JPS5999434U - レ−ザ熱処理装置 - Google Patents
レ−ザ熱処理装置Info
- Publication number
- JPS5999434U JPS5999434U JP19513182U JP19513182U JPS5999434U JP S5999434 U JPS5999434 U JP S5999434U JP 19513182 U JP19513182 U JP 19513182U JP 19513182 U JP19513182 U JP 19513182U JP S5999434 U JPS5999434 U JP S5999434U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- heat treatment
- reflected light
- treatment equipment
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す構成図、第２図はこ
の考案の他の実施例を示す構成図である。 １・・・レーザ発振器、２・・・レーザビーム、３・・
・集光レンズ、４．１５・・・反射鏡、８・・・凸球面
鏡部、１３・・・光散乱面。
の考案の他の実施例を示す構成図である。 １・・・レーザ発振器、２・・・レーザビーム、３・・
・集光レンズ、４．１５・・・反射鏡、８・・・凸球面
鏡部、１３・・・光散乱面。
Claims (1)
- レーザ発振器と、この発振器から放出されたレーザビー
ムの光路に同軸的に設けられ上記レーザビームの中央部
分を発散反射光もしくは散乱反射光にし上記中央部分以
外のレーザビームを平行反射光にする反射面を形成した
反射鏡とを備え、上記反射面が上記被照射物を透過した
レーザビームを上記被照射物の裏面側に向けて反射する
向きになることを特徴とするレーザ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513182U JPS5999434U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | レ−ザ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513182U JPS5999434U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | レ−ザ熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999434U true JPS5999434U (ja) | 1984-07-05 |
Family
ID=30419195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19513182U Pending JPS5999434U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | レ−ザ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999434U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041143A1 (fr) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dispositif de traitement par faisceau laser et dispositif semi-conducteur |
| JP2005079312A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置並びに液晶表示装置 |
| JP2007123910A (ja) * | 2000-11-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP2011082542A (ja) * | 2000-11-29 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP19513182U patent/JPS5999434U/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123910A (ja) * | 2000-11-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP2011082542A (ja) * | 2000-11-29 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| WO2003041143A1 (fr) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dispositif de traitement par faisceau laser et dispositif semi-conducteur |
| JPWO2003041143A1 (ja) * | 2001-11-09 | 2005-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置および半導体装置 |
| JP4555568B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2010-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置、レーザ処理方法および薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP2005079312A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体製造装置並びに液晶表示装置 |
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