JPS595548A - Flat type cathode ray tube - Google Patents

Flat type cathode ray tube

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JPS595548A
JPS595548A JP11362482A JP11362482A JPS595548A JP S595548 A JPS595548 A JP S595548A JP 11362482 A JP11362482 A JP 11362482A JP 11362482 A JP11362482 A JP 11362482A JP S595548 A JPS595548 A JP S595548A
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JP
Japan
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deflection
voltage
phosphor screen
vda
electrode
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Application number
JP11362482A
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Japanese (ja)
Inventor
Koki Sato
広喜 佐藤
Sakae Tanaka
栄 田中
Toshio Oboshi
敏夫 大星
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication of JPS595548A publication Critical patent/JPS595548A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/124Flat display tubes using electron beam scanning

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate vignette of image due to deflection by performing focus of the vertical component with reference to the focusing voltage of the horizontal component through the effect of asymmetrical two-dimensional electrostatic lens which is formed between a pair of deflecting plates and a high voltage electrode of the final stage of an electron gun. CONSTITUTION:A voltage VH is applied to the phosphor screen 3, namely to a target electrode 6 and a high voltage VRH which is lower than such voltage VH is then applied to an opposing electrode 4. A deflecting plate 11a of the second deflection system is electrically connected to the electrode 4 and a constant voltage VRH is applied to this deflecting plate 11a. Meanwhile, a voltage obtained by superimposing a vertical deflection signal and a dynamic correcting signal voltage for vertical deflection to a constant voltage VRH given to the deflecting plate 11a is applied to the other deflecting plate 11b. A voltage obtained by superimposing the dynamic correcing signal to a DC focus voltage is supplied to the third grid G3. A voltage VG4, which is determined in such a manner that a ratio of such voltage of a voltage Vda (Vda=VRH in the example shown in the figure) to be applied to the deflecting plate 11a is selected in the relation of 0.97<=VG4/Vda<=1, is applied to the fourth grid G4.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蛍光面の面方向に沿う方向に延長して電子銃が
配置されて管体の扁平化がはかられた扁平型陰極線管に
係わる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a flat cathode ray tube in which an electron gun is disposed extending in the direction along the surface of a phosphor screen, so that the tube body is flattened.

この種扁平型陰極線管は、第1図及び第2図に示すよう
に、扁平管体(1)によって構成される。この管体(1
)は例えばガラスパネル(1a)と、これとの間に扁平
空間(2)を形成し一側に向って漸次幅狭にすなわち漏
斗状(ファンネル状)とされたガラスファンネル(1b
)と、これらの幅狭とされた一側方に扁平空間(2)と
連通して設けられたガラスネック(IC)とを有してな
る。
This type of flat cathode ray tube is composed of a flat tube body (1), as shown in FIGS. 1 and 2. This tube (1
) is, for example, a glass funnel (1b) that has a glass panel (1a) and a glass funnel (1b) that forms a flat space (2) between them and gradually becomes narrower toward one side, that is, funnel-shaped.
), and a glass neck (IC) provided on one narrow side thereof to communicate with the flat space (2).

扁平管体(1)内にはその扁平空間(2)においてその
扁平面に沿って蛍光面(3)と、これに対向して対向電
極(4)が配置されて両者が管体(1)の厚さ方向に関
して互いに対向するように配置される。これがため、例
えば管体(1)のファンネル(1b)の内面K。
Inside the flat tube (1), a phosphor screen (3) is arranged along the flat surface in the flat space (2), and a counter electrode (4) is arranged opposite to the fluorescent screen (3), so that both are connected to the tube (1). are arranged so as to face each other in the thickness direction. Thus, for example, the inner surface K of the funnel (1b) of the tube body (1).

蛍光面(3)を塗布したガラス基板(5)が接着される
A glass substrate (5) coated with a fluorescent screen (3) is adhered.

そしてこのガラス基板(5)Kはカーボン層等よりなる
ターゲット電極(6)が被着され、これの上に、或いは
額縁状に被着されたターゲット電極(6)のその額縁内
圧蛍光面(3)が塗布される。一方、剌向電極(4)は
、例えばパネル(1a)の内面に被着形成した透明電極
によって構成される。
A target electrode (6) made of a carbon layer or the like is adhered to this glass substrate (5) K, and a pressure phosphor screen (3 ) is applied. On the other hand, the facing electrode (4) is constituted by, for example, a transparent electrode adhered to the inner surface of the panel (1a).

ネック管(IC)内には電子銃(7)が配置され、これ
が蛍光面(3)及び対向電極(4)間のほぼ中央を通り
蛍光面(3)の面方向に沿って延長するよ5に配置され
る。
An electron gun (7) is disposed inside the neck tube (IC), and extends along the surface direction of the fluorescent screen (3) through approximately the center between the fluorescent screen (3) and the counter electrode (4). will be placed in

“  この電子銃(7)は、例えば第3図に示すように
、カソードに%第1グリッドGl 、第2グリツドG2
、第3グリツドG3及び第4グリツドG4が順次配列さ
れ、第3及び第4グリツドG3及びG4によってパイポ
テンシャル主電子レンズを形成する構成をとる。
“This electron gun (7) has a cathode with a first grid Gl and a second grid G2 as shown in FIG.
, a third grid G3, and a fourth grid G4 are arranged in sequence, and the third and fourth grids G3 and G4 form a pi-potential main electron lens.

ターゲット電極(6)、すなわち蛍光面(3)には、高
圧の陽極電圧が与えられ、対向電極(4)にはこれより
低い高圧が与えられて蛍光面(3)(ターゲット電極(
6))と対向電極(4)との間に第1の偏向系が形成さ
れる。
A high anode voltage is applied to the target electrode (6), that is, the phosphor screen (3), and a lower high voltage is applied to the counter electrode (4), so that the phosphor screen (3) (target electrode (
A first deflection system is formed between 6)) and the counter electrode (4).

また、電子銃(7)と蛍光面(3)の配置部との間に第
2の偏向系が構成される。この第2の偏向系は、電子銃
(7)より発射される電子ビームを水平及び垂直偏向さ
せるものである。ここで水平偏向とは電子銃(刀よりの
電子ビームをこの電子銃(7)の軸心方向とほぼ直交し
且つ蛍光面(3)の面方向に沼う方向に偏向させて蛍光
面(3)上釦ビームをいわゆる水平走査させる偏向であ
り、垂直偏向とは同様のビームを蛍光面(3)と直交す
る方向に偏向させて蛍光面(3)上にビームを上述の走
査方向と直交する方向にいわゆる垂直走査させる偏向で
ある。(8)は、この第2の偏向系を形成する偏向手段
で、この偏向手段(8)は例えば比較的大きな偏向角を
必要とする水平偏向を電磁偏向によって行い、他方の垂
直偏向を静電偏向によって行うようにした電磁及び静電
偏向型とされている。
Further, a second deflection system is configured between the electron gun (7) and the phosphor screen (3) arrangement section. This second deflection system horizontally and vertically deflects the electron beam emitted from the electron gun (7). Here, horizontal deflection is defined as deflecting an electron beam from an electron gun (7) in a direction that is almost perpendicular to the axial direction of the electron gun (7) and in the direction of the surface of the phosphor screen (3). ) This is a deflection in which the upper button beam is scanned horizontally, and vertical deflection is a deflection in which a similar beam is deflected in a direction perpendicular to the phosphor screen (3), so that the beam is directed onto the phosphor screen (3) in a direction perpendicular to the above-mentioned scanning direction. (8) is a deflection means forming this second deflection system, and this deflection means (8) converts, for example, horizontal deflection, which requires a relatively large deflection angle, into electromagnetic deflection. They are electromagnetic and electrostatic deflection types in which the vertical deflection is performed by electrostatic deflection and the other vertical deflection is performed by electrostatic deflection.

この偏向手段(8)は、Kx図及び第2図に示すように
、電子銃(7)の後段III において管体(1)の外
周を繞って高透磁率の例えばフェライトよりなる環状の
磁気コア(9)と、水平偏向電流を通ずる電磁線輪−と
、管体(1)内に配置された対の内部ポールピース兼静
電偏向用の例えばMn −Znフェライト、或いはNi
 −Znフェライト等の高透磁率磁性体よりなる偏向板
(lla)及び(llb)とによって構成される。
As shown in the Kx diagram and FIG. A core (9), an electromagnetic wire ring for carrying a horizontal deflection current, and a pair of internal pole pieces arranged in the tube (1) for example Mn-Zn ferrite or Ni for electrostatic deflection.
- It is constituted by deflection plates (lla) and (llb) made of a high permeability magnetic material such as Zn ferrite.

偏向板(lla)及び(llb)は、電ぞビーム通路を
挾んで管体(1)の厚さ方向に相対向するように、すな
わち、夫々対向電極(4)及び蛍光面(3)と並置する
ように、配置される。磁気コア(9)は、管体(1)の
外周を繞る環状となすも、管体(1)の偏向板(lla
)及び(llb)を挾んで対向する外部センターボール
(12a)及び(12b)を内側に突出させ、これら外
部センターボール(t2a)及び(12b)の外周に線
輪(10a)及び(10b)を巻装するか、或いはその
何れか一方の外周に線輪(10a)または(10b)を
巻装する。このようにして線輪(Iol ((xoa)
(xob) )に水平偏向電流を通じ両外部センターボ
ール(12a)及び(12b)間に、更にこれら間に介
在する内部ポールピース兼静電偏向板(lla)及び(
llb)間に電子ビームの通路を横切る管体(1)の厚
さ方向の水平偏向磁場を与える。−吉例向板(lla)
及び(llb)間に垂直偏向信号電圧を与えて電子ビー
ムの通路に垂直偏向電界を管体(1)の厚さ方向に与え
る。
The deflection plates (lla) and (llb) are arranged opposite to each other in the thickness direction of the tube body (1) with the electric beam path in between, that is, juxtaposed with the counter electrode (4) and the fluorescent screen (3), respectively. It is arranged as follows. The magnetic core (9) has an annular shape surrounding the outer periphery of the tube (1), and the deflection plate (lla) of the tube (1)
) and (llb), opposing outer center balls (12a) and (12b) are made to protrude inwardly, and wire rings (10a) and (10b) are attached to the outer peripheries of these outer center balls (t2a) and (12b). or a wire ring (10a) or (10b) is wound around the outer periphery of one of them. In this way, the line ring (Iol ((xoa)
(xob) ) is passed between both outer center balls (12a) and (12b), and further between the inner pole piece/electrostatic deflection plate (lla) and (
llb) to apply a horizontal deflection magnetic field in the thickness direction of the tube (1) across the path of the electron beam. -Kichirei Mukaiita (lla)
A vertical deflection signal voltage is applied between and (llb) to apply a vertical deflection electric field to the path of the electron beam in the thickness direction of the tube body (1).

このような構成によれば、電子銃(7)より発射された
電子ビームbは、水平・垂直偏向手段(8)による第2
の偏向系内を通過することによって水平・垂直偏向を受
け、更にその後段のターゲット電極(6)(蛍光面(3
))及び対向電極(4)間に形成される第1の偏向系に
よって蛍光面(3)に向5偏向を受け、第1及び第2の
偏向系の共働によって電子ビームbが、蛍光面(3)上
を水平及び垂直走査するようになされる。このようにし
て、電子ビームbの走査によって蛍光面(3)に得られ
た発光画像は1例えばパネル(1a)側から透明の対向
電極(4)を通じて観察される。
According to such a configuration, the electron beam b emitted from the electron gun (7) is deflected by the second beam by the horizontal/vertical deflection means (8).
The target electrode (6) (phosphor screen (3)
)) and the counter electrode (4), the electron beam b is deflected toward the phosphor screen (3) by the first deflection system formed between the phosphor screen (3) and the counter electrode (4). (3) made to scan horizontally and vertically; In this way, the luminescence image obtained on the phosphor screen (3) by the scanning of the electron beam b is observed from the panel (1a) side, for example, through the transparent counter electrode (4).

ところが、とのよプな構成による扁平型陰極線管におい
ては、水平方向の電磁偏向及び垂直方向の静電偏向の夫
々に関して特にその偏向角が最大となる走査位置、すな
わち蛍光面(3)の電子銃(7)に近い側に相当する例
えば蛍光面(3)の下部側の左右側部の走査位置におい
て最も大きなビームスポットのデフォーカスが生じ、こ
れKよるいわゆる”ぼけ”が問題となる。
However, in a flat cathode ray tube with a very simple configuration, the scanning position where the horizontal electromagnetic deflection and the vertical electrostatic deflection are maximized, that is, the electrons on the phosphor screen (3), is The largest defocus of the beam spot occurs at scanning positions on the left and right sides of the bottom side of the phosphor screen (3), which correspond to the side closer to the gun (7), for example, and the so-called "blur" caused by this K becomes a problem.

先ず、第4図を参照して垂直偏向に関するビームスポッ
トの6ぼけ′の発生について考察する。
First, with reference to FIG. 4, the occurrence of 6' blurring of the beam spot in relation to vertical deflection will be considered.

今、図のよ5に、相対向する静電偏向板(lla)及び
(llb)間に、その軸心O−0′上に電子ビームbが
到来し、両側向板(lla)及び(llb)による静電
偏向系の入口側におけるこのビームスポットの断面Sp
が図示のような半径riの円形断面を有し、前述した電
子銃(7)の電子レンズによってフォーカシングされつ
つ到来する状態についてみる。この場合、両側向板(l
la)及び(11b)にカソード電位に対して所定の正
の同電位子Vが与えられて両者間圧偏向電圧が与えられ
ない無偏向状態では、同図中破線図示のように、ビーム
bは軸心O−0′上を進行する。今、この時の蛍光面(
3)の入射側で、偏向板(lla)及び(llb)から
の距離りにおける軸心o −o’と直交する面fIでの
ビームスポット5PICをみると、このスポラ) 5P
ICは、はぼ円形となる。ところが今、例えば蛍光面(
3)の配置側とは反対側の偏向板(lla) Kカソー
ドに対し正の電位が与えられ、更に、偏向板(llb)
に偏向板(lla)に対し、正の偏向電圧子vDが与え
られた場合を考えると、これら偏向板(lla)及び(
llb)間を通るビームbは、両側向板(lla)及び
(llb)の電位差に対応して、偏向板(lla)とこ
れとは反対側とでは、その電子の軸心O−0′方向の各
速度va及びvbが相違し、この例ではVa < vb
となり、この速度の相違によって、偏向板(lla)に
近い方と遠い方とでは、偏向板(lla)及び(llb
)間の電位差VDに基く垂直静電偏向の受は易さに差が
生じる。
Now, as shown in Figure 5, an electron beam b arrives on the axis O-0' between the electrostatic deflection plates (lla) and (llb) facing each other, and ) of this beam spot on the entrance side of the electrostatic deflection system Sp
Let us consider a state in which the electron beam has a circular cross section with a radius ri as shown in the figure, and arrives while being focused by the electron lens of the electron gun (7) described above. In this case, both side plates (l
In an undeflected state where a predetermined positive isopotential V is applied to la) and (11b) with respect to the cathode potential and no deflection voltage is applied between them, beam b is Proceeds on the axis O-0'. At this moment, the fluorescent screen (
Looking at the beam spot 5PIC on the plane fI perpendicular to the axis o-o' at the distance from the deflection plates (lla) and (llb) on the incident side of 3), this spora) 5P
The IC has a nearly circular shape. However, now, for example, fluorescent screens (
A positive potential is applied to the deflection plate (lla) K cathode on the side opposite to the arrangement side of 3), and the deflection plate (llb)
Considering the case where a positive deflection voltage vD is applied to the deflection plate (lla), these deflection plates (lla) and (
The beam b that passes between the deflection plate (lla) and the opposite side corresponds to the potential difference between the two side plates (lla) and (llb), and the beam b passes between the deflection plate (lla) and the opposite side in the direction of the axis O-0' of the electron. The respective speeds va and vb of are different, and in this example, Va < vb
Due to this difference in speed, the deflection plates (lla) and (llb) are closer to and farther from the deflection plate (lla).
) There is a difference in the ease with which vertical electrostatic deflection is received based on the potential difference VD between the two electrodes.

すなわち、この場合は、偏向板(lla)に近い方を通
る電子の方が、偏向板(llb) K近い方を通る電子
より偏向を受は易く、これが垂直静電偏向における、よ
り大きな″はけ”を発生させることになる。今、無偏向
状態で、面fIにおけるビームスボッ) 5PICの、
蛍光面(3)と直交する方向の幅をNとするとき、偏向
板(lla)及び(nb)間に前述した+■Dの偏向電
圧を与えたときの面fiにおけるビームスポット5PI
SO1同様に蛍光面(3)と垂直方向の幅はN+ΔNV
となり、いわゆる”ぼけ”で与えられる。ここに8は、
両側向板(lla)’及び(llb)開の間隔、iは偏
向板(lla)及び(llb)の長さ、Lは偏向板(1
1a)及び(llb)と面f)との間の間隔である。こ
のスポラ) 8PISによる蛍光面(3)上でのスポラ
) 5pssは、その入射角θ(蛍光面(3)に対する
ビームの入射方向の、蛍光面(3)K対する垂線とのな
す角)がθキ0°であるため罠、蛍光面(3)における
スポット5PSSは更にその歪が大となるものであり、
この蛍光面(3)におけるスポラ) 5pssの垂直走
査方向に関する″はけ”の量は、 として与えられる。
That is, in this case, electrons passing closer to the deflection plate (lla) are more easily deflected than electrons passing closer to the deflection plate (llb) K. This will result in the occurrence of Now, in an undeflected state, the beam beam at the plane fI) of 5PIC,
When the width in the direction orthogonal to the phosphor screen (3) is N, the beam spot 5PI on the plane fi when the above-mentioned deflection voltage of +■D is applied between the deflection plates (lla) and (nb)
Similar to SO1, the width in the vertical direction to the fluorescent screen (3) is N+ΔNV
This is given by the so-called "blur". Here 8 is
The distance between the two side plates (lla)' and (llb), i is the length of the deflection plates (lla) and (llb), and L is the distance between the deflection plates (lla) and (llb).
1a) and (llb) and the plane f). This spora) 5 pss on the phosphor screen (3) due to 8 PIS is such that the incident angle θ (the angle between the direction of incidence of the beam on the phosphor screen (3) and the perpendicular to the phosphor screen (3) K) is θ. Since the angle is 0°, the distortion of spot 5PSS on the trap and fluorescent screen (3) is even greater.
The amount of "brush" in the vertical scanning direction of 5 pss on this phosphor screen (3) is given as follows.

尚、実際上、蛍光面(3)に対するビームの7オーカシ
ングは、近軸光の密度が高い部分で主たるスポットを形
成して明るいスポットを蛍光面(3)で得ることかでき
るいわゆる最小錯乱円か得られるようなややオーバーフ
ォーカスで調整されるものであるが、この場合蛍光面(
3)におけるビームスボッ) 5pssは、第4図に示
すように、中央で明るく、周辺特に垂直走査方向に裾が
広がった形状のスポットとなるものであり、この裾が画
像のノイズレベルを高めることになり、解像度の低下を
来すことになる。
In fact, the beam focusing on the phosphor screen (3) is based on the so-called circle of least confusion, which allows a bright spot to be obtained on the phosphor screen (3) by forming the main spot in the area where the density of paraxial light is high. It is adjusted to slightly overfocus like the one obtained, but in this case, the phosphor screen (
As shown in Figure 4, the beam spot in 3) 5 pss is a spot that is bright in the center and has a wide tail at the periphery, especially in the vertical scanning direction, and this tail increases the noise level of the image. This results in a decrease in resolution.

次に、水平偏向圧ついて、第5図を参照して考察する。Next, horizontal deflection pressure will be discussed with reference to FIG.

この水平偏向は、前述したように、内部ポールピース兼
偏向板(lla)及び(llb)を、磁極として両者間
の磁界によってその偏向を行わせるものであるが、今、
第4図におけると同様の電磁偏向系の入口側においてス
ポットSPを有する電子ビームbが軸心O−0′上で入
射する場合をみるK、内部ポールピース(lla)及び
(llb)間に偏向磁界が形成されない状態、すなわち
水平偏向がなされない状態では、ビームbは軸心0−0
′上を進行するが、そのフォーカス位置が点Z′でこれ
の偏向磁界の偏向中心からの距離がZであるとすると。
As mentioned above, this horizontal deflection is performed by using the internal pole pieces/deflection plates (lla) and (llb) as magnetic poles and by the magnetic field between them.
Figure 4 shows the case where an electron beam b having a spot SP is incident on the axis O-0' on the entrance side of an electromagnetic deflection system similar to that shown in Fig. 4. In a state where no magnetic field is formed, that is, no horizontal deflection, beam b has an axis of 0-0.
Suppose that the focus position is point Z' and the distance from the center of deflection of its deflection magnetic field is Z.

ポールピース(lla)及び(llb)間に水平偏向の
磁界(紙面と直交する方向の磁界)を与えた場合、ビー
ムbは、第5図中実線図示のように、そのフォーカス位
置z″は、その偏向中心からの距離は、距離Zより小と
なって、偏向中心を中心として半径Zで描く弧f■より
内側に位置する。第5図において点P1及びP2は、夫
々、ビームbの水平方向に関する左右各側線を通る電子
に関しての偏向軌跡の曲率中心で、λ1及びλ2は夫々
その偏向角を示す。また、Yl及びY2は、ポールピー
ス(11a)及び(llb)による偏向磁界の前端及び
後端の各位置を示す。上述したように無偏向状態と偏向
状態とでは、偏向中心からの7オ一カス位置が相違する
ことKよって、両者の上述した弧f[における水平方向
のスポット幅は、偏向状態でのビームスボッ) 5pa
sQ方が、無偏向状態のスポット幅より大となり、その
差ΔNHは、 ΔNH= (1180λ−1)Zθ ユλ2zθ/2       ・・・・・(3)で与え
られる。ここにθはビーム収束角、λはビームの偏向角
(λ1=λ2=λ)である。このように弧fnにおいて
、偏向状態のビームスポット5pnsの幅は、無偏向状
態のスポット幅より大となるΔNHの1ぼけ”の量が存
在するが、との′はけ”の量は、軸心O−0′と直交し
、例えば無偏向状態のビームが最小錯乱円をつくる面f
■では、より拡大され、この6はけ”の量は、偏向角λ
が最大となる水平方向の左右(第5図において上下)で
最も大となる。
When a horizontally deflecting magnetic field (magnetic field in the direction perpendicular to the plane of the paper) is applied between the pole pieces (lla) and (llb), the beam b has a focus position z'' as shown by the solid line in FIG. Its distance from the center of deflection is smaller than the distance Z, and it is located inside an arc f drawn with radius Z around the center of deflection.In FIG. At the center of curvature of the deflection locus for electrons passing through the left and right side lines regarding the direction, λ1 and λ2 indicate the deflection angles, respectively.Yl and Y2 are the front end and the deflection magnetic field due to the pole pieces (11a) and (llb), respectively. Each position of the rear end is shown.As mentioned above, the 7-occus position from the deflection center is different between the non-deflection state and the deflection state.Therefore, the horizontal spot width in the above-mentioned arc f[ is beam deflection in deflection state) 5pa
sQ is larger than the spot width in the non-deflected state, and the difference ΔNH is given by ΔNH=(1180λ−1)Zθ λ2zθ/2 (3). Here, θ is the beam convergence angle, and λ is the beam deflection angle (λ1=λ2=λ). In this way, in the arc fn, the width of the beam spot 5pns in the deflected state is larger than the spot width in the non-deflected state by an amount of 1" blur of ΔNH, but the amount of 'blind' between A plane f that is perpendicular to the center O-0' and where, for example, an undeflected beam forms a circle of least confusion
In ■, it is further expanded, and this amount of 6" is the deflection angle λ
is largest on the left and right sides of the horizontal direction (up and down in FIG. 5).

そして、このような垂直及び水平両方向の”ぼけ”は、
前述した垂直静電偏向と水平電磁偏向を同一位置で行う
ようにした扁平型陰極線管において、両者の1ぼけ″に
よる混合デフォーカスが生じる。すなわち、第6図に示
すように、内部ポールピース兼靜電偏向板(lla)及
び(llb)間の偏向系によって円形断面スポットSP
を有する電子ビームbが水平及び垂直偏向を受けて蛍光
面(3)のビーム入射側の水平方向に関する左または右
端に達する場合のスポットSP′をみると、スポットS
Pにおける水平方向の左右各端A及びBと、これと直交
する垂直方向の上下端C及びDは、蛍光面(3)におけ
るスポットSP′の各点A′及びB’、C’及びD′に
対応し、第4図で説明したビーム速度VB及びvbの相
違による回転が生じ且つ、前述した水平及び垂直偏向の
1ぼけ”によるA/B/方向に圧縮、C’D’方向に拡
大されて歪んだスポットとなる。このように、蛍光面(
3)の特にビーム入射側(画面下部)の特に左右におい
てビームスポットに著しい歪が生じ、これが著しい解像
度の低下を招来する。
This kind of "blur" in both the vertical and horizontal directions is
In a flat cathode ray tube in which vertical electrostatic deflection and horizontal electromagnetic deflection are performed at the same position, a mixed defocus occurs due to a 1" blur of both. In other words, as shown in FIG. A circular cross-section spot SP is created by the deflection system between the Seiden deflection plates (lla) and (llb).
Looking at the spot SP' when the electron beam b, which has a
The left and right ends A and B in the horizontal direction and the upper and lower ends C and D in the vertical direction perpendicular to these are the points A' and B', C' and D' of the spot SP' on the phosphor screen (3). Corresponding to this, rotation occurs due to the difference in beam velocities VB and vb explained in FIG. This results in a distorted spot.In this way, the fluorescent screen (
3) Significant distortion occurs in the beam spot, particularly on the left and right sides of the beam incidence side (lower part of the screen), which causes a significant drop in resolution.

そして、このような混合デフォーカスを取り除くKは、
前記(1)〜(3)弐によりて偏向系に入る電子ビーム
bのスポットSPの半径riを小さくしビーム速度Y3
及びvbの差を小さくするとが、収束角θをできるだけ
小さくするとか水平方向偏向角λを小さくするなどが考
えられる。しかしながらri及びθの縮小化は電子銃(
7)の主電子レンズから偏向系迄の距離を充分大とする
必要があり、管長が大となる欠点を招来し、更にビーム
電流を大きくするときは、必然的にこれらri及びθは
大となってしまう。また、偏向角λを小さくすることは
Then, K that removes such mixed defocus is
The radius ri of the spot SP of the electron beam b entering the deflection system is reduced by (1) to (3) 2 above, and the beam velocity Y3 is
In order to reduce the difference between and vb, it is possible to make the convergence angle θ as small as possible or to make the horizontal deflection angle λ small. However, the reduction of ri and θ is due to the electron gun (
7) It is necessary to make the distance from the main electron lens to the deflection system sufficiently large, which leads to the disadvantage of a large tube length. Furthermore, when the beam current is increased, these ri and θ inevitably become large. turn into. Also, to reduce the deflection angle λ.

同一の大きさの画面を得るに管長を大とすることが余儀
なくされ、この扁平型陰極線管の小型、軽軟化を阻害す
ることになる。
In order to obtain a screen of the same size, the tube length must be increased, which hinders the miniaturization and light softening of this flat cathode ray tube.

更にまた上述の扁平型陰極線管構成による場合、後段加
速型構成となるが、その第1の偏向系、すなわちターゲ
ット電極(6)と、対向電極(4)との間に形成される
偏向系において、そのターゲットを極(6)には、対向
電極(4)に比し高い電圧が印加されていることによっ
て、ここに到来する電子ビームはそのスポットにおいて
、対向電極(4)に近い方の側と、ターゲット電極(6
)に近い方の側とでは、加速される度合に差が生じ、対
向電極(4)K近い方がターゲラ)1極(6)に近い方
よりその速度が小さくなる。したがって、この対向電極
(4)K近い方の電子の方がターゲット電極(6)に近
い方のそれより、この第1の偏向系における蛍光面(3
)側に向わしめられる偏向を強く受ける。これがため電
子ビームはこの第1の偏向系によって管体の厚さ方向の
収束作用、すなわち蛍光面(3)上でのスポットに関し
ては、垂直方向に収束効果が生じることになる。そして
、この現象は、第1の偏向系における飛程距離が長いほ
ど、すなわち蛍光面(3)上の電子銃(7)より遠い方
に相当する蛍光面(3)の例えば上部側に向うビームは
ど顕著で、電子ビームは、オーバーフォーカスとなるた
めに、これによる蛍光面(3)上のビームスポットの6
ぼけ”も顕著となる。
Furthermore, in the case of the flat cathode ray tube configuration described above, it becomes a post-acceleration type configuration, but in the first deflection system, that is, the deflection system formed between the target electrode (6) and the counter electrode (4). , because a higher voltage is applied to the target pole (6) than to the counter electrode (4), the electron beam arriving here is directed to the side closer to the counter electrode (4) at that spot. and target electrode (6
), there is a difference in the degree of acceleration, and the speed on the side closer to the counter electrode (4)K is smaller than on the side closer to the single pole (6). Therefore, the electrons closer to the counter electrode (4)K are larger than the electrons closer to the target electrode (6) than the electrons closer to the fluorescent screen (3) in the first deflection system.
) is strongly deflected toward the side. Therefore, the electron beam is converged in the thickness direction of the tube by this first deflection system, that is, the spot on the phosphor screen (3) is converged in the vertical direction. This phenomenon becomes more pronounced as the range of the first deflection system is longer, that is, the beam is directed toward, for example, the upper side of the phosphor screen (3), which corresponds to the side farther from the electron gun (7) on the phosphor screen (3). Because the electron beam becomes overfocused, the beam spot on the phosphor screen (3) is
"Bokeh" also becomes noticeable.

本発明においては、上述したよ5に水平・垂直電磁偏向
手段が、電磁及び静電型の混合型構成を採る扁平型陰極
線管において、上述した″はけ”を回避するための手段
を特別に設けることなく或いはほとんど設けることなく
効果的にこの6ぼけ”の発生を回避できるようにした扁
平型陰極線管を提供するものである。
In the present invention, the horizontal/vertical electromagnetic deflection means is specially designed to avoid the above-mentioned "brush" in a flat cathode ray tube that has a mixed electromagnetic and electrostatic configuration. The object of the present invention is to provide a flat cathode ray tube that can effectively avoid the occurrence of this 6" blur without or with almost no provision.

すなわち、第4図で説明した静電偏向による1ぼけ”は
、つまるところその偏向系における電子ビームの垂直成
分の収束作用の結果である。また、それは水平成分の焦
点とのずれを意味する。
That is, the "1 blur" due to electrostatic deflection explained in FIG. 4 is ultimately the result of the convergence effect of the vertical component of the electron beam in the deflection system.It also means a shift from the focal point of the horizontal component.

したがって、電子レンズ系のフォーカス電圧を水平成分
で合わせると、垂直成分がオーバーフォーカス気味とな
る。したがって、これの補正は、垂直成分のみ発散させ
ればよいことになる。一方、第5図で説明した電磁偏向
ぼけは、電子ビームの水平成分の集束作用の結果である
。それはまた垂直成分の焦点のずれを意味する。したが
って、電子レンズ系のツーオーカス電圧を垂直成分で合
わせると水平成分がオーバー7オーカス気味となる。
Therefore, if the focus voltage of the electronic lens system is adjusted to the horizontal component, the vertical component tends to be overfocused. Therefore, to correct this, it is sufficient to diverge only the vertical component. On the other hand, the electromagnetic deflection blur explained in FIG. 5 is a result of the focusing effect of the horizontal component of the electron beam. It also means a vertical component defocus. Therefore, when the two-orcus voltage of the electron lens system is combined with the vertical component, the horizontal component becomes slightly over 7 orcuses.

したがって、これの補正は、水平成分のみ発散させれば
よいことになる。そして、第6図で説明した混合デフォ
ーカスにおけるビームの回転は、水平偏向角と、ビーム
の上下端の速度圧よって決まるものである。そしてその
補正方法は、上述したように水平成分、もしくは垂直成
分のフォーカス電圧のいずれかを基準にして他方を調整
すればよいことになる。
Therefore, to correct this, it is sufficient to diverge only the horizontal component. The rotation of the beam in the mixed defocus described in FIG. 6 is determined by the horizontal deflection angle and the velocity pressure at the upper and lower ends of the beam. As for the correction method, as described above, it is sufficient to use either the horizontal component or the vertical component focus voltage as a reference and adjust the other.

本発明は、水平成分のフォーカス1圧を基準にして垂直
成分に関するフォーカスを、偏向系を構成する対の偏向
板の電子ビームの入口側と、電子銃の最終段の高圧電極
、上述の例では第4グリツドG4との間で形成される非
対称2次元静電レンズの効果によって行う。このよう忙
、水平成分のフォーカス電圧を基準にするのは、この2
次元静電レンズは、この第2の偏向系における静電偏向
板の配置面方向には殆んどレンズ効果がなく、シたがっ
て水平方向成分のフォーカス作用を受けにくいことに基
く。
The present invention focuses on the vertical component based on the focus voltage of the horizontal component on the electron beam entrance side of the pair of deflection plates constituting the deflection system, and on the high-voltage electrode at the final stage of the electron gun. This is done by the effect of an asymmetric two-dimensional electrostatic lens formed between the fourth grid G4 and the fourth grid G4. In this way, the focus voltage of the horizontal component is used as the reference.
The dimensional electrostatic lens is based on the fact that there is almost no lens effect in the direction of the plane in which the electrostatic deflection plate is arranged in this second deflection system, and therefore it is difficult to receive the focusing effect of the horizontal component.

すなわち、本発明による扁平型陰極線管は、構造的には
第1図ないし第3図で説明した陰極線管とほぼ同様の構
造を採り得るが、特に、その電子銃の最終段の高圧電極
、例えば第4グリツドG4電圧と、第2の偏向系におけ
る静電偏向系を構成する偏゛向板との電圧関係を特定す
る。
That is, the flat cathode ray tube according to the present invention can have a structure that is almost the same as the cathode ray tube explained in FIGS. The voltage relationship between the fourth grid G4 voltage and the deflection plate constituting the electrostatic deflection system in the second deflection system is specified.

第7図は本発明による扁平型陰極線管の要部の電極配置
構成を示し、第1図ないし第3図に説明した部分と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
FIG. 7 shows the electrode arrangement of essential parts of a flat cathode ray tube according to the present invention, and parts corresponding to those explained in FIGS. 1 to 3 are designated by the same reference numerals and redundant explanation will be omitted.

本発明においては、蛍光面(3)、すなわちターゲラ)
[極(6)に、高圧vHを印加し、対向電極(4)にこ
の高圧vHよりは低い高圧VRHを印加する。また、第
2の偏向系の対向電極(4)と同一側に配置される偏向
板(11a )と電極(4)とを例えば電気的に連結し
てこの偏向板(lla)に固定電圧VRHを与える。
In the present invention, the fluorescent screen (3), i.e., targetera)
[A high voltage vH is applied to the pole (6), and a high voltage VRH lower than this high voltage vH is applied to the counter electrode (4). Further, for example, the deflection plate (11a) and the electrode (4) arranged on the same side as the counter electrode (4) of the second deflection system are electrically connected, and a fixed voltage VRH is applied to the deflection plate (lla). give.

また、他方の偏向板(llb)に、偏向板(lla) 
K与えた固定電圧VRHに垂直偏向信号電圧と、更に、
水平走査周期に同期した垂直偏向のダイナミック補正信
号電圧とを重畳した電圧を印加する。そして、フォーカ
ス電極、図示の例では第3グリツドG3に、直流フォー
カス電圧に垂直走査周期に同期したダイナミック補正信
号電圧を重畳した電圧を供給する。そして、電子銃(7
)の最終段の高圧電極、図示の例では第4グリツドG4
に印加する電圧VG4を、対向電極(4)と並置する側
の偏向板(11a)への印加電圧Vda (図示の例で
はVda = VRH)との比か に選定する。
In addition, a deflection plate (lla) is attached to the other deflection plate (llb).
A vertical deflection signal voltage is added to the fixed voltage VRH given by K, and further,
A voltage superimposed with a vertical deflection dynamic correction signal voltage synchronized with the horizontal scanning period is applied. Then, a voltage obtained by superimposing a dynamic correction signal voltage synchronized with the vertical scanning period on the DC focus voltage is supplied to the focus electrode, in the illustrated example, the third grid G3. And the electron gun (7
), the fourth grid G4 in the example shown.
The voltage VG4 applied to the polarizing plate (11a) is selected to be a ratio of the voltage Vda (Vda=VRH in the illustrated example) applied to the deflecting plate (11a) on the side juxtaposed with the counter electrode (4).

本発明の理解を容易にするために、第8図ないし第13
図を参照して電子ビームのフォーカス態様についてみる
。第8図〜第13図の各a図は、電子ビームbの飛翔状
態を示す図で、各す図はこの電子ビームbの特に電子銃
の最終段の電極G4と偏向板(llsi)及び(llb
)とによって形成される“2次元電子レンズによるレン
ズ作用を示す図である。尚、図においてV、は、この2
次元電子レンズに入射するビームbの中心における速度
を示し。
In order to facilitate understanding of the present invention, FIGS.
Let's look at the focus mode of the electron beam with reference to the figure. Each figure a in FIGS. 8 to 13 is a diagram showing the flight state of the electron beam b, and each figure shows the electron beam b, especially the final stage electrode G4 of the electron gun, the deflection plate (llsi), and the ( llb
) is a diagram showing the lens action of a two-dimensional electron lens formed by
Denote the velocity at the center of the beam b incident on the dimensional electron lens.

va及びvbは、夫々このビームbの、偏向板(tta
)側及び偏向板(llb)側を通る電子の同様や速度を
示す。また各す図におけるEa及びEbは、夫々この2
次元電子レンズ系において偏向板(lla)及び(ll
b)側を通る速度vB及びvbをもった電子が受ける電
界を示し、va′及びvb′は、各速度va及びvbを
有する電子が、電界Ea及びBbによって偏向された後
の各速度を示す。そして、第1の偏向系を形成するター
ゲラ)[極(6)及び対向電極(4)のIE 圧VH及
ヒVRHヲ夫k VH= 8kV 、 VRH= 6.
25kVとした場合である。
va and vb are the deflection plates (tta
) side and the deflection plate (llb) side. In addition, Ea and Eb in each figure are these two
In a dimensional electron lens system, deflection plates (lla) and (ll
b) indicates the electric field experienced by electrons with velocities vB and vb passing through the sides, va' and vb' indicate the respective velocities of electrons with respective velocities va and vb after being deflected by the electric fields Ea and Bb . Then, the voltage VH and VRH of the pole (6) and the counter electrode (4) forming the first deflection system are VH = 8kV, VRH = 6.
This is the case when the voltage is 25kV.

先ず第8図ないし第10図を参照して蛍光面(3)の%
電子銃に近い方、すなわち、例えば蛍光面(3)の下部
側に電子ビームbをランディングさせる場合についてみ
る。これらの例では、偏向板(lla)への印加電圧V
daを対向電極(4)と同電位VRH、すなわち6.2
skVとし、偏向板(llb)にvRH+ Vdef=
 6.35kVを与え第3グリツドG3すなわちフォー
カス電極に1.32kVを印加した場合である。すなわ
ち、これら第8図、第9図及び第10図においては、電
子ビームbを蛍光面(3)の下部側に向わしめるも、相
互に第1及び第2の偏向系の状態を一定にして、第4グ
リツドG4への印加電圧VG4のみを夫々変えて、この
第4グリツドG4と偏向板(lla)及び(llb)に
よる非対称2次元レンズを変えた場合である。第8図は
、第4グリツドG4への印加電圧VG4を偏向板(ll
a)への印加電圧Vda(この例ではVda =VRH
) ヨリ大キイ6.35kvトして■G4/Vda >
 1とした場合である。第9図はVG4をVdaより低
い6.20kVとしてVG’/Vda ”−0,99ト
した場合である。また第10図は、VG4をVdaよす
充分低イ5.QlcvとしテVG4/Vda = 0.
96とした場合である。
First, with reference to Figures 8 to 10, determine the percentage of the fluorescent screen (3).
Let us consider the case where the electron beam b is landed closer to the electron gun, that is, for example, on the lower side of the phosphor screen (3). In these examples, the applied voltage V to the deflection plate (lla)
da to the same potential VRH as the counter electrode (4), i.e. 6.2
skV, and the deflection plate (llb) has vRH+ Vdef=
This is a case where 6.35 kV is applied and 1.32 kV is applied to the third grid G3, that is, the focus electrode. That is, in FIGS. 8, 9, and 10, although the electron beam b is directed toward the lower side of the phosphor screen (3), the states of the first and second deflection systems are kept constant. This is a case where only the applied voltage VG4 to the fourth grid G4 is changed to change the asymmetric two-dimensional lens formed by the fourth grid G4 and the deflection plates (lla) and (llb). FIG. 8 shows how the voltage VG4 applied to the fourth grid G4 is applied to the deflection plate (ll
a) Applied voltage Vda (in this example, Vda = VRH
) Turn large key 6.35kv ■G4/Vda >
This is the case where it is set to 1. Figure 9 shows the case where VG4 is set to 6.20kV, which is lower than Vda, and VG'/Vda is set to -0.99.Furthermore, Figure 10 shows the case where VG4 is set to 5.Qlcv, which is sufficiently low to raise Vda. = 0.
This is the case where it is set to 96.

これらを比較して明らかなように、第8図の場合では電
子ビームbが偏向板(lla)側で減速されその速度v
aが小さくなり、さらに、ここに形成される2次元電子
レンズによる電界Eaにより偏向を受けるが、偏向板(
llb)側の電子に関しては、その速度vbはvaより
大で且つここにおける2次元電子レンズによる電界Eb
は、Eaに比して小さいのでその偏向は小さい。したが
って、この場合、この2次元電子レンズ系によって電子
ビームは垂直偏向方向に関して強い収束効果が生じビー
ムbは第f3−a図に示されるようにオーバーフォーカ
スとなって蛍光面(3)上で6ぼけ”が生じる。これに
比し、第10図の場合は、電子ビームbの、偏向板(l
la)側の電子がこれに作用する2次元電子レンズの電
界Eaによって受ける偏向が、偏向板(llb)側の電
子に作用する電界Ebによって受ける作用より小さいた
めに、この2次元電子レンズによってビームは、垂直方
向に関して実質的に強い発散作用が生じ結果的に第10
−a図に示すようにアンダーフォーカスとなり、この場
合においても蛍光面(3)上でビームスポットはぼける
。ところが第9図の場合は2次元電子レンズ系で、垂直
方向に弱い発散効果が得られ、これが前述した蛍光面上
における1はけ”の発生の一因となっている第2の偏向
系における収束作用を緩和させるに到り、第9−a図の
ように電子ビームbが蛍光面(3)上で丁度よいフォー
カス状態を得る結果を得ているものである。
As is clear from comparing these, in the case of FIG. 8, the electron beam b is decelerated on the deflection plate (lla) side, and its velocity v
a becomes small and is further deflected by the electric field Ea generated by the two-dimensional electron lens formed here, but the deflection plate (
Regarding the electrons on the llb) side, their velocity vb is greater than va, and the electric field Eb due to the two-dimensional electron lens here
Since Ea is smaller than Ea, its deflection is small. Therefore, in this case, the electron beam has a strong convergence effect in the vertical deflection direction due to this two-dimensional electron lens system, and the beam b becomes overfocused as shown in Figure f3-a and reaches 6. In contrast, in the case of FIG. 10, the deflection plate (l) of the electron beam b
Since the deflection that the electrons on the la) side receive from the electric field Ea of the two-dimensional electron lens that acts on them is smaller than the effect that they receive from the electric field Eb that acts on the electrons on the deflection plate (llb) side, the beam is deflected by the two-dimensional electron lens. , there is a substantially strong divergence effect in the vertical direction, resulting in the 10th
As shown in Figure 1-a, underfocus occurs, and in this case as well, the beam spot becomes blurred on the fluorescent screen (3). However, in the case of Figure 9, the two-dimensional electron lens system produces a weak divergence effect in the vertical direction, and this is one of the reasons for the occurrence of the 1-boke on the phosphor screen mentioned above. By relaxing the convergence effect, the electron beam b can be brought into just the right focus state on the phosphor screen (3) as shown in FIG. 9-a.

次K、第11図ないし第13図を参照して蛍光面(3)
の、電子銃に遠い方、すなわち、例えば蛍光面(3)の
上部側に電子ビームbをランディングさせる場合につい
てみる。これらの例においても偏向板(lla)への印
加電圧VdaをVRHlすなわち6.25kVトシ、f
li向板(llb) K VRH−0,25kV (7
) 6.OkV ヲ与え第3グリツドG3 、すなわち
フォーカス電極に1、akV 、 t、3skV 、 
t3okV ヲ印7+o L タ場合テアル。これら第
11図、第12図及び第13図においても、電子ビーム
bは蛍光面(3)の上部側罠向わしめるものの、相互に
第1及び第2の偏向系の状態を一定にして、第4グリツ
ドG4への印加電圧VG4を夫夫変えて、この第4グリ
ツドG4と偏向板(lla)及び(llb)による非対
称2次元レンズを変えた場合である。第11図は、第4
グリツドG4への印加電圧VG4を偏向板(lla)へ
の印加電圧Vda(この例ではVda = VRH)よ
り大きイ6.35kVトシテvG4/Vda〉1トシタ
場合テアル。第12図ハvG4ヲvdaヨリ低イ6,2
0kvトしテvG4/Vda ”−0,99とした場合
である。また第13図は、VO2をVdaよ’ll充分
レイ6.0kVしてvG4/Vda # 0.96 ト
した場合である。
Next K, referring to Figures 11 to 13, fluorescent screen (3)
Let us consider the case where the electron beam b is landed on the side far from the electron gun, that is, for example, on the upper side of the phosphor screen (3). In these examples, the voltage Vda applied to the deflection plate (lla) is set to VRHl, that is, 6.25 kV, f
Li facing plate (llb) K VRH-0,25kV (7
) 6. 1, akV, t, 3skV, to the third grid G3, i.e. the focus electrode
t3okV woin7+oL ta case. 11, 12, and 13, although the electron beam b is directed toward the upper side of the phosphor screen (3), the states of the first and second deflection systems are kept constant, This is a case where the voltage VG4 applied to the fourth grid G4 is changed to change the asymmetric two-dimensional lens formed by the fourth grid G4 and the deflection plates (lla) and (llb). Figure 11 shows the fourth
If the voltage VG4 applied to the grid G4 is 6.35 kV greater than the voltage Vda applied to the deflection plate (LA) (Vda = VRH in this example), then vG4/Vda>1. Figure 12: vG4, vda, low ai 6,2
0kV and vG4/Vda ''-0.99. Fig. 13 shows the case where VO2 is set to Vda by 6.0kV and vG4/Vda is set to 0.96.

この場合、第11図の場合では、電子ビームbが偏向板
(llb)側で減速されその速度vbが小さくなり、さ
らKここに形成される2次元電子レンズによる電界Eb
により偏向を受けるが、偏向板(lla)側の電子に関
しては、その速度vaはvbより大で且つここにおける
2次元電子レンズによる電界Eaは、Eb K:比して
小さいのでその偏向は小さい。したがって、この場合、
この2次元電子レンズ系によって電子ビームbは垂直偏
向方向に関して強い収束効果が生じビームbは第11−
a図に示されるようにオーバーフォーカスとなって蛍光
面(3)上で”ぼけ”が生じる。これに比し、第13図
の場合は、電子ビームbの偏向板(llb)側の電子が
これに作用する2次元電子レンズの電界Ebによって受
ける偏向が、偏向板(lla)側の電子に作用する電界
Eaによって受ける作用より小さいために、この2次元
電子レンズによってビームは、垂直方向に関して実質的
に強い発散作用が生じ結果的に第13−a図に示すよう
にアンダー7オーカスとなり、この場合においても蛍光
面(3)上でビームスポットはぼける。ところが第12
図の場合は2次元電子レンズ系で、垂直方向に弱い発散
効果が得られ、これが、前述した蛍光面上部における″
はけ”の発生の一因となっている第1の偏向系における
収束作用を緩和させるに到り、第12−a図のよ5に電
子ビームbが蛍光面(3)上で丁度よいフォーカス状態
とする結果を得ているものである。
In this case, in the case of FIG. 11, the electron beam b is decelerated on the deflection plate (llb) side, its velocity vb becomes small, and the electric field Eb due to the two-dimensional electron lens formed here
However, the electrons on the deflection plate (lla) side have a velocity va greater than vb, and the electric field Ea due to the two-dimensional electron lens here is smaller than Eb K:, so the deflection is small. Therefore, in this case,
This two-dimensional electron lens system causes a strong convergence effect on the electron beam b in the vertical deflection direction, and the beam b
As shown in Figure a, overfocus occurs and "blur" occurs on the phosphor screen (3). In contrast, in the case of FIG. 13, the electrons on the deflection plate (lla) side of the electron beam b are deflected by the electric field Eb of the two-dimensional electron lens acting on them, and the electrons on the deflection plate (lla) side are Since the effect is smaller than that exerted by the acting electric field Ea, the beam undergoes a substantially strong diverging effect in the vertical direction due to this two-dimensional electron lens, resulting in an under-7 orcus as shown in Figure 13-a. Even in this case, the beam spot becomes blurred on the fluorescent screen (3). However, the 12th
In the case shown in the figure, a two-dimensional electron lens system produces a weak divergence effect in the vertical direction.
In order to alleviate the convergence effect in the first deflection system, which is one of the causes of "brushing", the electron beam b can be brought into just the right focus on the phosphor screen (3) as shown in Figure 12-a. This is what you are getting and what you are getting.

このように第9図及び第12図に示される両状態が満足
されれば蛍光面(3)の上下域を含めてラスター全域に
渡って、水平及び垂直に関して良好なフォーカスを行い
得ることKなる。そして、実験事実から第4グリツドG
4への印加電圧VG4と画調向板(lla)及び(ll
b)の電圧Vda及びVdbとは、画面下部を走査する
ときは、 Vdb > Vda ’:2 VO2”・(5)画面上
部を走査するときは、 vdb < VO2<Vda    ・” ・・(6)
に選定すればよいことが確認された。
In this way, if both the conditions shown in FIGS. 9 and 12 are satisfied, good horizontal and vertical focusing can be achieved over the entire raster area, including the upper and lower regions of the phosphor screen (3). . From the experimental facts, the fourth grid G
4 and the applied voltage VG4 to the image direction plate (lla) and (ll
The voltages Vda and Vdb in b) are as follows: When scanning the bottom of the screen, Vdb >Vda': 2 VO2''・(5) When scanning the top of the screen, vdb <VO2<Vda・''...(6)
It was confirmed that the selection should be made as follows.

第14図〜第19図中実線及び破線曲線は1画面の各部
に対する各走査状態における水平方向、及び垂直方向に
関する良好なフォーカス条件を得ることのできる第3グ
リッド電圧VG3−第4グリツド電圧VG4の測定結果
を示す。いずれの場合もVH= 8.0kV 、 Vd
a = VRH= 6.25kV トL、vctb −
6,35kVとした場合で、第14図、第15図、及び
第16図は夫々画面下部(電子銃に近い側)の右、左及
び中央部に対しての走査、第17図、第18図、及び第
19図は夫々画面上部(電子銃から遠い位置)の左、右
及び中央部に対しての走査状態を示すO これらによっても、対向電極(4)と並置する側の偏向
板(11a)への印加電圧Vdaが6.25kV近傍、
及びそれ以下で水平・垂直両方向に関して良好なフォー
カスを得ており、これより水平・垂直両方向に関して良
好なフォーカスを得るKは、前記(5)及び(6)式の
条件、したがってVO2<、 Vdaを満足させれば良
い。そして、両者の比VG4./’N’daは、0.9
7 <VG4/Vda<1    ・・・・・・(7)
に選ばれれば良いことが確められ、本発明においては、
この(7)式を満足するように選ばれる。
The solid and broken line curves in FIGS. 14 to 19 indicate the difference between the third grid voltage VG3 and the fourth grid voltage VG4, which can obtain good focus conditions in the horizontal and vertical directions in each scanning state for each part of one screen. The measurement results are shown. In either case, VH = 8.0kV, Vd
a = VRH = 6.25kV, vctb -
In the case of 6,35 kV, Figs. 14, 15, and 16 are scans for the right, left, and center portions of the lower part of the screen (the side near the electron gun), and Figs. 17 and 18 19 and 19 respectively show the scanning conditions for the left, right, and center portions of the upper part of the screen (position far from the electron gun). The applied voltage Vda to 11a) is around 6.25 kV,
and below, good focus is obtained in both the horizontal and vertical directions, and from this, the K that obtains good focus in both the horizontal and vertical directions is based on the conditions of equations (5) and (6) above, so VO2<, Vda. It's fine if you're satisfied. And the ratio of both is VG4. /'N'da is 0.9
7 <VG4/Vda<1 (7)
It has been confirmed that it is good if it is selected, and in the present invention,
It is selected so as to satisfy this equation (7).

尚、具体的構成においては、第20図に示すよ5に、蛍
光面(3)の電位vHを8.0 kVに選定し、偏向 
   □板(lla)及び第4グリツドq4を、対向電
極(4)のt圧vRHト同を圧トシテ■RH= 6.2
0〜6.25kVノ固定電位とし、蛍光面(3)(ター
ゲット電極(6))と対向電極(4)間の電界、すなわ
ち第1の偏向系の電界EをtokV/清とし、他方の偏
向板(llb) K垂直偏向信号電圧を印加した6、0
〜a+kVとし、第3グリツドG3の電位を1.25〜
1.38kVにおいてダイナミックフォーカス補正電圧
を与える。
In the specific configuration, as shown in FIG. 20, the potential vH of the phosphor screen (3) is selected to be 8.0 kV, and the
□ Plate (lla) and fourth grid q4 are pressed against the same t-pressure vRH of the counter electrode (4) ■RH = 6.2
The potential is fixed at 0 to 6.25 kV, the electric field between the fluorescent screen (3) (target electrode (6)) and the counter electrode (4), that is, the electric field E of the first deflection system is tokV/clear, and the other deflection Plate (llb) 6,0 with K vertical deflection signal voltage applied
~a+kV, and the potential of the third grid G3 is 1.25~
Apply dynamic focus correction voltage at 1.38 kV.

次に、電磁偏向による1ぼけ”の許容範囲についてみる
に、前記(3)式よりこの偏向ぼけは、偏向角λの2乗
に比例し、偏向中心からフォーカス点Z′までの半径Z
と集束角θの1乗に比例しているが、前記(3)式にお
いてλ2ZミWとし、このWの許容範囲を実験結果に基
いて求めた結果を表1に示す。尚、表Iにおいて比較例
として示すものは、第21図に示すように、第4グリツ
ドG4を偏向板(llb)と連結した場合で、これに比
し、本発明構成による場合、その許容値が高められてい
ることがわかる。
Next, looking at the allowable range of 1" blur due to electromagnetic deflection, from equation (3) above, this deflection blur is proportional to the square of the deflection angle λ, and the radius Z from the center of deflection to the focus point Z'
is proportional to the first power of the convergence angle θ, but in the above equation (3), λ2ZmiW is used, and the allowable range of this W was determined based on experimental results. Table 1 shows the results. Note that Table I shows a comparative example in which the fourth grid G4 is connected to a deflection plate (llb) as shown in FIG. It can be seen that the

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の説明に供する扁平型陰極線管の正面図
、第2図はその一部を断面とした側面図、第3図はその
電極配置構成図、第4図ないし第6図はその偏向はけの
説明図、第7図は本発明による陰極線管の一例の電極構
成図、第8図ないし第13図は夫々本発明の説明に供す
る電子ビームの光路図、第14図ないし第19図はフォ
ーカス条件の説明図、第20図及び第21図は夫々本発
明による陰極線管の一例及び比較例の具体的構成図であ
る。 (1)は扁平管体、(3)は蛍光面、(4)は対向電極
、(6)はターゲット電極、(7)は電子銃、(8)は
偏向手段、(lla)及び(llb)は内部ポールピー
ス兼静電偏向板である。 第4図 第5図 P。 第6図 第9−a図 第9−b図
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a front view of a flat cathode ray tube used for explaining the present invention, FIG. 2 is a partially sectional side view, and FIG. 3 is a configuration diagram of the electrode arrangement. 4 through 6 are explanatory diagrams of the deflection brush, FIG. 7 is an electrode configuration diagram of an example of a cathode ray tube according to the present invention, and FIGS. 8 through 13 are respectively illustrations of optical paths of electron beams used to explain the present invention. 14 to 19 are explanatory diagrams of focus conditions, and FIGS. 20 and 21 are concrete configuration diagrams of an example of a cathode ray tube according to the present invention and a comparative example, respectively. (1) is a flat tube, (3) is a fluorescent screen, (4) is a counter electrode, (6) is a target electrode, (7) is an electron gun, (8) is a deflection means, (lla) and (llb) is an internal pole piece and electrostatic deflection plate. Figure 4 Figure 5 P. Figure 6 Figure 9-a Figure 9-b

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 扁平管体内にその′厚さ方向に関して対向する蛍光面と
対向電極とが設けられて両者間に第1の偏向系が形成さ
れ、該第1の偏向系に対向して上記蛍光面の面方向に沿
って延長して電子銃が配置され、該電子銃と上記第1の
偏向系との間に、上記蛍光面に対する電子ビームの水平
・垂直走査偏向をなす電磁偏向及び静電偏向による第2
の偏向系が形成され、該第2の偏向系は、上記電子銃か
ら発射され、上記第1の偏向系に向5電子ビームの通路
を挾んで上記蛍光面と上記対向電極と並置するように配
置されて互いに対向する対の内部ポールピース兼静電偏
向板を具備し、線対の内部ポールピース兼静電偏向板間
に偏向電界と偏向磁界が形成されるよ5になされ、上記
電子銃の最終段の高圧電極の電圧VG4と、上記対向電
極と並置する側の上記内部ポールピース兼靜電偏向板の
電圧Vdaとの比が、vG4/Vdaが0.97 <V
G4/Vda <”に選ばれて成る扁平型陰極線管。
A phosphor screen and a counter electrode that face each other in the thickness direction are provided in the flat tube, and a first deflection system is formed between the two, and a phosphor screen that faces the first deflection system in the plane direction of the phosphor screen is provided. An electron gun is disposed extending along the phosphor screen, and between the electron gun and the first deflection system, a second deflection system is formed by electromagnetic deflection and electrostatic deflection for horizontal and vertical scanning deflection of the electron beam with respect to the phosphor screen.
A deflection system is formed, and the second deflection system is juxtaposed with the fluorescent screen and the counter electrode across the path of the electron beam emitted from the electron gun and directed toward the first deflection system. The electron gun is provided with a pair of internal pole pieces and electrostatic deflection plates arranged to face each other so that a deflection electric field and a deflection magnetic field are formed between the pair of internal pole pieces and electrostatic deflection plates. The ratio between the voltage VG4 of the high-voltage electrode at the final stage and the voltage Vda of the internal pole piece and static deflection plate on the side juxtaposed with the counter electrode is vG4/Vda 0.97 <V
A flat cathode ray tube selected for G4/Vda<''.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62246870A (en) * 1986-02-04 1987-10-28 ケネコツト・コ−ポレ−シヨン Melt casting refractories and manufacture

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62246870A (en) * 1986-02-04 1987-10-28 ケネコツト・コ−ポレ−シヨン Melt casting refractories and manufacture

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