JPS5933698A - Signal transmitting circuit - Google Patents

Signal transmitting circuit

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Publication number
JPS5933698A
JPS5933698A JP57142812A JP14281282A JPS5933698A JP S5933698 A JPS5933698 A JP S5933698A JP 57142812 A JP57142812 A JP 57142812A JP 14281282 A JP14281282 A JP 14281282A JP S5933698 A JPS5933698 A JP S5933698A
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JP
Japan
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transistor
gate
signal
source
transmission
Prior art date
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Pending
Application number
JP57142812A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
「よ」根田 光雄
Mitsuo Soneda
Toshiichi Maekawa
敏一 前川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPS5933698A publication Critical patent/JPS5933698A/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements

Landscapes

  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent undesired variation of potential for an output line with a simple constitution, by using a source follower which has a boostrap operation by a capacity, a transmission gate, etc. to form each stage. CONSTITUTION:An input pulse is transmitted with a low impedance to a transistor (TR) M21 which has a boostrap operation between the gate and the source by a capacity via a TRM1 which is turned on in response to a clock. At the same time, the input pulse is transmitted to the next stage via a buffer transistor TR31 which is turned on synchronously with the TRM21 and a TRM41 constituting a transmission gate. The leakage output due to the charge feedback of the post stage in the period other than the transmission period of the signal is not transmitted to an output line by a TRM81 which is turned on with the leakage output, a TRM31, etc. As a result, the undesired variance of potential is avoided for an output line with a simple constitution.

Description

【発明の詳細な説明】 産業−にの利用分!l’l’ 本発明はCCD撮像素子、液晶ディスプレイ、メモリ装
置等を駆動するための走査回路に使用して好適な信号伝
送回路に関する。
[Detailed description of the invention] Used in industry! l'l' The present invention relates to a signal transmission circuit suitable for use in a scanning circuit for driving a CCD image sensor, a liquid crystal display, a memory device, etc.

背景技術とその間踊点 このような信号伝送回路として、従来第1図に示すよう
な回II8が用いられていた。
BACKGROUND TECHNOLOGY AND DISCLOSURES Conventionally, circuit II8 as shown in FIG. 1 has been used as such a signal transmission circuit.

図において、入力端子(11がエンハンスメンI−型の
MO3+−フンジスタT1のケートに1妾続され、この
トランジスタTIのソースが[と地ライン(2)に接続
され、トレインがディブレジョン型のMOSトランジス
タ′I゛2のソースとゲートに接続され、このトランジ
スタ1゛2のドレインが電源ライン(3)に接続される
In the figure, the input terminal (11) is connected to the gate of the MO3 + - fungistor T1 of the enhancement type I- type, the source of this transistor TI is connected to the ground line (2), and the train is of the deregression type. It is connected to the source and gate of a MOS transistor 'I'2, and the drain of this transistor 1'2 is connected to a power supply line (3).

ごのi・ランシスタ”I’、、T”2のドレインソース
の接続点がトランスミッションケート エンハンスメント型のMOSトランジスタ゛I゛〕1の
ソースドレインを通じてトランジスタT t 、 ’T
’>と同様に接続されたトランジスタT 41.  T
 51 LZ接続され、このトランジスタ1” 41 
1 T 5+の接続点が1−ランスミ・7シヨンケート
を構成するエンハンスメント型のMOS )ランジスタ
]゛61のソース1′しインを通じて1ランジスタ’l
’+ 、 1゛2と同様に接続されたトランジスタT 
71 +  T R1に接続される。
The drain-source connection point of the i-transistor "I', T"2 is connected to the transistor Tt, 'T through the source-drain of the transmission gate enhancement type MOS transistor "I"1.
Transistor T connected in the same way as '>41. T
51 LZ connected, this transistor 1” 41
An enhancement type MOS transistor in which the connection point of 1 T 5+ constitutes a 1-transistor 7 connection)
'+, transistor T connected in the same way as 1゛2
71 + T Connected to R1.

この1−ランシスクi” 31 ”・Telの回路が順
次繰り返し接続される。なお図中符号のサフィックスの
上位を共通、ト位をkl口次変変更゛(小ず。
This 1-Ransisk i"31"-Tel circuit is sequentially and repeatedly connected. The upper part of the suffix of the code in the figure is the same, and the upper part of the suffix is changed to kl (kozu).

さらに互いに位相の異なるクロック信号φ1゜φ2の供
給されるクロック端子(41,(51かそれぞれ1−ラ
ンジスクT’31. T32・・・及びトランジスタ゛
「61・ TG2°・・のケートに接続される。
Furthermore, the clock terminals (41, (51) to which clock signals φ1 and φ2 having mutually different phases are supplied are connected to the gates of transistors T'31, T32, . . . and transistors 61 and TG2, respectively.

この回路におい乙りI″ドック端子f41 、 (i’
ilには第2図へ、Bに示すようなりしIツク信号φ1
.φ2が供給される。これに対して入力端子(1)には
例えば第2図Cに示ずような信号φINがイバ給される
In this circuit, I'' dock terminal f41, (i'
il is supplied with a signal φ1 as shown in FIG.
.. φ2 is supplied. On the other hand, the input terminal (1) is supplied with a signal φIN as shown in FIG. 2C, for example.

これによってまずト・ランジスタT1.T2の接続点■
には第2図IDに不ずような反転電圧VIが現れる。
As a result, transistor T1. Connection point of T2■
An inversion voltage VI appears as shown in FIG. 2 ID.

次にvlが信号φ1でザンプリングされ、トランジスタ
T41のケート■にホールトされ、第2図Eにボずよう
な電圧■2が現れる。これによ−、゛Cトランジスタ”
ll’41. Tssの接続点■には第2図Fに示すよ
うな反転電圧v3が現れる。この電月二V3にζ例えば
第1の水平走査線が駆動される。
Next, vl is sampled by the signal φ1 and held at the gate 2 of the transistor T41, and a voltage 2 appearing like a blur appears in FIG. 2E. With this, "C transistor"
ll'41. At the connection point (3) of Tss, an inverted voltage v3 as shown in FIG. 2F appears. For example, the first horizontal scanning line is driven at this electric power V3.

さらに■3が信号φ2でザンプリングされ、トランジス
タi”vrのゲート■Gごボールドされ、第2図Gに示
すような電圧V4が現れる。これによってトランジスタ
1゛?1. Tssの接続点■、1−ランジスタボ12
のグー1−■、トランジスタ]’ 42 、 1’ r
、2の接続点■にはそれぞれ第2図II、  鳳 、J
にボずような電圧V51  V6.Vvが現われ、この
電圧V7にて第2の水平走査線が駆動される。以トに述
の動作が順次行われる。
Furthermore, ■3 is sampled by the signal φ2, and the gate ■G of the transistor i''vr is bolded, and a voltage V4 as shown in FIG. -Lunge Stabo 12
Goo 1-■, transistor]' 42, 1' r
, 2 connection points ■ are shown in Figure 2 II, Otori, and J, respectively.
Voltage V51 V6. Vv appears, and the second horizontal scanning line is driven by this voltage V7. The operations described below are performed in sequence.

ここで、トランスミッションケートを構成するトランジ
スタ′]” 31 、  ’I” 61・・・のしきい
イ直をVLbとしζ■ (φ1.φ2)p−p≧V +
>+> + V Lh(V叩は電源ライン(3)の電圧
)の条件が満たされれば、トランスミソションゲ−1・
を通して信号が伝送される。
Here, let VLb be the threshold value of the transistors ']'' 31, 'I'' 61, . . . , which constitute the transmission gate.
>+> + If the condition of V Lh (V hit is the voltage of the power line (3)) is met, the transmission voltage 1.
The signal is transmitted through.

このようにして人力信号φ1Nが順次伝送され、各水平
走査線が順次駆動される。
In this way, the human power signal φ1N is transmitted sequentially, and each horizontal scanning line is sequentially driven.

ところがこの回路におい°ζ、信号を伝送し次の信号を
得るまでの1股の構成に1−ランジスタを6素子必要と
する。このため回路規模が大きくなり、特に■0化L7
た場合にチノゾ面梢が人きくなって、I Cのコストが
」−がるなどの問題があった。JなわI5十述の回11
1δにおい”(トランジスタ゛r’41. T51及び
i’TI、 ”I”e己ごてそれぞれ信′・3・が反転
されており、同相の漬汁を冑るために2倍の素子か必要
になっている。
However, in this circuit, six 1-transistor elements are required for the one-prong configuration from transmitting a signal to obtaining the next signal. For this reason, the circuit scale becomes large, especially ■0 conversion L7
There were problems, such as when the IC was used, it became unpopular and the cost of the IC went up. J rope I5 ten stories 11
1δ smell (transistor r'41. T51 and i'TI, 'I'e self-signal) are inverted, so twice the number of elements is required to remove the pickling liquid in the same phase. It has become.

また上述の回路におい′C1出力側に容贋性のり萄を接
続した場合に、第2図1”、、Jに小゛4出力信−冒の
波形が破線でボずように鈍っ′(シまう。ごの場合に隣
接の出力信号の間でオーハーラソゾが発律し、例えば撮
像素子に用いたJ↓1合にはI’+r像度か劣化したり
、混色によって画像が劣化してしまり。
In addition, in the circuit described above, when a faulty glue is connected to the C1 output side, the waveform of the small 4-output signal becomes dull as shown by the broken line in Figure 2, 1'', J. In this case, OHARASOSO occurs between adjacent output signals, and for example, when J↓1 is used in an image sensor, the I'+r image quality deteriorates, and the image deteriorates due to color mixture.

さらに」二連の回路の場合、トランジスタT2゜T51
1  TGl・・・は當にオン状態にあり、このためト
ランジスタTl 、 ′r゛41. ’I’l+・・・
がオンになった状態でj¥jJrl電流が流れ、極めて
大きな電力が消費されてしまう。
Furthermore, in the case of a double circuit, transistors T2゜T51
1 TGl . 'I'l+...
j\jJrl current flows in the state where is on, and an extremely large amount of power is consumed.

また各トランジスタが飽和領域で駆動されているので、
特に回路を商速で駆動する場合に大きな消g市力を必要
とする。
Also, since each transistor is driven in the saturation region,
Particularly when driving the circuit at commercial speed, a large power is required.

さらにエンハンスメント型とディゾレション型の異なる
素子を用いるの乙例えばIに化した場合に製造のプII
セスが多く必要となゲこし1、う。
Furthermore, if different elements of enhancement type and depletion type are used, for example, if it is changed to
Gekoshi 1, which requires a lot of Seth.

また上述の回路において出力点■、■・・・の波形のロ
ーレベルはトランジスタボ1□、  Tr、L、T 4
2 、 T 52・・・のオン抵抗の比で決定され、 
    rI V ” −(VDD  VSS )+VSSr 1 十
r 2 但し、rlはトランジスタ1’ <1. ′rす・・・
のオン抵抗値 r2はトランジスタ’I”ss、 Ts2・・・のオン
抵抗値 ’J BHは接地ライン(2)の電圧 となる残留電圧V′が発生している。こごご■′の値を
小さくするには、r t +  r 2の比を人きくす
ればよいが、これはトランジスタ′r′匂、T<>・・
のチップ面積をトランジスタT 51. T 52・・
・よりかなり人きくするごとになり、望ましいことでは
ない。〜力出力信号でMOSI・ランジスタを駆Il!
JJする場合には、−に連の、1、うに残留電圧■′が
あると、しきい値等の問題C制約が多く加わるごとにな
る。さらに借料のダイリ・ミックし・ンシが残留電圧V
′分少なくなるなどの問題かあった。
In addition, in the above circuit, the low level of the waveform at the output points ■, ■... is the transistor voltage 1□, Tr, L, T4.
2, determined by the on-resistance ratio of T52...
rI V ” - (VDD VSS ) + VSSr 1 + r 2 However, rl is transistor 1'< 1. 'r...
The on-resistance value r2 is the on-resistance value 'J' of the transistor 'I''ss, Ts2..., and the residual voltage V' that becomes the voltage of the ground line (2) is generated in BH. In order to make it smaller, the ratio of r t + r 2 can be increased, but this is due to the transistor 'r' smell, T<>...
The chip area of transistor T51. T52...
・It becomes much more crowded, which is not desirable. ~ Drive MOSI/ransistor with force output signal!
In the case of JJ, if there is a residual voltage ``1'' connected to ``-'', many problem C constraints such as threshold values will be added. Furthermore, the residual voltage V
There were some problems, such as a decrease in the number of minutes.

発明の目的 本発明はこのような点にがんかめ、簡l′11な構成で
従来の欠点を一掃でき、特に出力ラインの出力パルス以
外の不要な電位変動を1徐去゛ζきるよ・)にしたもの
である。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention addresses these points and eliminates the drawbacks of the conventional technology with a simple configuration, and in particular eliminates unnecessary potential fluctuations other than output pulses on the output line. ).

発明の概要 本発明は、入力信号がソースボ1.Iアに供給され、こ
のソースボl:1アのブー1−ソース間にシートストラ
ップ用の容量成分が持たゼられ、−ト記ソースホロアか
らの信号が、正規の伝送期間には極め゛ζ低インピーダ
ンスとなると共に他の期間には次段の電4’6(の帰還
による前段の出力ラインへのh1洩を抑圧するハソファ
回路を通し゛(1−シンスミソションゲートに(バ給さ
れ、このトランスミッションリート至トランスミッショ
ンゲー1−からなる11月/Jlが順次接続され、に記
ソースボロア及びトランスミッションゲ−1・か各段ご
とに交JIに異なる位相で駆動されるごとにより、」−
記入力信号が各段ごとに順次伝送されるようにした14
号伝送11旧−りでJ,って、出力ラインに不要な電位
変りJが仕じないものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an inventive method in which an input signal is input to a source port 1. A capacitive component for a seat strap is provided between the source follower and the source follower of this source volume 1a, so that the signal from the source follower described above has an extremely low impedance during the normal transmission period. At the same time, during other periods, the voltage is supplied to the transmission gate (1-synthesis solution gate) through a circuit that suppresses h1 leakage to the output line of the previous stage due to the feedback of the next-stage electric current 4'6. Transmission gates 1 and 1 are connected in sequence, and each stage of the source bore and transmission gate 1 is driven with a different phase to alternating current.
14 The input signal is transmitted sequentially for each stage.
In the old version of signal transmission 11, J is one that does not cause unnecessary potential changes to the output line.

実施例 第3図に才9い′乙入力端ーr(1)がトランスミッシ
ョンゲートを構成するエンハンスメント型のM O S
トランジスタM1を通じてソースボIlア構成にされた
コニンハンスメント型のMost・ランジスタM)(の
ブー1−に1′と続される。
Embodiment FIG. 3 shows an enhancement type MOS whose input terminal (1) constitutes a transmission gate.
The most transistor M) of the condensation type having a source bore configuration is connected to the booster 1- and 1' through the transistor M1.

ここでMOS)ランジスタは次のように構成される。第
4図において、P形のジ′ソストレート(]I1の1−
に、N+のソース領域(12)及びルイン領域(13)
が形成される。そしてソース領域(12)とトレ・イン
領域(13)の間の素子の表面にSi02Xが設りられ
、その上にケート電極(15)が被着形成される。
Here, the MOS transistor is configured as follows. In Fig. 4, the 1-
, N+ source region (12) and Ruin region (13)
is formed. Then, Si02X is provided on the surface of the device between the source region (12) and the train/in region (13), and a gate electrode (15) is formed thereon.

従っ゛(このようなMOSI−ランシスタにおいて、ゲ
ート電極(15)とソース領域(I2)とが対向する部
分(lti)におい゛(:1ンYンサが形成され、容量
を持つ。またゲート電位が,lli くなるとソース領
域(12)とルイン領域(I3)との間にチャンネル(
17)が形成され、このときケート電極(15)とチー
トンネル が形成される。
Therefore, in such a MOSI transistor, in the portion (lti) where the gate electrode (15) and the source region (I2) face each other, a Y sensor is formed and has a capacitance. ,lli, a channel (
17) is formed, and at this time, a gate electrode (15) and a chi tunnel are formed.

そしてごの二lンデンサによ.、−C,第;3図の回路
においてトランジスタM21のブー1−ソース間にブー
トストラップ用の容量成分が構成される。
And then to the second place. , -C, In the circuit shown in FIG. 3, a bootstrap capacitance component is configured between the transistor M21 and its source.

さらに第3図におい°ζ、I−ランソスクM21のケー
トカバソファ同123 t−構成する上ンハンスメント
型のMOS)ラニ/ジスタM31のケートに接続される
。まノ,二トランジスタM2+のl’ L・インがトラ
ンスミッションゲートを構成するエンハンスメン]−型
のMOSトランジスタM41のゲートに接続される。
Furthermore, in FIG. 3, the gate of I-Ran Sosk M21 is connected to the gate of Rani/Distor M31. The L-in of the two transistors M2+ is connected to the gate of an enhancement type MOS transistor M41 constituting a transmission gate.

さらにトランジスタM2Iのソースが直列接続されたI
〜ランジスタM31, Mn2のトレインソース間を通
じ゛ζエンハンスメント型のMOSI−ランジスタM6
1のケートに接続される。このトランジスタM5xのケ
ートソース間にブー1スI・ランプ用の容量成分が構成
される。さらにトランジスタM51のゲートがバソソア
回路を構成するエンハンスメント型のMOSトランジス
タMGIのブー1−に接続される。またトランジスタM
5工のドレインがトランスミッションゲー]・を構成す
るエンハンスメント型のM O S )ランジスタMt
tのゲートに接続される。さらにトランジスタM51の
ソースが直列F&.続されたトランジスタMG1,M?
Iのドレインソース間を通し′ζ次段の回路に接続され
る。
Further, the source of the transistor M2I is connected in series with I
~ ゛ζ enhancement type MOSI-transistor M6 between the train sources of transistors M31 and Mn2
Connected to the first gate. A capacitive component for the Booth I lamp is constructed between the gate and source of this transistor M5x. Further, the gate of the transistor M51 is connected to the boost 1- of the enhancement type MOS transistor MGI constituting the bathosore circuit. Also, transistor M
5. The drain of the transmission gate is an enhancement type MO S ) transistor Mt that constitutes the transmission gate.
connected to the gate of t. Furthermore, the source of transistor M51 is connected in series with F&. The connected transistors MG1, M?
It is connected to the next stage circuit through the drain and source of I.

さらにトランジスタM 22 、 M52のソースがエ
ンハンスメン1〜型のMOSI−ランジスタM ei 
、  M 91のゲートに接続される。このトランジス
タM81。
Further, the sources of the transistors M 22 and M 52 are MOSI transistors M ei of the enhancement type 1 to
, M is connected to the gate of 91. This transistor M81.

Mslのソースドレインがそれぞれ2つ前のトランジス
タM311  Msl、M 6x 、 ’M 71の接
続中点と接地ライン(2)との間に接続される。
The source drain of Msl is connected between the connection midpoint of the two previous transistors M311 Msl, M6x, and 'M71, respectively, and the ground line (2).

このトランジスタM21〜Mstの回路が順次繰り返し
接続される。
This circuit of transistors M21 to Mst is sequentially and repeatedly connected.

さらにクロック端子(4)がトランジスタM1のゲート
及びトランジスタM 51 、 M r+2・・・のド
レインに1妾続され、りi」ツク+’1gl I’ (
51がトランジスタM211  M2?・・・のlニレ
インにト妄続される。
Furthermore, the clock terminal (4) is connected to the gate of the transistor M1 and the drains of the transistors M 51 , M r+2 . . .
51 is the transistor M211 M2? ...'s l Nirain continues.

この回路において、り1」ツク端子(41、(51、人
力util子(1)にはそれぞれ第5図A、+−s、c
に示ずような信号φ1.φ2.φINが供給される。ご
こで信号φ1.ψ2.φINのハイレヘルをVH,l:
I−レヘルをVLとする。また(i号φj、φ2のパル
スを図示のように(11) 、  (12)  ・・・
、(21)。
In this circuit, the terminals (41, (51) and the terminals (1) are
A signal φ1 as shown in . φ2. φIN is supplied. Signal φ1. ψ2. VH, l for the high level of φIN:
Let I-Lehel be VL. In addition, (the pulses of i-number φj and φ2 are (11), (12)...
, (21).

〔22J  ・・・とする。またMOS+・ランシスタ
のしきい値を全てVthとする。
[22J...] Further, the threshold values of all MOS+ and Lancisisters are set to Vth.

これによってます信号ψlNc:’信すφ1のパルス〔
12JにてトランジスタMJを伝送され、トランジスタ
M2+のブー1−θつの121.にV 1(第5図D)
は、Vl = V HV Lh         ・・
・・・・fi+になる。
As a result, the signal ψlNc: 'Pulse of φ1 to be believed [
12J through the transistor MJ, and the transistor M2+ has two 1-θ 121. to V 1 (Fig. 5D)
is, Vl = V HV Lh...
...It becomes fi+.

次にl・ランジスタM21のソース(2)の電1.E 
V 2(第5図E)は、初め VI   V2 −V HV L > V th   
 −−−−−+(21であるから、[・ランジスタM2
1はオンしV2=V、             ・・
・・・・(3)点なる。そして信号φ2のパルス〔22
〕が来ると電圧V、はトランジスタM21の容量成分に
よるブートストラップ効果によって持ち上げられ、但し
、CBはブートストラップ効果 C5はトランジスタM2tのり−−1−のストレー容晴 となり、このとき vニーvth≧■H・・・・・・(5)ならば V2=VH・・・・・・(6) となり、トランジスタM21のソース■にパルス〔22
〕が抜き出される。
Next, the voltage of the source (2) of the transistor M21 is 1. E
V 2 (Fig. 5E) is initially VI V2 −V HV L > V th
−−−−−+(21, so [・transistor M2
1 is on and V2=V,...
...(3) Score. And the pulse of signal φ2 [22
], the voltage V is raised by the bootstrap effect due to the capacitance component of the transistor M21, however, the bootstrap effect C5 of CB clears the stray voltage of the transistor M2t, and at this time v knee vth≧■ If H...(5), then V2=VH...(6), and the pulse [22
] is extracted.

またこのときトランジスタM31は電圧V+によってオ
ンされて1−ンリ、トランジスタM3i、 Mn2の接
続中点■の電圧V3  (第5図F)は、V3 =VH
−Vth         ・・・・・・(7)になる
At this time, the transistor M31 is turned on by the voltage V+, and the voltage V3 (Fig. 5F) at the connection midpoint between the transistors M3i and Mn2 is V3 = VH.
-Vth...(7).

さらに信号φ2に同期してトランジスタM41力)゛オ
ンとなり、電圧■3が1−ランシスタM51のケート■
にも蓄積される。そしてこのケート(4)の電圧V4 
 (第5図G)が Vs −V HV Ll+         ・・・・
・・(1))になるごとによってトランジスタMs1が
オンし、トランジスタM21と同様の動作で1−ランシ
ソ、夕Ms+のソース■にパルス〔13〕か()Jき出
さ1+、イ。
Furthermore, in synchronization with the signal φ2, the transistor M41 turns on, and the voltage 3 becomes 1 - the gate of the transistor M51.
is also accumulated. And the voltage V4 of this gate (4)
(Figure 5G) is Vs -V HV Ll+...
...(1)) The transistor Ms1 is turned on in the same manner as the transistor M21, and a pulse [13] or ()J is output from the source (1) to the source (2) of the source (1) and (2) of the transistor (1) and (2).

(第5図11)。(Figure 5 11).

以1・同様にし′ζトランジスタM 22. M 52
・・・のソース■、(す・・・に信号φ1.φ20)各
ノクルス(23) 、  (14)  ・・・が抜き出
される(第5図に、  N ・ ・ ・)。
1.Similarly,'ζtransistor M22. M52
. . . Source ■, (signals φ1, φ20) Each Noculus (23), (14) . . . is extracted (in Fig. 5, N . . . ).

従ゲこごの11月洛におい゛乙人力fご月φINが力1
0次伝送され、!・ランジスタM21.  Msl、 
M22. Mす2・・・のソースに順次パルスが取り出
さ杓2る。そしてこのパルスにζ例えは水平走査番車を
PIl′j次駆!WJすることができる。
When I went to Kyoto in November, the subordinate power was 1.
0th order transmission,!・Ran resistor M21. Msl,
M22. Pulses are sequentially taken out to the source of M2.... And this pulse is used to drive the horizontal scanning wheel PIl'j! You can do WJ.

さらに第5図におイ’r、電圧V+ 、V4 、Vv・
・・の電月二の上昇■6は、1−ランジスタM 211
M5t・・・の容量成分によるブートス1−ラソプリJ
巣によるものであり、 である。また電圧■2 +  V5+  Ve  ・・
・のtU圧の隆1’ V Bは、電y上Vl、V4.V
7  ・・・がVHVLhから■、に変化するときに、
ごの電fiefがブー1−ストラップ容量C8と負荷容
量CLとで分割されて発圧されるものであるが、ごごで
負(;!JとしてCCI)撮像素子あるいは71シ晶ナ
イスプレイ等の容量1ノ1の負(;iJを用いた場合に
はCL >> CB            ・・・・
・・00)であるの°ζ、[−述のVBはほとんど無視
できる値となる。
Furthermore, in Fig. 5, voltages V+, V4, Vv・
The rise of electric moon 2■6 is 1-transistor M 211
Boots 1-Lasopuri J due to capacitance component of M5t...
It is due to the nest and is. Also, the voltage ■2 + V5+ Ve...
The ridge 1' of the tU pressure of ・VB is Vl on the voltage y, V4. V
7 When ... changes from VHVLh to ■,
The electric current fief is divided by the boot 1-strap capacitor C8 and the load capacitor CL, and a voltage is generated. Capacity 1 minus 1 negative (; When using iJ, CL >> CB...
.

そし′(ごの回路において、トランジスタM31゜Me
l・・・は、トランジスタM 61 、  M 22・
・・のゲートG)、■・・・に蓄積された電(ijが、
トランジスタM411 M71・・・がオンのときトラ
ンシス夕M 21 、 M 5+・・・のソースに(+
i) 遠するのを阻止する。さらにトランジスタMet
+ MO1・・・は、トランジスタM22. MO2・
・・のソースにノぐルス(23) 、  (1,4) 
 ・・・が抜き出されたときオンとなり、1.述のグー
1−θ)、(1)・・・に泊積されノこ電イi;Iを接
地ライン(2)に吸収させる。
(In the following circuit, transistor M31゜Me
l... are transistors M 61 , M 22 .
The electric charge (ij accumulated at the gate G), ■... is
When the transistors M411, M71... are on, the sources of the transistors M21, M5+... (+
i) Prevent them from moving away. Furthermore, the transistor Met
+MO1... are transistors M22. MO2・
... sauce with Nogurusu (23), (1,4)
... turns on when it is pulled out, and 1. The above-mentioned goo 1-θ), (1)... are stacked overnight and the saw electricity i;I is absorbed into the ground line (2).

こうして人力信号φINの伝送か11ねれるわLJであ
るが、この回路によれば子連した従来の欠点を一掃する
ことができる。
In this way, the transmission of the human input signal φIN is affected, but this circuit can eliminate the drawbacks of the conventional circuit.

すなわち、上述の回路において、信号を伝送し次の信号
を得るまごの1段の構成が例えば1−ランジスタM21
. MB2. M2R,MO1の4素子のめである。従
って回路規模が小さく、IC化した場合のチップ面積も
小さくなる。
That is, in the above circuit, the configuration of one stage of the main stage that transmits a signal and obtains the next signal is, for example, 1-transistor M21.
.. MB2. It has four elements, M2R and MO1. Therefore, the circuit scale is small, and the chip area when integrated into an IC is also reduced.

また出力信号がり[1ツク信号φ1.φ2のパルスを抽
出する形で形成されるの乙」二連のようにり1:1ツク
信号φ1.φ2のパルスを短くすることにより容易に出
力信号のオーツベーラ・ノブを無くすことができる。
In addition, the output signal is [one signal φ1. The 1:1 signal φ1. is formed by extracting the pulse of φ2. By shortening the pulse of φ2, it is possible to easily eliminate the Oatsberer knob of the output signal.

さらに従来の回路のようにN i!71電流が流れるこ
とがないので、消費電力が極めて小さくなる。
Furthermore, like the conventional circuit, Ni! Since no 71 current flows, power consumption is extremely low.

また各トランジスタが直線6f1域で駆UUJされζい
るので、容易に1「(I速駆動を行うことができ、それ
によって消費電力が大きくなることもない。
Furthermore, since each transistor is driven in the straight line 6f1 range, it is possible to easily drive at 1" (I speed) without increasing power consumption.

さらにり1ドック信号φ1.φ2のそれぞれによって出
力信号が得られるので、クロック信号の周波数を従来の
2にすることができ、これによっても消費電力が小さく
なる。
Furthermore, 1 dock signal φ1. Since an output signal is obtained by each of φ2, the frequency of the clock signal can be reduced to 2, which is the conventional frequency, which also reduces power consumption.

また例えはエンハンスメンI・型の素イのめで回路を形
成できるので、IC化した場合にプl」セスが少なく”
ζすの、容易かつ安価に回1/fiを形成できる。
In addition, for example, since a circuit can be formed using the Enhancement I-type element, there is less process involved when converting it into an IC.
ζ, it is possible to easily and inexpensively form the circuit 1/fi.

さらにこの回路におい′ζ残留電圧V8は、極めて小さ
く略零になる。従ってしきい値等の制約がなくなり、ダ
イナミックレンジも最大限利用することができる。
Further, in this circuit, the residual voltage V8 is extremely small and becomes approximately zero. Therefore, there are no restrictions on thresholds, etc., and the dynamic range can be utilized to the fullest.

そしてさらに、トランジスタM 34 、 M +、1
・・・及びMRII Mss・・・が設けられたことに
より、次段の電荷の帰還による前段出力ラインへの漏洩
が即用され、出力ラインの不要な電位変動が除去される
And furthermore, transistors M 34 , M +, 1
By providing .

なおここで1−ランシスタMat、f〜1り1が無(、
S場合には、例えば電圧V3.V4が第5図中Gこ破I
M−ごボずようになるが、■カラ、イニ/へυ)影’r
Fl bよトランジスタM311 Mst・・・にて遮
11j「さ]′12、イ′・要変動はストじない。また
トランジスタM、・l、M3+・・・はトランジスタM
 si 、 M 27・・・のケートと接1出ライン(
2)との間に接続してもよい。
Note that here 1-run sister Mat, f~1ri1 is nothing (,
In the case of V3.S, for example, the voltage V3. V4 breaks G in Figure 5.
M-Gobozuyo, but ■kara, ini/heυ) shadow'r
Fl b, transistor M311 Mst... will block the 11j 'sa'12, a', change required. Also, transistors M, l, M3+... are transistors M
si, M27...'s gate and the 1st output line (
2).

また第6図は本発明の他の例を示す。図Gこ才iシ)で
トランジスタM81.  Ms+・・・のケート力(そ
求しぞれ前段のトランスミ・ノンヨンケートを横1u−
J’る1−ランシスタM1.M41.Mt+・・・のゲ
ートに接続される。この回II&におい゛ζ各部の波形
Gよ第7図のようになる。ここで■1.はブートストう
・7)。
Further, FIG. 6 shows another example of the present invention. Transistor M81. Kate force of Ms+...
J'Ru1-Run Sister M1. M41. Connected to the gate of Mt+... In this case, the waveform G of each part of II & O is as shown in FIG. Here ■1. 7).

のポットエンドに蓄第1vされた電圧かl−ランスミノ
シコンゲ−1−を通して分配されたイ)のであるが、ご
の?ttl干はトランジスタM et 、 M 9t・
・・に゛て1妾地ライン(2)に吸収される。
The voltage stored at the pot end of the 1V is distributed through the l-lansminoshikonge-1-. ttl dry is transistor M et , M 9t.
...and will be absorbed into the 1st place line (2).

そしてこの回h!gにおいて、I・ランジスタM[lI
IMs+・・・はり11ソクイ萬号ψ1.φ2毎にオン
されるので、出力ラインの電位はさらに安定する。
And this time h! In g, I transistor M[lI
IMs+...Axis 11 sokuimango ψ1. Since it is turned on every φ2, the potential of the output line is further stabilized.

さらにMo3 )ランジスクだけではブートストラップ
用の容量成分が足りない場合に、1−ランシスタのソー
スゲート間にコンデンサを設けてもよい。なJノその場
合のコンデンサは、第8図にボず、VうにMo5t−ラ
ンジスタMa、Mb・・・のゲートとソーストレインと
の間の容に1を用いて1)、1、い。またこの場合のM
O,S)ランジスクMa。
Furthermore, if the capacitance component for bootstrapping is not enough with only the Mo3) transistor, a capacitor may be provided between the source gate of the transistor and the transistor. The capacitors in that case are 1), 1, using 1 for the capacitance between the gate and source train of the transistors Ma, Mb, . . . as shown in FIG. Also, in this case M
O, S) Ranjisk Ma.

Mb・・ ・はコーンハンスメント型Cもディブレソン
ヨン型でもよい。
Mb... may be of the cone hancement type C or the debresson type.

さく’)にトランジスタM31.  M6Hによるバッ
ファ回路は、図示の構成ごなくとも例えばダイメート接
続でもよく、その場合にバイポーラトランジスタのI)
 N接合を用いてもよい。
), the transistor M31. The M6H buffer circuit may have a dimate connection, for example, instead of the configuration shown in the figure, and in that case, the bipolar transistor I)
An N junction may also be used.

発明のりl果 本発明によれば、出力ラインの出力パルス以外の不要な
電位変動を除去することができた。
ADVANTAGES OF THE INVENTION According to the present invention, unnecessary potential fluctuations other than the output pulses of the output line can be removed.

【図面の簡単な説明】 第1図は従来の回路の接続図、第2し1はその説明のた
めの波形し1、第3図は本発明の一例の接続図、第4図
、第5図はその説明のための図、第6図は他の例の接続
図、第7図はその説明のための図、第8図は本発明のさ
らに他の例の接続図である。 (11は入力端子、(2)は接地ライン、+4]、 (
51はクロゾク端子、MはMO3+−ランソスタである
。 第1図 Δ 第4図
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a connection diagram of a conventional circuit, Fig. 2 is a waveform diagram for explaining the same, Fig. 3 is a connection diagram of an example of the present invention, Figs. 6 is a diagram for explaining the same, FIG. 6 is a connection diagram of another example, FIG. 7 is a diagram for explaining the same, and FIG. 8 is a connection diagram of still another example of the present invention. (11 is the input terminal, (2) is the ground line, +4], (
51 is a black terminal, and M is an MO3+- run star. Figure 1Δ Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 人力信号がソースポIll 7に供給され、このソース
ボロアのケートソース間にツートスi・ラップ用の容量
成分が持たゼられ、上記ソースボ11アからの信号が、
正規の伝送期間には極めて低インピーダンスとなると共
に他の期間には次段の電荷の帰還による前段の出力ライ
ン−1の7Mi!洩を抑圧するハソファ回路を通して1
−ランスミノシコンケ−1・に供給され、このトランス
ミソソロングート全通して次段にイ」(給され、−に記
ソースポIJア乃ご11−ランスミッションゲートから
なる回路が順次接続され、上記ソースホロア及びトラン
スミッションケ−1・が各段ごとに交互に異なる位相で
駆動されることにより、上記人力信号が各段ごとに力1
n次伝送されるようにした信号伝送回1?8゜
A human input signal is supplied to the source point Ill 7, a capacitive component for two-tos i/wrap is provided between the gate sources of this source bore, and the signal from the source bore 11a is
During the normal transmission period, the impedance becomes extremely low, and during other periods, the 7Mi! 1 through the Hasofa circuit that suppresses leakage.
- The transmission gate is supplied to the transmission gate 1, and the circuit consisting of the transmission gate 11 and the transmission gate are sequentially connected to each other. By driving the source follower and the transmission case 1 with different phases alternately for each stage, the human power signal is applied with a force of 1 at each stage.
Signal transmission times 1 to 8 degrees for n-th transmission
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351165A (en) * 2005-05-20 2006-12-28 Nec Corp Bootstrap circuit, and shift register, scanning circuit, and display device using bootstrap circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351165A (en) * 2005-05-20 2006-12-28 Nec Corp Bootstrap circuit, and shift register, scanning circuit, and display device using bootstrap circuit

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