JPS5947426B2 - Secondary electron multiplier dynode - Google Patents

Secondary electron multiplier dynode

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JPS5947426B2
JPS5947426B2 JP5985382A JP5985382A JPS5947426B2 JP S5947426 B2 JPS5947426 B2 JP S5947426B2 JP 5985382 A JP5985382 A JP 5985382A JP 5985382 A JP5985382 A JP 5985382A JP S5947426 B2 JPS5947426 B2 JP S5947426B2
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JP
Japan
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dynode
secondary electron
electron multiplier
electrons
thin plate
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JP5985382A
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宣世 千葉
益保 伊藤
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Hamamatsu Photonics KK
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/22Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind

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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は二次電子増倍管のダイノード、さらに詳しく言
えば、ダイノードを構成する薄板の配列に改良を施した
二次電子増倍管のダイノードに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a dynode of a secondary electron multiplier tube, and more particularly, to a dynode of a secondary electron multiplier tube in which the arrangement of thin plates constituting the dynode is improved.

以下この明細書において、ダイノードを構成する薄板と
は、すフナくとも一面が二次電子放出能力を有する単一
の薄板を指称し、この薄板複数枚によりダイノードの基
本単位が形成されるというように用いる。
Hereinafter, in this specification, a thin plate constituting a dynode refers to a single thin plate on which at least one surface has the ability to emit secondary electrons, and a plurality of these thin plates form the basic unit of the dynode. used for

また二次電子増倍管の管の主軸に直交するように配列さ
れた1以上のダイノードにより当該二次電子増倍管の二
次電子増倍器が形成されるというように使用することに
する。
In addition, the secondary electron multiplier of the secondary electron multiplier is formed by one or more dynodes arranged perpendicularly to the main axis of the tube of the secondary electron multiplier. .

二次電子増倍管は、一般的に真空の管状の容器に、第1
に電子源、続いて一連のダイノードよりなる二次電子増
倍器、最後に電子捕集電極(コレクタ)を含んでいる。
A secondary electron multiplier tube is generally placed in a vacuum tubular container.
It contains an electron source, followed by a secondary electron multiplier consisting of a series of dynodes, and finally an electron collecting electrode (collector).

これ等の電極は管の主軸に沿って略前記順序で配置され
ている。
These electrodes are arranged along the main axis of the tube in substantially the order described above.

この二次電子増倍管の動作時には前記主軸に沿って電子
を加速する電場を発生するためこれらの電極に適当な電
圧がかけられる。
During operation of the secondary electron multiplier, appropriate voltages are applied to these electrodes in order to generate an electric field that accelerates electrons along the principal axis.

このとき電子源から放出された電子は管軸に沿った順に
各ダイノードに衝突しその都度増倍されてコレクタで捕
集される。
At this time, the electrons emitted from the electron source collide with each dynode in order along the tube axis, are multiplied each time, and collected by the collector.

ダイノードの1種として、イネシャン形と呼ばれるもの
が知られている。
One type of dynode is known as the inesian type.

イネシャン形のダイノードは複数の矩形の薄板から構成
され、それらの長辺は管の主軸に直角であり、短辺は同
じ軸に対して傾斜させられている。
An inesian-shaped dynode consists of a plurality of rectangular laminae, the long sides of which are perpendicular to the main axis of the tube, and the short sides inclined to the same axis.

そして連続する2つのダイノードは管軸に対して反対の
方向に傾斜するように配置されている。
Two consecutive dynodes are arranged so as to be inclined in opposite directions with respect to the tube axis.

通常は各ダイノードの電子が入射する側に、当該ダイノ
ードと同じ電位が与えられている網状電極が設けられて
いる。
Usually, a mesh electrode is provided on the side of each dynode on which electrons are incident, to which the same potential as that of the dynode is applied.

以下まず従来のイネシャン形のダイノードの形成する二
次電子増倍器について例を挙げて説明する。
Hereinafter, a conventional secondary electron multiplier formed by an inesian type dynode will be described by way of example.

第1図は従来のイネシャン形のダイノードの断)面の一
部を拡大して示した図である。
FIG. 1 is an enlarged view of a part of the cross section of a conventional inesian type dynode.

図において、11.12は相対的に前段にあるダイノー
ドを形成する薄板である紙面にはその薄板の短辺の断面
が示されている。
In the figure, reference numerals 11 and 12 are thin plates forming a dynode located at a relatively earlier stage.A cross section of the short side of the thin plate is shown in the paper.

各薄板は二次電子増倍管の主軸に対して45度傾斜させ
られている。
Each thin plate is inclined at 45 degrees to the main axis of the secondary electron multiplier.

また図にお1いて2L 22は相対的に後段にあるダ
イノードを形成する薄板である。
Further, in the figure, 2L 22 is a thin plate forming a dynode located at a relatively later stage.

このダイノードの薄板2L 22は前記前後のダイノー
ドの薄板11゜12とは反対方向に45度傾斜させられ
ている。
The thin plates 2L and 22 of this dynode are inclined at 45 degrees in the opposite direction to the thin plates 11 and 12 of the front and rear dynodes.

なお各薄板は同一形状であって薄板の短辺の長さは3.
5m+++である。
Note that each thin plate has the same shape, and the length of the short side of the thin plate is 3.
It is 5m+++.

従来のイネシャン形のダイノードにおいては前記ダイノ
ードを形成する薄板の二次電子増倍管の主軸に直交する
方向のピッチdとダイノードの前記二次電子増倍管の主
軸方向の厚さt(前記例ではt=3.5X0.7=2.
45)との比d/lは略1であった。
In a conventional inesian type dynode, the pitch d in the direction perpendicular to the main axis of the secondary electron multiplier of the thin plate forming the dynode, and the thickness t of the dynode in the direction of the main axis of the secondary electron multiplier (the above example) Then t=3.5X0.7=2.
45) was approximately 1.

前段のダイノード1と後段のダイノード2との間には1
00ボルトの電圧がかけられておシ、この電圧により電
子に二次電子を放出するだめの衝突エネルギーが与えら
れる。
1 between the front stage dynode 1 and the rear stage dynode 2
A voltage of 0.00 volts is applied, and this voltage gives the electrons sufficient collision energy to emit secondary electrons.

前記のようなダイノードに二次電子増倍管の主軸に平行
に電子が入射するとすればd/l=1で隙間がないので
、総ての電子はいずれかの薄板に必ず衝突する。
If electrons are incident on the above-mentioned dynode parallel to the main axis of the secondary electron multiplier tube, d/l=1 and there is no gap, so all the electrons will definitely collide with one of the thin plates.

このようなダイノードの形状を光学的に不透明または単
に不透明ということにする。
The shape of such a dynode is referred to as optically opaque or simply opaque.

しかし、従来のイネシャン形のダイノードでは、そのダ
イノードから放出された二次電子が次段へ到達して衝突
する率は次の理由によって極めて低い。
However, in the conventional inesian type dynode, the rate at which secondary electrons emitted from the dynode reach the next stage and collide with each other is extremely low for the following reason.

すなわち前段のダイノードに近い部分から放出した電子
は、前段ダイノードによる電界によって第1図矢印ai
、a2に示すように再び当該ダイノードに戻される。
In other words, the electrons emitted from the part near the dynode in the previous stage are moved by the electric field caused by the dynode in the previous stage, as indicated by the arrows ai
, a2, it is returned to the dynode again.

ダイノード薄板の中央部附近で放出した電子の一部は極
めて弱い電界のため第1図b1.b2に示すように同一
ダイノードの隣接する薄板に衝突する。
A part of the electrons emitted near the center of the dynode thin plate has an extremely weak electric field, so that the electrons emitted near the center of the dynode thin plate have an extremely weak electric field. As shown in b2, it collides with an adjacent thin plate of the same dynode.

これらの電子のもつエネルギは実質的に低くて二次電子
を放出しない。
These electrons have substantially low energy and do not emit secondary electrons.

本発明の目的は薄板表面で発生した二次電子を次段のダ
イノードに効率良く到達させることができる二次電子増
倍管のダイノードを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a dynode for a secondary electron multiplier tube that can efficiently cause secondary electrons generated on the surface of a thin plate to reach the next stage dynode.

前記目的を達成するために本発明による二次電子増倍管
のダイノードは、二次電子増倍管の主軸に直交して配置
され、前記二次電子増倍管の二次電子増倍器を形成する
ダイノードにおいて、前記ダイノードを形成するために
前記主軸に対して傾けて配置される複数枚の薄板間の前
記主軸に直交する方向のピッチをdとし、前記ダイノー
ドの主軸方向の厚さをtとするときそれ等の間に1.5
≦d/l≦1.75の関係が成立するように構成されて
いる。
To achieve the above object, the dynode of the secondary electron multiplier according to the present invention is arranged perpendicularly to the main axis of the secondary electron multiplier, and the dynode of the secondary electron multiplier of the secondary electron multiplier is In the dynode to be formed, the pitch in the direction perpendicular to the main axis between the plurality of thin plates arranged at an angle with respect to the main axis to form the dynode is d, and the thickness of the dynode in the main axis direction is t. 1.5 between them
The structure is such that the relationship ≦d/l≦1.75 holds true.

前記構成によればダイノードで発生した二次電子の次段
ダイノードの移送効率を向上させることができ、本発明
の目的は完全に達成できる。
According to the above structure, it is possible to improve the transfer efficiency of the secondary electrons generated in the dynode to the next stage dynode, and the object of the present invention can be completely achieved.

以下図面等を参照して本発明による二次電子増倍管のダ
イノードをさらに詳しく説明する。
The dynode of the secondary electron multiplier according to the present invention will be explained in more detail below with reference to the drawings and the like.

第2図は本発明によるイネシャン形のダイノードの断面
の一部を拡大して示した図である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of an inesian-type dynode according to the present invention.

すくなくとも電子が入射する面が二次電子放出能力を持
つ薄板31および32はn段目のダイノード3の一部を
構成する薄板である。
The thin plates 31 and 32, at least on which the electrons are incident, have the ability to emit secondary electrons, are thin plates constituting a part of the n-th stage dynode 3.

同様に薄板41゜42はn+1段目のダイノード4を構
成する薄板である。
Similarly, thin plates 41 and 42 constitute the n+1st stage dynode 4.

本発明によるイネシャン形ダイノードは、ダイノードを
構成する薄板の管の主軸に平行な面におけるピッチdと
薄板の管軸方向の距離tとの比を1.5〜1.75の範
囲に選んである。
In the inesian type dynode according to the present invention, the ratio of the pitch d of the thin plates constituting the dynode in a plane parallel to the main axis of the tube to the distance t of the thin plates in the tube axis direction is selected in the range of 1.5 to 1.75. .

このようなダイノードは入射する電子から見て、一部に
幾何光学的に透明な部分が生じる。
When viewed from the incident electrons, such a dynode has a geometrically optically transparent part.

すなわち当該ダイノードを形成する薄板に接することな
く通過して、より後段のダイノードに直接衝突し得るよ
うに見える。
In other words, it appears that the light passes through without contacting the thin plate forming the dynode and directly collides with the dynode at a later stage.

しかし、このことは以下の理由から問題にならない。However, this is not a problem for the following reasons.

前後から放出された電子はある程度の集束性をもって抜
けにくいように当該段のダイノードに入射する。
Electrons emitted from the front and back enter the dynode of the relevant stage with a certain degree of convergence so that they are difficult to escape.

前段からの電子は前段のダイノードの薄板と同じピッチ
をもつ分布で当該段に入射すること、および連続する2
つのダイノードの薄板の傾斜が管軸に対して反対の方向
に傾斜していることから次の対策を採用できる。
The electrons from the previous stage are incident on the stage with a distribution having the same pitch as the thin plate of the previous stage dynode, and two consecutive
Since the inclinations of the thin plates of the two dynodes are in the opposite direction to the tube axis, the following measures can be taken.

すなわち前段のダイノードの薄板の直下から薄板の配列
の方向へ適当な距離だけずらすことによって当該段に入
射する電子の大部分がダイノードの薄板に衝突するよう
にすることができる。
That is, by shifting the dynode by an appropriate distance from directly below the thin plate of the dynode in the preceding stage in the direction of the arrangement of the thin plates, most of the electrons incident on that stage can be made to collide with the thin plate of the dynode.

また、本発明によるダイノードは、放出した電子が前後
ダイノードの電界によって当該ダイノードに戻されるよ
うな電子を放出する部分および隣接する薄板に衝突する
ような電子を放出する部分が小さいか、若しくは存在し
ない。
In addition, the dynode according to the present invention has a small portion that emits electrons such that the emitted electrons are returned to the dynode by the electric field of the front and rear dynodes, and a portion that emits electrons that collides with an adjacent thin plate or does not exist. .

この理由を図面を参照して定性的に説明する。The reason for this will be explained qualitatively with reference to the drawings.

第3図Aは従来のイネシャン形のダイノードの断面の一
部を拡大した電極および電界を示す説明図である。
FIG. 3A is an explanatory diagram showing electrodes and an electric field in a partially enlarged cross-section of a conventional inesian type dynode.

網状電極10は、ダイノード1すなわちダイノード1の
薄板11.12と同電位である。
The mesh electrode 10 is at the same potential as the dynode 1 or the thin plates 11.12 of the dynode 1.

網状電極20は次段ダイノード(図示してない)と同電
位すなわちダイノード1より100ボルト高い、薄板1
1と12の間隙が狭いので網状電極20による電界は上
記間隙へ入り込めない。
The mesh electrode 20 is connected to the thin plate 1 at the same potential as the next dynode (not shown), i.e. 100 volts higher than the dynode 1.
Since the gap between 1 and 12 is narrow, the electric field generated by the mesh electrode 20 cannot enter the gap.

他方、前段ダイノード(図示してない)による電界が網
状電極10の間隙を通してダイノードの薄板12の前段
ダイノードに近い部分の表面付近13に放出電子を押し
戻すような電界を作る。
On the other hand, the electric field generated by the front dynode (not shown) creates an electric field that pushes the emitted electrons back through the gap between the mesh electrodes 10 to the surface area 13 of the thin plate 12 of the dynode near the front dynode.

この電界は極めて弱いが放出電子の初速エネルギも極め
て小さいので押し戻される可能性が生じる3ダイノード
の薄板12の中央部附近は前段ダイノードおよび後段ダ
イノードによる電界の影響がない。
Although this electric field is extremely weak, the initial velocity energy of the emitted electrons is also extremely small, so the vicinity of the center of the three-dynode thin plate 12, where there is a possibility of being pushed back, is not affected by the electric field from the front-stage dynode and the rear-stage dynode.

また放出電子の初速度の主な成分はダイノード12の表
面に垂直であるから、ここから放出した電子は隣接する
ダイノード11へ衝突する可能性が大きい5゜ 第3図Bは本発明によるベネシャン形のダイノードの断
面の一部を拡大した電極および電界を示す図である。
Furthermore, since the main component of the initial velocity of the emitted electron is perpendicular to the surface of the dynode 12, there is a high possibility that the electron emitted from here will collide with the adjacent dynode 11. FIG. 2 is an enlarged view of a part of the cross section of a dynode showing an electrode and an electric field.

網状電極30はダイノード3の薄板3’l、32と同電
位である。
The mesh electrode 30 is at the same potential as the thin plates 3'l, 32 of the dynode 3.

網状電極40はダイノード3より100ボルト高い薄板
31と3・2の間隙は広いので網状電極40による電界
が薄板31と32の間隙に入り込む。
Since the mesh electrode 40 has a voltage higher than the dynode 3 by 100 volts and the gap between the thin plates 31 and 3.2 is wide, the electric field generated by the mesh electrode 40 enters the gap between the thin plates 31 and 32.

このため薄板32の中央部附近から放出した二次電子は
矢印dのような軌道を通って次段ダイノード(図示して
ない)へ入射する。
Therefore, the secondary electrons emitted from near the center of the thin plate 32 enter the next stage dynode (not shown) through a trajectory as indicated by the arrow d.

さらに網状電極40による電界によって薄板32の前段
ダイノード(図示してない)に近い部分の表面付近にま
で影響して前段ダイノード(図示してない)による電界
が網状電極2゜を通してダイノードの薄板の前段ダイノ
ードに近い部分の表面に二次電子を押し戻すような電界
をつくることができない。
Furthermore, the electric field generated by the mesh electrode 40 affects the surface of the thin plate 32 near the front dynode (not shown), and the electric field from the front dynode (not shown) passes through the mesh electrode 2° to the front of the thin plate of the dynode. It is not possible to create an electric field on the surface near the dynode that would push the secondary electrons back.

次に実験結果を参照して、定量的な説明を行なう。Next, a quantitative explanation will be given with reference to experimental results.

本件発明者等は、先に第1図において説明した従来のダ
イノードの主軸に平行な方向の薄板のピッチdのみを次
第に増加させて、従来のものと、二次電子の次段への到
達度を比較した。
The inventors of the present invention have gradually increased only the pitch d of the thin plates in the direction parallel to the main axis of the conventional dynode as previously explained in FIG. compared.

横軸を(d/l)とし、縦軸ηは次のようにした。The horizontal axis is (d/l), and the vertical axis η is as follows.

(d/l) −1のとき(第4図のp点)の次段への到
達をη1とし、任意のd=dxのときの到達度ηXとし
て、η−ηX/η1とする。
The arrival at the next stage when (d/l) -1 (point p in FIG. 4) is defined as η1, and the reaching degree ηX when arbitrary d=dx is defined as η-ηX/η1.

第4図からd/lが1.0 (d/l=1は従来のダイ
ノード)から1.5までは上記率ηは単調に増大し、d
/lが1.5から1.7までの間でη〉2となることが
判る。
From Fig. 4, when d/l is from 1.0 (d/l = 1 is a conventional dynode) to 1.5, the above ratio η increases monotonically, and d
It can be seen that η>2 when /l is between 1.5 and 1.7.

その中で1.64で最大となった。d/lが1.7より
大きくなると、前記ηは減少す)る。
Among them, it was the highest at 1.64. When d/l becomes larger than 1.7, η decreases).

これは前述の電界による効果はd/lが1.5から1.
75の間で飽和するのに対しd/lが1.5から1.7
5を越えると入射する電子からみてダイノードの薄板の
部分より透明な部分が太きくナシ、ダイノードに衝突せ
ず増幅されることなく、ダイ; ノードを抜ける電子が
増加することによると考えられる。
This is because the effect of the electric field mentioned above is d/l from 1.5 to 1.
It saturates between 75 and d/l is 1.5 to 1.7.
This is thought to be due to the fact that when the value exceeds 5, the transparent part becomes thicker than the thin plate part of the dynode when viewed from the incident electrons, and the number of electrons passing through the dynode increases without colliding with the dynode and being amplified.

以上詳しく説明したように本発明による二次電子増倍管
のダイノードは、(d/l)を1.5から1.75にす
ることにより、従来装置よりも2倍以1 上の次段への
到達度が得られた。
As explained in detail above, the dynode of the secondary electron multiplier according to the present invention has a ratio of (d/l) of 1.5 to 1.75, thereby allowing the dynode of the secondary electron multiplier to reach the next stage, which is more than twice as high as the conventional device. The achievement level was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の二次電子増倍管のダイノードを示す略図
、第2図は本発明による二次電子増倍管のダイノードの
実施例を示す略図である。 第3図は薄板の間隔を広げた場合の電界の変化の説明す
るための略図であって、同図Aは従来のダイノード、同
図Bは本発明によるダイノードについて示したものであ
る。 第4図はダイノードの薄板の管軸に平行な方向・ のピ
ッチdを変化させた場合の次段への二次電子到達度の変
化を示すグラフである。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a dynode of a conventional secondary electron multiplier tube, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of a dynode of a secondary electron multiplier tube according to the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the change in electric field when the interval between the thin plates is widened, and FIG. 3A shows a conventional dynode, and FIG. 3B shows a dynode according to the present invention. FIG. 4 is a graph showing changes in the degree of secondary electron reach to the next stage when the pitch d of the thin plate of the dynode in the direction parallel to the tube axis is changed.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 二次電子増倍管の主軸に直交して配置され、前記二
次電子増倍管の二次電子増倍器を形成するダイノードに
おいて、前記ダイノードを形成するために前記主軸に対
して傾けて配置される複数枚の薄板間の前記主軸に直交
する方向のピッチをdとし、前記ダイノードの主軸方向
の厚さをtとするときそれ等の間の以下の関係が成立す
るように構成したことを特徴とする二次電子増倍管のダ
イノード。 1.5≦d/l≦1.75 2 前記d/lは1.64である特許請求の範囲第1項
記載の二次電子増倍管のダイノード。
[Scope of Claims] 1. In a dynode arranged perpendicularly to the main axis of a secondary electron multiplier tube and forming a secondary electron multiplier of the secondary electron multiplier tube, in order to form the dynode, the When the pitch in the direction perpendicular to the main axis between a plurality of thin plates arranged at an angle with respect to the main axis is d, and the thickness of the dynode in the main axis direction is t, the following relationship holds between them: A dynode of a secondary electron multiplier tube, characterized in that it is configured to. 1.5≦d/l≦1.75 2 The dynode of a secondary electron multiplier tube according to claim 1, wherein the d/l is 1.64.
JP5985382A 1982-04-09 1982-04-09 Secondary electron multiplier dynode Expired JPS5947426B2 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313517U (en) * 1986-07-12 1988-01-28

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6313517U (en) * 1986-07-12 1988-01-28

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