JPS5934699B2 - 3−ハイドロキシフェネチルアミン−2−カルボン酸エステル類の製造法 - Google Patents
3−ハイドロキシフェネチルアミン−2−カルボン酸エステル類の製造法Info
- Publication number
- JPS5934699B2 JPS5934699B2 JP4042075A JP4042075A JPS5934699B2 JP S5934699 B2 JPS5934699 B2 JP S5934699B2 JP 4042075 A JP4042075 A JP 4042075A JP 4042075 A JP4042075 A JP 4042075A JP S5934699 B2 JPS5934699 B2 JP S5934699B2
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- carboxylic acid
- hydroxyphenethylamine
- acid esters
- producing
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式(9
PhCH2O□N(T9
(ただし式中、Rは低級アルキル基を表わす)で示され
る3−ベンジルオキシフェニルアセトニトリル類を脱ベ
ンジルおよび還元することを特徴とする一般式(I)゛
゜□、、0、、 (ただし式中、Rは前記規定と同一) で示されるカルボン酸エステル類の製造法に関するもの
である。
る3−ベンジルオキシフェニルアセトニトリル類を脱ベ
ンジルおよび還元することを特徴とする一般式(I)゛
゜□、、0、、 (ただし式中、Rは前記規定と同一) で示されるカルボン酸エステル類の製造法に関するもの
である。
その要点は次の式によつて示される。(ただし式中、R
は低級アルキル基を表わす)本合成方法によると一般式
(1)で示されるフエネチルアミン類は一般式(I[l
)で示されるフエニルアセトニトリル類を、還元剤を用
いて還元することにより得られる。
は低級アルキル基を表わす)本合成方法によると一般式
(1)で示されるフエネチルアミン類は一般式(I[l
)で示されるフエニルアセトニトリル類を、還元剤を用
いて還元することにより得られる。
この場合の還元手段としては、一般に用いられるものな
らいずれでもよく、例えばパラジウム、ラネーニツケル
、白金などの触媒を用いて接触還元を行なうか、あるい
は錯金属化合物が望ましい。反応は通常このような触媒
の存在下行なわれるが、この時の浴媒としては反応に関
与しないものならどのようなものでもよく、具体的には
水、メタノール、エタノールなどがあげられる。反応温
度は常温常圧でもよく、高温高圧の場合も収率よく反応
は進行する。この場合2級アミンの副生を防ぐために、
アンモニアを飽和しておいてもよい。また触媒の種類に
よつては、一般式(5)で示されるベンジル体を中間体
として得ることもある。この場合は、このQ)を塩酸飽
和エチルアルコール中、あるいは適当な還元手段を用い
て脱ベンジルを行ない(1)を得ることもできる。次に
(1)を酸あるいは塩基触媒の存在下、適当な溶媒中加
熱することにより式()で示される3−ハイドロキシフ
エネチルアミン一2−カルボン酸を得ることができる。
このときの酸としては塩酸、硫酸、臭化水素酸、ヨウ化
水素酸などの鉱酸類、塩基としては水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどが用いられる。溶媒としては具体的
には水、含水メチルアルコール、含水エチルアルコール
および含水プロピルアルコールなどであり、反応温度は
50〜200℃程度である。また本反応は加圧下に行な
つてもよい。ここに生成したカルボン酸()は公知の手
段(たとえば液性変換、転溶、再結晶、蒸留、造塩、ク
ロマトグラフイ一)により採取することができる。この
ようにして得られた式()で示される3−ハイドロキシ
フエネチルアミン一3一カルボン酸は、β−アミノ酸の
形を有しており、生理学上あるいは血圧関係および消炎
剤の原料として、医薬品産業上きわめて重要なものであ
る。すなわち、本発明によつて得られる化合物(1)あ
るいは化合物(1)より容易に誘導される化合物()は
、例えば下記に示す化学式に従つて降圧作用、抗炎症作
用を有する化合物(,およびXI)等に変換される。〔
化合物()の血圧降下作用:JOurnalOfMed
icinalChemistryl第12巻、998頁
(1969年)記載〕〔SD系ラツト(l群3匹)を用
いたカラゲニン浮腫法における化合物(IX)および(
X)の50%浮腫抑制率はそれぞれ44.8%および4
76%であり、対照薬である抗炎症剤フエニルプタゾン
(同抑制率:45.7%と同程度の抗炎症作用を示した
。
らいずれでもよく、例えばパラジウム、ラネーニツケル
、白金などの触媒を用いて接触還元を行なうか、あるい
は錯金属化合物が望ましい。反応は通常このような触媒
の存在下行なわれるが、この時の浴媒としては反応に関
与しないものならどのようなものでもよく、具体的には
水、メタノール、エタノールなどがあげられる。反応温
度は常温常圧でもよく、高温高圧の場合も収率よく反応
は進行する。この場合2級アミンの副生を防ぐために、
アンモニアを飽和しておいてもよい。また触媒の種類に
よつては、一般式(5)で示されるベンジル体を中間体
として得ることもある。この場合は、このQ)を塩酸飽
和エチルアルコール中、あるいは適当な還元手段を用い
て脱ベンジルを行ない(1)を得ることもできる。次に
(1)を酸あるいは塩基触媒の存在下、適当な溶媒中加
熱することにより式()で示される3−ハイドロキシフ
エネチルアミン一2−カルボン酸を得ることができる。
このときの酸としては塩酸、硫酸、臭化水素酸、ヨウ化
水素酸などの鉱酸類、塩基としては水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどが用いられる。溶媒としては具体的
には水、含水メチルアルコール、含水エチルアルコール
および含水プロピルアルコールなどであり、反応温度は
50〜200℃程度である。また本反応は加圧下に行な
つてもよい。ここに生成したカルボン酸()は公知の手
段(たとえば液性変換、転溶、再結晶、蒸留、造塩、ク
ロマトグラフイ一)により採取することができる。この
ようにして得られた式()で示される3−ハイドロキシ
フエネチルアミン一3一カルボン酸は、β−アミノ酸の
形を有しており、生理学上あるいは血圧関係および消炎
剤の原料として、医薬品産業上きわめて重要なものであ
る。すなわち、本発明によつて得られる化合物(1)あ
るいは化合物(1)より容易に誘導される化合物()は
、例えば下記に示す化学式に従つて降圧作用、抗炎症作
用を有する化合物(,およびXI)等に変換される。〔
化合物()の血圧降下作用:JOurnalOfMed
icinalChemistryl第12巻、998頁
(1969年)記載〕〔SD系ラツト(l群3匹)を用
いたカラゲニン浮腫法における化合物(IX)および(
X)の50%浮腫抑制率はそれぞれ44.8%および4
76%であり、対照薬である抗炎症剤フエニルプタゾン
(同抑制率:45.7%と同程度の抗炎症作用を示した
。
なお、各薬物の経口投与量は50m7/Kfである。〕
なお本発明で得られた化合物類(1),(),()およ
び(5)はいずれも文献未知化合物であるが、それらの
構造は元素分析値、赤外吸収スペクトル、核磁気共鳴ス
ペクトル、薄層クロマトグラフイ一等により確認するこ
とにより解明されたものである。次に参考例および実施
例にて本発明を説明するが、これらをもつて本発明は制
限されるものではない。
なお本発明で得られた化合物類(1),(),()およ
び(5)はいずれも文献未知化合物であるが、それらの
構造は元素分析値、赤外吸収スペクトル、核磁気共鳴ス
ペクトル、薄層クロマトグラフイ一等により確認するこ
とにより解明されたものである。次に参考例および実施
例にて本発明を説明するが、これらをもつて本発明は制
限されるものではない。
参考例 1
エチル 2−(3−ベンジルオキシフエニル)一2−シ
アノアセテート(a)の製造法金属ナトリウム1gより
製したナトリウムエトキシドと、3−ベンジルオキシフ
エニルアセトニトリル5.5g1ジエチル炭酸5gおよ
びトルエン50Tn1の混合物を加熱還流する。
アノアセテート(a)の製造法金属ナトリウム1gより
製したナトリウムエトキシドと、3−ベンジルオキシフ
エニルアセトニトリル5.5g1ジエチル炭酸5gおよ
びトルエン50Tn1の混合物を加熱還流する。
ナトリウムエトキシドが溶解したらトルエンを少しずつ
留出する。同時に留出量と同量のトルエンを滴下する。
留出温度が80℃から110℃まで上昇したら留出を止
めて、そのまま5時間加熱還流する。溶媒留去後、氷水
を加え氷冷下、塩酸酸性とし、エチルエーテル抽出する
。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去、減圧蒸留に付
し、沸点200〜202℃/MHgの無色油状物5.2
gを得る。核磁気共鳴スペクトル(P]]1,CC14
)1.13(3H1三重線、J=75Hz,CH2CH
3)4.04(2H1四重線、J=7.5Hz,CH2
CH3)4.48(1H1一重線、CH)4.88(2
H1一重線、PhCH2) 6.2〜7.4(9H1多重線、芳香族プロトン)実施
例 12−(3−ベンジルオキシフエニル)−2−ニト
キシカルボニルエチルアミン塩酸塩(a)の製造法参考
例1で得られるAlglラネーニツケル0.3gおよび
アンモニア飽和エタノール20m1の混合物を、水素圧
100シのオートクレーブ中、温度100℃にて攪拌す
る。
留出する。同時に留出量と同量のトルエンを滴下する。
留出温度が80℃から110℃まで上昇したら留出を止
めて、そのまま5時間加熱還流する。溶媒留去後、氷水
を加え氷冷下、塩酸酸性とし、エチルエーテル抽出する
。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去、減圧蒸留に付
し、沸点200〜202℃/MHgの無色油状物5.2
gを得る。核磁気共鳴スペクトル(P]]1,CC14
)1.13(3H1三重線、J=75Hz,CH2CH
3)4.04(2H1四重線、J=7.5Hz,CH2
CH3)4.48(1H1一重線、CH)4.88(2
H1一重線、PhCH2) 6.2〜7.4(9H1多重線、芳香族プロトン)実施
例 12−(3−ベンジルオキシフエニル)−2−ニト
キシカルボニルエチルアミン塩酸塩(a)の製造法参考
例1で得られるAlglラネーニツケル0.3gおよび
アンモニア飽和エタノール20m1の混合物を、水素圧
100シのオートクレーブ中、温度100℃にて攪拌す
る。
水素の吸収が止まつた後、触媒を沢別し、沢液は浴媒留
去する。残留物に塩酸飽和エチルエーテルを加え、析出
する沈殿物をエチルアルコールとエチルエーテルの混合
溶媒にて再結晶し、融点141−143℃の無色プリズ
ム晶260m(!を得る。元素分析値:C,8H2lN
O3・HCl計算値:C,64,37;H,6.6O:
N,4.l7実験値:C,64.43:H,6.55;
N,4.33実施例 22−エトキシカルボニル−2−
(3−ハイドロキシフエニル)エチルアミノ塩酸塩(1
a)の製造法1)A3.3g,3O%パラジウム一炭素
5g1塩酸飽和エチルアルコール0.5meおよびエチ
ルアルコール40meの混合物を常温常圧にて接触還元
に付し、水素の吸収が止まつたら触媒沢別し、▲液は洛
媒留去する。
去する。残留物に塩酸飽和エチルエーテルを加え、析出
する沈殿物をエチルアルコールとエチルエーテルの混合
溶媒にて再結晶し、融点141−143℃の無色プリズ
ム晶260m(!を得る。元素分析値:C,8H2lN
O3・HCl計算値:C,64,37;H,6.6O:
N,4.l7実験値:C,64.43:H,6.55;
N,4.33実施例 22−エトキシカルボニル−2−
(3−ハイドロキシフエニル)エチルアミノ塩酸塩(1
a)の製造法1)A3.3g,3O%パラジウム一炭素
5g1塩酸飽和エチルアルコール0.5meおよびエチ
ルアルコール40meの混合物を常温常圧にて接触還元
に付し、水素の吸収が止まつたら触媒沢別し、▲液は洛
媒留去する。
残留物をエチルアルコールとエチルエーテルの混合浴媒
にて再結晶し、融点143〜145のCの無色針状晶1
.4gを得る。2)実施例1で得られるA2OOm9,
3O%パラジウム一炭素100m7およびエチルアルコ
ール10dの混合物を常温常圧にて接触還元に付し、水
素の吸収が止まつたら触媒沢別し、沢液は浴媒留去する
。
にて再結晶し、融点143〜145のCの無色針状晶1
.4gを得る。2)実施例1で得られるA2OOm9,
3O%パラジウム一炭素100m7およびエチルアルコ
ール10dの混合物を常温常圧にて接触還元に付し、水
素の吸収が止まつたら触媒沢別し、沢液は浴媒留去する
。
残留物をエチルアルコールとエチルエーテルの混合溶媒
にて再結晶し、無色針状晶130m7を得。元素分析値
:CllH,5NO3・HCl計算値:C,53.77
;H,6.56;N,5.7O実験値:C,53.79
:H,6.92:N,5.72参考例 22−カルボキ
シ−2−(3−ハイドロキシフエニル)エチルアミン塩
酸塩(a)の製造法実施例2で得られた(1a)70′
l(lと3N塩酸水溶液3Tneの混合物を3時間加熱
還流する。
にて再結晶し、無色針状晶130m7を得。元素分析値
:CllH,5NO3・HCl計算値:C,53.77
;H,6.56;N,5.7O実験値:C,53.79
:H,6.92:N,5.72参考例 22−カルボキ
シ−2−(3−ハイドロキシフエニル)エチルアミン塩
酸塩(a)の製造法実施例2で得られた(1a)70′
l(lと3N塩酸水溶液3Tneの混合物を3時間加熱
還流する。
塩酸水溶液を留去し、残留物をエチルアルコールとエチ
ルエーテルの混合溶液にて再結晶し、融点192℃の無
色針状晶42mvを得る。元素分析値:C9H,,NO
3・HCl
ルエーテルの混合溶液にて再結晶し、融点192℃の無
色針状晶42mvを得る。元素分析値:C9H,,NO
3・HCl
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III)(ただし式
中、Rは低級アルキル基を表わす)で示される3−ベン
ジルオキシフェニルアセトニトリル類を脱ベンジルおよ
び還元することを特徴とする一般式( I )▲数式、化
学式、表等があります▼ (ただし式中、Rは低級アルキル基を表わす)で示され
るカルボン酸エステル類の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4042075A JPS5934699B2 (ja) | 1975-04-04 | 1975-04-04 | 3−ハイドロキシフェネチルアミン−2−カルボン酸エステル類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4042075A JPS5934699B2 (ja) | 1975-04-04 | 1975-04-04 | 3−ハイドロキシフェネチルアミン−2−カルボン酸エステル類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS51115439A JPS51115439A (en) | 1976-10-12 |
JPS5934699B2 true JPS5934699B2 (ja) | 1984-08-24 |
Family
ID=12580157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4042075A Expired JPS5934699B2 (ja) | 1975-04-04 | 1975-04-04 | 3−ハイドロキシフェネチルアミン−2−カルボン酸エステル類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5934699B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120898U (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-31 |
-
1975
- 1975-04-04 JP JP4042075A patent/JPS5934699B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120898U (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-31 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS51115439A (en) | 1976-10-12 |
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