JPS5955433A - Fine pattern conductor - Google Patents

Fine pattern conductor

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JPS5955433A
JPS5955433A JP16500782A JP16500782A JPS5955433A JP S5955433 A JPS5955433 A JP S5955433A JP 16500782 A JP16500782 A JP 16500782A JP 16500782 A JP16500782 A JP 16500782A JP S5955433 A JPS5955433 A JP S5955433A
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JP
Japan
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pattern
relief
film
substrate
conductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP16500782A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunio Shimizu
邦夫 清水
Akiyoshi Mizuno
水野 晶好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd, Asahi Kasei Kogyo KK filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP16500782A priority Critical patent/JPS5955433A/en
Publication of JPS5955433A publication Critical patent/JPS5955433A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a large current value with a high density wiring, by forming a thick film pattern made of a photopolymerizable material on a conductive substrate, electrodepositing a conductor, removing the conductive substrate, and forming a thick film fine pattern conductor having rectangular section and a specified thickness or more. CONSTITUTION:A photopolymerizable compsn. layer 5 contg. a photopolymn. initiator having a low absorption coefft. is formed on the conductive substrate 3 made of Al or Zn or the like, a mask 6 having a desired pattern is brought into contact with the layer 5 by the medium of a PP film 9, exposed 7, and developed to remove the unexposed parts with a developing soln. 8, forming a thick film fine pattern 4 rectangular in the section. Then, the conductor 10 is formed between the pattern 4 by copper plating using the substrate 3 as an electrode. An insulating film 12 made of a polyimide film or the like is stuck with pressure and heating using a phenol resin-nitrile rubber type adhesive 11 or the like. The substrate 3 is etched off, and further, the pattern 4 is removed to obtain a fine pattern having a rectangular section and >=20mum height. As a result, a high-density wiring and a large current value are obtained.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は高密111[u配線で比較的大きな宜汗、値を
イ↓ることが出来るパターン導電体に係り、更にnηし
くに互いに隣接する元J「台紐酸物製のレリーフと導を
性基板とにより4t¥成されろパターン部分に勇′Lセ
1体を1「蓋形成し1こ後で該導′屯性基板を除去して
作成し1こ厚膜ファインパターン導電体の前「1)シレ
リーフty> 2B面形状かはy矩形でありかつレリー
フの高さが20μ以上であり史にこのレリーフを構成す
る光重合性組成物の光重合開始ハリの吸光係数が励起波
長域において比較的小さいことを特徴としfこファイン
パターン導電体に関丁2−ものである。 ?、T−米のフォトレジストやスクリーン印刷技術を利
用し1こファインパターン加工ではル゛A J’iに限
界があり、第1図に示す如(基板1−Fに+1<成され
1こレリーフ2の篩さ11は10μ以下であり、又一部
には60〜50μの厚膜レジストもあるが、この場合に
はレリーフ2の断面寸法σ月Tl aど高さhとの比は
1/1がJ′ケ小であり、通常はレリーフ2の1わaは
レジスト膜厚(レリーフ20高さ11に相当)以下であ
つ1こ。史に凸版印刷用版Iのレリーフ2′は第2図に
示す如く印刷時に力が加わった時の変形を防ぐ1こめに
富士型の断面形状火イ1しており、このものは+IIf
i接1−るレリーフとの間隔がf部に於て接近してい1
こ。従ってこれ等の従来のパターン導電体はレリーフ巾
に対してレリーフ高さの高いかつ101面形状が矩形状
を有し1こ厚膜4ファインパターンが得られない為に篩
性能及び小ノ1す化欠すy;P、される各種電子部品等
には使用することが出−,41,ない欠点があつ1こ。 本発明は従来の之等の欠点に鑑み開発しTこ全(新規な
技術であって、特に巾に比較して高さが高くかつ断面形
状かはg矩形のレリーフf?:持つ1こ厚膜ファインパ
ターン導電体に関するもので、!7.ろ。 本発明は上述のパターン導電体ケIEト6為に感光性樹
脂組成物の中で、特に活性光肪の照5ト1により光重合
皮lちを起こし、光硬化しlθ状から1、)]状となる
か又は各種溶剤に対するf:解性がδに少てろ%件?持
つ1こ光重合性組成物ケ便用シ、1、−0一般の感光(
′を樹脂組成物の内でもフォトレジストとして良く用い
られる光二重駁化組成物、ジアゾ糸組成物、光”J (
R性IJI酸物寺は厚膜を硬化さ一忙ることか浦かしく
、前述の!IIIぎ本発明の厚)1qフアインパターン
を811造−[る為に用いることは困帷である。 木兄四階ら&j仙々検討し1こ結果、光f「合性組成物
の5ら特定の)Y:、ilc合開合剤始剤い1こものに
よりレリーフll K対してレリーフ高さが高くかつレ
リーフの断面かはy矩形のものが得られることを見い出
し、本発明ケ完lidさせ1こ。丁/、Cわ1)、本発
明は光重合4′トχ11成物に必須成分として加えられ
る元止合開始削のりも、比較的吸光係数の小、)いべ、
のを用い1こ光重合性組成物を用いることにより達成で
きること化W八・出し1こものである。光11
The present invention relates to a patterned conductor capable of achieving relatively large conductivity and conductivity in high-density 111[u wiring, and furthermore, the present invention relates to a patterned conductor capable of achieving relatively large conductivity and conductivity in high-density 111[u wiring], and furthermore, the conductor is Form a lid on the patterned portion of the substrate, and then remove the conductive substrate. 1) The relief coefficient of the photopolymerization initiation stiffness of the photopolymerizable composition constituting this relief is compared in the excitation wavelength range. It is characterized by its small size and is one of the most important materials for fine pattern conductors. As shown in FIG. In this case, the ratio of the cross-sectional dimension σ of the relief 2 to the height h is 1/1, which is J′ smaller, and usually 1 wa of the relief 2 is the resist film thickness (relief 20 height 11). The relief 2' of the letterpress printing plate I has a Fuji-shaped cross-sectional shape to prevent deformation when force is applied during printing, as shown in Figure 2. Yes, this one is +IIf
The distance between the relief and the i contact 1 is close at the f part.
child. Therefore, these conventional patterned conductors have a high relief height relative to the relief width and have a rectangular 101 face shape, making it difficult to obtain a 4-thick film with a 4-fine pattern. It cannot be used for various electronic parts etc. that undergo deformation or deterioration.There is one drawback. The present invention was developed in view of the drawbacks of the conventional technology. 7. The present invention relates to a film fine patterned conductor, and the present invention is a photosensitive resin composition for the above-mentioned patterned conductor. 1,), or the f:dissolubility in various solvents is less than δ? 1 photopolymerizable composition with 1, -0 general photosensitive properties (
Among the resin compositions, there are optical double-hatched compositions, diazo thread compositions, and optical "J (
The R-IJI acid temple is busy curing a thick film, which is strange, as mentioned above! It is difficult to use the 1q fine pattern of the present invention for fabricating 811 layers. Kinoe Shigai et al. & J. Sensai investigated and found that the light f "5 specific of the conjugate composition) Y:, ilc conjugate initiator 1. The present invention was completed by discovering that it is possible to obtain a product with a high surface area and a rectangular relief cross section. The original shavings added as a starting material also have a relatively small extinction coefficient.
This can be achieved by using a photopolymerizable composition. light 11

【合性組
成物は前述の111!の系統の感光1’F +Q111
M組成物に較べて一般にレリーフ高さの高いものが得ら
れ易いが本願σ)目的とする20μ以上のレリーフ高さ
を持ち、かつレリーフl】に対して高さh)高く、さら
にレリーフ断面が矩形であるようなし11−フッくター
ンを得るためには本kC1のごとく光1[合開始削の1
1支尤係叔の小さいものを用いる8曹がある。 厚イモのは硬化できず、レリーフ高81CpJt ’J
f−力ゝあり、まTこレリーフ「1“6さの、犠いもの
欠it)る1こめに1通光1片を多くシ1こ1lj)合
は、し11−フ[1]が原版σ)ノくターン巾に較べ太
ってしまい、結果としてしIノ−フ巾に対してレリーフ
高さの高いものがイヘ[も北な(・。 比較的吸光係数の小さい光j7T合開始削とは6001
11μ〜420mμの範1j11での吸収極大における
モル吸光係数が1000 g/mp l・備以下υ)も
σ)でル、す、特ニア 00 l/1nol−、z以下
のものが好ましく・。 このような)’C; 114.合開始illの例として
はθζ式で示されるものか、(りな。 t1 1t1−C−C−R2 11 (J  R3 ここでItlH:フェニル基又装置1ゾtフェニル基、
It2はl■、水酸基、アルコキシ基、ハロケン、■(
3は水酸基、アルコキシ基を表わす。 例エバヘンツイン、ベンツインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ペンゾインイノグロピルエーテル
、ベンゾイン−foビルエーテル、ベニ/ツインイソブ
チルエーテル エーテル、2.2−シヒビロキ7ー2ーフェニルアセト
フェノン、2.2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、2.2−ジェトキシ−2−フェニルアセトフェ
ノン7J,どン挙げ句ことかでp /J。 このような光Jk合開始削は組成物に対して0.01〜
1 0 3.1( jf( 4yの範囲で使用てること
ができる。 また前記の吸光係数はベンゼン及びエタノール中におけ
るものがいずれもが前記の範囲であれは、よい。 以上のような光重合開始Mllにより光重合反応を起こ
し、光重合性組成物を構成するものとしては例えばエチ
レン性不飽和基を有するプレポリマーと必要によりエチ
レン性不飽和単陪体、t@合開始則、熱重合禁止剤とか
らなる組成物がある。上記プレポリマーとしては、不飽
相ポリエステル、不飽和ポリウレタン、オリゴエステル
アクリレート類、不飽相ポリアミド、不飽相ポリイミド
、不飽和ポリエーテル、不飽相ポリ(メタ)アクリレー
ト及びこれらの各オΦV注体、炭素−炭素二fli結合
乞イiする名わセゴム化合物,JP f.例示1−るこ
とかできる。これらのプレポリマーの数平均分子量は、
火:j4uりに500以上のものケ用いるのが一般的で
ある。 さらlc%’を体的ブL例タ示すと、不飽相ポリエステ
ル及びアルキシドとしては、例えばマレイン酸、フマル
rα、イタコン市のような不飽和二塩基酸また(゛よそ
の11% 卯q 7K !l刀とエチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレンクリコール、トリエ
チレングリコール、グリセリン、トリノーI−
[Synthetic composition is mentioned above in 111! Photosensitivity of system 1'F +Q111
Although it is generally easier to obtain a product with a higher relief height than the M composition, in the present application σ) has the desired relief height of 20μ or more, and has a height h) higher than the relief l], and has a relief cross section. In order to obtain a rectangular shape 11-hook turn, use light 1 [combinant cutting 1] as in book kC1.
There is an 8th sho that uses a smaller version of the 1st branch and the lower rank. Thick potatoes cannot be cured, and the relief height is 81CpJt 'J.
If there is an f-power, then the relief "1" 6, the sacrificial one is missing, and the number of rays passed through one piece is increased. The original version σ) is thicker than the width of the turn, and as a result, the height of the relief is higher than the width of the turn. What is 6001?
It is preferable that the molar extinction coefficient at absorption maximum in the range 11μ to 420 mμ is 1000 g/ml . )'C; 114. Examples of the combination starting ill are those shown by the θζ formula, (Rina. t1 1t1-C-C-R2 11 (J R3 where ItlH: phenyl group,
It2 is l■, hydroxyl group, alkoxy group, haloken, ■(
3 represents a hydroxyl group or an alkoxy group. Examples Evahentwin, benzin methyl ether, benzoin ethyl ether, penzoin inoglopylether, benzoin-fobiyl ether, beni/twin isobutyl ether ether, 2,2-shibiki 7-2-phenylacetophenone, 2,2-dimethoxy -2-phenylacetophenone, 2,2-jethoxy-2-phenylacetophenone 7J, to name a few, p/J. Such optical JK joint cutting is 0.01 to 0.01 to the composition.
It can be used within the range of 1 0 3.1 (jf( A photopolymerization reaction is caused by Mll, and components of the photopolymerizable composition include, for example, a prepolymer having an ethylenically unsaturated group and, if necessary, an ethylenically unsaturated monomer, a t@ polymerization initiation rule, and a thermal polymerization inhibitor. The prepolymers include unsaturated polyesters, unsaturated polyurethanes, oligoester acrylates, unsaturated polyamides, unsaturated polyimides, unsaturated polyethers, and unsaturated poly(meth). Acrylates and their respective ΦV injection bodies, carbon-carbon difli bonds, are known as rubber compounds, JP f.Example 1-.The number average molecular weight of these prepolymers is
Tue: It is common to use 500 or more for J4U. In addition, to give an example of a physical block, unsaturated phase polyesters and alkoxides include unsaturated dibasic acids such as maleic acid, fumar rα, itacon, etc. !l sword and ethylene glycol,
Propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycerin, Torino I-

【」−ル
プロパン、ペンタエリトリット、末端水r′伎基を有す
る1, 4 − =+rリプタジエン、水添上たtit
ル水添1、2−ポリブタジェン−アクリロニトリル共)
1(合体などの多1曲アルコールとのポリエステル、前
記酸成分の一部なコノ・り酸、アジピ/【貞、フタル^
もイソフタルr+9 、無水フタル酸,トリメリット1
便などの飽和多塩基酸に置き換えたポリエステルあるい
は乾性油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性したポリエ
ステルなどが、不飽和ポリウレタンとしては、丁なわち
2 41711以上の末端水酸基火打するポリオールと
ポリイソ7アネートから誘導されたウノタン基を介して
連結した化合物の末V!インシアネート基あるいは水酸
基Y aiJ用して付加重合性不飽和基ン導入したもの
、例えば前01′.した多価アルコール、ポリエステル
ポリオール、ポリエーテルポリオールなどのポリオール
末端水FFIJNを有する1.4−ボリンゝタジエン、
tjC庫または非水添1.2−Mリプタジエン、ブタジ
ェン−スチレン共重合体、ブタジェン−アクリロニトリ
ル共MC合体とトルイレンジイソシアネート、シフ1−
1;ルメタンー11.4’−ジイン/アネート、へWリ
メチレンジイソシアネートなどのポリインシアネートと
の+1ぎりウレタンの木端イソシアネートあるいは水酸
基の反応+!r、 ? A11用して不飽和基y!′z
ff人したもの、てなわち、前記した不飽和カルボン酸
又はそのエステルのうち水酸基、カルボキシル基、アミ
ノ基などの活性水素?イイする化合物とインシアネート
との反応により不飽和基を導入1−たり、カルボキシル
基火有するものと水酸基との反応により不飽和基fiP
4人した化合物または前記の不飽和ポリエステル?ポリ
イソシアネートで連結した化合物などが、オリゴエステ
ルアクリレートフ4「1としては、1−なわち多j福基
酸と多価アルコールのエステル反応糸にアクリル酸また
はメタクリル酸を共存させて、共ハ11合させそれぞれ
のモル出欠71J Wして分子iit 200〜5[J
OOX呈1j支としプこもの、1回えばア・ジヒ”ン酸
、フタル1没、イノフタル菌子[たは[・47 ;、l
lb水物などとエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンダエリト
リットなどの多価アルコールとのエステル反応系にアク
リル酸またはメタクリルijlを共存さ一1jて縮合さ
一忙たもの、エポキシアクリレート類、例えば多価アル
コール、多重曲フェノールまたはポリフェノールとエピ
クロルヒト21ンまたはアルキレンオキシド1とのiJ
rM合反応により得られるエボキ/)^(!−有する化
合物とアクリル酸まだ(よメタクリル酸とのエステル、
11(11釦に付加重合性炭素−炭素二重結合火有する
高分子化合物、例えばポリビニルアルコール、セルロー
スのような水酸基をもつ1高分子化合物と不fI+!相
カルボン酸士たはそのri夕無水物ど7反1,1;さ・
ヒてイシ)られる化合物や、アクリル「yまた(iメタ
クリル酸の重合体または共+lj合体のようブ【カル;
1テキシル基をもつ、rも分子化イ↑I吻に小姑(11
アルコール、グリシジルアクリレートまたはメタクリレ
−ト(でエステル粘合さ一猪だもの、無水マレインl’
I? aj f 打fる共、重合体とアリルアルコール
、ヒl−’ロキシアルキルアクリレートまたはメタクリ
レートとの反応物など、グリシジルアクリレートまたは
メクク1ル−ト火共朋合成分として含イ1するJ1重合
体どアク11ル酸ヨたはメタクリルrv2との反応物]
、【とη(挙げることがでざるC、また、各種ゴム化合
物としては、tl+ 1.4 =lτリプタジエン、1
.2−ポリブタジェン、ブタジェン−スチレン共車台体
、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、1’、PD
M、(【l)上記(Ilの水添化物、イソブチレーイソ
プレン共道合体、エチレンプロピレン共重合体そして+
11に示される各神ゴム以上の化合物に公知の技i’1
;iによりエチレン性小姑相晶季・尋人した不jiil
相変性ゴム等暑例示できる。+11の化合物はそのま止
でも使用できるが、該不飽和基ン2,1人1−るbては
、末端l能基欠打てる各伸イノ、化合物ケ用いるのが便
利である。〕rた、1.2− sr uブタジェンセグ
メントな有するゴム化合物のり】合は該化合物(て無水
マレイン酸知ヲ付加1−ることにより、該不f’−tQ
 (II 4ゲ答易に導入できる。 上記以外のプレポリマーとして、エチレン1′←二jj
1結合の付加以外の機構により元東什1゛ろ該二車結合
ケ含−付しない化合物例えば、水可溶(jF−ナイロン
5,1℃リビニルアルコール及びそのrA i!P (
4: ?:用いても一回に)”、シシつかえブ1い。 エチレンfト小1立相単量体としては、公知の種々の化
合′吻ヲ1p用できイ)か、このよう1.r化37物の
例としては、アクリル+S’2、メタクリルアミド賃の
、しりな不嘲相カルボンt1′9またはそのエステル、
 (9すえばアルギル−、シフ[」アルキル−、ハロゲ
ン化−rルキシー、アルコギンアルキル−、ヒドロギシ
アルキルー、アミノ−rルキシー、テトラ上10フルフ
リル−、アリル−、クリシジルー、ベンジル−、フェノ
キシ−アクリレート及びメタクリレート、アルキレング
リコール、ポリオキシアルキレングリコールのモノまた
はジアクリレート及びメタクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート及びメタクリレート、ペンタ
エリトリットテトラアクリレート及びメタクリレートな
ど、アクリルアミ1″′、メタクリルアミドまたはその
?A J74体、例えばアルキル、ヒビロキシアルキル
でN−1〆((勢また61 N 、 N’−i/、’、
lfg+したアクリルアミド及びメタクリルアミド、ジ
アセトンアクリルアミドゞ及びメタクリルアミド、N 
、 N’−アルギレンビスアクリルアミド及びメタクリ
ルアミドなど、アリル化合物、例えばアリルアルコール
、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリア
リルシアヌレートなど、マレイン酸、無水マレイン酸、
フマルr′(りまたはそのエステル、例えばアルキル、
ハロゲン化アルキル、アルコキシアルキルのモノまたは
ジマレエート及びフマレートなと、その他の不j歳イu
化合’4勿例エバスチレン、ビニルトルエン、ジビニル
ベンゼン、N−ビニルカルバソール、N−ビニルピロリ
ドンなどを挙げることかできシ)。またこれらの単晴体
のN+li’/アジド糸化合物例えば4.4′−ジアジ
ビスチルペン、p−フェニレン−ビスアジド、4.4′
−ジアジドベンゾフェノン、4.4’−ジアジビフェニ
ルメタン、  4 、4’ジ°rジビカルコン、2.6
−ジ(4′−ジアジドペンザル)−シクロヘキ゛す′ノ
ン、4.4’−ジアジドスチルベン−(1−カルボyl
+Z、4,4′−ジアジl−’ジフェニール、4 、4
’−ジアジドスチルベン−2,2’−ジスルホン酸ソー
ダなと゛にI白、きかえることができる。 これらの甲L :ii1本&エブレボリマ−100重1
g玲〜に対し、0〜200 ’jlj Fd部の範囲で
添加てれはよい。 その他、lli織中の′f:定性乞増加せしめたり、熱
によるツバ、骨?1.X止するためのp!重合禁止刑と
して番工、ハイドロキノン、モノ第三ブチルハイドロキ
ノン、ベンゾキノン、2.5−ジフェニル−p−ベンゾ
キノン、ピクリンrl、ジーp−)“ルオロフェニルア
ミン、p−メトキシフェノール、2,6−シ第三ブチル
−p−クレゾールなどしあげろことができる。これらの
熱重合禁止ハ1jは、熱重合反応(暗反応)欠防止する
ものであることが一〇ましい。 したがって、熱重合禁止ハリの添加:、;ヲよ、プレポ
リマーと架橋刑との総E、Hに対し、0.005〜5Φ
1・4鳴の範囲にあることが好ましい。 史に本発明に於ては面状光硬化性組成′向より液状光硬
化性組成物か好ましい。この理由は固状光(l力比性組
成物が未硬化部分を除去*−7,)のI/C各種淫1庁
1で未硬化部を溶解除去するためにレリーフパターンが
各線溶?IJで未硬化部かを溶解除去するブこめにレリ
ーフパターンが溶剤で膨潤する欠点プ^あるのに対し、
本発明に使用される液状元硬化性fl酸物はJp紳1・
τ;l:: ju:化物ケ抗い流したり、場合によって
はエフブロー、シャワー等の機械的手段によっても旨ミ
去・することが司【市であり、かつ鮮明な輪#lS ′
?:持ったレリーフパターンヶ得ることが出来る特徴ケ
持っているからである。 史に本発明のパターン24電体のレリーフの断面形状及
び寸法は法の通りである。即ち第6図に示すり【1く、
導′−1ヤ性基板6上に老成されたレリーフ4は高さh
が20μ以上(好ましく &’J、 5 !5μ以上)
、IIJaが5〜200μ(好ましくは10〜100μ
)、巾aと晶さ11との比a/hが5以下(好ましくは
ル壬以下)かつレリーフ4の断面形状かはg矩形ン有し
、レリーフ4の側面と基&6とのIL丁角度θが90″
±10°(80°〜100°)、更に隣接レリーフ4の
相互間隔b(この部分に′市λイされる尋′れC体パタ
ーンの巾)は1CJttl’J上である。 上記1電性基板5は28雷1体でk)す、かつパターン
ケ形成する241(r、体より除去i’l h1工もの
であれは長く、例えば金属薄板2例として挙げろことか
出来ろ。特に了ルミニウム、錫、+llj鉛等の箔か好
ましく用いられる。これ゛がのものを用いた場合(Jエ
ツチングにより容易に除去が出来る。これ!卜のγ°i
り板は1〜500μL¥Pに10〜100 tzが奸ヤ
しく用いられる。その他Q kisラミネートプラスチ
ックス、金属蒸着プラスチックスがある。例えは°rル
ミニウム箔とポリエチレンフィルムのラミネートシート
やアルミニウム蒸箔ポリエステルフィルムを例として皐
げることが出来る。本発明で用いられる導1!性基板は
必要に応じて各種の表面処4ヶ行つ°〔も良い。例えは
洗浄、エツチング111面化、研磨、その11゛シの1
店7ryタ1ル理等の他に塗待蒸d1等ケ行うことが出
Y:イ島 ?X vLjail 、+Je、のt)g 3 pj)
 tit、R,基板を除去’l−Z)iC堝ッてはこれ
乞1411c +携侯的[(411離しても良いし、パ
ターンtf1乃fr’rii、眉形1t2 した導11
↑体と異るエツチング特性ン→−¥つJ、5電性〕、(
板ケ用いてエツチング除去する。 電、1゛霞゛1.電体ケCu、 i47宙件基板なアル
ミニウノ1、錫、+1FQl y、+用いて丁ルカIt
 71<帳液でエツーf゛ングでろ、この&’、 仮の
除去妬1・話して&r、?’、)られf:導’+Ij、
体yr−絶縁(’R−;板に81イ、ゼに基板ケ上にし
て14−り伺けた<y<−行うことl+′・望:)、 
I、 < 、こうすることにより絶縁ノ、(板ヒV−σ
I’il工1f、パターン可C作成することが出来る。 こ〜で19二川される杷f4性基板としては1、フィル
ム基板、B11″n)、−5板、ガラ、ス基1反、セラ
ミック基板および絶縁層のコートされた金λ<+i基板
などが使用出来、特にフィルム基板が好ましい。 フィルム状基板としては、ポリエステルフィルム、エポ
キシフィルム、ポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フ
ィルム、トリアジンフィルムナトフィルム状のものはす
べて使用出来るが、可撓性、耐熱性の点からポリイミド
フィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィル
ムが好ましい、フィルム状基板のIf/、%厚は1.;
もイl(j化セい54昧では出来るだけri)いものが
好ましい7ノ(、余りr”r jfl’A キると作業
性が悲くなり、1友17とし、てに5〜200/J I
n、特に10〜150 am、史VC10〜100μr
nが好ましい範囲である。 akc&e板上にレジストでマスクして?(i、 l’
lTメツキケ行ったものχ、上記P、縁注性基板金域1
1.γ仇欠ヒにして貼り付ける方法としては、接飛ハ1
1を用いて熱[沼て乙)方法が好ましく用いられる。ま
た、接着刹を用いる場合は、特に基板を使用せず、電解
メッキ層上に1胡滑illを塗布するだけでも良く、或
いはそれらをlf′LTej貼り合わせても良い。 接着剤としては、ポリエステル−イノシアネート糸、フ
ェノール槓11財−プチラール糸、フェノール樹脂−二
トリルゴム糸、エポキシ−ナイロン系、エポキシ−ニト
リルゴム糸などがあり−1lIIJ M l/i s耐
湿性、接ノM性の曖れたものが好:Eしく、特にエポキ
シ−ニド1)ルゴム糸およびフェノール樹脂−二トリル
コ゛ム糸接着削が好ましい。D5 J ?jlの膜厚は
高密度化、接着性の点から、1〜200μm、特に2〜
100μmが好ましい範囲である。 金属薄板をエツチング除去する方法としては、レー或い
は1などによりエツチング1−る方法が用いられる。ま
た、金属薄板としてアルミニウム、スズ、唾鉛を用いた
場合は、電1+’lメッキ導電体をエツチングしない例
えばアルカリ水溶液て゛エツチングする牢が好ましい。 また、より4g頼性を向上する為に、金J%薄板をエツ
チング除去した後、ポリマーなとの保護層を設けるなど
の処理が行われる。又必要によっては光重合性組成物の
光硬化iダよりなるし1)−7を除去することも行われ
る。 更に本発明の実施に当って導電体のw2石杉成する場合
、!解メッキの種類としては、導電体であれは何でも良
いが、銀、金、鋼、ニッケル、スズなどが好ましく、特
に導電性および経済性の点から銅が好ましい。銅の電庁
tメッキとしては、シアン比相メッキ、ビロリン酸銅メ
ッキ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化銅メッキなどがあるが
、lF!? Kピロリン酸214メッキが好ましい。こ
の場合電A形成さセる心1゛1を体はレリーフ間に形成
させるが、%li接の導電体パターンと1υ絡しない経
用Jでを1み出イ゛ことはさしつかえない。 i光い“〔本発明のパターン導電体σ)1′「成力法ケ
図にヨQ 工4’A 1lk1K 、+Q l!’] 
”’1− ルト次(’) JITl ’) テZ+ 6
゜即ち、本発明のパターン導電体を製造するに当っては
;“144図(A)乃ノ+5(II或はw′乃至tel
 vr示1如く、上述の如き)9 d健1基板3と光j
(〔合t’I 、tri成物酸物J對要のパターンを:
jrつマスクとなる透明画1%! 、II j 体6と
欠この11L′山、に昂層した後、この坦体611+1
1より活性光線7に照す1し〔ρ゛1す℃し、続いて1
13体6と−)Yj、l(合性組成物5の非点つf、部
を現稼散8を吹き付けて除去することによって前述の如
く基板60表面に厚膜レリーフ4ヶ形成し、次にメム4
〃6のし11−74が形成され1ごII]1に市、気メ
ッキを)Jl!!てことによってレリーフ4の相互間に
パターン状σハ瞥′#電体10ノ’J、 >r’T形成
ゼしめ、かつこの4雷1体10の外表面に接着剤11ン
@漸すると共にこの接層ハ1111ン介して絶縁性基板
12を導電体101C次合固定し、次にレリーフ4及び
4徂1体10のζ持基盤となっていた導′dl性基板5
を剥離除去して本発明のノ(ターン心1h体を作成する
。 す3に上述の如く作成した)(ターンMト市体1て於て
、レリーフ4を不要とする場合K &j、第4シ田)に
示すνuく、レリーフ4を除去し pf7 「((、体
10の相互間に空間の存在するパターン75 tfi、
体を作成することか出ブ(、る。1)J中9をよフI;
、111合+L組成(1ング!)と111体6とのfi
lに介イイ三さ′れ1こ、巧1υツノラスー1−ツタス
ノイル人“(:h ;、、。 +iiJ連の導ii1′、 Ilg J(!: 4k、
1を市8合11組成′;2〕1(以下411にf、11
成′1勿という)及び、マA四画像用1体ゲ配Iff 
Tる方法として&上該基4反に4’Crl ink ’
1勿”a;’ L’i’みが20〜21J00μに嬢布
又(【該−」1成物よりなる塗膜層7転写したイ々透用
内閣」1↓困1′・すえは銀塩法&でよるマスクやクロ
ムマスク、活(’I: )Y; 線にダ=J して実質
的に、透明であるノ”ラスチックフィルムまたはシート
、透明ガラスシート、セロフーrン寺にI’Jr I葭
のパターンケ印刷等により、)りけだものなどを1、■
成!1勿上11C4’+’i I〆する。また4−ut
、これとはノ更に透明画1求1110体にA、11成′
吻層を形成させたのち2!ネ゛、K(′i:基板を密、
イを配置1°゛1して4、よく、さらには、基板と透明
画像坦体りJ’/み規冊用スペーサーを用いて一足間帥
?設けて配置d、シ、この間IIkに液状組成物y!″
注入してもよい。粘帽1元岬、例えばアーク灯、水X1
+N灯、ギセノンランプ、紫外皆用螢)[灯、太陽うし
白熱灯、レーザ一つし、L E l) 7zどの光イシ
メの照射に15A L、ては、組成物と透明画像」[]
体と7画像再現性の点から密着配置+′f″することか
好性しいが、該組成物が液状の場合には、誘明111!
111!旧体と該組成物との間に透明プラスチックフィ
ルム、例えばポリプロピレンフィルム、ポリカーボネー
トフィルム、承りエチレンテレフタレートフィルム、ア
セチルセルロースフィルム、ポリビニルアルコールフィ
ルム、セロファン等の中間1m を設けることは透明画
数坦体の保1、φや照りl (+ 1明画像坦体と該組
成物層との接Mを防止する効果χ有てるので有効である
。また、画1里形成蕗・几し1このち該ID成酸物非3
1に元部を取除く方法としては、公知の方法、1+11
えは、像形成結電を9冬了いh川内1す坦体1(lid
除いたものケ元町合141.川成物而父外τ111にし
てドラムまたは平板に取り付け、JI+’、Iす液?ス
プレーによって咳版面に吹きつけて非しメ)鱈迅父洗い
出て方法または現像液中にブラシを浸し、このブラシで
非点′yt、i’i15欠除去する方法により行Jしる
。 レリーフパターンの断面のJK状は活性光匈の照射1!
Y間ケ調堅−[ることにより達成さすt4島この場合配
…)°自編σM工前d己したもののう仁ンー平行九線に
近いものか望ましいが必ずしも限定さJlない。露光時
間の調整は同一のパターンITI ケ持つテストマスク
による試’j’n rtに几による方法が最とも確実で
ある。 てなわらレリーフパターンが台形であれば露光時1ii
1、−4<じ、沖合ノにもしくは逆三角形であれば増加
さセる。 1ノに二ノrili 例1゜ プロピレングリコール、ジエチレンクリコール、アジピ
/n2.7−v /l/ (fj f + A/比0.
1510.3510.5510.15の割で縮合させて
得た不飽和ポリエステル憎脂(酸価30)100Mにジ
エチレング11フールジメタクリレート12部、テトラ
エチレンクリコールジメタアクI+レート50部、(ニ
ーヒト10キシエチルメタクIIレート18部、ペンゾ
インイソプグールエーテル2?j15.4  tcrt
 7”チルカテコール0.06部を加えて作成した光重
合iE組成物を用い次のどとく厚膜ファインパターンを
作成した。 尚、ベンゾインイソブチルエーテルのモル吸光係数はベ
ンゼン中で225 d/mob−+ (542m tt
)、エタノール中で219 //mol・rM(530
mar ) テrtr+つた。 マロ明741X51 Ir、非透明8870μピツチの
’(5、気回路パターンの1伯を41するネガフィルム
ケガラス4)2 上にii’tき、その上膜厚さ9μの
ポリプロピレンフイルノ・火’/Fi /I!Yカバー
する。この七に、−l: ++8感光性耕成′1す’e
 1rir、 L、こみ、次いでこのJ二に厚さ50 
tt、のAl箔馨p、(さ70μのスベーツー7月−し
て、11(ね合わせたのち、ネガフィルム(1111よ
り5 K Wの水冷式超茜圧水銀灯にて120秒間露)
“eする。露光後、ly 11ノロピレンフイルム?は
がして液温45℃のホウ(’+’lソーダ1%水溶液に
て非露光未硬化部を抗い流してへi箔上にrtJ50μ
、高さ70μ、間h″F+70μF+70μピツチのパ
ターンでかつレリーフ断面かtt r矩形の厚j漠ファ
インパターンχ作成【、た。この時側面とAl板のな丁
角度は87゜であった。この厚膜ファインノくターン’
r )’II用して、仄の操作によりI’f、Ii−\
市、気回路な作成し1こ。 次いで、バーショウ杓ullli:ンピロリンrN′i
11リメツキ((N’を用いて、A I R5’、c 
liA Mとし、kr54?y ′rlJ、iAr、 
Vfj IWIA/dln″のりセ件で劉+ilケレリ
ーフノくターンの間1’rxにIH成せしめた。その杖
・、デュポン社製ポ11イミドフィルム スチック社製フェノール4ぐ41倍−二トリルj A 
系4b洛削rXA564−4Jを乾燥後膜厚か5μml
r/2るようVC塗布した絶縁性基舌上に、上記型.W
(メッキ乞行ったもの何アルミニウム箔χ上にして15
0℃で60分間熱圧IQ【2て貼り付け、次いで5N星
憾の水酸化ナトリウム水浴lよでA 13 riiiを
エッチフグ除去して、配線密度10本/冑寓、辱体厚7
0μ、[D70μ、導体間14に50μの)す瞑′[′
f.気IL13vR *:+V) プこ。 ′実施1”11 2。 実施例1,の)“1′:市合性組酸物のペンシイ/イソ
ブチルエーテルに代えて、2.2−ジメトキ/−2−フ
ェニル−゛r−ヒトンフェノンヶ用い1.:九山舎汀j
且酸物欠用いて回1.に1エノ!を膜ファインパターン
ヶ作成した。2.2−ジメトキシ−2−フJニルー了セ
トフエノンの吸元係5牧にベンゼン中で2 5 5 /
/inole”M<542…It )エタノール中で1
 8 1 7/mol・m(5ろO Ill /l)で
あった。 9菩施fζりろ。 ’sQ ノn’;i 1’ll 1.のネガフィルムの
代りに透明Haの巾2。 μ、不透明1;1;σ月T]80μの渦巻状パターンを
打するネガフィルムに代えて、t+1(合性組成物の〜
さン6 L)ttにして実施1f11 1と同(、・ト
な操作により、レリーフ巾20μ、I情さ6 0 ti
、レリーフの間V活80μの渦巻状レリーフパターンを
作成した。 ついで実施例1と同(λにしてメツキルびアルミニウム
のエツチング7行い、7L1,体11J 8 0μ、導
体間隔20μ、導体膜厚6oμの渦巻状パターンる・イ
j1−るファインコイルケ作成し,た。 実施例 実施例i.VCおいて70μのスペーサーに代え“乙1
50μのスペーサーヲ用イテ、冗f7C 合1’j &
p It,l+: q%10層のJrf.さケ150μ
とし、水?M式品ハソに銀月LτよるN%元時間ケ54
0秒間とてる他は同様1,(う1い作Eより、丁nt 
ミ箔上K fTl 5 0 μ、l’+’R +’% 
1 5 Ll /’、間隙70μピツチの宙気回路状の
レリーフ断面行つ厚膜パターンを作成した。(この時の
j)Ill而と支持基板のな丁角度は92°であった。 ) このパターン2用いて、レリーフの間闇内に央#ili
 1rll 1 ト同(>li /L条件によ’) i
l□4 ’s’、 ’市ノrIさ−1このら、ふ アルミニウム11゛1ケエツチング除ノそし、て、Jツ
膜′CG、回路?作成【7ブこ。 実施例5゜ ポリエチレンアンベート(ジオール、分子h12000
)200部にトリレンジイソ7アネー) 551−1s
、ジブチルスズラウレート[J、 b filsケ加え
て、70<〕−ご22時間反さ・け、−)い゛にれにエ
チレンオキシド9、プロピレンオキント0共用合体(エ
チ【/ンオキシド55 wt%分有、ブロック共屯体ジ
オール、分子;tシ2000)100部を加えて反応せ
I7め、内床1・品にイン7アネート基を何するブロッ
ク共車イ1体を(−) tこ。この重合体300部にα
−ヒドロキシエチルメタクリレート25部、ノ)イト°
ロキノy 0.1 tsls 7加え、70Cで214
jr間ル5応せしめてポリマー2作成した。 このポリマー5o O?5tlに、α−ヒドロキシプロ
ピルメタアクリレート75 Bll、 rχ−エチルへ
キシルアクリレ−) 15?’:L  n−ブチルアク
リレート50m、ベンゾインエチルエーテル6部ケ加え
、混合して光重合性組成物乞作成、した。この組成物(
工水あめ状の組成物である。 ベンゾインエチルエーテルの吸う℃係み又はベンゼン中
で240 l/mol・c−(542m tt )’、
エタノール中で600 //mol・眞(528mμ)
であった。 この光重合性組成物7厚さ100 nのアルミニウム薄
板上に厚さ150μにC′T布し、この上を91厚さの
ポリプロピレンフィルムで覆いケ1.て、透明部50μ
、非運明部100μピッチの電気ノくターンの図柄を、
仔するネガフィルムを1にねその上にガラス板ケi+’
tいて、実施例1で用いた光(原で240秒間i=:4
 )’(−、する。露ブ(:、後ポリプロピレンフィル
ム?刊がして、rll +!! 43℃のアルキルベン
ゼンスルフォンr4ンンーダ1噛水溶液にて非;に元未
硬化部χγ光い跪して、アルミニウム薄板上にtl]5
 Q 4、間隔100μピツチで高さ100 ttのレ
リーフ苓:もつパターフケ作成した。 このパターンのレリーフ部分以外に実施j+01と同様
にして5’pil f ’+’+3’、λ!したのら、
°rルミニウム板をひきはがし厚Itζ1電気回路を得
た。 比中′/、1り111 実施トリ5のベンゾインエチルエーテルに代えて1−C
l−アントラキノン(エタノールでの吸光係i’!、 
1.900 //mol・en (554m p ) 
)を用いる他は同様な操作を行ったかレリーフの形状が
先細りとなりアルミ面に接着しなかった。露光時間ケ6
倍増加させたがレリーフの巾が太り約70μとなったが
アルミ面に接層せずレリーフの形成かできなかった。 2−メチル−アントラキノン(エタノール中での吸光係
数ろ、8007!/lnol−cwI(626m Ii
 ) f用いた結果もはglIl′]様でレリーフケ作
成できなかった。
[''-propane, pentaerythritol, 1,4-=+rliptadiene with a terminal hydroxyl group, hydrogenated titanium
hydrogenated 1,2-polybutadiene-acrylonitrile)
1 (polyester with polyester such as merging with alcohol, some of the acid components mentioned above, such as phosphoric acid, adipi / [sad, phthal ^
Isophthalic anhydride, Trimeritic acid 1
Examples of unsaturated polyurethanes include polyesters substituted with saturated polybasic acids such as feces, polyesters modified with drying oil fatty acids or semi-drying oil fatty acids, etc.; The terminal V! of the compound linked via the derived Unotane group! Addition-polymerizable unsaturated groups are introduced for incyanate groups or hydroxyl groups, such as 01'. polyols such as polyhydric alcohols, polyester polyols, polyether polyols, etc. 1,4-borine tadiene having a terminal water FFIJN,
tjC stock or non-hydrogenated 1.2M liptadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene-acrylonitrile co-MC combination and toluylene diisocyanate, Schiff 1-
1; Reaction of wood end isocyanate or hydroxyl group of urethane with polyinsyanate such as 11.4'-diyne/anate and herimethylene diisocyanate! r,? Unsaturated group y for A11! ′z
What about active hydrogens such as hydroxyl groups, carboxyl groups, and amino groups among the unsaturated carboxylic acids or esters thereof mentioned above? Introducing an unsaturated group by reacting a compound with incyanate, or introducing an unsaturated group fiP by reacting a compound with a carboxyl group with a hydroxyl group.
4 compounds or the unsaturated polyester mentioned above? Compounds linked by polyisocyanate, etc., can be used as oligoester acrylate 4'1 by making acrylic acid or methacrylic acid coexist with an ester reaction thread of 1-, that is, a polyhydric acid and a polyhydric alcohol. Combine each molar number 71J W and molecule iit 200~5[J
OOX present 1j branch, and once a dihynic acid, phthalic acid, inophthalic acid, inophthalic mycelium [or [・47;, l
Condensation is carried out by coexisting acrylic acid or methacrylic acid in an ester reaction system of 1b water and polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycerin, trimethylolpropane, pendaerythritol, etc. iJ of epoxy acrylates, such as polyhydric alcohols, polyhydric phenols or polyphenols, with epichlorhydrone or alkylene oxides.
Eboki obtained by rM synthesis reaction /) ^ (!- Compound with acrylic acid (Yo ester with methacrylic acid,
11 (11) A polymeric compound having an addition-polymerizable carbon-carbon double bond in the button, for example, a polymeric compound having a hydroxyl group such as polyvinyl alcohol or cellulose, and a carboxylic acid or its anhydride. Do7An1,1;Sa・
Compounds such as methacrylic acid, polymers of methacrylic acid, or polymers of methacrylic acid or combinations of methacrylic acid, etc.
1 texyl group, r is also molecularized ↑ I has a small sister (11
Alcohol, glycidyl acrylate or methacrylate (ester viscous, anhydrous maleic)
I? In addition, J1 polymers containing glycidyl acrylate or the like as reaction products with allyl alcohol, hydroxyalkyl acrylate or methacrylate, etc. Reactant with ac-11ruic acid or methacrylic rv2]
, [and η(C too many to mention, and various rubber compounds include tl+ 1.4 = lτ liptadiene, 1
.. 2-Polybutadiene, butadiene-styrene co-car body, butadiene-acrylonitrile copolymer, 1', PD
M, ([l) the above (hydrogenated product of Il, isobutylene isoprene copolymer, ethylene propylene copolymer, and +
Known techniques i'1 for compounds of each god rubber or higher shown in 11
;I caused the ethylenic phase crystallization, and the fujiil that was
Examples include phase-modified rubber. Although the compound of +11 can be used as it is, it is convenient to use a compound with a terminal functional group that can be removed from the unsaturated group. ] If a rubber compound having a 1.2-sru butadiene segment is added to the compound (by adding maleic anhydride, then the inf'-tQ
(II 4 can be easily introduced. As a prepolymer other than the above, ethylene 1'←2jj
Compounds that do not contain the two-carrying bond by a mechanism other than the addition of one bond, such as water-soluble (jF-nylon 5,1℃ ribinyl alcohol and its rA i!P (
4: ? : Even if it is used at one time), it is difficult to hold it. As the ethylene small monomer, various known compounds can be used, or it can be converted into Examples of 37 products include acrylic + S'2, methacrylamide-based carbon t1'9 or its ester,
(9 examples are argyl-, Schiff['alkyl-, halogenated-r-roxy, alcoginalkyl-, hydroxyalkyl-, amino-r-ruxy, tetra-10 furfuryl-, allyl-, chrycidyl-, benzyl-, phenoxy- Acrylates and methacrylates, alkylene glycols, mono- or diacrylates and methacrylates of polyoxyalkylene glycols, trimethylolpropane triacrylates and methacrylates, pentaerythritol tetraacrylates and methacrylates, etc., acrylamide 1″′, methacrylamide or its ?A J74 , for example, alkyl, hibiroxyalkyl, N-1〆((also 61 N, N'-i/, ',
lfg+ acrylamide and methacrylamide, diacetone acrylamide and methacrylamide, N
, N'-algylene bisacrylamide and methacrylamide, allyl compounds such as allyl alcohol, allyl isocyanate, diallyl phthalate, triallyl cyanurate, maleic acid, maleic anhydride,
fumar r′ (or its esters, e.g. alkyl,
Alkyl halides, alkoxyalkyl mono- or dimaleates and fumarates, and other non-uniform substances.
Compound '4) Examples include ebastyrene, vinyltoluene, divinylbenzene, N-vinylcarbasol, and N-vinylpyrrolidone. In addition, these monoclear N+li'/azide thread compounds such as 4.4'-diazibistilpene, p-phenylene-bisazide, 4.4'
-Diazidobenzophenone, 4,4'-diazibiphenylmethane, 4,4'di°divicalcone, 2.6
-di(4'-diazidopenzal)-cyclohex'non, 4,4'-diazidostilbene-(1-carboyl
+Z, 4,4'-diazyl-'diphenyl, 4,4
'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium can be replaced with 'I'. These instep L: 1 II & 1 Evrevolima 100 weight
The addition level is good in the range of 0 to 200 'jlj Fd parts. In addition, 'f' during the lli weaving: increased quality, saliva and bones due to heat? 1. p to stop X! Polymerization inhibition substances include Banko, hydroquinone, mono-tert-butylhydroquinone, benzoquinone, 2,5-diphenyl-p-benzoquinone, picrin RL, p-)fluorophenylamine, p-methoxyphenol, 2,6-diphenyl-p-benzoquinone, Tertiary-butyl-p-cresol, etc. can be added.These thermal polymerization inhibitors 1j preferably prevent the loss of thermal polymerization reaction (dark reaction).Therefore, the thermal polymerization inhibitors 1j Addition: 0.005 to 5Φ to the total E and H of the prepolymer and crosslinking agent.
It is preferably in the range of 1.4 tones. In the present invention, liquid photocurable compositions are preferred over planar photocurable compositions. The reason for this is that the relief pattern is removed by dissolving and removing the uncured part with I/C various types of I/C of solid light (l force ratio composition removes the uncured part *-7,). While there is a drawback that the relief pattern swells with solvent when the uncured part is dissolved and removed using IJ,
The liquid original hardening fl acid used in the present invention is JP Gen 1.
τ;l::ju: It is the duty to fight off monsters, and in some cases remove them by mechanical means such as F-blow, shower, etc.
? : This is because the relief pattern has the characteristics that can be obtained. The cross-sectional shape and dimensions of the relief of the pattern 24 electric body of the present invention are as specified by the law. That is, as shown in FIG.
The aged relief 4 on the conductive substrate 6 has a height h.
is 20μ or more (preferably &'J, 5!5μ or more)
, IIJa is 5 to 200μ (preferably 10 to 100μ)
), the ratio a/h of the width a and the crystallinity 11 is 5 or less (preferably 11 or less), the cross-sectional shape of the relief 4 is rectangular, and the angle between the side surface of the relief 4 and the base &6 is θ is 90″
±10° (80° to 100°), and furthermore, the mutual spacing b between adjacent reliefs 4 (width of the C-shaped pattern to be placed in this area) is 1CJttl'J. The above-mentioned one-electroconductive substrate 5 is made up of one 28-thickness board, and the pattern is formed by removing it from the 241-th board. In particular, foils of aluminum, tin, lead, etc. are preferably used.
As for the plate, 1 to 500 μL¥P and 10 to 100 tz are frequently used. Other products include Q.kis laminate plastics and metal vapor deposited plastics. For example, a laminate sheet of aluminum foil and polyethylene film or a polyester film made of aluminum vaporized foil can be used. Lead 1 used in the present invention! The surface treatment substrate may be subjected to four different surface treatments as required. For example, cleaning, etching, polishing, 1 of 11
In addition to the shop 7ry and 1st class, there are also things like nurimachi steaming d1 etc. Y: Ijima? X vLjail , +Je, t)g 3 pj)
Tit, R, remove the board'l-Z) iC is removed.
↑Etching characteristics different from the body→−¥tsuJ, 5-electrode], (
Remove by etching using a plate. Electric, 1゛Kasumi゛1. Electric body Cu, i47 space board Aluminum Uno 1, Tin, +1FQly, +Clicker It
71 < Etsufeng with the book liquid, this &', Tentative removal jealousy 1. Talk &r,? ',) is f: led'+Ij,
Body yr-insulation ('R-; 81 on the board, 14-on the board on the board <y<- what you want to do:),
I, < , By doing this, the insulation,
I'il work 1f, pattern possible C can be created. Examples of loquat f4 substrates that can be used in 19 Futagawa include 1, film substrate, B11''n), -5 board, glass, 1 board, ceramic board, and gold λ<+i board coated with an insulating layer. Film substrates are particularly preferred.As film substrates, polyester films, epoxy films, polyimide films, polyparabanic acid films, triazine films, and nato films can all be used, but from the viewpoint of flexibility and heat resistance, A polyimide film, a polyparabanic acid film, and a triazine film are preferable, and the If/% thickness of the film-like substrate is 1.;
It is preferable to use 7 items (as much as possible in the 54-day conversion process). /J I
n, especially 10-150 am, history VC10-100μr
n is a preferred range. Mask it with resist on the akc&e board? (i, l'
lT metsukike χ, above P, edge pouring substrate metal area 1
1. As for the method of pasting it with γ-missing hit, hit flying is 1
Preferably, the heat method using 1 is used. Further, in the case of using adhesion, no particular substrate is used, and it is sufficient to simply apply a layer of 1 coat on the electrolytic plated layer, or they may be bonded together using lf'LTej. Adhesives include polyester-inocyanate thread, phenol resin-petitral thread, phenolic resin-nitrile rubber thread, epoxy-nylon system, epoxy-nitrile rubber thread, etc. It is preferable to use a material with ambiguous M properties, and in particular, epoxy-nitro rubber yarn and phenol resin-nitrile comb yarn are preferable. D5 J? The film thickness of jl is 1 to 200 μm, especially 2 to 200 μm, from the viewpoint of high density and adhesion.
A preferred range is 100 μm. As a method for removing the thin metal plate by etching, a method of etching using a laser beam or etching method is used. Further, when aluminum, tin, or lead is used as the thin metal plate, it is preferable to use an aqueous alkali solution for etching, which does not etch the electroplated conductor. Further, in order to further improve the 4g reliability, after the gold J% thin plate is removed by etching, a process such as providing a protective layer with a polymer is performed. Further, if necessary, removing the photocuring material 1)-7 of the photopolymerizable composition is also carried out. Furthermore, when implementing the present invention, when forming a conductor w2 Ishisugi,! As for the type of electroplating, any conductor may be used, but silver, gold, steel, nickel, tin, etc. are preferred, and copper is particularly preferred from the viewpoint of conductivity and economy. There are cyan ratio phase plating, birophosphate copper plating, copper sulfate plating, copper fluoroborate plating, etc. as copper electrolyte plating, but IF! ? K pyrophosphate 214 plating is preferred. In this case, a conductor A is formed between the reliefs, but it is permissible to leave out a core J that does not contact the conductor pattern in %li contact. i Shiny "[Patterned conductor of the present invention σ) 1'"4'A 1lk1K, +Q l!']
``'1- Next (') JITl') Te Z+ 6
゜That is, in manufacturing the patterned conductor of the present invention;
(as shown in vr 1, as above) 9 d Ken 1 board 3 and light j
([Total t'I, tri-compound acid J-required pattern:
1% transparent image that becomes a mask! , II j After layering on the body 6 and the missing 11L' mountain, this carrier 611+1
From 1, the active ray 7 is illuminated with 1[ρ゛1°C, and then 1
13 bodies 6 and -) Yj, l (non-spotted portions of the composite composition 5 are removed by spraying the present dispersion 8 to form four thick film reliefs on the surface of the substrate 60 as described above, and then Nimeme 4
〃6 Noshi 11-74 is formed and 1 Go II] 1 city, Qi plating) Jl! ! By using the lever, a pattern of sigma is formed between the reliefs 4, and as the adhesive 11 is applied to the outer surface of each of the four electrical bodies 10, The insulating substrate 12 was then fixed to the conductor 101C through this contact layer 1111, and then the conductive substrate 5, which served as the support base for the relief 4 and the 4-sided body 10,
The turn core 1h body of the present invention is created by peeling off and removing the relief 4. Remove the relief 4 by removing the relief 4 shown in νu ((, pattern 75 tfi,
Is it possible to create a body?
, fi of 111+L composition (1 ng!) and 111 body 6
l ni ni ii ii iii s're 1 ko, taku 1 υ tsunorasu 1 - tutasnoir people” (: h ;,,. + ii J series's guide ii 1', Ilg J (!: 4k,
1 to city 8 go 11 composition'; 2] 1 (hereinafter 411 f, 11
1 character) and 1 figure for Ma A4 image Iff
As a way to add 4'Crl ink' to the above group 4
1. 'a;'L'i' is 20~21J00μ and the paint film layer 7 is transferred to the transparent cabinet. Masks and chrome masks made by the salt method, active ('I: )Y; lines that are substantially transparent, plastic films or sheets, transparent glass sheets, cellophonium I' By printing the pattern of Jr.
Success! 1 of course 11C4'+'i I〆. Also 4-ut
, In addition to this, transparent painting 1 request 1110 bodies A, 11 formations'
After forming the snout layer 2! Ne, K('i: close the substrate,
Place the 1° 1 and 4 well, and then use the substrate and the transparent image carrier J' / regulation book spacer for a while? Provide and place d, shi, during this time, liquid composition y! ″
May be injected. 1 cape, e.g. arc lamp, water x1
+N lamp, gysenon lamp, ultraviolet universal firefly) [lamp, solar lamp, incandescent lamp, one laser, L E l) 7z Which light is irradiated with 15A L, composition and transparent image'' []
From the viewpoint of image reproducibility, it is preferable to place the composition in close contact with the body, but if the composition is in liquid form, it is preferable to place the composition in close contact with the body.
111! Providing a 1 meter intermediate layer of transparent plastic film, such as polypropylene film, polycarbonate film, ethylene terephthalate film, acetyl cellulose film, polyvinyl alcohol film, cellophane, etc., between the old body and the composition improves the protection of the transparent stroke carrier. It is effective because it has the effect χ of preventing contact between the image carrier and the composition layer. Mononi 3
The method for removing the base part in 1 is a known method, 1+11.
After 9 winters of image formation electrification, Kawauchi 1 and carrier 1 (lid
Excluded Motomachiai 141. Install it on a drum or flat plate with Kawanari physical agent outside τ111, JI+', I liquid? This can be done by spraying it onto the surface of the printing plate and washing it off, or by dipping a brush in a developer and using the brush to remove the astigmatism spots. The JK shape of the cross section of the relief pattern is irradiation 1 of active light!
It is desirable that it be close to parallel nine lines, but it is not necessarily limited. The most reliable method for adjusting the exposure time is to use a test mask having the same pattern ITI. If the Tenawara relief pattern is trapezoidal, it is 1ii at the time of exposure.
1, -4 < the same, increases if it is offshore or an inverted triangle. Example 1゜Propylene glycol, diethylene glycol, adipi/n2.7-v/l/ (fj f + A/ratio 0.
1510.3510.5510.15 to 100 M of unsaturated polyester antifat (acid value 30), 12 parts of diethylene glycol dimethacrylate, 50 parts of tetraethylene glycol dimethacrylate I + (Niecht 10 xyethyl methac II rate 18 parts, penzoin isopugol ether 2?j15.4 tcrt
The following thick film fine pattern was created using a photopolymerized iE composition prepared by adding 0.06 part of 7" tilcatechol. The molar extinction coefficient of benzoin isobutyl ether is 225 d/mob-+ in benzene. (542m tt
), 219 // mol rM (530
mar ) tertr + ivy. Maro Akira 741X51 Ir, non-transparent 8870μ pitch' (5, negative film kegarasu 41 with air circuit pattern) /Fi /I! Y cover. In this seven, -l: ++8 photosensitive cultivation'1s'e
1rir, L, thick, then this J2 thickness 50
tt, Al foil (70 μm), 11 (after laminating, negative film (1111, exposed for 120 seconds with a 5 KW water-cooled super-infrared pressure mercury lamp)
After exposure, peel off the 11-noropyrene film, wash off the unexposed and uncured areas with a 1% aqueous solution of soda at a liquid temperature of 45°C, and place it on the foil with rtJ50μ.
A fine pattern with a height of 70μ and a spacing of h″F+70μF+70μ and a relief cross section of rectangular thickness was created. At this time, the angle between the side surface and the Al plate was 87°. Thick film fine turn
r)'II, I'f, Ii-\
City, I created a qi circuit. Next, varsho ulli: ampyrroline rN'i
11 Rimetsuki ((Using N', A I R5', c
liA M, kr54? y′rlJ, iAr,
Vfj IWIA/dln'' IH was achieved in 1'rx during the turn of Liu + Il Kelley in the glue installation.The cane was made of DuPont's Po-11 Imide Film Stick's Phenol 4G 41x-Nitrile J A
After drying system 4b Rakusha rXA564-4J, the film thickness was 5 μml.
The above mold. W
(15 pieces of aluminum foil were plated on top of χ)
Paste with heat pressure IQ [2] at 0℃ for 60 minutes, then remove A 13riii in a 5N sodium hydroxide water bath, wiring density 10 wires / armor, body thickness 7
0μ, [D70μ, 50μ between conductors 14]
f. Ki IL13vR *:+V) Puko. 'Example 1' 11 2. Example 1) '1': 2,2-dimethoxy/-2-phenyl-r-humanphenone was used in place of the commercially available compound acid pencey/isobutyl ether.1. :Kyuzansha Teij
1. 1 eno! A fine pattern of the film was created. 2.2-dimethoxy-2-phenone was absorbed into benzene by 25 5 /
/inole"M<542...It) 1 in ethanol
It was 8 17/mol·m (5 0 Ill/l). 9 Bodhisattva fζriro. 'sQ non';i 1'll 1. 2 widths of transparent Ha instead of negative film. μ, opaque 1; 1; σ Month T] Instead of using a negative film to print a spiral pattern of 80 μ
6 L) tt and carried out 1f11 Same as 1 (,・T operation, relief width 20μ, I depth 60 ti
A spiral relief pattern with a V active of 80μ between the reliefs was created. Then, in the same manner as in Example 1 (7 steps were taken to etch aluminum at λ), a spiral pattern of 7L1, body 11J 80μ, conductor spacing 20μ, and conductor film thickness 6oμ was created. .Example Example i.In place of a 70μ spacer in VC,
It is for 50μ spacer, red f7C and 1'j &
p It, l+: q% 10 layer Jrf. Salmon 150μ
Toshi, water? N% yuan time ke54 due to M type product and silver moon Lτ
The same except that it takes 0 seconds.
K fTl on Mihoki 5 0 μ, l'+'R +'%
A thick film pattern with a relief cross section in the form of an air circuit with a pitch of 15 Ll/' and a pitch of 70 μm was prepared. (J)Ill at this time, and the vertical angle of the supporting substrate was 92°. ) Use this pattern 2 to create a central #ili in the darkness between the reliefs.
1 rll 1 same (>li /L condition) i
l□4 's', 'Ichi Nori sa-1 Here, aluminum 11゛1 etching removed, Jtsu film'CG, circuit? Created [7 blocks. Example 5゜Polyethylene ambate (diol, molecule h12000
) 200 parts tolylene diiso7ane) 551-1s
, dibutyltin laurate [J, b filske, 70 <] - 22 hours, -) and ethylene oxide 9, propylene oxide copolymerizate 0 (ethyltin oxide 55 wt%) Add 100 parts of the block conjugate diol, molecule; 2000) and react with 17, and add 1 block conjugate diol (-) to the inner layer 1 to add an 7 anate group. 300 parts of this polymer
-25 parts of hydroxyethyl methacrylate,
Lokino y 0.1 tsls 7 plus 214 at 70C
Polymer 2 was prepared by adding 500ml of polymer. This polymer 5o O? 5 tl, α-hydroxypropyl methacrylate 75 Bll, rχ-ethylhexyl acrylate) 15? ': L 50ml of n-butyl acrylate and 6 parts of benzoin ethyl ether were added and mixed to prepare a photopolymerizable composition. This composition (
It is a syrup-like composition. The temperature of benzoin ethyl ether is 240 l/mol·c-(542 m tt )' in benzene,
600 // mol・Shin (528 mμ) in ethanol
Met. This photopolymerizable composition 7 was applied to a 150 μm thick C'T cloth on a 100 nm thick aluminum plate, and this was covered with a 91 nm thick polypropylene film.1. Transparent part 50μ
, a pattern of electric turn with a pitch of 100 μ in the non-light part,
Place the negative film on top of it and place the glass plate on it.
t, the light used in Example 1 (i=:4 for 240 seconds at original
)'(-, do. Exposure (:, after the polypropylene film is published, rll +!! 43℃ alkylbenzene sulfone r4 n-da 1 water solution; to the original uncured part χγ bright kneel) , tl on aluminum thin plate]5
Q4. I made a relief 100 tt putter with a spacing of 100μ and a height of 100 tt. In addition to the relief part of this pattern, 5'pil f '+'+3', λ! After doing that,
The aluminum plate was peeled off to obtain an electric circuit with a thickness of Itζ1. 1-C in place of benzoin ethyl ether in Example 5
l-Anthraquinone (absorption coefficient i'! in ethanol)
1.900 //mol・en (554mp)
) was used, but the same operation was performed, or the shape of the relief became tapered and did not adhere to the aluminum surface. Exposure time 6
Although the width of the relief was increased to about 70 μm even though the width was doubled, the relief could not be formed because it did not come into contact with the aluminum surface. 2-Methyl-anthraquinone (extinction coefficient in ethanol, 8007!/lnol-cwI (626m Ii
) The result using f also looked like [glIl'] and it was not possible to create a relief.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は従来のパターンケ示す説明図、第5
12は本発明のパターンに示す説明図、211゜41z
1は本発明のパターンを製造する工程を示す説明図であ
る。 1.5は支持基板、  2.2’、4はノくターン、5
(ニー2重合性組成物、  6は坦体、  ハ、U)’
ll、8は現像液、  10は心電体、  11は接着
剤、12G−!絶F7:性基板である。 時計出願人  旭化成工粟株式会社 第1図 第2図 第3図 ↓JLJ(o)JJJト8 ■ (E) m− 12(G) ■ (1)  12
Figures 1 and 2 are explanatory diagrams showing conventional patterns;
12 is an explanatory diagram showing the pattern of the present invention, 211°41z
1 is an explanatory diagram showing a process of manufacturing a pattern of the present invention. 1.5 is the support substrate, 2.2', 4 is the turn, 5
(Ni 2 polymerizable composition, 6 is carrier, C, U)'
ll, 8 is developer, 10 is electrocardiograph, 11 is adhesive, 12G-! Absolute F7: Sexual substrate. Watch applicant Asahi Kasei Koso Co., Ltd. Figure 1 Figure 2 Figure 3 ↓ JLJ (o) JJJ 8 ■ (E) m- 12 (G) ■ (1) 12

Claims (1)

【特許請求の範囲】 m  s>電性基板上に光重合組成物の−)Y’、 l
l’J!化物よりなるレリーフをパターン7SB J’
l外の173分に形成し、互いに1a接するレリーフと
導′1ユ性基板とにより47.3成されるパターンr9
1(分1c/ル市体を1R府形成、ヒしめた後、導11
T、性基板ケ除去して作成しtこ厚1iλファインパタ
ーン尋渭5体に於て1.1イ、レリーフの断面が矩形で
レリーフの高さが2 (J tt D)、、hであり、
かっこのレリーフ乞構成する尤d+合1住組酸物の九月
【合開始illの吸光係数かhツノ起波長域において比
較的小さいことを特徴とする厚膜ファインパターン4 
i(t 体。 12)  4電性基板を除去し1こ後で史に光ノに合性
組成物の元硬化物よりなるレリーフを除去して作成し1
こことを特徴とする特WF誼求の範囲第1項記載のパタ
ーン4電体。
[Claims] m s >-)Y', l of the photopolymerizable composition on the conductive substrate
l'J! Relief made of monsters pattern 7SB J'
A pattern r9 formed at 173 minutes outside 1 and formed by 47.3 parts of the relief and the conductive substrate that are in contact with each other 1a.
1 (minute 1c/le after forming the 1R prefecture and consolidating the city, lead 11
T, the thickness of 1iλ fine pattern 5 pieces created by removing the base plate is 1.1i, the cross section of the relief is rectangular, and the height of the relief is 2 (J tt D), h. ,
Thick film fine pattern 4 characterized by a relatively small extinction coefficient in the wavelength range where the relief coefficient of parentheses consists of the d + 1 Sumitomo acids.
i (t body. 12) After removing the 4-electroconductive substrate, the relief consisting of the original cured product of the light-containing composition was removed to create 1.
A pattern 4 electric body according to item 1 of the scope of special WF requirements characterized by the following.
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