JPS5964911A - 弾性表面波可変移相器 - Google Patents

弾性表面波可変移相器

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JPS5964911A
JPS5964911A JP17448582A JP17448582A JPS5964911A JP S5964911 A JPS5964911 A JP S5964911A JP 17448582 A JP17448582 A JP 17448582A JP 17448582 A JP17448582 A JP 17448582A JP S5964911 A JPS5964911 A JP S5964911A
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JP
Japan
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acoustic wave
surface acoustic
variable
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP17448582A
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English (en)
Inventor
Shuji Urabe
斉藤茂樹
Shigeki Saito
卜部周二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPS5964911A publication Critical patent/JPS5964911A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/66Phase shifters
    • H03H9/68Phase shifters using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、Vl−(F帯、UHF帯において動作する小
形・軽量にしてかつ高性能な弾性表面波可変移相器に関
するものである。
(背景技術〕 従来の可変移相器は、集中定数回路としてはバラクタ・
ダイオードを用いたCR移相器やLC移相器などがあり
、いずれもバラクタ・ダイオードへ電圧を印加して位相
を変化させるものである。
これらの移相器はバラクタ・ダイオードを用いるため集
積化しにく(小形化が困難である。インダクタンスや抵
抗値を外部から機械的に変化させることは、磁心入りコ
イルやボリューム等を用℃・れは可能であるか、やはり
小形化は困難である。
マイクロ波周波数帯以上においては分布定数回路による
移相器として、例えば、伝送線路上に周J1.J+的に
(通常、λ/4ごとに(λ:動作の中心周波数における
波長))バラクタ・グイオートを配置したものやフェラ
イトを用いて印加磁界を変化させることによる移相器な
どかある。分布定数回路を利用するものは彼の伝播特性
を利用するため、波長の上程1隻の大きさは必要であり
、例えばIGHzであれば1坂長約3(Jcrnである
ので75CTn程度の大きさは必要となる。もちろん、
高誘電率材料による波長短縮による小形化は期待できる
か、現状では比誘電率(εr)40程度が、実用上利用
できる高誘電れるので、高誘電体による小形化は一程度
であり、削述の大きさは約1 cyn程度となる。しか
しながら、飛躍的な小形化は困難であり、やはり集積化
しにしいものである。また、フェライト等を用℃・るも
のは外部磁界か必要て゛ありこの磁界を発生させる装置
の小形化がむずかしく、移相器としての小形化が困難で
ある。
(発明の課題) 本発明は従来の移相器のこのような欠点を除去し、集積
化・小形化か可能な司変移A目器を提供せんとするもの
で、その特徴は、1個の入力電極と相互に異なる位相の
出力信号を出す複数の出力電極とを有する弾性表面波素
子と、該弾性表面波素子の各出力信号をそれぞれ増幅す
る複数の可変利得増幅器と、上記複数の可変利得増幅器
の出力を合成する合成素子とを備えて、前記可変利得増
幅器の利得を変化させて該合成素子の出力の位相を変化
させるごとき弾性表面波可変移相器にある。本発明の別
の特徴は、入力信号を複数に分割出力する電力分配器と
、該電力分配器の各出力信号をそれぞれ増幅する複数の
可変利得増幅器と、複数の入力電極と該入力電極からの
信号を固定的な位相差をもって合成出力する出力電極と
が形成された弾性表面波素子とを有し、前記複数の可変
利得増幅器の出力を該弾性表面波素子の複数の入力電極
にそれぞれ接続し、前記可変利得増幅器の利得を変化さ
ぜることにより該弾性表面波素子の出力の位相を変イし
させるごとき弾性表面波可変移相器にある。
(発明の構成および作用) 第1図は本発明の一実施例であって、1は2つの異なる
出力位相をイjする弾性表面波素子、2,3は用度利得
特性を有する増幅器、4は合成素子である。5a、51
〕は入力端子、6a、6bは出力端子である。1にお℃
・て入力電極1aで励振された弾性表面波は2つの出力
電極11)、lcで電気信号へ変換されろか、電極1.
1)、ICの表面波の伝播方向における空間的な位置を
すらすことにより11)とICから取り出される出力の
位相差を生じさせることができろことはよく知られてい
る。今、1bとICの出力の位相差をσとする。】1)
の出力を増幅器2により増幅し、また]Cの出力を増幅
器3により」着帽して、合成素子・1により合成する構
成であるから、第2図に示すごとく増幅器2,3の増幅
度を変化させれば、合成素子4の合成出力の位相(出力
端子6a + 61)での位相に相当する)が変化する
ことになる。第2図にオー5・、・ては、11)とIC
の出力の位相差が90°である場合を示している。1b
とICの空間的な電極位置のずれは、λ/4+lnλ(
λ:動作中心周波数における表面波の波長、m−0、1
+ 2+・・)である。第2図(、−1)は、11つの
出力を4イ音に増幅し、1Cの出力を2倍に増幅した場
合であり、この時の合成出力の位」口ば月)の出力に比
べ約27°だけ変化している。第2図(1))は、]−
1)の出力を21音に増幅し、ICの出力を4倍に増幅
した場合て゛あり、この時の合成出力の位相ば11〕の
出力に比べて約63°だけ変化している。このように増
幅器の瑠幅度を変化させることにより可変移相器として
動作させることができる。
第3図は本発明の一実施例であって、第1図における4
を弾性表面波素子7で構成し、かつ、1と7を同一の弾
性表面波基板Uに構成したものである。7において、7
a、7a’は入力電極であり、71〕は出力電極である
。弾性表面波の伝播方向において、7aと7a′の電極
位置のずれを、Illλ(λ:動作中心周波数における
表面波の波長、m−0+1+2+・ )とすることによ
り、7は合成素子として動作する。
従って第1図で述べた如(、本実施例も2.:3の増幅
度を変化さぜることにより移相器として動作さぜること
かできる。
第4図は本発明の一実施例であって、8は4つの異なる
出力位相を有する弾性表面波素子、9は4つの入力を合
成する弾性表面波素子、2′、3′は可友増幅肋、性を
有する増幅器である。8aは入力電極であり、8b+8
c+8d、8eは出力電極である。第5図は第4図の動
作の説明図であり、8bより取り出される出力を10.
8Cよりの出力を11.8dよりの出力を12.8eよ
りの出力を13としてベクトル的に示したものである。
ここでは、10,11,12.13の位相差が900の
場合を示している。今、2′、3′の増幅度を最小にし
て、2と3の増幅度との差を大きくしてほぼ無視できる
増幅度とすれは、8aから励振された弾性表面波のうち
91)へ到達するものとしては、81)→2→9aの経
路と8C→3→9a’の経路を通るものが支配的となる
ので、第1図、第2図で示されたものと同様の原理で位
相を変化させろことができる。また、2,3′の増IM
度を最小にして、3と2′の増幅度との差を大きくして
ほぼ無視できる増幅度とすれは、8c→3→9a’と8
d→2′→9a“の経路が支配的となり、やはり3と2
′の増幅度を変化させることによって位相を変化できる
。2と3の増幅度を最小にしても同様の原理で位相を変
化できる。本実施例では900位相差の′電極4ヶによ
って3600位相を変化させるものであるが、120°
位相差の電極3ケと増幅器3台と3人力を合成する素子
とで構成することも可能である。
第6図は本発明の更に別の実施例であって、第1図と似
ているが、増幅器2,3の方向が異なっている。15a
、15bは入力端子であり、17は電力分配器、14は
固定的な位相差をもって合成出力する弾性表面波素子、
16a 、 16bは出力端子である。第1図の動作に
ついて説明した如(、位相差の異なる信号を合成する際
において各々の信号の振幅の大きさを変化させれば合成
出力の位4目を変化させられるので、第6図ば2,3の
増幅度を変化させることにより可変移相器として動作す
る。14は、入力電極14b、14cの空間的電極位置
をずらすことによる、固定的な位相差をもって合成出力
するものである。
例えば、Mb 、 14cの空間的な電極位置のずれが
λ/ 4−1− mλであれはその固定的な位相差は9
0’である。また、17を1と同様の弾性表面波素子と
して、出力電極の空間的な位置のずれをn]λとすれは
電力分配器どして用いることも可能である。
(発明の効果) 以上説明したように本発明は、Vl−IF帯からUI(
F帯において、電力分配、合成や位相差発生器に弾性表
面波素子を用いているのでIC化可能で小形・軽量な可
変移相器を提供できるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例、第2図は第1図の動作説明
図、第3図と第4図は本発明の実施例、第5図は本発明
の動作説明図、第6図は本発明の史に別の構成例である
。 1.7,8,9.14・・・弾性表面波素子、2.2’
、3.:’、’・・・oj変利得特性を有する増幅器、
4・・合成索子、    5a、5b・・入力端子、6
a、6b・・出力端子、  1a・・1の入力電極、l
b、lc・−・1の出力電極、7a、7a’−7の入力
電極、7b・・・7の出力電極、  8a・・・8の入
力電極、sb、sc、sd、8e=−8の出力電極、9
a、9a’、9a“g a ///・・・9の入力電極
、9b・・・9の出力電極、 10.11,12.13 ・・・それぞれ8b+8c+
8d、seの電極より得られる出力、 U・・弾性表面波基板、 14a・・・14の出力電極
、14b 、 14c・・・14の入力電極、17・・
・電力分配器。 特許出願人 日本電信電話公社 特許出願代理人 弁理士  山  本  恵  − 竿、7図 1A 第2U!J (θン 簗、3z ′Q 罠40

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1個の入力電極と相互、に異なる位相の出力信号
    を出す複数の出力電極とを有する弾性表面波素子と、該
    弾性表面波素子の各出力信号をそれぞれ増幅する複数の
    可変利得増幅器と、上記複数のdJ変利得増幅器の出力
    を合成する合成素子とを備えて、前記可変利得増幅器の
    利得を変化させて該合成素子の出力の位相を変化させる
    ことを特徴とする弾性表面波可変移相器。
  2. (2)前記合成素子は複数の入力電極と1個の出力電極
    とを有する弾性表面波素子で構成されたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波可変移相器。
  3. (3)  入力信号を複数に分割出力する電力分配器と
    、該電力分配器の各出力信号をそれぞれ増幅する複数の
    可変利得増幅器と、複数の入力電極と該人力電極からの
    信号を固定的な位相差をもって合成出力する出力電極と
    が形成された弾性表面波素子とを有し、前記複数、の可
    変利得増幅器の出力を該弾性表面波素子の複数の入力電
    極にそれぞれ接続し、前記可変利得増幅器の利得を変化
    させることにより該弾′r!ig衣面波素子の出力の位
    411を変化させることを特徴とする弾性表面波可変移
    相器。
JP17448582A 1982-10-06 1982-10-06 弾性表面波可変移相器 Pending JPS5964911A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6439855A (en) * 1987-08-05 1989-02-10 Nec Corp Surface acoustic wave device
JPH01105610A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Nec Corp 弾性表面波装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5412693A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave oscillator

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