル−N−ブチルアミノ基であり、R′が6,7−ジメト
キシ−2−ナフチル基、4,6−ジメトキシ−2−ナフ
チル基、6,7−ジエトキシ−2−ナフチル基または6
,7−エチレンジオキシ−2−ナフチル基である、特許
請求の範囲第6項記載のN^2−ナフタレンスルホニル
−L−アルギニンアミド類およびその酸付加塩。 8 特許請求の範囲第1項に於て、Rが一般式−Nz(
式中でzはメチレン基−CH_2−およびモノ置換メチ
レン基▲数式、化学式、表等があります▼ (式中でR_4はC_1〜C_1_0の アルキル基、C_1〜C_1_0のアシル基、C_1〜
C_1_0のアルコキシ基またはC_2〜C_1_0の
アルコキシカルボニル基を表わす。 )から選択される2以上の基ならびにオキシ基−O−、
アルキル置換イミノ基▲数式、化学式、表等があります
▼(式中でR_7はC_1〜C_1_0のアルキル基を
表わす。 )、アシル置換イミノ基▲数式、化学式、表等がありま
す▼ (式中 でR_8はC_1〜C_1_0のアルキル基を表わす。 )およびフエニレン基▲数式、化学式、表等があります
▼ から選択される0また は1以上の基が任意の順序に結合した2価基を表わし、
上記の結合する基の数は20以下である。 )で表わされ、R′が一般式▲数式、化学式、表等があ
ります▼ (式中、R″とR′″が 結合していない場合には、R″およびR′″はそれぞれ
C_1〜C_1_0のアルキル基を表わし、R″とR′
″が結合している場合には−R″−R′″−はC_1〜
C_1_0のアルキレン基を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第1項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド類および
その酸付加塩。9 特許請求の範囲第8項に於て、Rが
C_3〜C_1_0のN,N−ポリメチレンイミニル基
:C_5以下のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基もしくはアシル基で置換されたC_3〜C
_1_0のN,N−ポリメチレンイミニル基:テトラヒ
ドロ−1,n−オキサジン−n−イル基(nは2,3ま
たは4を表わす):イソインドリニル基:またはC_5
以下のアルキル基もしくはアシル基で置換された1−ピ
ペラジニル基であり、R′が一般式▲数式、化学式、表
等があります▼(式中、R″とR′″が結合していない
場合にはR″およびR′″はそれぞれC_1〜C_5の
アルキル基を表わし、R″とR′″が結合している場合
には−R″−R′″−はC_1〜C_5のアルキレン基
を表わす。 )で表わされる、特許請求の範囲第8項記載のN^2−
ナフタレンスルホニル−L−アルギニンアミド類および
その酸付加塩。10 特許請求の範囲第9項に於て、R
がピペリジノ基、ヘキサメチレンイミニル基、4−メチ
ルピペリジノ基、4−エチルピペリジノ基、4−メトキ
シピペリジノ基、4−アセチルピペリジノ基、4−メト
キシカルボニルピペリジノ基、モルホリノ基、2−イソ
インドリニル基、4−メチル−1−ピペラジニル基また
は4−アセチル−1−ピペラジニル基であり、R′が6
,7−ジメトキシ−2−ナフチル基、4,6−ジメトキ
シ−2−ナフチル基、6,7−ジメトキシ−2−ナフチ
ル基または6,7−エチレンジオキシ−2−ナフチル基
である、特許請求の範囲第9項記載のN^2−ナフタレ
ンスルホニル−L−アルギニンアミド類およびその酸付
加塩。 11 下記一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記一般式(I)中でRは一般式(1)−OR_1(
式中でR_1はC_1〜C_1_0のアルキル基、C_
3〜C_1_0のシクロアルキル基、C_1〜C_1_
0のハロゲン化アルキル基、C_2〜C_1_0のアル
コキシアルキル基、C_2〜C_1_0のアルケニル基
、C_2〜C_1_0のアルキニル基またはC_7〜C
_1_5のアラルキル基を表わす。 )、一般式(2)▲数式、化学式、表等があります▼(
式中でR_2およびR_3は水素原子、C_1〜C_1
_0のアルキル基、C_7〜C_1_5のアラルキル基
またはC_1〜C_1_0のアルコキシ基もしくはC_
2〜C_1_0のアルコキシカルボニル基で置換された
C_1〜C_1_0のアルキル基を表わす。 )、または一般式(3)▲数式、化学式、表等がありま
す▼(式中でzはメチレン基−CH_2−およびモノ置
換メチレン基▲数式、化学式、表等があります▼ (式中でR_4はC_1〜C_1_0のアルキル基、C
_1〜C_1_0のアシル基、C_1〜C_1_0のア
ルコキシ基、またはC_1〜C_1_0のアルコキシカ
ルボニル基を表わす。 )から選択される2以上の基ならびにオキシ基−O−、
アルキル置換イミノ基▲数式、化学式、表等があります
▼ (式中でR_7はC_1〜C_1_0のアルキル基を表
わす。 )、アシル置換イミノ基▲数式、化学式、表等がありま
す▼ (式中でR_8はC_1〜C_1_0のアルキル基を表
わす。 )およびフエニレン基▲数式、化学式、表等があります
▼ か ら選択される0または1以上の基が任意の順序に結合し
た2価基を表わし、上記の結合する基の数は20以下で
ある。 )を表わす。またR′は一般式▲数式、化学式、表等が
あります▼(式中、R″とR′″が 結合していない場合には、R″およびR′″はそれぞれ
C_1〜C_1_0のアルキル基を表わし、R″とR′
″が結合している場合には−R″−R′″−はC_1〜
C_1_0のアルキレン基を表わす。 )を表わす。)で表わされるN^2−ナフタレンスルホ
ニル−L−アルギニン誘導体またはその酸付加塩を含有
する抗血液凝固剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51000255A JPS6010027B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | N↑2−ナフタレンスルホニル−l−アルギニン誘導体およびその酸付加塩 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51000255A JPS6010027B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | N↑2−ナフタレンスルホニル−l−アルギニン誘導体およびその酸付加塩 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5283647A JPS5283647A (en) | 1977-07-12 |
JPS6010027B2 true JPS6010027B2 (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=11468807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51000255A Expired JPS6010027B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | N↑2−ナフタレンスルホニル−l−アルギニン誘導体およびその酸付加塩 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6010027B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040147567A1 (en) * | 2001-05-15 | 2004-07-29 | Atsuro Nakazato | Arginine derivatives |
-
1976
- 1976-01-01 JP JP51000255A patent/JPS6010027B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5283647A (en) | 1977-07-12 |
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