JPS5952667U - 厚膜回路のクロスオ−バ−構造 - Google Patents

厚膜回路のクロスオ−バ−構造

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JPS5952667U
JPS5952667U JP14763282U JP14763282U JPS5952667U JP S5952667 U JPS5952667 U JP S5952667U JP 14763282 U JP14763282 U JP 14763282U JP 14763282 U JP14763282 U JP 14763282U JP S5952667 U JPS5952667 U JP S5952667U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
thick film
film circuit
utility
model registration
Prior art date
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Pending
Application number
JP14763282U
Other languages
English (en)
Inventor
枝 茂男
直士 可児
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Filing date
Publication date
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Priority to JP14763282U priority Critical patent/JPS5952667U/ja
Publication of JPS5952667U publication Critical patent/JPS5952667U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のクロスオーバー構造の一例を示す側面図
、第2図は同上の平面図、第3図はこの考案のクロスオ
ーバー構造の第1の例を示す側面図、第4図、第5図は
同上の平面図、第6図は第1の例の下部絶縁膜の斜視図
、第7′図は同上に上部絶縁膜を形成した状態の斜視図
、第8図は第2の例の下部絶縁膜と上部絶縁膜の重なり
状態を示す斜視図である。 1・・・絶縁基板、2・・・下部電極、3・・・下部絶
縁膜、4・・・上部絶縁膜、5・・・上部電極、6,8
・・・ガード層。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板上に形成した下部電極上に2層の絶縁膜
    を形成し、この絶縁膜上に前記下部電極と交叉する上部
    電極を設けたものにおいて、下部電極上に設ける2層の
    絶縁膜の上部の絶縁膜の両端を下部の絶縁膜の両端より
    引込め、かつ少なくとも何れか一層の絶縁膜の端部両側
    を上部電極の両側のガード層として若干突出させたこと
    を特徴とする厚膜回路のクロスオーバー構造。
  2. (2)下部の絶縁膜の両端部の両側をガード層として突
    出させたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項に記載の厚膜回路のクロスオーバー構造。
  3. (3)  上部の絶縁膜の両端部の両側をガード層とし
    て下部絶縁層の両端部よりさらに突出させたことを特徴
    とする実用新案登録請求の範囲第1項に記載の厚膜回路
    のクロスオーバー構造。
JP14763282U 1982-09-28 1982-09-28 厚膜回路のクロスオ−バ−構造 Pending JPS5952667U (ja)

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JP14763282U JPS5952667U (ja) 1982-09-28 1982-09-28 厚膜回路のクロスオ−バ−構造

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JP14763282U JPS5952667U (ja) 1982-09-28 1982-09-28 厚膜回路のクロスオ−バ−構造

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JPS5952667U true JPS5952667U (ja) 1984-04-06

Family

ID=30328243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14763282U Pending JPS5952667U (ja) 1982-09-28 1982-09-28 厚膜回路のクロスオ−バ−構造

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JP (1) JPS5952667U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334392A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 配線基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334392A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 配線基板

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