JPS5935144B2 - Color cathode ray tube equipment - Google Patents

Color cathode ray tube equipment

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Publication number
JPS5935144B2
JPS5935144B2 JP51114869A JP11486976A JPS5935144B2 JP S5935144 B2 JPS5935144 B2 JP S5935144B2 JP 51114869 A JP51114869 A JP 51114869A JP 11486976 A JP11486976 A JP 11486976A JP S5935144 B2 JPS5935144 B2 JP S5935144B2
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JP
Japan
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electron gun
fluorescent surface
index signal
optical image
electron beam
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Japanese (ja)
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JPS5339852A (en
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尚三 渡部
節夫 碓井
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカラー画像投射装置として用いて好適なカラー
陰極線管装置に係わる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a color cathode ray tube device suitable for use as a color image projection device.

カラー画像投射装置としては、種々のものが提案されて
いる。
Various types of color image projection devices have been proposed.

例えは赤、緑及び青の各単色陰極線管を用い、これら各
陰極線管によつて得られる赤、緑及び肯の各単色光学像
を例えはスクリーン上に於いて合成してカラー投射画像
を得るようにしたものがある。このような所謂3管方式
によるカラー画像投射装置は、夫々の色の像を単色陰極
線管によつて得るものであるので、単管式カラー画像投
射装置に於けるように、赤、緑及び肯が合成されたカラ
ー光学像を通常の1本のカラー陰極線管より得るもの、
即ち、螢光面に対向して電子ビームを制限してその螢光
面上のランデイ、グ位置を決定する電子ビーム到達位置
決定用電極、例えはシヤドウマスクが配置された構成が
ないので、電子ビームの利用率が高められ、明るいカラ
ー投射画像を得ることができるという利益がある。
For example, red, green, and blue monochromatic cathode ray tubes are used, and the red, green, and positive monochromatic optical images obtained by these cathode ray tubes are combined on a screen to obtain a color projection image. There is something like this. Such a so-called three-tube type color image projection device obtains each color image using a monochromatic cathode ray tube. A color optical image in which the images are synthesized is obtained from a single ordinary color cathode ray tube,
That is, since there is no electrode for determining the landing position of the electron beam facing the fluorescent surface and determining the landing position on the fluorescent surface, such as a shadow mask, the electron beam The advantage is that the utilization rate of color is increased and a bright color projected image can be obtained.

しかしながらこのような3管方式のものにあつては、全
体が大型化するのみならず3本の陰極線管の相互の位置
関係の設定に精度を要し、その製造及び取扱い上不利と
なる。本発明に於いては、単管式構成を有し、しかも電
子ビームを制限する電子ビーム到達位置決定用電極例え
はシヤドウマスク等の配置を排除したカラー画像投射装
置に適用して好適なカラー陰極線管装置を提供せんとす
るものてある。
However, in the case of such a three-tube system, not only is the overall size large, but also precision is required to set the mutual positional relationship of the three cathode ray tubes, which is disadvantageous in terms of manufacturing and handling. The present invention provides a color cathode ray tube which has a single-tube structure and is suitable for application to a color image projection apparatus, which eliminates the arrangement of electrodes for determining the electron beam arrival position, such as a shadow mask, which restricts the electron beam. There are some who are willing to provide the equipment.

即ち、本発明に於いては、一ー部の電子ビームを遮断す
る効果を有するシヤドウマスク等を配置することを不要
ならしめたインデックス方式による陰極線管構成を有し
、更にそのインデックス信号の取出しを簡便にして単管
に於いて単ビームによつて明るいカラー画像を得るよう
にするものである。
That is, the present invention has a cathode ray tube configuration using an index method that eliminates the need for disposing a shadow mask or the like that has the effect of blocking part of the electron beam, and furthermore, the index signal can be easily extracted. This allows a bright color image to be obtained using a single beam in a single tube.

以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。本発明に
於いては、例えば第1図に示す如くネツク部1nとフア
ンネル部1fを有する管体1を設け、そのネツク部1n
内に例えば単ビーム2を発射する電子銃3を配置し、こ
の電子銃3と対向する側に螢光面4が配置されたターゲ
ツト5を管体1のフアンネル部1f内に配置する。又、
フアンネル部1fのネツク部側の内面に、或いはこの内
面と対向する位置にターゲツト5の螢光面4と対向する
如く凹面鏡例えば球面鏡6を配置する。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a tube body 1 having a neck portion 1n and a funnel portion 1f is provided, and the neck portion 1n
An electron gun 3 that emits, for example, a single beam 2 is disposed within the tube body 1, and a target 5 having a fluorescent surface 4 disposed on the side opposite to the electron gun 3 is disposed within the funnel portion 1f of the tube body 1. or,
A concave mirror, such as a spherical mirror 6, is disposed on the inner surface of the funnel portion 1f on the neck portion side, or at a position facing the inner surface so as to face the fluorescent surface 4 of the target 5.

又、管体1の前方には、そのフアンネル部1fの開口端
側に配置されたパネル部1pに対向してシユミツトレン
ズ、或いはメニスカスレンズのような補正レンズ7を配
置するか、パネル部1p自体をこの補正レンズ7によつ
て構成し、かくして、電子銃3よりのビーム2の螢光面
4への走査によつて発生した光学像の通路上に、凹面鏡
6と補正レンズ7によるシユミツトレンズ系、或いはバ
ウワーレンズ系を構成する。
Further, in front of the tube body 1, a correction lens 7 such as a Schmitt lens or a meniscus lens is disposed opposite to the panel section 1p disposed on the open end side of the funnel section 1f, or a correction lens 7 such as a Schmitt lens or a meniscus lens is disposed in front of the panel section 1p. itself is constituted by this correction lens 7, and thus, the concave mirror 6 and the correction lens 7 create a correction image on the path of the optical image generated by scanning the beam 2 from the electron gun 3 onto the fluorescent surface 4. It constitutes a lens system or a bower lens system.

8は電子ビーム2を螢光面4上に水平垂直方向に走査す
る水平垂直偏向手段である。
Reference numeral 8 denotes horizontal and vertical deflection means for scanning the electron beam 2 on the fluorescent surface 4 in horizontal and vertical directions.

そして本発明に於いては、ターゲツト5の、螢光面2の
電子銃3とは反対側にインデツクス信号取出し手段9を
配置する。
In the present invention, an index signal extraction means 9 is arranged on the opposite side of the fluorescent surface 2 of the target 5 from the electron gun 3.

このインデツクス信号取出し手段9とターゲツト5の一
例を第2図を参照して説明する。
An example of this index signal extraction means 9 and target 5 will be explained with reference to FIG.

この場合、ターゲツト5は、電子銃3と対向する側に膨
出する彎曲球面状に形成し得る。又、このターゲツト5
は、その機械的強度を十分保有し得る程度に大なる厚さ
Tを有する例えば金属よりなる基板10と、これの膨出
側の面に被着された金属薄板11とを有し、この金属薄
板11の膨出彎曲面側に即ち、電子銃3と対向する側に
螢光面4が被着されて成る。螢光面4は、例えば第3図
及び第4図に示すように垂直方向に延長する赤、緑及び
青の各螢光体ストライプR,G及びBが順次所定の順序
をもつて配列されて成り、各螢光体ストライプ間には例
えば光吸収性のストライプ所謂ガードバンド12が配置
された構成を有する。
In this case, the target 5 may be formed into a curved spherical shape that bulges toward the side facing the electron gun 3. Also, this target 5
has a substrate 10 made of, for example, metal and has a thickness T large enough to maintain its mechanical strength, and a thin metal plate 11 attached to the bulging side surface of the substrate 10. A fluorescent surface 4 is attached to the bulging curved surface side of the thin plate 11, that is, the side facing the electron gun 3. The phosphor surface 4 has red, green, and blue phosphor stripes R, G, and B extending vertically arranged in a predetermined order, as shown in FIGS. 3 and 4, for example. It has a structure in which, for example, a light-absorbing stripe called a guard band 12 is arranged between each phosphor stripe.

そして、本発明に於いては、特にその隣合う各螢光体ス
トライプR,G及びBの組(トリフレット)に対応して
、或いは複数の組に対応して所定の位置関係をもつて例
えば透孔13を穿設する。
In the present invention, for example, the phosphor stripes are arranged in a predetermined positional relationship corresponding to a set (trifret) of adjacent phosphor stripes R, G, and B, or to a plurality of sets. A through hole 13 is bored.

図示の例では、各ストライプR,G,Bの各組に対応し
て青のストライプB及び赤のストライプR間のガードバ
ンド12が配置されるべき位置に透孔13を穿設した場
合である。この透孔13は、例えばストライプR及びB
間の幅に対応する小なる幅に形成するが、厚さの大なる
基体10に対しては、比較的大なる幅に形成し得る。即
ち、この透孔13の実質的大きさは、薄板11の透孔に
よつて規定するものとする。そして、この薄板11は、
その厚さが薄いので、例えばフオトエツチングによつて
高精度に繊細なパターンをもつて形成できるものである
。透孔13の螢光面4側に於けるパターンは、例えば第
3図に示すように各螢光体ストライプR,G及びBの延
長方向に沿う垂直方向に延長するスリツトとして形成す
ることもできるし、薄板11、従つて螢光面4の機械的
強度を十分に保持するために第4図に示すように透孔1
3を各螢光体ストライプの延長方向に延長させるも断続
的スリツトとなすこともできる。
In the illustrated example, a through hole 13 is bored at a position where a guard band 12 is to be placed between a blue stripe B and a red stripe R corresponding to each set of stripes R, G, and B. . This through hole 13 is made of stripes R and B, for example.
However, for a thick base 10, the width may be relatively large. That is, the substantial size of the through hole 13 is defined by the through hole in the thin plate 11. And, this thin plate 11 is
Since its thickness is thin, it can be formed with high precision and a delicate pattern by, for example, photo etching. The pattern on the side of the phosphor surface 4 of the through-hole 13 can also be formed as a slit extending vertically along the direction of extension of each phosphor stripe R, G, and B, as shown in FIG. 3, for example. However, in order to maintain sufficient mechanical strength of the thin plate 11 and therefore the fluorescent surface 4, the through holes 1 are formed as shown in FIG.
3 may extend in the direction of extension of each phosphor stripe or may be intermittent slits.

更に、この場合水平方向に隣合うスリツトを互いに一部
が対向するも、交互に位置ずれするように配置すること
によつて更にこのスリツト13を設けることによる機械
的強度の低下を回避することができる。又、ターゲツト
5の電子銃3と対向する側とは反対側に配置されるイン
デツクス信号取出し装置9としては、例えは第2図に示
すようにターゲツト5と所要の大なる間隔dを保持して
電極板14例えば球面状に彎曲した電極板14を配置す
ることによつて構成し得る。
Furthermore, in this case, by arranging the horizontally adjacent slits so that they are partially opposed to each other but alternately shifted in position, it is possible to avoid a decrease in mechanical strength due to the provision of the slits 13. can. Further, the index signal take-out device 9 disposed on the opposite side of the target 5 from the side facing the electron gun 3 may be configured, for example, by maintaining a required large distance d from the target 5 as shown in FIG. The electrode plate 14 may be constructed by arranging, for example, a spherically curved electrode plate 14.

このような構成に於いて電子銃3より発射された電子ビ
ーム2を螢光面4上に水平垂直走査させるものであるが
、この場合透孔13上の位置に於いて透孔13を通じて
電子ビーム2がターゲツト5を通過し電極板14に向う
ので、電極板14に電流が流れインデツクス信号をその
端子tより取出すことができる。
In such a configuration, the electron beam 2 emitted from the electron gun 3 is horizontally and vertically scanned on the fluorescent surface 4. In this case, the electron beam is transmitted through the through hole 13 at a position above the through hole 13. 2 passes through the target 5 and heads towards the electrode plate 14, a current flows through the electrode plate 14 and the index signal can be taken out from its terminal t.

例えは第3図に説明したパターンを有するものにあつて
はその電子ビーム2が第3図鎖線aに沿つて走査する時
、透孔13に対応する位置に於いてこれがターゲツト5
を透過して電極14に流れるのでこれによつて第5図A
に示す如く各透孔13に対応する位置に於いてインデツ
クス信号が取出される。従つて、このインデツクス信号
を基準として第5図D,E及びFに夫夫示すように電子
銃に対して各色の信号R,G及びBの信号を与えて、電
子ビーム2を順次各色の信号に応じて密度変調させれば
各色の信号に応じたビームが各色の螢光体上にランデイ
ングすることになつて色ずれのない光学像を得ることが
できる。又、第4図に示す構成のものに於いてもその走
査線が第4図鎖線bに示す位置を走査する場合には、第
3図の場合と同様の周期(周波数)のインデツクス信号
即ち、第5図Aに示すインデツクス信号が得られ又鎖線
Cに示す位置を走査する場合には第5図Bに示すインデ
ツクス信号が得られる。尚、この場合各ストライプR,
G,B及びスリツト13の延長方向に対して鎖線dに示
すように斜めに走査がなされる場合に於いても第5図C
に示すインデツクス信号が取出されるので、これを基準
として色信号を電子銃3に与えて色ずれのない光学像を
再生することができる。尚、上述した例に於いては、イ
ンデツクス信号取出し手段9として電子ビーム2自体の
電流によつてインデツクス信号を取出すようにした場合
であるが、このインデツクス信号の取出し手段としては
種々の構成が取り得る。
For example, in the case of the electron beam 2 having the pattern explained in FIG. 3, when the electron beam 2 scans along the dashed line a in FIG.
, and flows to the electrode 14, thereby causing the
As shown in the figure, index signals are taken out at positions corresponding to each through hole 13. Therefore, using this index signal as a reference, signals R, G, and B of each color are given to the electron gun as shown in FIGS. If the density is modulated according to the signal, a beam corresponding to the signal of each color will land on the phosphor of each color, and an optical image without color shift can be obtained. Also, in the configuration shown in FIG. 4, when the scanning line scans the position shown by the dashed line b in FIG. 4, an index signal having the same period (frequency) as in the case of FIG. The index signal shown in FIG. 5A is obtained, and when scanning the position shown by the chain line C, the index signal shown in FIG. 5B is obtained. In this case, each stripe R,
Even when scanning is performed obliquely to the direction of extension of G, B and the slit 13 as shown by the chain line d,
Since the index signal shown in is extracted, a color signal can be applied to the electron gun 3 using this as a reference, and an optical image without color shift can be reproduced. In the above example, the index signal extraction means 9 extracts the index signal using the current of the electron beam 2 itself, but various configurations can be used as the index signal extraction means. obtain.

例えば第6図に示すようにターゲツト5の電子銃3と対
向する側とは反対側に電子ビーム2の衝撃によつて可視
光線以外の例えば紫外線或いは赤外線を放出する螢光体
15とこれより発生する紫外線或いは紫外?を検出する
検出素子16を配置してこれよりインデツクス信号を取
出すようにすることもできる。尚、第6図に於いて第1
図乃至第4図と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。又、インデツクス信号を取出す他の方
法としては、例えば第7図に示すように薄板11の透孔
13の内面に2次電子放出比δが1より大なる2次電子
放出材17を塗布し、これに電子ビームが衝撃すること
によつて発生する2次電子を第7図には図示しないが第
2図について説明したと同様のインデツクス取出し手段
9の電極板14によつて収集し、これよりインデツクス
信号を取出すようになすこともできる。尚、この場合2
次電子放出材料17は透孔13の特に薄板11の部分を
電子銃と対向する側に向つて開口する断面[ハ」の字状
に形成し、その内面に塗布するようにすることが望まれ
る。又、この2次電子放出材料として2次電子放出比δ
が十分高い例えばMgO或いはMgO−Mg或いはNi
−Be合金、又はAg一CS2O−CS合金等を用い得
る。又、上述したようにこの2次電子放出材料17を電
子ビームの到来方向に開口する断面[ハ」の字型の透孔
部内面に被着する場合、2次電子放出材料17に対して
電子ビームが斜めに入射することになるのでその2次電
子放出を効果的に行なうことができる。即ち、一般の2
次電子放出材料はこれを励起する電子のエネルギーに対
して或る範囲で最大値を示すものであるのでその最大値
を越えると2次電子放出比が抵下してくる。これは2次
電子放出材層に衝撃する電子のエネルギーが高い場合、
2次電子材料を励起することなく透過してしまうことに
よるものと思われるが、上述したように2次電子放出材
層に対して斜めに電子ビームが到来するようになす時は
、この電子の2次電子放出材層中の通過飛程距離を大と
することができ、その透過を効果的に回避でき効果的に
2次電子発生を行わせ得る。又、インデツクス信号の取
出し手段と、ターゲツトの構成の他の例としては、例え
は第8図に示すようにターゲツト5として例えばガラス
基板10を設け透孔13の穿設を省略し、螢光面4の所
定位置に、可視光以外の例えば紫外線或いは赤外線を電
子ビームの衝撃によつて発生することのできる螢光体1
5を、例えは第3図及び第4図に説明した透孔13が配
置される位置に塗布し、これに電子ビーム2が衝撃する
ことによつて発生する紫外線或いは赤外線をターゲツト
5の電子銃と対向する側とを反対側に配置した検出素子
16によつて検出して、インデツクス信号を取出すよう
になすこともできる。
For example, as shown in FIG. 6, on the opposite side of the target 5 to the side facing the electron gun 3, there is a phosphor 15 that emits radiation other than visible light, such as ultraviolet rays or infrared rays, due to the impact of the electron beam 2, and a phosphor 15 that emits rays other than visible rays, such as ultraviolet rays or infrared rays, is emitted from the phosphor 15. Ultraviolet light or ultraviolet light? It is also possible to arrange a detection element 16 to detect the index signal from which the detection element 16 is arranged. In addition, in Figure 6, the first
The same reference numerals are given to the parts corresponding to those in FIGS. 4 to 4, and redundant explanation will be omitted. Further, as another method for extracting the index signal, for example, as shown in FIG. 7, a secondary electron emitting material 17 having a secondary electron emission ratio δ greater than 1 is coated on the inner surface of the through hole 13 of the thin plate 11. Although not shown in FIG. 7, the secondary electrons generated by the impact of the electron beam on this are collected by the electrode plate 14 of the index take-out means 9 similar to that explained with reference to FIG. It is also possible to extract an index signal. In this case, 2
It is preferable that the secondary electron emitting material 17 is applied to the inner surface of the through hole 13, particularly the thin plate 11, by forming the through hole 13, particularly in the thin plate 11, into a V-shaped cross section that opens toward the side facing the electron gun. . Moreover, as this secondary electron emitting material, the secondary electron emission ratio δ
is sufficiently high, for example, MgO or MgO-Mg or Ni
-Be alloy, Ag-CS2O-CS alloy, etc. can be used. In addition, as described above, when this secondary electron emitting material 17 is applied to the inner surface of the through hole which has a V-shaped cross section and opens in the direction of arrival of the electron beam, the secondary electron emitting material 17 is Since the beam is incident obliquely, the secondary electrons can be emitted effectively. That is, general 2
Since the secondary electron emitting material exhibits a maximum value within a certain range for the energy of the electrons that excites it, the secondary electron emission ratio decreases when the maximum value is exceeded. This is because when the energy of electrons impacting the secondary electron emitting material layer is high,
This is thought to be due to the electron beam passing through the secondary electron material without exciting it, but when the electron beam is made to arrive obliquely to the secondary electron emitting material layer as described above, the electron beam The passage distance through the secondary electron emitting material layer can be increased, the transmission thereof can be effectively avoided, and the secondary electrons can be effectively generated. Further, as another example of the structure of the index signal extraction means and the target, for example, as shown in FIG. At a predetermined position of 4, there is a phosphor 1 capable of emitting light other than visible light, such as ultraviolet rays or infrared rays, by the impact of an electron beam.
5 is applied to the position where the through hole 13 explained in FIG. 3 and FIG. It is also possible to extract the index signal by detecting the index signal by the detection element 16 disposed on the opposite side.

又、更に他の例としては、透孔13を有するターゲツト
5を設け、これの電子銃3と対向する側とは反対側にE
BS(Elec−TrOnBOmbardedSemi
cOnductOr)より成るターゲツトを配置し、こ
れによつてインデツクス信号を取出すようにすることも
できる。上述の本発明装置に於いては、電子銃3よりの
電子ビーム2を螢光面4上に走査してその電子銃3と対
向する側よりカラー光学像を取出すものであるが、その
電子ビーム2を螢光体の位置に対応してターゲツトを透
過させるか、或いはこのビーム2によつて励起して発生
させた光線或いは2次電子を光学像を取出す側とは反対
側に於いて検出しインデツクス信号を取出すようにした
のでその配置構成が簡略化され確実なインデツクス信号
取出しを行なうことができる。
In still another example, a target 5 having a through hole 13 is provided, and an E is provided on the opposite side of the target 5 from the side facing the electron gun 3.
BS(Elec-TrOnBOmbardedSemi
It is also possible to arrange a target consisting of cOnductOr) by means of which the index signal can be extracted. In the apparatus of the present invention described above, the electron beam 2 from the electron gun 3 is scanned onto the fluorescent surface 4 and a color optical image is taken out from the side facing the electron gun 3. 2 is transmitted through the target in accordance with the position of the phosphor, or the light rays or secondary electrons generated by being excited by this beam 2 are detected on the side opposite to the side from which the optical image is taken. Since the index signal is taken out, the arrangement is simplified and the index signal can be taken out reliably.

又、インデツクス信号を取出すための例えば電極14は
、ターゲツト5とは大なる間隔を保持して配置できるの
で両者間に生じる容量を十分小となすことができ、これ
によつて周波数特性の向上を計ることができる。又、上
述した本発明装置をカラー画像投射装置に適用する場合
は単管式構成となし得るので全体として小型に構成し得
、又その取扱いが簡便となる利益がある。更にその光学
像は、従来の陰極線管、シヤドウマスク等の電子ビーム
の利用を低下するような手段を配置することなくビーム
インデツクス型構成としたので明るい光学像を得ること
ができ明るい投射画像を得ることができる。
In addition, for example, the electrode 14 for extracting the index signal can be arranged with a large distance from the target 5, so that the capacitance generated between the two can be made sufficiently small, thereby improving the frequency characteristics. It can be measured. Further, when the above-mentioned device of the present invention is applied to a color image projection device, it can have a single-tube configuration, which has the advantage of making the device compact as a whole and making it easy to handle. Furthermore, the optical image has a beam index type configuration without installing conventional cathode ray tubes, shadow masks, or other means that reduce the use of electron beams, so a bright optical image can be obtained and a bright projected image can be obtained. be able to.

又、上述した例に於いては、螢光面4を形成する各色の
螢光体がストライプ状に配置された構成、或いは各色の
螢光体が赤、緑及び青より構成した場合であるが他の色
の組合せ更に螢光体パターンの配置、構成をとり得るも
のであり、又、インデツクス信号を得るための透孔13
の配置は各トリフレット毎に配置する必要はなく複数の
トリフレットに対して1個設けるなど、具体的構造にお
いて種々の変更を取得ることは明らかであろう。
In addition, in the above-mentioned example, the phosphors of each color forming the phosphor surface 4 are arranged in a stripe pattern, or the phosphors of each color are composed of red, green, and blue. Other color combinations and phosphor pattern arrangements and configurations are possible, and through holes 13 for obtaining index signals are possible.
It is obvious that various changes may be made in the specific structure, such as not necessarily arranging the arranging element for each triflet, but arranging one arranging element for a plurality of trifrets.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の一例を示す路線的断面図、第2図
はその要部の断面図、第3図及び第4図は夫々その螢光
面の例を示す正面図、第5図は本発明装置の動作の説明
に供する波形図、第6図乃至第8図は本発明装置の他の
例のターゲツト部及びインデツクス信号を取出す手段を
示す要部の路線的断面図である。 1は管体、2は篭子ビーム、3は電子銃、4は螢光面、
5はターゲツト、6は凹面鏡、7は補正レンズ、8は水
平・垂直偏向手段、9はインデツクス信号取出し手段、
13は透孔である。
Fig. 1 is a linear sectional view showing an example of the device of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of its essential parts, Figs. 3 and 4 are front views showing examples of its fluorescent surface, and Fig. 5. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the apparatus of the present invention, and FIGS. 6 to 8 are line sectional views of main parts showing the target section and the means for extracting the index signal of other examples of the apparatus of the present invention. 1 is a tube body, 2 is a basket beam, 3 is an electron gun, 4 is a fluorescent surface,
5 is a target, 6 is a concave mirror, 7 is a correction lens, 8 is a horizontal/vertical deflection means, 9 is an index signal extraction means,
13 is a through hole.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 管体内に螢光面とこれに対向して電子銃が配置され
、上記螢光面よりの光学像を上記電子銃と対向する側よ
り取り出し、これとは反対側より上記螢光面を突き抜け
させた上記電子銃よりの電子ビーム、又は上記電子ビー
ムの励起によつて発生させた光、或いは2次電子を取り
出してインデックス信号を得るようにしたことを特徴と
するカラー陰極線管装置。 2 管体内に螢光面とこれに対向して電子銃が配置され
、上記螢光面よりの光学像を上記電子銃と対向する側よ
り取り出し、上記螢光面と対向して上記光学像を反射す
る反射鏡が設けられ、該反射鏡によつて反射された光学
像の光学的通路上に補正レンズが配置されて上記螢光面
の上記電子銃と対向せる側とは反対側より上記螢光面を
突き抜けさせた上記電子銃よりの電子ビーム、又は上記
電子ビームの励起によつて発生させた光、或いは2次電
子を取り出してインデックス信号を得るようにしたこと
を特徴とするカラー陰極線管装置。
[Claims] 1. A fluorescent surface and an electron gun are disposed in the tube opposite to the fluorescent surface, and an optical image from the fluorescent surface is taken out from the side facing the electron gun, and an optical image is taken out from the opposite side. An index signal is obtained by extracting an electron beam from the electron gun that penetrates the fluorescent surface, or light generated by excitation of the electron beam, or secondary electrons. Cathode ray tube device. 2 A fluorescent surface and an electron gun are disposed in the tube, and an optical image from the fluorescent surface is taken out from the side facing the electron gun, and the optical image is taken out from the side facing the fluorescent surface. A reflecting mirror is provided, and a correction lens is disposed on the optical path of the optical image reflected by the reflecting mirror, and a correction lens is provided on the optical path of the optical image reflected by the reflecting mirror, and the correction lens is arranged to reflect the fluorescent light from the side opposite to the side facing the electron gun of the fluorescent surface. A color cathode ray tube characterized in that an index signal is obtained by extracting an electron beam from the electron gun that penetrates the light surface, or light generated by excitation of the electron beam, or secondary electrons. Device.
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