JPS593482A - Display unit - Google Patents
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- JPS593482A JPS593482A JP11371382A JP11371382A JPS593482A JP S593482 A JPS593482 A JP S593482A JP 11371382 A JP11371382 A JP 11371382A JP 11371382 A JP11371382 A JP 11371382A JP S593482 A JPS593482 A JP S593482A
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- light emitting
- light
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は表示装置に係り、特に駆動回路を画素ととに一
体的に設け、各画素対応の駆動をなすエレクトロルミネ
ッセンス(EL)表示装置のような平板形表示装置に関
するものである。Detailed Description of the Invention (a) Technical Field of the Invention The present invention relates to a display device, and in particular to an electroluminescence (EL) display device in which a driving circuit is integrally provided with a pixel and drives each pixel. The present invention relates to such a flat panel display device.
(bl 技術の背景
近年、半導体基板表面に表示素子ならびにそれ等素子に
対する駆動回路を一体的に集積化したEL表示装置が研
究開発されている。Background of the Technology In recent years, research and development has been conducted on EL display devices in which display elements and drive circuits for the elements are integrally integrated on the surface of a semiconductor substrate.
第1図はこの種FiL表示装置の従来の1画素分の構造
を概念的に示した要部断面図であって、シリコンのよう
な例えばP型半導体基板]、上には集積化されるべきス
イッチング素子としてのMOSトランジスタ(以T’M
O8Tと略称する)20お、J:びそれと並んで、当該
基板lの一生面上に設けられたf空高不純物ドープ層3
に対向して例えば二酸化シリコン(SiO2)Nm2で
絶縁されたホリシリコン雷、極4が設けである、そして
これら両者の上面にはs+1o2層6を介して画素電極
7が配設され、その画素電極7上には表示媒体となるE
L層9が形成され、その上面にインジクム錫酸化物(I
TO)のような透明電極8が形成しである。そして前記
画素電極7と透明電極8との対向領域で画素を画定して
おり、それら電極間に駆動電圧を印加することKより1
図中PUで示した領域のEL層9が発光するようにしで
ある。なお5および10けEL層9から光を遮光するた
めの遮光膜である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part conceptually showing the structure of one conventional pixel of this type of FiL display device, and is a sectional view of a main part of a conventional FiL display device. MOS transistor (T'M) as a switching element
(abbreviated as O8T) 20 O, J: Along with it, an f-vacuum doped layer 3 provided on the whole surface of the substrate l.
A polysilicon lightning pole 4 insulated with, for example, silicon dioxide (SiO2) Nm2 is provided opposite to the pixel electrode 7. 7. On top is E, which is the display medium.
An L layer 9 is formed, and indicum tin oxide (I
A transparent electrode 8 such as TO) is formed. A pixel is defined by the area where the pixel electrode 7 and the transparent electrode 8 face each other, and by applying a driving voltage between these electrodes, it is possible to
The EL layer 9 in the area indicated by PU in the figure is designed to emit light. Note that this is a light shielding film for shielding light from the 5th and 10th EL layers 9.
(C) 従来技術と問題点
IP52図はこのよりなKL表示装置の等測的回路構成
を示す要部概略図である。図においてQ+F!アドレス
用スイッチング素子と々るMO8Tであり。(C) Prior Art and Problems IP52 is a schematic diagram of the main parts showing the isometric circuit configuration of this KL display device. In the diagram, Q+F! The address switching element is Totoru MO8T.
Q、2はドライバ用スイッチング素子となる”MO8T
である。いま走査ラインSLに印加されるパルス電圧が
高レベルとなると、まずMOEIT Q、がオンとなる
。そしてこれに同期してデータラインDLに別のパルス
を与えてこれが高レベルになればメモリ用コンデンサc
Mが充電されてMO8TQ2がオンとなる。ここで端子
30には駆動用交流電圧が印加されているので、MO8
TQ、2がオンと々れは発光米子PLが発光する。この
発光素子ELの発光はMO8T QIがオフになった後
でもメモリ用コンデンサcMが充電されている間持続す
る。なお、D2はMO8TQ、2の絶縁破壊防止用とし
て設けたツェナーダイオードである。、またメモリ用コ
ンデンサcMは第1図で示したホリシリコン電極4とP
+Q高不純物ドープ層3との間で構成される。そしてそ
のメモリ用コンデンサCMは、第2図の等価回路で示し
たような駆動回路一体構成の発光素子EI、をマトリッ
クス状に配列した表示装置傾おいて、1フレームの開発
光素子ELを発光状態Ka持させるためのものである1
、また前記発光素子ELを消去する際には再ひiト査う
イシSLK高レベルのパルスを印加する♂ともにチータ
ラインDLに低レベルのパルスを印加すればコンデンサ
aM中の電荷l1M08TQ+ を通してチータライン
DLから放電され、MO8TQ、2はオフとな、−て発
光素子ELが消去される。Q, 2 is the switching element for the driver "MO8T"
It is. When the pulse voltage applied to the scanning line SL becomes high level, MOEIT Q is first turned on. Then, in synchronization with this, another pulse is given to the data line DL, and if this becomes high level, the memory capacitor c
M is charged and MO8TQ2 is turned on. Here, since the driving AC voltage is applied to the terminal 30, MO8
When TQ and 2 are on, the luminescent Yonago PL emits light. The light emitting element EL continues to emit light while the memory capacitor cM is being charged even after MO8T QI is turned off. Note that D2 is a Zener diode provided to prevent dielectric breakdown of MO8TQ,2. , and the memory capacitor cM is connected to the polysilicon electrode 4 and P shown in FIG.
+Q heavily doped layer 3. The memory capacitor CM is configured such that when the display device in which the light emitting elements EI integrated with the drive circuit are arranged in a matrix as shown in the equivalent circuit of FIG. It is for maintaining Ka1
In addition, when erasing the light emitting element EL, a high level pulse is applied to SLK and a low level pulse is applied to the cheetah line DL. DL is discharged, MO8TQ,2 is turned off, and the light emitting element EL is erased.
ところで前記メモリ用コンデンサat、tけ比較的大容
量を必要とし、広い占有面積が必要となるので、第1図
で示したように画集電極7の壬に形成される。By the way, since the memory capacitors at and t require relatively large capacitance and occupy a large area, they are formed at the bottom of the collecting electrode 7 as shown in FIG.
とξろが表示装置の高解像度化や大形化を図る際には画
素寸法を小さくして画素数を増加する必要がある。従っ
て画素電極の面積を小さくしなければならず、それに伴
ってメモリ用コンデンサCMの容量も小さくなる1、一
方画累数の増加により1フレ一ム期間が長くなるので、
かえってメモリ用コンラ゛ンサCMの容量を大きくしな
けれはならないという相反する条件が生じてくる。そし
てこのメモリ用コンデンサC1/の容′I#増大が実現
しないとなれば、1フレ一ム周期の間9発光素子の発光
を#持でき々くなり1面平均輝度の低下を招くといった
欠点があった3、
(6) 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、従来比較的大
客側を必要としたメモリ用コンデンサの小容量化を図り
9面平均輝度の低)を招くことなく高解像度化、大形化
が可能々構成の表示装置の提供を目的とするものである
。On the other hand, when increasing the resolution and size of a display device, it is necessary to reduce the pixel size and increase the number of pixels. Therefore, the area of the pixel electrode must be reduced, and the capacitance of the memory capacitor CM will also be reduced1. On the other hand, the period of one frame will become longer due to the increase in the number of pixels.
On the contrary, a contradictory condition arises in which the capacity of the memory compensator CM must be increased. If this increase in the capacity of the memory capacitor C1/ is not realized, it will be impossible to sustain the light emission of the 9 light emitting elements during one frame period, resulting in a decrease in the average brightness of one surface. (6) Purpose of the Invention The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and aims to reduce the capacity of memory capacitors, which conventionally required relatively large customers, and to reduce the average brightness of nine surfaces. The object of the present invention is to provide a display device having a configuration that allows for higher resolution and larger size without causing problems.
(e) 発q1の構成
本発明による表示装置は、走査ラインとデータラインに
それぞれつながれたアドレス用スイッチング素子によっ
て1画素対応の発光素子に対する駆動用A、01!圧を
オンオフ制御するドライバ用スイッチング素子を選択動
作させるようにした構成において、前記ドライバ用スイ
ッチング素子の制御電極と基準電位点との間に蓄積用コ
ンデンサを設けるとともに前記発光素子に近接して各画
素ごとに受光素子を配設し、該受光素子の受光出力によ
り発光素子に対する駆動用Ao@圧の供給をオン状態に
維持せしめるようにしたことを特徴とするものである。(e) Configuration of output q1 The display device according to the present invention uses address switching elements connected to the scanning line and the data line to drive the light emitting element corresponding to one pixel A, 01! In a configuration in which a driver switching element for controlling on/off voltage is selectively operated, a storage capacitor is provided between the control electrode of the driver switching element and a reference potential point, and a storage capacitor is provided in the vicinity of the light emitting element for each pixel. The invention is characterized in that a light receiving element is provided for each light receiving element, and the supply of driving Ao@ pressure to the light emitting element is maintained in an on state by the light receiving output of the light receiving element.
(f) 発明の実施例 以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。(f) Examples of the invention Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第3図は本発明によるEL表示装置の1画素分の等測的
回路構成を示す要部概略図であり、第4図は本発明によ
るPL表示装詔の構造を示す要部断面図である。FIG. 3 is a schematic diagram of the main parts showing the isometric circuit configuration for one pixel of the EL display device according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the main parts showing the structure of the PL display device according to the present invention. .
第3図において、MO8T Qlはアドレス用スイッチ
ング素子であって、走査ラインSLとデータラインDL
にそれぞれ接続される。またMO8TQ2は発光素子K
Lに対する駆動用交番パルス電圧をオンオフ制御するた
めのドライバ用スイッチング素子であり、そのλ40S
T Q2の制御電極つまりゲートG2と例えば基準電位
点々なる接地間には蓄積用コンテンツC8が接続される
。この蓄積用コンデンサC8//′i後述するか、従来
のメモリ用コンデンサよりも小容量のコンデンサで構成
される。In FIG. 3, MO8T Ql is an address switching element, which connects the scanning line SL and the data line DL.
are connected to each. Also, MO8TQ2 is a light emitting element K
This is a driver switching element for on/off control of the driving alternating pulse voltage for L, and its λ40S
The storage content C8 is connected between the control electrode of TQ2, that is, the gate G2, and the ground, for example, reference potential points. This storage capacitor C8//'i will be described later, and is composed of a capacitor having a smaller capacity than a conventional memory capacitor.
さらにRPは前記発光素子KLに近接して設けた受光素
子であって、その受光素子RpViホトトランジスタや
ホトダイオードあるいは硫化力ドミクム(CaS)等の
光電導紫子で構成される。本実施例ではその受光素子は
例えば0(iSS光電素素子構成してあり、前記発光素
子ELからの光を受光して、その光量に応じて光抵抗が
変化するもので、その受光素子RPはMOBT Q2に
並列接続されている。なおMO8TQ3はリセ7)時に
発光素子ELに印加される駆動用交番パルス電圧をオフ
するために設けたリセット用スイッチング素子である。Furthermore, RP is a light-receiving element provided close to the light-emitting element KL, and the light-receiving element RpVi is composed of a phototransistor, a photodiode, or a photoconductive phosphor such as sulfur domicum (CaS). In this embodiment, the light receiving element has a structure of, for example, a 0 (iSS) photoelectric element, which receives light from the light emitting element EL and changes its photoresistance according to the amount of light, and the light receiving element RP is It is connected in parallel to MOBT Q2. Note that MO8TQ3 is a reset switching element provided to turn off the driving alternating pulse voltage applied to the light emitting element EL during reset 7).
ところで第3図において点線21で囲んで示し鈍物ドー
プ層3とそのドープ層3上に8102層2を介して対向
配置したポリシリコン電極4との間で蓄積用コンテン−
11j’c8を形成している。さらに前記ポリシリコン
電極4上に5102層6で絶縁された06.8膜1]、
を形成して受光素子RPを構成する。そして、そのCa
S膜ll上には8102層6を介して画素電極7が配設
される。その画素電極711−tsTO膜あるいは金(
A、u)、アルミニウム(A])等の透光性導電薄膜で
形成しである。また前記画素電極7上にはKL層9およ
び透明電極8が形成され、その画素電極7と透明電&8
との対向領域で発光素子BLが構成される。々お5は遮
光膜である。Incidentally, in FIG. 3, storage content is shown enclosed by a dotted line 21 between the blunt doped layer 3 and the polysilicon electrode 4 disposed oppositely on the doped layer 3 with the 8102 layer 2 interposed therebetween.
11j'c8. Furthermore, the 06.8 film 1 is insulated with a 5102 layer 6 on the polysilicon electrode 4],
is formed to constitute the light receiving element RP. And that Ca
A pixel electrode 7 is provided on the S film 11 with an 8102 layer 6 interposed therebetween. The pixel electrode 711-tsTO film or gold (
It is formed of a transparent conductive thin film such as A, u) or aluminum (A]). Further, a KL layer 9 and a transparent electrode 8 are formed on the pixel electrode 7, and the pixel electrode 7 and the transparent electrode &8
The light emitting element BL is configured in the region facing the. 5 is a light shielding film.
さて前述のような構成のEL表示装置の動作を第3図を
参照して説明する。今、端子30に発光素子ELK対す
る駆動用交番パルス電圧を印加し。Now, the operation of the EL display device configured as described above will be explained with reference to FIG. Now, an alternating pulse voltage for driving the light emitting element ELK is applied to the terminal 30.
また端子31に電圧を加えて1408TQ、3をオンと
しておく。そして表示素子ELが非発光状態つまり非選
択状態にあれば、これを選択状態とするためには、
MOBT Q、lのゲートに走査ラインSLから走査パ
ルスを加え、それに同期してMO8TQ+のドレインに
チータラインDLからテータパルスを加えるとMOBT
Jがオンとなる。そして蓄積コンデンサC6が充電さ
れ、それに伴ってMO8TQ、2が副ンとなる。この際
、前述のようにλ40STQ、3もオンとなっているの
で発光素子BLが発光する。この時、受光素子RpN発
光素子KLからの光を受光してオン状態となり1発光素
子ET、には駆動用交番パルス電圧が供給され続けて発
光が維持される。ここで発光が維持される条件としては
MO8TQ2のオン期間中に発光素子KLが少なくとも
1回発光する必要かを)る。Further, a voltage is applied to the terminal 31 to turn on 1408TQ, 3. If the display element EL is in a non-emitting state, that is, in a non-selected state, in order to bring it into a selected state,
MOBT
J is turned on. Then, the storage capacitor C6 is charged, and accordingly, MO8TQ,2 becomes a secondary voltage. At this time, since λ40STQ,3 is also on as described above, the light emitting element BL emits light. At this time, the light-receiving element RpN receives light from the light-emitting element KL and turns on, and the driving alternating pulse voltage continues to be supplied to the first light-emitting element ET to maintain light emission. Here, the condition for maintaining light emission is whether the light emitting element KL needs to emit light at least once during the ON period of MO8TQ2.
ところで蓄積用コンテンツC6を設けない方法゛も考え
られるが、この蓄積用コンヲ゛ンザC8がない場合傾け
MO8TQ、がオンしている間に駆動用交番パルスが少
なくとも1回発光素子ELに印加される必要があり、フ
レーム周期d、駆動用交番パルスの繰返し周波数により
制限されることとなる。By the way, it is possible to consider a method in which the storage content C6 is not provided, but if this storage capacitor C8 is not provided, the driving alternating pulse must be applied at least once to the light emitting element EL while the tilt MO8TQ is on. Yes, it is limited by the frame period d and the repetition frequency of the driving alternating pulse.
しかし蓄積用コンデンサC8を設けることにより、1度
選択状態になれば、MOeT QlかオフになってもM
O8TQ2はしばらく副ン状態を保持できるので、フレ
ーム周期は駆動用交番パルスの繰返し周波数の制限を受
けなくなる。ここで受光素子RPの光キャリヤのライフ
タイムは駆11J用交番パルスの周期よりも長くする必
要がある。またMO8TQ、2をオン状態に保持する期
間は駆動用交番パルスの周期より長いだけで良く、蓄積
コンデンサCsの容量は従来のメモリ用コンデンサに比
べて大幅に小さくすることが可能となるのである。。However, by providing the storage capacitor C8, once the selection state is established, even if the MOeT Ql is turned off, the M
Since O8TQ2 can maintain the sub-on state for a while, the frame period is no longer limited by the repetition frequency of the driving alternating pulse. Here, the lifetime of the optical carrier of the light receiving element RP needs to be longer than the period of the alternating pulse for the driver 11J. Furthermore, the period during which MO8TQ,2 is kept in the ON state only needs to be longer than the period of the driving alternating pulse, and the capacity of the storage capacitor Cs can be made significantly smaller than that of conventional memory capacitors. .
捷た発光素子E丁、をリセットする際にはMO8TO,
3をオフにすればよい。この方法としてはMO8TQ、
+ I Q2を例えはねグヤンネル型とし、 MOB
T Q3をpチャンネルテブレッション型として1木手
前の走査ラインにM(’)STQ、3のゲートを接続す
る等の方法がある5、
第5図は本発明によるEL表示装置の震形実施例の等測
的回路構成を示す要部概略図であって。When resetting the broken light emitting element E-cho, use MO8TO,
You can turn off 3. This method includes MO8TQ,
+I Let Q2 be a Hanegyannel type, MOB
There is a method such as connecting the gate of M(') STQ, 3 to the scanning line one tree in front of the TQ3 as a p-channel tebresion type5. FIG. 2 is a schematic diagram of main parts showing an example isometric circuit configuration.
第3図における同等部分には同一符号を伺した。Identical parts in Figure 3 are given the same reference numerals.
図において点線21で囲んで示した部分の41F造は第
4図と何ら変るところはなく、異なっているのは受光素
子RPを140STQ、2のゲートと当該MO8TQ、
2をオンするのに元号々電圧vHを印加したリセットラ
インRLとの間に接続した点である。この場合発光素子
ELが発光すると受光素子R,Pがオン状態となり、端
子32に印加されている電圧vHがMO8TQ、2のゲ
ートに印加され、そのMO8TQ、2はオン状態を維持
するので発光素子KLが発光し続ける。この際、フレー
ム周期は端子30に印加される駆動用交番パルスの繰返
し周波数による制限を受けないことに加え、受光素子R
Pがオン状態では蓄積用コンデンサC8が充電され続け
るので受光素子RPの光痺ヤリャのライフタイムを駆動
用交番パルスの周期より長くする必要も々くなる。The 41F structure of the part surrounded by the dotted line 21 in the figure is no different from that in FIG.
This point is connected between the reset line RL and the reset line RL to which the voltage vH is applied to turn on the circuit 2. In this case, when the light emitting element EL emits light, the light receiving elements R and P turn on, and the voltage vH applied to the terminal 32 is applied to the gate of MO8TQ, 2, which maintains the on state, so that the light emitting element KL continues to emit light. At this time, the frame period is not limited by the repetition frequency of the driving alternating pulse applied to the terminal 30, and the light receiving element R
When P is on, the storage capacitor C8 continues to be charged, so it becomes necessary to make the lifetime of the photo-parallelization of the light-receiving element RP longer than the period of the driving alternating pulse.
次に発光素子ELを消去つまり、リセットする方法につ
いて第6図を参照して説明する。第6図はリセットライ
ンRLと走査ラインELK印加する電圧波形をそれぞれ
符号を対応させて示す図であって、リセットラインRL
に印加されるリセットパルスはタイミングt1で0■に
切替り、タイミングt3で再び電圧vHに切替る1、一
方走査ラインSLに印加孕れる走有パルスはタイミング
上2テ高17 ヘルとカリ、タイミングt4で低レベル
に切替る。リセットパルスがOvの状態は走?1/<レ
スが印加される期間(t2〜t4間)に対しタイミング
t3″!fで保持ずれば、MO8TQ、lのトレインに
データラインD1.からデータパレスが印加されていな
いので、蓄積用コンデンサC8の重石はt2〜t3期向
中にデータラインDLを通して数箱し。Next, a method for erasing or resetting the light emitting element EL will be explained with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing the voltage waveforms applied to the reset line RL and the scanning line ELK, with corresponding signs.
The reset pulse applied to the scanning line SL switches to 0 at timing t1, and switches to voltage vH again at timing t3.On the other hand, the scanning pulse applied to the scanning line SL is 2 high and 17 high at timing. Switch to low level at t4. Is it running when the reset pulse is Ov? If it is held at timing t3''!f for the period in which 1/<res is applied (between t2 and t4), the data pulse is not applied to the MO8TQ, l train from the data line D1. Several boxes of C8 weights are sent through the data line DL during the t2-t3 period.
MOEIT9.2かオフとなって発光素子KLが消去さ
れる。MOEIT9.2 is turned off and the light emitting element KL is erased.
なお、前述の方法では発光素子F、Lを消去する際、リ
セットラインRLKリセットパルスを印加する方法につ
いて述べ次か、それ以外に次の方法で発光素−7ELを
消去することも可能である。すなわち、第5図における
受光ネ子RPのオン抵抗rposをMO8TQ、lのオ
ン抵抗rl ONよりも充分大きく詐゛計しておく7.
そして発光素子PLが発光状態にある際にはりセントラ
インRLから伎光素イRPを通してMO8TQ2のゲー
トに、そのMO8TQ2をオンさせるに充分な電圧V2
ONが印加されている。ここでMO8TQ1のゲートに
走査/(レスが印加されてMOEIT Q、1がオン状
態となった際、MO8TQ1のドレインに印加されるデ
ータパルスは低レベルドナっテイル。In addition, in the above-mentioned method, when erasing the light emitting elements F and L, a method of applying a reset pulse to the reset line RLK is described, but in addition to the method described below, it is also possible to erase the light emitting element-7EL by the following method. That is, the on-resistance rpos of the light receiving element RP in FIG. 5 is calculated to be sufficiently larger than the on-resistance rlON of MO8TQ,l7.
When the light emitting element PL is in a light emitting state, a voltage V2 sufficient to turn on MO8TQ2 is applied from the center line RL to the gate of MO8TQ2 through the light emitting element IRP.
ON is applied. Here, when the scan/(res) is applied to the gate of MO8TQ1 and MOEIT Q,1 is turned on, the data pulse applied to the drain of MO8TQ1 is a low level signal.
従−)てrlON (rPONの条件下ではMO8TQ
、2のゲートは、そのMO8T Q2のしきい値電圧以
下になり、その結果MO8TQ2がオフとなり1発光素
子FiLが消去されて受光素子RPもオフ状態となる。) and rlON (under rPON conditions, MO8TQ
.
これを条件式で表わせば第(1)式のようKなる。If this is expressed as a conditional expression, it becomes K as shown in equation (1).
ここでVHhリセットラインRLに印加される直流電圧
+ ■T)(FiMO8T Q、2のしきい値電圧で
ある。Here, the DC voltage applied to the VHh reset line RL + (T) is the threshold voltage of FiMO8T Q,2.
第(1)式から第(2)式が得られる。Equation (2) is obtained from Equation (1).
つ捷り第(2)式の条件を満斤するように各素子特性お
よびリセットラインRLに印加する電圧を設定−t−ル
ことにより、リセットラインRLは表示装置内で共通に
でき、しかもリセ7)”)レス発生回路も不要と力るの
で9表示装置の構成、構造がきわめて簡略化されるとい
う利点もある。By setting the characteristics of each element and the voltage applied to the reset line RL so as to satisfy the condition of equation (2), the reset line RL can be made common within the display device, and the reset line RL can be used in common within the display device. 7) Since there is no need for a response generation circuit, there is also the advantage that the configuration and structure of the display device can be extremely simplified.
(g) 発明の効果
以上の説明から明らか々ように9本発明によれば、蓄積
用コンデンサの小容量化ができ9面平均輝度の低下を招
くことなく表示装置の高解像度化々らひに大形化が可能
となり、その実用的効果は大である。(g) Effects of the Invention As is clear from the above description, according to the present invention, the capacity of the storage capacitor can be reduced and the resolution of the display device can be increased without causing a decrease in the surface average brightness. It becomes possible to increase the size, and its practical effects are great.
第1図は従来の表示装置の構造を示す要部断面図、第2
図は従来の表示装置の等測的回路構成を゛示す要部概略
図、第3図は本発明による表示装置の等測的回路構成を
示す要部概略図、第4図は本発明による表示装置の1例
構造を示す要部断面図。
第5図は本発明による表示装置の他の実施例の等測的回
路構成を示す要部概略図、第6図はリセットパルスおよ
び走査パルスの1例を示す図である。
図において、1は基板、2および6は8102層。
3は不純物ドープ層、4はホリシリコン電極、5および
]0け遮光膜、7は画素電極、8は透明電極、9id:
F、L層、1lFi(3dEI膜、SLは走査ライン、
rlLけチータライン、RL[リセットライン+Q
5+tjアドレス用スイッチンク素子、Q、2はFライ
パ用スイッチング素子、Q、3はリセット用スイッチン
グ素子、C8け蓄積用コンデンサiP#−i受光素子、
KLけ発光素子をそれぞれ示す。
第3図
第4図
第5図
s
第6図Figure 1 is a cross-sectional view of main parts showing the structure of a conventional display device;
The figure is a schematic diagram of main parts showing an isometric circuit configuration of a conventional display device, FIG. 3 is a schematic diagram of main parts showing an isometric circuit structure of a display device according to the present invention, and FIG. 4 is a display according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of main parts showing an example structure of the device. FIG. 5 is a schematic diagram of a main part showing an isometric circuit configuration of another embodiment of a display device according to the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing an example of a reset pulse and a scanning pulse. In the figure, 1 is the substrate, 2 and 6 are 8102 layers. 3 is an impurity doped layer, 4 is a polysilicon electrode, 5 and ]0 light shielding film, 7 is a pixel electrode, 8 is a transparent electrode, 9id:
F, L layer, 1lFi (3dEI film, SL is scanning line,
rlLke cheetah line, RL [reset line +Q
5+tj address switching element, Q, 2 is a F-Leiper switching element, Q, 3 is a reset switching element, C8 storage capacitor iP#-i light receiving element,
KL and KL respectively indicate light emitting elements. Figure 3 Figure 4 Figure 5 s Figure 6
Claims (1)
ス用スイッチング素子によって9画素対応の発光素子に
対する駆動用AC電圧をオンオフ制御するドライバ用ス
イッチング素子を選択動作させるようにした構成におい
て、前記ドライバ用スイッチング素子の制御電極と基準
電位点との間に1積用コンデンサを設けるとともに前記
発光素子に近接して各画素ごとに受光素子を配設し、該
受光素子の受光出力により発光素子纜対する駆動用AC
電圧の供給をオン状態に維持せしめるようにしたことを
特徴とする表示装置。In a configuration in which a driver switching element for controlling on/off control of a driving AC voltage for a light emitting element corresponding to nine pixels is selectively operated by an address switching element connected to a scanning line and a data line, respectively, the driver switching element is controlled. A single-product capacitor is provided between the electrode and the reference potential point, and a light receiving element is arranged for each pixel in close proximity to the light emitting element, and a driving AC is connected to the light emitting element by the light receiving output of the light receiving element.
A display device characterized in that a voltage supply is maintained in an on state.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11371382A JPS593482A (en) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Display unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11371382A JPS593482A (en) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Display unit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS593482A true JPS593482A (en) | 1984-01-10 |
Family
ID=14619261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11371382A Pending JPS593482A (en) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Display unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS593482A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4934395A (en) * | 1988-09-29 | 1990-06-19 | `Totes`, Incorporated | Short fold rib linkage for an umbrella |
JPH10214042A (en) * | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11371382A patent/JPS593482A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4934395A (en) * | 1988-09-29 | 1990-06-19 | `Totes`, Incorporated | Short fold rib linkage for an umbrella |
JPH10214042A (en) * | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
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