JPS5972783A - マトリクス型発光ダイオ−ド - Google Patents
マトリクス型発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5972783A JPS5972783A JP57183331A JP18333182A JPS5972783A JP S5972783 A JPS5972783 A JP S5972783A JP 57183331 A JP57183331 A JP 57183331A JP 18333182 A JP18333182 A JP 18333182A JP S5972783 A JPS5972783 A JP S5972783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grooves
- substrate
- resin
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は発光部の整列容易なドラ）−）’Ｊクス型型光
光ダイオード関する。
光ダイオード関する。
口）従来技術
従来ドツトマトリクス型発光ダイオードを用いた表示器
として、１素子１画素となる発光ダイオード素子を基板
上に多数個縦横に配置するノ・イブレッド型のものと一
枚のフェノ・上に選択的に拡散して発光部を形成するモ
ノリシック型のものがあった。前者は１素子１素子を整
列させるのが大変なので、画素間隔の広いものしか利用
できず、後者は点灯のための行列配線をするためには多
層エピタキシー等の高度な技術を必要としだ。
として、１素子１画素となる発光ダイオード素子を基板
上に多数個縦横に配置するノ・イブレッド型のものと一
枚のフェノ・上に選択的に拡散して発光部を形成するモ
ノリシック型のものがあった。前者は１素子１素子を整
列させるのが大変なので、画素間隔の広いものしか利用
できず、後者は点灯のための行列配線をするためには多
層エピタキシー等の高度な技術を必要としだ。
比較的狭い画素間隔の−）リクス表示をするために、第
１図に示すような行方向のみモノリシックになった発光
ダイオード旧）α１）・・・を用いると高度なエピタキ
シー技術は不要となるが、このような表示器においては
発光状態を直接目視するので配列ずれは表示形態に直接
悪影響を及ぼすにもかかわらず、棒状の発光ダイオード
０υａυ・・・を平行に配置固着するのは極めて困難な
作業となっていた。
１図に示すような行方向のみモノリシックになった発光
ダイオード旧）α１）・・・を用いると高度なエピタキ
シー技術は不要となるが、このような表示器においては
発光状態を直接目視するので配列ずれは表示形態に直接
悪影響を及ぼすにもかかわらず、棒状の発光ダイオード
０υａυ・・・を平行に配置固着するのは極めて困難な
作業となっていた。
ハ）発明の目的
本発明は上述の点を改めるためになされたもので、クエ
ハ状廊での配列は特に高度な技術を用い ゛な
くとも正確に整列している事を利用してなされたもので
、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
ハ状廊での配列は特に高度な技術を用い ゛な
くとも正確に整列している事を利用してなされたもので
、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
二）発明の構成
第２図は本発明実施例のマトリクス型発光ダイオードの
斜視図で、（１）はガリクム砒素、ガリクムアルミニク
ム砒素、ガリクム砒素隣等からなる半導体のｎ型基板で
ある。＋２１ （２）・・・はＰ型領域ｔ３）＋３１・
・・形成に伴なって形成されたＰｎ接合で、縦横に略等
間隔に整列配置しである。＋４）＋４）・・・はｎ型基
板（１）とけ絶縁膜（図示せず）を介して絶縁されＰ型
領域１３）（３）・・・に給電すべく設けられた電極膜
である。
斜視図で、（１）はガリクム砒素、ガリクムアルミニク
ム砒素、ガリクム砒素隣等からなる半導体のｎ型基板で
ある。＋２１ （２）・・・はＰ型領域ｔ３）＋３１・
・・形成に伴なって形成されたＰｎ接合で、縦横に略等
間隔に整列配置しである。＋４）＋４）・・・はｎ型基
板（１）とけ絶縁膜（図示せず）を介して絶縁されＰ型
領域１３）（３）・・・に給電すべく設けられた電極膜
である。
＋５１（５）・・・は表面側から設けられた巾の狭い溝
で、Ｐｎ接合＋２１（２１・・・の間にそって平行に設
けである。（６）（６）・・・け裏面側から設けられた
、表面側＋＞為らの溝（５）（５）・・・に連通ずる巾
の広い溝で、その中には樹脂（７）（７）・・・が充填
しである。
で、Ｐｎ接合＋２１（２１・・・の間にそって平行に設
けである。（６）（６）・・・け裏面側から設けられた
、表面側＋＞為らの溝（５）（５）・・・に連通ずる巾
の広い溝で、その中には樹脂（７）（７）・・・が充填
しである。
ホ）実施例
、上述の発光ダイオードは次のようにして製造され°る
。まずｎ型の半導体基板（１）の表向に格子状マ□スク
を用いて拡散しＰ型領域１．３１（３）・・・を形成す
る。
。まずｎ型の半導体基板（１）の表向に格子状マ□スク
を用いて拡散しＰ型領域１．３１（３）・・・を形成す
る。
次にその表面に絶縁膜を所望形状に設けたのち蒸次にＰ
型領域＋３）＋３）・・・形成に伴って形成されたＰｎ
接合＋２１（２１・・・の間（格子状リスクの格子部分
）に対応させて基板（１）の裏面から巾の広い刃をもつ
ダイシング装置を用いて溝＋６１１６１・・・を形成し
、清浄にしたあとシリコン樹脂とかエポキシ樹脂からな
る樹脂（力（力・・・を充填する。その後裏面からの溝
（６）（６）・・・にあわせて同一方向同一間隔で、［
１Ｊの狭い刃をもつダイシング装置により表面側から溝
＋５１＋５１・・・を設け、エツチング等で歪を除去し
て工程を終ｒする。
型領域＋３）＋３）・・・形成に伴って形成されたＰｎ
接合＋２１（２１・・・の間（格子状リスクの格子部分
）に対応させて基板（１）の裏面から巾の広い刃をもつ
ダイシング装置を用いて溝＋６１１６１・・・を形成し
、清浄にしたあとシリコン樹脂とかエポキシ樹脂からな
る樹脂（力（力・・・を充填する。その後裏面からの溝
（６）（６）・・・にあわせて同一方向同一間隔で、［
１Ｊの狭い刃をもつダイシング装置により表面側から溝
＋５１＋５１・・・を設け、エツチング等で歪を除去し
て工程を終ｒする。
尚、この発光ダイオードを用いて表示器とする時、行（
又は列）方向には基板ｆｌ）の裏面電鈑（図示せず）に
て給電できるから、金属細線（８）等を用いて溝１５）
＋５１・・・１６１１６）・・・と直交する方向に電極
（４）１４１・・・を接続し、列（又は行）電極とすれ
ばよい。
又は列）方向には基板ｆｌ）の裏面電鈑（図示せず）に
て給電できるから、金属細線（８）等を用いて溝１５）
＋５１・・・１６１１６）・・・と直交する方向に電極
（４）１４１・・・を接続し、列（又は行）電極とすれ
ばよい。
Ｐｎ接合の間にそって縦（又は横）に平行に設けられた
溝と、基板の裏側から設けられ、樹脂で埋め込まれた表
面側からの溝に連通ずる溝とを具備したマトリクス型発
光ダイオードであるから、しかも樹脂がスペーサ兼接着
剤として働くので製造しやすく、製造中のマスクと同一
精度の画素の整列ができる。
溝と、基板の裏側から設けられ、樹脂で埋め込まれた表
面側からの溝に連通ずる溝とを具備したマトリクス型発
光ダイオードであるから、しかも樹脂がスペーサ兼接着
剤として働くので製造しやすく、製造中のマスクと同一
精度の画素の整列ができる。
第１図は従来の表示器の斜視図、第２図は本発明実施例
のマトリクス型発光ダイオードの斜視図である。 （１）・・・ｎ型基板、１２１ｆ２１− Ｐ ｎ接合、
＋３）＋３１−旧−・Ｐ型領域、＋４）＋４）・・・・
・・電極膜、＋５）＋５） 叫・・表面側からの溝、１
６１６）・・・・・・裏面側からの溝、＋７）（７）・
・・・・・樹脂。
のマトリクス型発光ダイオードの斜視図である。 （１）・・・ｎ型基板、１２１ｆ２１− Ｐ ｎ接合、
＋３）＋３１−旧−・Ｐ型領域、＋４）＋４）・・・・
・・電極膜、＋５）＋５） 叫・・表面側からの溝、１
６１６）・・・・・・裏面側からの溝、＋７）（７）・
・・・・・樹脂。
Claims (1)
- （１）基板の表面側に縦横に整列して設けられたＰｎ接
合と、基板の表面側からＰｎ接合の間にそって縦（又は
横）に平行に設けられた溝と、基板の裏側から設けられ
樹脂で埋め込まれた表面側からの溝に連通ずる溝とを具
備した事を特徴とするマトリクス型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183331A JPS5972783A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | マトリクス型発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57183331A JPS5972783A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | マトリクス型発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972783A true JPS5972783A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16133839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57183331A Pending JPS5972783A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | マトリクス型発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090195948A1 (en) * | 2006-02-01 | 2009-08-06 | Edvard Kalvesten | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57183331A patent/JPS5972783A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090195948A1 (en) * | 2006-02-01 | 2009-08-06 | Edvard Kalvesten | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
| US9312217B2 (en) * | 2006-02-01 | 2016-04-12 | Silex Microsystems Ab | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5453405A (en) | Method of making light emitting diode bars and arrays | |
| KR100619618B1 (ko) | 광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US4845405A (en) | Monolithic LED display | |
| GB2249428A (en) | Connections for led arrays | |
| GB1314267A (en) | Semiconductor wafers and pllets | |
| JPH05175537A (ja) | フォトダイオードアレイおよびその製造法 | |
| US4145707A (en) | Semiconductor luminescent display apparatus | |
| US20220189814A1 (en) | Method of manufacturing display device and display device | |
| US20180047781A1 (en) | Dot matrix light-emitting diode light source for a wafer-level microdisplay and method for fabricating the same | |
| KR20190115838A (ko) | 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3649748B2 (ja) | 発光ダイオードランプ | |
| JP2007027357A (ja) | 半導体発光装置及び基板 | |
| JPS5972783A (ja) | マトリクス型発光ダイオ−ド | |
| JP2859789B2 (ja) | フォトダイオードアレイおよびその製法 | |
| US3821616A (en) | Monolithic semiconductor display devices | |
| US3703656A (en) | Monolithic semiconductor display devices | |
| JPH0625966Y2 (ja) | マトリクス型発光ダイオ−ド | |
| JPS63150954A (ja) | ブリツジ型半導体装置 | |
| Keune et al. | Monolithic GaP green-emitting LED matrix-addressable arrays | |
| KR20150084517A (ko) | 태양 전지 | |
| JP3182885B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5939726Y2 (ja) | 固定表示装置 | |
| JPS5943752B2 (ja) | 固体表示装置の製造方法 | |
| JPH0322574A (ja) | 太陽電池セル | |
| JPS61252676A (ja) | 発光ダイオ−ド |