JPS599689Y2 - Vortex type gas absorption device - Google Patents

Vortex type gas absorption device

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JPS599689Y2
JPS599689Y2 JP3630579U JP3630579U JPS599689Y2 JP S599689 Y2 JPS599689 Y2 JP S599689Y2 JP 3630579 U JP3630579 U JP 3630579U JP 3630579 U JP3630579 U JP 3630579U JP S599689 Y2 JPS599689 Y2 JP S599689Y2
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JP
Japan
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gas
compartment
spiral
passage
lower compartment
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JP3630579U
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久男 藤田
正 小川
甲子三 新谷
睦男 大「淵」
Original Assignee
日立造船株式会社
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  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Separation Of Particles Using Liquids (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は渦巻式ガス吸収装置に関するものである。[Detailed explanation of the idea] This invention relates to a spiral gas absorption device.

油槽船の荷油タンクなどを防爆する目的で該タンクの気
相部に炭酸ガスなどのイナートガスを送気するようなイ
ナートガス防爆システムにおいて、このイナートガスは
、油槽船の機関室に据付けられているボイラから排出さ
れる燃焼ガスを脱硫,除塵,冷却して利用するのが有利
である。
In an inert gas explosion-proof system that supplies inert gas such as carbon dioxide to the gas phase of an oil tanker, the inert gas is supplied to a boiler installed in the engine room of an oil tanker. It is advantageous to desulfurize, remove dust, and cool the combustion gas discharged from the combustion chamber before using it.

ところで前記ボイラ燃焼ガス中には硫黄酸化物,粉塵な
どの不純物が含まれているのが普通であり、これら不純
物を除去するために、通常、ガス供給管系中に例えばス
クラバー等のガス吸収装置が設けられている。
By the way, the boiler combustion gas normally contains impurities such as sulfur oxides and dust, and in order to remove these impurities, a gas absorption device such as a scrubber is usually installed in the gas supply pipe system. is provided.

このガス吸収装置は燃焼ガスを加速して放出するベンチ
ュリと、ベンチュリから放出されたガスの渦巻状通路と
、この渦巻状通路から出たガスの気液分離室からなり、
燃焼ガス入口部と下段区画室のガス通路と渦巻状通路と
気液分離室にそれぞれ多段状にスプレーノズルを配置し
、このスプレーノズルから噴霧される微細液滴をガス流
れに対向して飛散し、この液滴とガスの接触により燃焼
ガス中の不純物を除去しうるようになっている。
This gas absorption device consists of a venturi that accelerates and releases combustion gas, a spiral passage for the gas discharged from the venturi, and a gas-liquid separation chamber for the gas discharged from the spiral passage.
Spray nozzles are arranged in multiple stages in the combustion gas inlet, the gas passage of the lower compartment, the spiral passage, and the gas-liquid separation chamber, respectively, and the fine droplets sprayed from the spray nozzles are scattered in opposition to the gas flow. , impurities in the combustion gas can be removed by contact between the droplets and the gas.

しかしながら、第3図に示すように、ガス吸収装置の渦
巻状通路01においてスプレーノズル02から噴霧され
る液滴は高速ガス流れに押し戻されてガス流れ方向に並
行流となり、渦巻状通路01の下方ヘドレン03として
落下滞留し、このドレン03の水位は渦巻状通路の周端
部04すなわち装置の中心部にいくほど高くなり、ガス
流路全体をおおい不安定な流れとなり、圧損が大きくな
ってガス量も制限される欠点を有していた。
However, as shown in FIG. 3, the droplets sprayed from the spray nozzle 02 in the spiral passage 01 of the gas absorption device are pushed back by the high-speed gas flow and become a flow parallel to the gas flow direction, so that the droplets spray downward from the spiral passage 01. The water level of this drain 03 becomes higher toward the peripheral end 04 of the spiral passage, that is, the center of the device, and the flow becomes unstable throughout the gas passage, resulting in a large pressure drop and the gas It also had the disadvantage of being limited in quantity.

この考案は上記欠点を解消すべくなされたもので、渦巻
状のガス通路周端部から下段区画室底部のドレン溜りま
でドレン管を連通通設し、前記渦巻状ガス通路に溜留せ
る処理液を排出することにより、適度のガス吸収効率を
発揮すると共に、渦巻状ガス通路内のドレン水位を平均
化し、ガス流量を増大し得る渦巻式ガス吸収装置を提供
するものである。
This invention was made in order to solve the above-mentioned drawbacks. A drain pipe is provided in communication from the peripheral end of the spiral gas passage to a drain reservoir at the bottom of the lower compartment, and the processing liquid is stored in the spiral gas passage. The purpose of the present invention is to provide a spiral gas absorption device that can exhibit appropriate gas absorption efficiency, average the drain water level in the spiral gas passage, and increase the gas flow rate by discharging the gas.

以下この考案の実施例を図面に基づいて説明する。Examples of this invention will be described below based on the drawings.

第1図はガス吸収装置の縦断側面図、第2図は第1図の
A−A線矢視図を示すもので、1は上下の仕切板2,3
によって上下方向三段の室に区画されたガス吸収装置の
外筒であり、この外筒1と同心状にベンチュリ4を設け
ている。
FIG. 1 is a vertical side view of the gas absorption device, and FIG. 2 is a view taken along the line A-A in FIG.
This is an outer cylinder of a gas absorption device that is divided into three chambers in the vertical direction, and a venturi 4 is provided concentrically with this outer cylinder 1.

ベンチュリ4の上端部は外筒天板1A上に突出し、その
頂部に燃焼ガス入口部5を形戒すると共に、周壁に水平
型スプレーノズル6を取付けている。
The upper end of the venturi 4 protrudes above the outer cylinder top plate 1A, and a combustion gas inlet 5 is formed at the top, and a horizontal spray nozzle 6 is attached to the peripheral wall.

外筒1の下段区画室7に液溜8を配備し、該液溜8をベ
ンチュリ4のガス放出端部9に対向させている。
A liquid reservoir 8 is provided in the lower compartment 7 of the outer cylinder 1, and the liquid reservoir 8 is opposed to the gas discharge end 9 of the venturi 4.

外筒1の中段区画室10は中間仕切板11によって上下
に2分されており、それぞれの区画室12.13には渦
巻型の帯状板14.15を設けて渦巻状通路16.17
を形或している。
The middle compartment 10 of the outer cylinder 1 is divided into upper and lower halves by an intermediate partition plate 11, and each compartment 12.13 is provided with a spiral strip plate 14.15 to form a spiral passage 16.17.
It takes shape.

下部仕切板3及び中間仕切板11の外周部には、その外
周に沿うように通孔18A,18B,19を形威し、こ
れら通孔18A,18B,19により、前記渦巻状通路
16.17の始部16A,17Aの最外側路17Bを下
段区画室7に連通せしめている。
Through holes 18A, 18B, 19 are formed along the outer peripheries of the lower partition plate 3 and the intermediate partition plate 11, and the spiral passages 16, 17 are formed by these through holes 18A, 18B, 19. The outermost passages 17B of the starting portions 16A and 17A are communicated with the lower compartment 7.

そして前記渦巻状通路16.17の最外側路16B,1
7B中に適宜間隔を保って複数の衝突型スプレーノズル
20.21を設け、この衝突型スプレーノズル20.2
1から噴出する微粒液滴とガスの接触により、ガス中の
不純物を除去しうるようになっている。
and the outermost passage 16B, 1 of said spiral passage 16.17.
A plurality of impingement type spray nozzles 20.21 are provided at appropriate intervals in 7B, and the impingement type spray nozzles 20.2
Impurities in the gas can be removed by contact between the fine droplets ejected from the gas and the gas.

また前記上下に2分された渦巻状通路16.17の各周
端部から中間仕切板11及び下部仕切板3を貫通して下
段区画室7底部のドレン溜り22まで下端部に開口23
を有する複数のドレン管24.25をそれぞれ連通連設
し、この渦巻状通路16.17内に滞留する処理液をド
レン管24.25を介して下段区画室7のドレン溜22
に排出して前記渦巻状通路16.17内のドレン水位を
常に平均化しうるように構或している。
Further, an opening 23 is formed at the lower end of the spiral passage 16, 17 which is divided into two halves, passing through the intermediate partition plate 11 and the lower partition plate 3, and reaching the drain reservoir 22 at the bottom of the lower compartment 7.
A plurality of drain pipes 24.25 having a
The drain water level in the spiral passages 16 and 17 can be always averaged by discharging the drain water to a certain level.

さらに前記下段区画室7にベンチュリ4から液溜8を介
して放出されるガス流路を規制するため、液溜8の外側
に半円弧状の仕切板26を設け、この仕切板26と外筒
1の間に形威されたガス通路27は前記通孔18A,1
8B及び19を介してそれぞれ渦巻状通路16.17に
連通し、前記ガス通路27の円周方向に適宜間隔をおい
て複数の水平型スプレーノズル28が設けられている。
Furthermore, in order to regulate the flow path of gas discharged from the venturi 4 to the lower compartment 7 via the liquid reservoir 8, a semicircular partition plate 26 is provided on the outside of the liquid reservoir 8, and this partition plate 26 and the outer cylinder The gas passage 27 formed between the through holes 18A and 1
A plurality of horizontal spray nozzles 28 are provided at appropriate intervals in the circumferential direction of the gas passage 27, communicating with the spiral passages 16 and 17 via 8B and 19, respectively.

そして外筒1の上段区画室29にはベンチュリ4を取り
囲むように気液分離室30を形威している。
A gas-liquid separation chamber 30 is formed in the upper compartment 29 of the outer cylinder 1 so as to surround the venturi 4.

すなわち気液分離室30は周方向に多数のスリット31
を有する円筒壁32を外筒天板1Aと上部仕切板2との
間に設けて構威されており、上部仕切板2及び中間仕切
板11の中心部に形威した通孔33を介して渦巻状通路
終端部16C,17Cと連通している。
That is, the gas-liquid separation chamber 30 has a large number of slits 31 in the circumferential direction.
A cylindrical wall 32 is provided between the outer cylinder top plate 1A and the upper partition plate 2. It communicates with the spiral passage end portions 16C and 17C.

前記気液分離室30上部外筒天板1Aには周方向に適宜
間隔をおいて複数の下向きスプレーノズル34を設けて
いる。
A plurality of downward spray nozzles 34 are provided on the upper outer cylinder top plate 1A of the gas-liquid separation chamber 30 at appropriate intervals in the circumferential direction.

前記上段区画室29内の気液分離室30外方は環状通路
35となっており、外筒1に固着した処理ガス排出管3
6を連通連設している。
The gas-liquid separation chamber 30 in the upper compartment 29 has an annular passage 35 on the outside, and a process gas discharge pipe 3 fixed to the outer cylinder 1.
6 are connected in series.

そして前記上段区画室29内の気液分離室30において
下向きスプレーノズル34から噴出した処理液及び気液
分離液を排出するため、外筒1の側部に上段区画室29
から下段区画室7の底部までドレン排出管37を連通連
設してある。
In order to discharge the processing liquid and the gas-liquid separated liquid spouted from the downward spray nozzle 34 in the gas-liquid separation chamber 30 in the upper compartment 29, the upper compartment 29 is disposed on the side of the outer cylinder 1.
A drain discharge pipe 37 is connected from the drain pipe 37 to the bottom of the lower compartment 7.

なお、下段区画室7の底部には処理液を装置外に排出す
る処理液排出管38を設けている。
Note that a processing liquid discharge pipe 38 is provided at the bottom of the lower compartment 7 to discharge the processing liquid to the outside of the apparatus.

この考案は上記のような構戊であって、燃焼ガスはガス
吸収装置の外筒1中央部に設けたベンチュリ4を通過す
る間にガス入口部5に装着した水平型スプレーノズル6
から噴霧される液滴と接触して除塵された後高速流とな
り、この高速ガス流が下段区画室7の液溜8から仕切板
26に沿ってガス通路27へ導入され、このガス通路2
7中にガス流れに対向して配置された複数の水平型スプ
レーノズル28から噴出される液滴によりさらに除塵さ
れ、その後ガスは高速で中段区画室10の上下に2分さ
れた渦巻状通路16.17内に流入し、この通路内に設
けた衝突型スプレーノズル20.21から噴霧する微粒
液滴と接触して亜硫酸ガスが吸収される。
This invention has the above-mentioned structure, and while the combustion gas passes through the venturi 4 installed in the center of the outer cylinder 1 of the gas absorption device, a horizontal spray nozzle 6 installed at the gas inlet 5 is used.
After coming into contact with the droplets sprayed from the liquid droplets and removing dust, a high-speed gas flow is formed, and this high-speed gas flow is introduced from the liquid reservoir 8 in the lower compartment 7 into the gas passage 27 along the partition plate 26,
Dust is further removed by droplets ejected from a plurality of horizontal spray nozzles 28 disposed in opposition to the gas flow in the middle compartment 10, and then the gas flows at high speed into the spiral passage 16 divided into upper and lower halves of the middle compartment 10. .17 and is absorbed by contact with fine droplets sprayed from an impingement type spray nozzle 20.21 provided in this passage.

しかもこの微粒液滴はガスに同伴して渦巻状通路16.
17を移動し、ガスエネルギーの遠心力により渦巻状通
路16. 17の壁面、すなわち渦巻状帯状板14.1
5の表面に薄い液膜を形或する。
Moreover, these fine droplets are carried along with the gas into the spiral passage 16.
17, and the centrifugal force of the gas energy causes the spiral passage 16. 17 walls, i.e. spiral strips 14.1
A thin liquid film is formed on the surface of 5.

したがってガス中の未反応亜硫酸ガスはこの液膜と接触
して吸収される。
Therefore, unreacted sulfur dioxide gas in the gas comes into contact with this liquid film and is absorbed.

また前記亜硫酸ガスを吸収して渦巻状通路の始部16A
,17Aから終端部16C,17Cにわたり、その底部
にそれぞれ落下残留したドレン液は、上部の渦巻状通路
16の周端部及び下部の渦巻状通路17の周端部からそ
れぞれ中間仕切板11及び下部仕切板3を貫通して下段
区画室7底部のドレン溜り22まで配管された各ドレン
管24.25を通り、その下端部の開口23からドレン
溜り22に排出し、ドレン溜り22に滞留したドレン液
は処理排出管38を介して適宜図外の処理タンク等へ排
出しうるように構或してあるので、渦巻状通路内に滞留
するドレン水位を常に平均化し、適度のガス吸収効率を
発揮すると共に、ガス流量を増大し得るものである。
The starting part 16A of the spiral passage also absorbs the sulfur dioxide gas.
, 17A to the terminal parts 16C, 17C, and the remaining drain liquid falls and remains at the bottom of each of the terminal parts 16C and 17C. The drain pipes 24 and 25 are piped through the partition plate 3 to the drain reservoir 22 at the bottom of the lower compartment 7, and are discharged from the opening 23 at the lower end to the drain reservoir 22. Since the structure is such that the liquid can be appropriately discharged to a processing tank (not shown) etc. via the processing discharge pipe 38, the drain water level staying in the spiral passage is always averaged, and an appropriate gas absorption efficiency is achieved. At the same time, the gas flow rate can be increased.

さらに渦巻状通路16,17を通過したガスは、その中
心部から通孔33を通って気液分離室30に流入し、外
筒天板1Aに取付けた複数の下向きスプレーノズル34
から噴出する液滴と再度接触して残留せる亜硫酸ガスは
完全に吸収される。
Furthermore, the gas that has passed through the spiral passages 16 and 17 flows from the center through the through hole 33 into the gas-liquid separation chamber 30, and flows into the gas-liquid separation chamber 30 through a plurality of downward spray nozzles 34 attached to the outer cylinder top plate 1A.
The remaining sulfur dioxide gas will be completely absorbed when it comes into contact with the droplets ejected from the tank again.

そして前記気液分離室30に流入するガスは旋回流とな
っているので、気液分離室30へはその接線方向に流入
し、流入後スリット31よりその接線方向に向って放出
される。
Since the gas flowing into the gas-liquid separation chamber 30 is a swirling flow, it flows into the gas-liquid separation chamber 30 in a tangential direction, and after flowing in, is discharged from the slit 31 in the tangential direction.

そしてガスはこのとき気液分離され、液分離されたガス
は低速で環状通路35を経て処理ガス排出管36より装
置外へ放出される。
At this time, the gas is separated into gas and liquid, and the liquid-separated gas is discharged from the processing gas discharge pipe 36 to the outside of the apparatus through the annular passage 35 at a low speed.

なお上段区画室29の底部に残留したドレン液は、必要
に応じて環状通路35下部からドレン排出管37を通し
て下段区画室7の底部ドレン溜り22に排出処理される
The drain liquid remaining at the bottom of the upper compartment 29 is discharged from the lower part of the annular passage 35 through the drain discharge pipe 37 to the bottom drain reservoir 22 of the lower compartment 7, if necessary.

以上説明のように本考案の渦巻式ガス吸収装置によると
、一端が下段区画室で開口し他端が中段区画室渦巻状通
路内周側端部の底部で開口するドレン管を設けたため、
渦巻状通路に配置したスプレーノズルより噴霧する液滴
と接触して燃焼ガスから亜硫酸ガスを吸収して渦巻状通
路の底部に滞留したドレン液は、渦巻状通路の内周側端
部から直ちにドレン管を介して下段区画室へ流下して渦
巻状通路内に滞留することがなく、平面渦巻状通路内に
滞留するドレン水位を常に平均化し得、通過するガスの
流量を増大することができる。
As explained above, according to the spiral gas absorption device of the present invention, a drain pipe is provided, one end of which opens in the lower compartment and the other end opens at the bottom of the inner peripheral end of the spiral passage in the middle compartment.
The drain liquid that comes into contact with the droplets sprayed from the spray nozzle placed in the spiral passage, absorbs sulfur dioxide gas from the combustion gas, and stays at the bottom of the spiral passage is immediately drained from the inner end of the spiral passage. The drain water level does not flow down to the lower compartment via the pipe and stay in the spiral passage, and the level of drain water that stays in the flat spiral passage can be constantly averaged, and the flow rate of gas passing therethrough can be increased.

更に本考案によるとドレン管で渦巻状通路と下段区画室
とを連通したため、特に下段区画室と上段区画室との間
に複数の中段区画室を直列に接続して介装した場合に、
各中段区画室のドレン水を他の中段区画室を介さずに直
接に下段区画室へ流下させることができ、ガス吸収効率
の向上を期待できるものである。
Furthermore, according to the present invention, since the spiral passage and the lower compartment are connected through the drain pipe, especially when a plurality of middle compartments are connected in series and interposed between the lower compartment and the upper compartment,
Drain water from each middle compartment can be made to flow directly to the lower compartment without going through the other middle compartments, and an improvement in gas absorption efficiency can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の実施例を示すガス吸収装置の縦断側
面図、第2図は第1図のA−A線に於ける断面図、第3
図は従来の渦巻状通路内におけるドレンの滞留状態を説
明する展開図である。 1・・・・・・外筒、3・・・・・・下部仕切板、4・
・・・・・ベンチュリ、5・・・・・・燃焼ガス入口部
、7・・・・・・下段区画室、9・・・・・・ベンチュ
リのガス放出端部、10・・・・・・中段区画室、11
・・・・・・中間仕切板、16.17・・・・・・渦巻
状通路、22・・・・・・ドレン溜り、24.25・・
・・・・ドレン管、29・・・・・・上段区画室、30
・・・・・・気液分離室、36・・・・・・処理ガス排
出管、37・・・・・・ドレン排出管。
Fig. 1 is a vertical side view of a gas absorption device showing an embodiment of this invention, Fig. 2 is a sectional view taken along line A-A in Fig. 1, and Fig.
The figure is a developed view illustrating a state in which drain is retained in a conventional spiral passage. 1...Outer cylinder, 3...Lower partition plate, 4.
...Venturi, 5...Combustion gas inlet, 7...Lower compartment, 9...Gas discharge end of venturi, 10...・Middle compartment, 11
...Intermediate partition plate, 16.17 ... Spiral passage, 22 ... Drain reservoir, 24.25 ...
...Drain pipe, 29...Upper compartment, 30
...... Gas-liquid separation chamber, 36... Processing gas discharge pipe, 37... Drain discharge pipe.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 燃焼ガスを加速して下段区画室に放出するベンチュリと
、下段区画室の上方に位置し外周から内周側中心に向か
う平面渦巻状通路に形威され下段区画室に介して前記ベ
ンチュリからの燃焼ガスが渦巻状通路の外周部から流入
し内周側中心から上方に放出する中段区画室と、中段区
画室の上方に位置し中段区画室を介して流入した燃焼ガ
スの気液分離を行って処理完了ガスを放出する上段区画
室とを設け、かつ多段状にスプレーノズルを配置し、こ
のスプレーノズルから噴霧される微細液滴をガス流れに
対向して飛散し、この液滴とガスの接触により燃焼ガス
中の不純物を除去するよう構或すると共に、一端が下段
区画室で開口し他端が中段区画室渦巻状通路内周側端部
の底部で開口するドレン管を設けた渦巻式ガス吸収装置
A venturi accelerates the combustion gas and releases it into the lower compartment, and a plane spiral passage located above the lower compartment runs from the outer periphery to the center of the inner periphery, and combustion from the venturi passes through the lower compartment. There is a middle compartment where gas flows in from the outer periphery of the spiral passage and is discharged upward from the center of the inner periphery; An upper compartment for discharging the treated gas is provided, and spray nozzles are arranged in multiple stages, and fine droplets sprayed from the spray nozzles are scattered in opposition to the gas flow, and the droplets come into contact with the gas. The spiral gas is configured to remove impurities in the combustion gas by a drain pipe, and is provided with a drain pipe whose one end opens in the lower compartment and the other end opens at the bottom of the inner circumferential end of the middle compartment spiral passage. Absorption device.
JP3630579U 1979-03-20 1979-03-20 Vortex type gas absorption device Expired JPS599689Y2 (en)

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JPS55137919U JPS55137919U (en) 1980-10-01
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ID=28897211

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