JPS5931790A - ポリエンのホスホニウム塩の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカロチノイド及びＶチノイド（ｒｅｔｉ−ｎｏ
ｉｄ）合成における中間体として特に適するポリエンの
ホスホニウム塩の新規な製造方法に関する。

本発明によれば、一般式 式中、Ｒ１は随時ヒドロキシ基または保護されたヒドロ
キシ基で置換されていてもよい２．６，６−ドリメチル
ー１−７クロヘキセンー１−イルまたは２，３．６−）
リメチルフェニル基を表わし、 Ｒ２はアリール基を表わし、そしてＸ−はホスホニウム
塩に普通の陰イオンを表わす、の化合物は一般式 式中、ＲＩ　ＸＲ２及びＸ−は上記の意味を有する、 の化合物を、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、
ロソウム、パラジウムまたはルテニウムを含む触媒の存
在下において適当な有機溶媒または　５− 水性−有機溶媒混合物中で、部分的に水素添加すること
によって製造される。

「保護されたヒドロキシ基」なる用語は、本発明の範囲
内で、普通のヒドロキシ保護基、例えばエーテル、エス
テル、アセタール等の基を表わし、またこれらの基には
水素添加に際してヒドロキシ基に転化される基も包含さ
れる。好ましい保護されたヒドロキシ基は炭素原子７個
までも含むアルコキシ、アシルオキシ及びアセタール、
例えばメトキシ、エトキシ、アセトキシ、（２−メトキ
シ−２−プロピル）オキシ及びペンノルオキシ、特にメ
トキシ基及びアセトキシ基である。

随時Ｒ１に存在するヒドロキシ基または保護されたヒド
ロキシ基は、好ましくはシクロヘキセニルまたはフェニ
ル基の４−位置にある。Ｒ１によって表わされる特に好
ましい基は２，６．６−）リフチル−１−シクロヘキセ
／−１−イル、４−６− ヒドロキシ−２，６，６−）ジメチル−１−シクロヘキ
セン−１−イル、２，３．６−）リメチルフェニル及び
４−メトキシ−２，３，６−）リメチルフェニルである
。

Ｒ２けホスホニウム塩における普通のアリール基、例え
ばフェニル、トリル等、特にフェニルを表わす。

Ｘ−にはホスホニウム塩における普通の全ての陰イオン
、例えばクロライド、ブロマイド、ノぐ−クロレイト、
ハイドロツエンサルフェート等カ含まれる。Ｘは好まし
くは塩素または臭素を表わす。

驚くべきことに、式■の化合物が本発明によって提供さ
れる方法によって高収率で得られることがわかった。こ
のことは、ホスホニウム基をもたない対応する化合物は
これまで水素添加できなかったか、或いは不十分な収率
でのみ水素添加でき、一方、アセチレン性ホスホニウム
塩の水素添加はこれまで知られていなかっただめに、や
はり驚くべきことである。

本発明によって提供される方法は普通の均質及び不均質
の水素添加触媒によって行うことができる。上記の定義
には金属性触媒のみならず、また該金属の化合物、例え
ば塩化パラジウム、酸化ノＲラジウム、酸化白金または
トリス−（トリフェニルホスフィン）ロソウムクロライ
ド〔ウィルキンソン（Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ　）触媒〕が
包含される。不均質触媒は担体物質と共にまたは担体物
質なしに用いることができる。適当な担体物質は例えば
炭素、ケイソウ土、硫酸バリウム、炭酸カルシウム等で
ある。更にまた上記の定義には混合触媒及び異種金属で
ドーピングした触媒も包含される。特に適当な異種金属
は重金属、例えばモリブデン、・クラヅウム、コバルト
、ルテニウム、パナソウム、マンガン、鉛、銅、クロム
、鉄、ツルコニウム等である。更に、触媒の選択性は時
には触媒毒の使用によって増加させることができる。従
ってまた上記の定義には部分的に不活性化された触媒が
含まれる。適当な触媒毒は水素添加触媒の不活性化に通
常用いられる化合物、例えば普通の硫黄化合物である。

特に好ましい触媒毒は１．２−ビス（２−ヒドロキシエ
チルチオ）エタンである。

本発明によって提供される方法においては、随時異種金
属でドーピングされていてもよく及び／または触媒毒で
部分的に不活性化されていてもよい金属性触媒を用いる
ことが好ましい。好ましい金属性触媒は白金、ニッケル
、・フラジラム及び特にラネーニッケルである。特に好
ましい触媒は、随時モリブデン、ルテニウム、マンガン
、パラジウム、コバルト、鉛、銅またはパナソウムでド
ーピングされていて吃よく、或いは１，２−ビス（２−
ヒドロキシエチルチオ）エタンで部分的に　９− 不活性化されていてもよいラネーニッケルである。

使用する触媒の量は臨界的ではなく、従って広い範囲に
わたって変えることができる。更に触媒は一般に数回使
用することができる。

本発明による水素添加は有機溶媒または水性−有機溶媒
混合物中で行うことができる。適当な有機溶媒または水
性−有機溶媒混合物の有機成分は例エバアルコール、エ
ステル、エーテル、ケトン等である。しかしながら、ケ
トンは一般に用いる反応条件下で還元される。好ましい
溶媒の例はメタノール、エタノール及び水とメタノール
、エタノール、酢酸メチル、テトラヒドロフランまたは
アセトンとの混合物である。水素添加が特に速かに且つ
選択的に進行するために、メタノールが特に適当であり
、更にメタノールはホスホニウム塩に対するすぐれた溶
媒である。

水素添加を行う際の温度及び圧力は臨界的では−１０− ない。最適条件は抽出物、用いる触媒及び溶媒によって
変る。しかしながら、水素添加は一般に約Ｏ〜１００℃
、好ましくは約２０〜５０℃の温度及び約０．１〜１０
０バールの水素圧で行われる。

この水素添加は着た殊に室温及び常圧下で行うことがで
きる。低温では一般にやや高収率が得られるが、一方、
高温では一般に水素添加時間が明らかに短縮され、それ
にもかかわらず、触媒の選択性は良好に保持される。

弐Ｉの化合物は、特に出発物質として異性体混合物を用
いた場合、異性体混合物として生じ得る。

必要に応じて８１．純粋な異性体はそれ自体公知の方法
において、例えば異性化（重金属塩、微量の酸または加
熱によって）及び／または再結晶によって得ることがで
きる。

式■の出発物質は公知であるか、または公知の化合物に
対する方法と同様にして製造することができる。

しかしながらまた、一般式 式中、Ｙはハロケ゛ンを表わし、Ｒ２は上記の意味を有
し、Ｒ３はヒドロキシまたは保護されたヒドロキシ基を
表わす、 の化合物は一般式 式中、Ｒ４及びＲ５はヒドロキシまたは保護されたヒド
ロキシ基を表わす、 の化合物をハロゲン化水素、次にトリアリールホスフィ
ンと反応させるととによる簡単な方法で製造することが
できる。

この方法は、アリル性アルコールをハライドに転化し、
更にこのものをホスホニウム塩に転化スる際に通常用い
られる反応条件下で行うことができる。Ｙは塩素、臭素
またはヨウ素、好ましくは塩素または臭素を表わす。ハ
ロゲン化水素との反応は好ましくは約Ｏ〜７０°Ｃでハ
ロゲン化水素水溶液の添加によって行われる。トリアリ
ールホスフィンとの反応は好ましくは還流条件下で行わ
れる。Ｒ２によって表わされる好ましいアリール基はフ
ェニルである。

Ｒ３、Ｒ４及びＲ５はヒドロキシまたは上に定義した保
護されたヒドロキシ基の一つを表わす。

Ｒ４及びＲ５の場合、勿論、また定義には反応条件下で
ヒドロキシ基に転化されるヒドロキシ保護基が含まれる
。

弐■の化合物は公知の方法においてカロチノイドまたは
レチノイドに転化することができる。

−１３− まだ本発明は本明細書に述べた全ての新規化合物、混合
物、方法、用途及び装置に関する。

本発明を以下の実施例によってさらに説明する。

ＨＰＬＣは高速液体クロマトグラフィーを表わす。

粗製の生成物の処理及び異性体の分離または異性化は一
般に最適化されていない。

実施例１ ガス化用攪拌機を備えた水素添加フラスコ中で、メタノ
ールｌｌ中の９０チ（４Ｊ？、２ＺＥ）−（５−（４−
ヒドロキシ−２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘキ
セン−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イ
ニル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド（異性体比
Ｚ／Ｅ＝６２５：　３７．２　）　５６．　Ｏｆの溶液
をラネーニッケル（メタノールを含んだ）１５２の存在
下において、２２℃及び水素０．１パールで、水素の吸
収が停止し且つ抽出物の２係り下が存在す石まで水素添
加−１４− した（７５時間；水素吸収約２．２　ｔ　）。この溶液
を触媒から分離し１．触媒を水素添加フラスコ中にてメ
タノール２５０　ｍ／で洗浄しく懸濁及びデカンテーシ
ョンによる）、新らたガラネーニッケル２２の添加後、
更に水素添加に使用した（上記の如く）。再循環した触
媒に必要な水素添加時間は２２時間であった。この２個
のパッチの水素添加溶液を濾過し、回転蒸発機で蒸発乾
固させ（４０°Ｃ／１５ミリバール）、残渣として（４
Ｒ，２ＺＥ、４Ｚ）−［：ｓ−（４−ヒドロキシ−２，
６゜６−１−　！Ｊメチルー１−シクロヘキセンー１−
イル）−３−メチル−２，４−ペンタジェニル］　）　
１．＋フェニルホスホニウムブロマイドの一様な４色６
状物９６．４９が得られた（ＨｐＬＣによる化学的収率
８４チ）。塩化メチレフ５００　ｍｅ中の残渣の溶液に
酢酸エチル１２００ｍ１．を室温で攪拌しながら滴下し
、生成物が晶出した。この懸濁液を室温で２時間攪拌し
、冷蔵庫中に１６時間放置して結晶化を完了させた。黄
−褐色の結晶を炉別し、塩化メチレン／酢酸エチル（容
量比１：２）２００ｍｇで洗浄し、６０°Ｃ／１５ミリ
・マールで８時間乾燥し、（４Ｒ，２７Ｅ、４Ｚ）−（
５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−ドリメチルー１−
シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２，４−ペ
ンタソエ；ル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド６
ｓ、　ｏ　ｙ　（６４，ｓ多）を得た：融点１８８−１
９０°Ｃ〔α１２０．、−−１８．５°　（Ｃ二１、ク
ロロホルム）。ＨＰ　Ｌ　Ｃによれば、生成物は（２Ｚ
。

４Ｚ）−異性体６３，５チ及び（２Ｂ、４Ｚ）−異性体
３１．０％を含有していた。

実施例２ ガス化用攪拌機を備えたスルホン化用フラスコ中で、メ
タノール２４０　ｍｌ中の（４Ｒ，２ＺＥ）−［５−（
４−ヒドロキシ−２，６，６−ドリフチル−１−シクロ
ヘキセン−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４
−イニル〕トリノエニルホスホニウムクロライド（異性
体比Ｚ／Ｅ＝９：９１）３．０９ｆの溶液を水を含んだ
ラネーニッケル１，８２の存在下において室温及び常圧
下で２時間水素添加したく水素吸収約１９０ｍ１）。触
媒を戸別し、メタノール２０　ｍｅで洗浄した。Ｐ液を
回転蒸発機中にて４０℃／　１５　、Ｓ　ＩＪバールで
蒸発させた。得られた粗製の生成物（４Ｒ，ｚＺＥ、４
Ｚ）−（ｓ−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）リフチ
ル−ｌ−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２
，４−ペンタソエニル〕トリノエニルホスホニウムクロ
ライド（ＩＩ　ｌ）　Ｌ　Ｃによる化学的収率９１．７
％、異性体比＜２Ｅ、４Ｚ）／（２Ｚ、　４Ｚ）＝８０
．２　：　１１．５〕を塩化メチレン２０−に溶解し、
酢酸エチル６０ｍ１のｍ　下Ｋ　ｘ　って結晶させた。

０℃で１６時間放置した後、淡褐−１７− 色の結晶を戸別し、少量の塩化メチレン／酢酸エチル（
容量比１：２）で洗浄し、乾燥し、（４Ｒ、２Ｅ、４Ｚ
）−異性体８５９チ及び（−４Ｒ，２Ｚ、４Ｚ）−異性
体１ｔ、４％を含むホスホニウム塩２．２７　ｙ　（７
３，２％）を得た；融点２０３〜２０５°Ｃｏ塩化メチ
レン／酢酸エチルから３回再結晶し、純（ｓ−（４−ヒ
ドロキシ−２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘキセ
ン−１−イル）−３−メチル−２，４−ペンタノエニル
〕トリフェニルホスホニウムクロライド５６０　Ｎｐを
得た〔ＨｐＬＣによれば（４Ｒ，２Ｅ、４Ｚ）−異性体
９７．３チ及び（４Ｒ，２Ｚ、４Ｚ）−異性体２７チ含
有〕；融点２１０〜２１２℃：〔α〕２゜＝　−２５，
４°　（ｃ　””　１　、クロロホルム）。

実施例３ 実施例２と同様の方法で、メタノール４８０　ｍｌ中の
（４Ｒ，２Ｚ）−［５−（４−ヒドロキシ一−１８− ２．６．６−）ジメチル−１−シクロヘキセン−１−イ
ル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニル〕トリノ
エニルホスホニウムクロライト（（４Ｒ，２Ｅ）−異性
体０．４％含有）　７．７２　Ｆの溶液を水分を含むラ
ネーニッケル３．６２の存在下において水素添加した。

水素約６００　ｍｌを４．５時間以内に吸収した。濾過
し、そして蒸発させた後に得られたＨｐＬｃにより（４
Ｒ，２Ｚ、　４Ｚ）−（ｓ−（＋−ヒドロキシ−２，６
，６−）ジメチル−１−シクロヘキセ／−１−イル）−
３−メチル−２，４−ペンタソエニル〕トリフェニルホ
スホニウムクロライド８２．．４％を含む粗製の生成物
（７，２８Ｆ　）を塩化メチレン３０ｒｎｌに溶解し、
酢酸エチル７５−の滴下によって室温で結晶させた。０
°Ｃで１６時間放置した後、懸濁液を濾過し、生成物を
塩化メチレン／酢酸エチル（容量比１．２）で洗浄し、
乾燥し、融点１１２〜１１４℃の淡い灰色の結晶として
９２．９％（４Ｒ，２１４Ｚ）−（５−（４−ヒドロキ
シ−２，６，６−）ジメチル−１−シクロヘキセン−１
−イル）−３−メチル−２，４−ペンタソエニル〕トリ
フェニルホスホニウムクロライド５．３１Ｆを得た；収
率６８、４　％。塩化メチレン／酢酸エチルからくり返
し再結晶し、融点１１４−１１６℃、〔α〕ｚ＝−１８
，３°　（Ｃ−１、クロロホルム）の無色の結晶２．７
１が得られ、このものは純（４Ｒ，２Ｚ。

４Ｚ）−Ｊｊ性体及び塩化メチレン１ｏ、　６　％を含
有していた。

実施例４ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４０　ｍｌ中の
（５−（２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘキセン
−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニル
シトリフェニルホスホニウムブロマイド（異性体比Ｅ／
Ｚ＝３　：　１　）　３．２６　ｆの溶液を水分を含む
ラネーニッケル１．８２の存在下において水素添加した
。水素１９８ｍ１を６時間以内に吸収した。濾過及び蒸
発後に得られた（２ＺＥ、ＬＺ）−［５−（２，６，６
−）ジメチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−
メチル−２，４−ペンタジェニル〕トリフェニルホスホ
ニウムブロマイドの粗製の生成物（３，２ｆ）〔ＨＰＬ
Ｃによれば、化学的収率８６チ、異性体比（２Ｅ　、　
４Ｚ）／（２Ｚ　、　４Ｚ）＝６５　：　２１　）を０
℃でテトラヒドロフラン３０ｍから再結晶した。

白色の結晶を冷テトラヒドロフラン各１０ゴで２回洗浄
し、４０℃／１５ミリバールで乾燥し、生成物１．９Ｆ
（５８チ）ＣＨＰＬｃによれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性
体７７襲及び（２Ｚ、４Ｚ）−異性体１８チを含有〕を
得た；融点１８０〜１８２℃。塩化メチレン／テトラヒ
ドロフランから２回再結晶し、融点１８３〜１８５℃の
白色結晶とし−２１− −ｃ（２Ｆ、４Ｚ）−異性体１．２１を得た。

実施例５ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４０ｍ７！中の
〔３−メチル−５−（２，３，６−）リメチルフェニル
）−２−ペンテン−４−イニルシトリフェニルホスホニ
ウムブロマイド（異性体比Ｚ／Ｅ＝ｔ：２）ａ、２ａり
の溶液を水分を含むラネーニッケル１．８２の存在下に
おいて水素添加した。

水素１５０ゴを７時間以内に吸収した。濾過及び蒸発後
に得られた（２Ｅ、　４ＥＺ）−（ａ−メチル−５−（
２，３，６−）リメチルフェニル）−２，４−ペンタノ
ェニル〔トリフェニルホスホニウムブロマイド〔ＨＰＬ
Ｃによれば、化学的収率９８チ、異性体比（２Ｅ、４Ｚ
）／（２Ｅ、　４Ｅ）＝８４：１４：］の粗製の生成物
（３，ａ　ｙ　）を塩化メチレン１０Ｈに採り入れ、酢
酸エチル６０−の添加及び塩化メチレンの蒸発によって
結晶させた。

−２２− この懸濁液を室温で４時間攪拌し、次に濾過し、結晶を
少量の冷酢酸エチルで洗浄し、室温及び０．０１ミリバ
ールで一定重量になるまで乾燥し、融点８５〜８６℃の
淡褐色結晶として純生成物１、６０　ｙ　（ｓ　ｏ　％
　）　ＣＩＩｐＬＣＩｔｃｘレバ、（２Ｅ、４Ｚ）−異
性体８５．９％及び（２Ｅ、４Ｅ）−一異性体を得た；
融点１５４〜１５７℃（加熱速度に大いに依存する）。

実施例６ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４Ｏｒｎｌ中の
（Ｚ）−（ｓ−（４−メトキシ−２，３，６−ドリメチ
ルフエニル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニル
シトリフェニルホスホニウムブロマイド３．４２　Ｆの
溶液を水分を含むラネーニッケル１．８１の存在下にお
いて水素添加した。水素１８８ｍ１を２８時間以内に吸
収した。濾過及び蒸発後に得られた（２Ｚ、４Ｚ）−（
５−（４−メトキシ−２，３，６−ドリメチルフエニル
）−３−メチル−２，４−ペンタノエニル〕トリフェニ
ルホスホニウムブロマイド８９．４％を含ｔｒ粗製ノ生
成物（ａ、４ｙ）（収率８９チ）を塩化メチレン２０ｒ
ｎｔに溶解し、攪拌しながら酢酸エチル５０ｍ１の滴下
によって結晶させた。この懸濁液を０℃で一夜放置し、
濾過し、少量の酢酸エチル／塩化メチレン（容量比５：
１）で洗浄した生成物を４０’Ｃ１０，０１ミリバール
で乾燥した。融点２０２〜２０４℃の白色結晶として９
９．６係（２Ｚ、４Ｚ）−（５−（４−メトキシ−２，
３，６−ドリメチルフエニル）−３−メチル−２，４−
ペンタヅエニル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド
１．８１を得た；収率５２．５係。

実施例７ 第１表に示した実験は実施例２と同様にして行っり、各
々の場合、メタノール２４０　ｍｌ中の（４Ｒ，２２Ｅ
）−（ｓ−（４−ヒドロキシ−２，６、６−ト！Ｊ　メ
チル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−
２−ペンテジー４−イニル）トリフェニルホスホニウム
ブロマイド（異性体比Ｅ／Ｚ＝７３：２７）３．３６Ｆ
を異なる触媒を用いて水素添加し、（４Ｒ，ｚＺＥ、　
４Ｚ）−（５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）ジメ
チル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−
２、４−ヘンタジエニル〕トリフェニルホスホニウムブ
ロマイドを得た。第１表において、ｐは圧力を表わし、
Ｔは温度を表わし、そしてｔは水素添加時間を表わす。

昇圧下で行った実験の場合、消費した水素の量の測定は
技術的な理由によって不可能であった。水素添加生成物
の組成はＨＰＬＣの方法によって測定した（面積百分率
）。

−２５− 実施例８ 第２表に示し７た実験は実施例２と同様の方法で行った
。実験（α）においては、（４Ｒ，２ＺＥ）−（ｓ−（
４−ヒドロキシ−２，６，６−）ジメチル−１−シクロ
ヘキセン−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４
−イニル〕トリフェニルホスホニウムクロライド（異性
体比Ｚ／Ｅ＝９：９１）ｔ、ｏ９ｆを水素添加して（４
Ｒ，２ＺＥ。

４Ｚ）　−［５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−ドリ
メチルー１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル
−２，４−ペンタソエニル〕トリノ二二ルホスホニウム
クロライドを生成させ、実験（ｂ）〜（ｅ）においては
、（４Ｒ，２ＺＥ）−〔５−（４−ヒドロキシ−２，６
，６−ドリメチルー１−シクロヘキセン−１−イル）−
３−メチル−ペンテ７−４−イニル〕トリフェニルホス
ホニウムブロマイド（異性体比Ｚ／Ｅ＝２７：７３）３
．３６Ｆ−２７− を水素添加して（４Ｒ，２ＺＥ、４Ｚ）−［５−（４−
ヒドロキシ−２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘキ
セン−１−イル）−３−メチル−２，４−ペンタソエニ
ル〕トリフェニルホスホニウムブロマイドを生成させた
。全ての実験はラネーニッケル１．８２の存在下におい
て２０℃及び常圧下で行った。ｔは水素添加時間を表わ
す。水素添加生成物の組成はＨｐＬＣの方法によって測
定した（面積百分率）。

−２８− −２９一 実施例９ 各々の場合、実施例２と同様の方法において第３表に示
した条件下で、メタノール２４０ｍ１中の（４Ｒ＋”　
２２Ｅ）−［ｓ　−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）
ジメチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチ
ル−２−ペンテン−４−イニル〕トリフェニルホスホニ
ウムプロマイ）’（異性体比Ｅ／Ｚ＝４９．１　：　５
０．９　）　３．３６　ｆを水素添加して（’４Ｒ，２
ＺＥ、４Ｚ）−Ｃｓ−’（４−ヒトｔｆｆキ’／−２、
６、６〒トリメチル−１−シクロヘキセン−１−イル）
−３−メチル−２，４−ペンタソエニル〕トリフェニル
ホスホニウムブロマイドを生成させた。全ての実験は異
種金属でドーピングしたラネーニッケル１．８ｆの存在
下において水素１パール下で行った。Ｔは反応時間を表
わし、ｔは水素添加時間を表わす。水素添加生成物の組
成はＨｐＬＣの方法によって測定しく面積百−３０− 分率）、合計はほぼ収量に対応する。全ての実験におい
て、水素添加生成物はＩｆ　Ｐ　Ｌ　Ｃによればもはや
（２Ｅ）−抽出物を含んでいなかった。水素添加生成物
の処理は実施例２と同様の方法で行った。

−３１− −３２一 実施例１０ 実施例２の方法と同様にして、メタノール１５０ｒｎｌ
中のＩ：５−　（２、６、６−）ジメチル−１−シクロ
ヘキセン−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４
−イニル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド（異性
体比Ｅ／Ｚ＝３　：　１　）′２−Ｏｆの溶液をｌチパ
ラジウムでドーぎングしだラネーニッケル１．１２の存
在下において水素添加した。水素１１２−を２時間以内
に吸収した。濾過及び蒸発後に得られた未だ抽出物１７
チを含む＜２ＺＥ、４Ｚ）−（５−（２、ｅ　、６−　
）サメチル−１−フクロヘキセン−１−イル）−３−メ
チル−２，４−−！ンタソエニル〕）　ＩＪフェニルホ
スホニウムブロマイドの粗製の生成物（λ０ｖ）ＣＨＰ
ＬＣによれば、化学的収率７１チ、異性体比（２Ｅ、４
Ｚ）／（２Ｚ、４Ｚ）＝５７＝１４〕をテトラヒドロフ
ラン４０ｒｎ１．から０℃で再結晶さ−３３− せた。白色結晶を冷テトラヒドロフラン各１＋０゛ｄで
２回洗浄し、６０℃／　１５　ミＩＪパールで一夜乾燥
し、生成物０．９ｊ（４４，８チ）を得た〔ＨｐＬＣに
よれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性体８％及び（２Ｚ、４Ｚ
）−異性体１３．５％含有〕；融点１８２〜１８４°Ｃ
０ 実施例１１ 実施例２の方法と同様にして、酢酸メチル２２０　ｍｅ
及び水２０　ｍｅ中の（：５−（２，６，６−ドリメチ
ルー１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２
−ペンテン−４−イニル）　）　＋Ｊ　フェニルホスホ
ニウムブロマイド（異性体比８７２２４時間以内に吸収
した。濾過及び蒸発後に得られた未だ抽出物１０．８％
を含有する（２ＺＥ、４Ｚ）−［５−（２，６，６−）
ジメチル−１−シー　３４− クロヘキ七ンー１−イル）−３−メチル−２，４−ペン
タノエニル〕トリフェニルホス１ホニウムブロマイドの
粗製の生成物（３，３Ｆ　）　［ＨＰＬＣによれば、化
学的収率７６％、異性体比（２Ｅ、４Ｚ）／（２Ｚ、ｔ
Ｚ）＝ｓｘ　：　１５］をテトラヒドロフラン４０ｍ１
から０℃で再結晶させた。白色結晶を冷テトラヒドロフ
ラン各１０ｒｎｌ！で２回洗浄し、６０℃／１５ミリバ
ールで一夜乾燥し、生成物ｘ、４ｙ（４２，９％）を得
た〔ＨＰＬＣによれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性体７９％
及び（２Ｚ、４Ｚ）−異性体１６チ含有〕；融点１７６
〜１７８℃。

実施例１２ ガス化用攪拌機を備えたスルホン化用フラスコ中で、メ
タノール１５０　ｍｅ中の（５−（２，６゜６−ドリメ
チルー１−シクロヘキセ７−１−イル）−３−メチル−
２−ペンテン−４−イニル〕トリフェニルホスホニウム
ブロマイド（異性体比Ｅ／Ｚ＝３：１）２．Ｏｆの溶液
を白金／炭素（５％）２．５２の存在下において５０°
Ｃで加圧下（９０）ぐ−ル）にて水素添加した。濾過及
び蒸発後に得られた未だ抽出物４チを含む（２ＺＥ、４
Ｚ）−（５−（２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘ
キセン−１−イル）−３−メチル−２，４−ペンｐ−）
ｘ＝ル〕トリフェニルホスホニウムブロマイドの粗製の
生成物＜２．．０？）〔ｆｌＰＬＣによれば、化学的収
率８６％、異性体比（２Ｅ、４Ｚ）／（２Ｚ、４Ｚ）＝
６５：２１：］をテトラヒドロフラン４０ｍ１から０℃
で再結晶した。白色結晶を冷テトラヒドロフラン各１０
ｍ１で２回洗浄し、６０°Ｃ／１５ミリバールで一夜乾
燥し、生成物０．９５ｒ（４７，５％）を得た〔ＨＰＬ
ＣＶＣよれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性体７６チ及び（２
Ｚ、４２）−異性体１９％含有〕；融点１７７〜１７９
℃。

実施例１３ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４０ｄ中の（４
Ｒ，２２Ｅ）−（５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−
）リフチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メ
チル−２−ペンテン−４−イニル〕トリフエニルホスホ
ニウムブロマイド（異性体比Ｚ／Ｅ＝２．８　：　９７
．２　）　３．３６　ｆの溶液をモリブデン１．２チで
ドーぎンダした湿ったラネーニッケル１．８７の存在下
で水素添加した。水素１６８ｍ１！を９時間以内に吸収
した。濾過及び蒸発後に得られた（４Ｒ，２ＺＥ、４Ｚ
）−〔５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−ドリメチル
ー１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２，
４−ペンタジェニル〕トリフェニルホスホニウムブロマ
イドの粗製の生成物〔ＨｐＬＣによれば、化学的収率９
３．３％、異性体比（２Ｅ、４Ｚ）／（２Ｚ、　４Ｚ）
＝ｓｒ、１：　６．２）を塩化メチレンに溶解し、酢酸
エチル４０ｍの滴下によって結晶−３７− させた。１６時間０℃で放置した後、淡褐色の結晶をｐ
別し、少量の塩化メチレン／酢酸エチル（容量比１：２
）で洗浄し、生成物２．５５　ｆ（７ｓ、　７チ）〔Ｈ
ＰＬＣによれば、（２Ｅ、ｔＺ）−異性体９１．６チ及
び（２ｚ、４ｚ）−異性体５．５％含有〕；融点２０３
〜２０４°Ｃ実施例１４ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４０−中の（４
Ｒ，２Ｅ）−（５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）
リフチル−１−フクロヘキセン−１−イル）−３−メチ
ル−２−ペンテン−４−イニル〕トリフェニルホスホニ
ウムブロマイド（（２Ｚ）−異性体０６％含有）　３．
３６　ｆの溶液を７９ラジウム／硫酸バリウム（５％）
ＩＰの存在下において水素添加した。水素２００−を２
時間以内に吸収した。沖過及び蒸発後に得られた（４Ｒ
２２ＺＥ、４Ｚ）−〔５−（４−ヒドロキシ−２，６−
３８− 、　６−　トリメチル−１−シクロヘキセン−１−イル
）−３−メチル−２，４−ペンタジェニル〕ト１）　フ
ェニルホスホニウムブロマイドＣＩＩ　ｐ　ＬＣＫよれ
ば、化学的収率９０．３％、異性体比（２Ｅ。

４Ｚ）／（２Ｚ、４Ｚ）＝８１．８：８．５）の粗製の
生成物を塩化メチレン１２ｍ１に溶解し、酢酸エチル２
０ｍ１の滴下によって結晶させた。０°Ｃで１６時間放
置後、淡い灰褐色の結晶を戸別し、少量の塩化メチレン
／酢酸エチル（容量比１　：　２　）で洗浄し、乾燥し
、生成物’１２０ｆ（６５，９％）を得た（　ＨＰ　Ｌ
　ｃによれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性体８９６％及び（
２Ｚ、４Ｚ）−異性体９．８％含有〕；融点１９８〜１
９９°Ｃ０ 実施例１５ ガス化用攪拌機を備えだ水素添加用フラスコ中で、メタ
ノールｌｔ中の（４Ｒ，２Ｅ）−（ｓ−（４−ヒドロキ
シ−２，６，６−ドリメチルー１−シクロヘキセン−１
−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニルシト
リフェニルホスホニウムブロマイド３００７の溶液をラ
ネーニッケル１０りの存在下において２２℃及び水素０
．１パール下で水素添加した。水素１．３　ｔを３，５
時間以内に吸収した。濾過及び蒸発後に得られた（４Ｒ
１２２Ｅ、４Ｚ）−（５−（４−ヒドロキシ−２゜６．
６−）リフチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３
−メチル−２，４−ペンタソエニル〕トリフェニルホス
ホニウムブロマイドの粗製の生成物（ＩＩ　ｐ　Ｌ　Ｃ
によれば、化学的収率９４．２％、異性体比（２Ｅ、４
Ｚ）／（２Ｚ、４Ｚ）−８７，２ニア、０）をメタノー
ル１５ｍｇ及び酢酸エチ／Ｉ／１９０ｍｅから結晶させ
た。０℃で１６時間放置した後、結晶を炉別し、少量の
メタノール／酢酸エチル（容量比１：９）で洗浄し、乾
燥し、純生成物２１．３１　（７，３，５チ）を得た〔
ＨｐＬＣによれば、（２Ｅ、４Ｚ）−異性体９４．４％
及び（２Ｚ、４Ｚ）−異性体５．６チ含有〕；融点２０
７−２０８°Ｃ〔α）５；＝−２ａ、４°　（Ｃ−１、
クロロホルム）。

実施例１６ 実施例２と同様の方法で、メタノール２４０　ｍｌ中の
（Ｚ）−（５−（４−メトキシ−２，３，６＝トリメチ
ルフェニル−３−メチル−２−ペンテ７−４−イニルシ
トリフェニルホスホニウムブロマイド３．４２９の溶液
をパラソウム／硫酸バリウム（５％）１．ｓｒの存在下
において水素添加した。

水素１８８ｍｅを２時間以内に吸収した。濾過及び蒸発
後に得られた（２Ｚ、４Ｚ）−（５−（４−メトキシ−
２，３，６−）リメチルフェニル）−３−メチル−２，
４−ペンタソエニル〕トリフェニルホスホニウムブロマ
イドの粗製の生成物（３，４９）（ＨＰＬＣによる化学
的収率５４．６％）−４１− を塩化メチレン２０ｍｅに溶解し、攪拌しながら酢酸エ
チル５０ｍ１の滴下によって結晶させた。この懸濁液を
０℃で一夜放置し、そして沖過した。結晶を少量の酢酸
エチル／塩化メチレン（容量比５：１）で洗浄し、室温
１０．ＯＸミリバールで乾燥した。かくして９４．９チ
（２Ｚ、４Ｚ）−［：５−（４−メトキシ−２、１３、
６−ドリメチルフエニル）−３−メチル−２，４−ペン
タジェニル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド１．
０１を得た；融点２０２〜２０５°ｃ。

実施例１７ 攪拌機、温度計、圧力バランス付滴下ロート及びアルゴ
ン用へッドビースを備えだスルホン化用フラスコ中で塩
化メチレン１を中の（工Ｒ５，２Ｒ，４Ｒ，２Ｅ）−５
−（１，４−ソヒドロキシ−２，６，６−）リフチル−
１−シクロヘキシル）−３−メチル−２−ペンテン−４
−イン−１−オ４２− −ル１２６．２ｉｉ’の１＠濁液を０℃に冷却し、次に
攪拌しながら４８％臭化水素水浴液２８３　ｍｅで１５
分以内に処理した。紫−黒色の混合物を、薄層クロマト
グラフィーにより反応が終了する壕で、０℃ではげしく
攪拌した（約１〜１．５時間）。処理するために、３個
の分液ロートＳ、〜Ｓ、の各々に半飽和塩化ナトリウム
水溶液２５０　ｍｌを入れた。

反応混合物そして次に塩４しメチレン各１００ｍｇを３
回、順次分液ロートＳ１〜Ｓ、に通した。分離ｌ−だ有
機相を硫酸ナトリウム５０２上で乾燥し、懸濁液を吸引
沢過し、フィルター上の残渣を塩化メチレン１ｏｏｙで
すすいだ。ｐ液を水流ポンプによる真空下にて回転蒸発
機中で約１．２ｔの容量に濃縮し、攪拌機、温度計及び
ガス化用連結に固定された還流冷却器を備えたスルホン
化用フラスコに入れた結晶性トリフェニルホスフィン１
４４．２７に上記の濃縮物を直ちに滴下し、かくて発熱
反応を調節された還流に保持することができだ（添加時
間１時間）。次に混合物を反応が扁了する丑で（約２時
間）攪拌し、生成物が一部品出した。

この懸濁液を水流ポンプによる真空下にて回転蒸発機中
で実質的に濃縮し、褐色の結晶物４５０２を得た。この
ものをメタノール１００ｍＡ！に還流下で溶液させ、こ
の溶液を冷却浴なしに機械的に攪拌しながら酢酸エチル
１．２ｔで１時間以内に処理した。酢酸エチル約８００
　ｍｅの添加後、生成物の結晶化が起こった。この懸濁
液を一夜−１５℃に冷却し７、次に吸引濾過し、生成物
を酢酸エチル５００　ｍｌで３回極めて十分にすすぎ、
灰褐色の結晶が得られた。未だ溶媒を含む結晶をメタノ
ール１００ｍ１に還流下で溶解し、この溶液を冷却浴な
しに機械的に攪拌１〜ながら酢酸エチル１．２ｔで３０
分以内に処理した。酢酸エチル約２７０ｍ１の添加後に
生成物の結晶化が起こった。この懸濁液を一１５℃で一
夜貯蔵し、次に吸引濾過し、生成物を酢酸エチル５００
　ｍｌで３回極めて十分にすすぎ、水流ポンプによる真
空下にて乾燥炉中で４０°Ｃにて一定重量になるまで乾
燥した。この方法で、淡い灰褐色の粉末として、（４Ｒ
，２２Ｅ）−（５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）
ジメチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチ
ル−２−ペンテン−４−イニル〕トリフェニルホスホニ
ウムブロマイド（（２Ｅ）　−異性体３７．４チ及び（
２Ｚ）−異性体６２６％からなる〕１５１．６　ｆ　（
５４，２％）を得た；融点１９９−２００℃、〔α’３
＝−４７．２°　（０２５チ、クロロホルム）。上記の
２回の結晶化の母液を処理し、上記の方法で各場合にメ
タノール１００ｄ及び各場合に酢酸エチル１ｔから結晶
させ、かくして淡い灰褐色の粉末として、（４Ｒ，２Ｅ
）−（５’−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）リメチ
ル−１−４５− シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２−ペンテ
ン−４−イニル〕トリフェニルホスホニウムブロマイド
５５．７１（１９９％）を得た；融点２０５−２０７°
Ｃ１〔α）Ｄ＝−４４Ｉ°（１，０係、クロロホルム）
。未だ生成物を含む最後の母液は処理しなかった。合計
収量は２０７．３　ｆ（７４，１係）であった。

実施例１８ ガス化用攪拌機を備えたスルホン化用フラスコに、ラネ
ーニッケル１２０り、１，２−ビス（２−ヒドロキシエ
チルチオ）エタン１３２．０　ｍ９及Ｕメタノ一ル２０
０ｍ１を入れ、室温で４０分間予備水素添加した。次い
でこれにメタノール４００　ｍｌ中の（２Ｅ）−［：５
−（２，６，６−）ジメチル−１−シクロヘキセン−１
−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニル〕ト
リフェニルホスホニウムブロマイド２４．４　Ｆの溶液
を加え、この−４６− 混合物を常圧下にて室温で１５．５時間水素添加した（
水素消費１１ｓ　ｏｙ）。混合物を沖過し、残渣をメタ
ノールで十分にすすいだ。沖過を真空下にて回転蒸発機
中で約４０℃（浴温）にて濃縮し、残渣を高真空下でし
ばらく乾燥した。得られた粗製の生成物（２７，３９）
を塩化メチレン２０ｍ／に溶解し、この溶液を種結晶を
入れて酢酸エチル３００　ｍｌ！で滴下処理し、室温で
更に４時間攪拌した。沈殿物を吸引戸別し、酢酸エチル
で十分に洗浄し、高真空下で乾燥した。かくして白色結
晶として（２Ｅ、４２’）−（５−（２，６，６−）リ
フチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル
−２，４−ペンタノェニル））　＋）フェニルホスホニ
ウムブロマイド１９．５　Ｆ　（７９，６％）を得た。

実施例１９ ガス化用攪拌機を備えだスルホン化用フラスコ中で、メ
タノールｌ基中の水分を含むラネーニッケル４６．６　
を及び１，２−ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）エタ
ン５１８ｍ９の懸濁液を常圧下にて３０℃で予備水素添
加した。次いでこれにメタノール２．１を中の（４Ｒ，
２Ｅ）−（５−（４−ヒドロキシ−２，６，６−）リフ
チル−１−ンクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−
２−ペンテン−４−イニル〕トリノエニルホスホニウム
クロライド３２０ｖの溶液を加え、この混合物を４０℃
及び水素１．１バールで水素添加した。水素１５．６１
を５時間以内に吸収した。触媒を炉別し、Ｐ液を５７５
２の重量に濃縮した。生成物を酢酸エチル９．６を中に
徐々に注いで結晶させた。この懸濁液を室温で２時間攪
拌し、そして濾過した。

結晶を少量のメタノール／酢酸エチルで洗浄し、６０°
Ｇ１０．０１ミリバールで乾燥し、融点２１１〜２１２
℃及び〔α：１２Ｇ＝−２６，２°　（Ｃ；１、クロロ
ホルム）の〔５−（４−ヒドロキシ−２゜６．６−）リ
フチル−１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル
−２，４−ペンタヅエニル〕トリノエニルホスホニウム
クロライド２７２．２　Ｆ（８４，７チ）ＣＨＰＬＣに
よれば、（４Ｒ，２Ｅ、４Ｚ）−異性体９７チ及び（４
Ｒ，２Ｚ、　４Ｚ）−異性体２チ含有〕が得られた。

実施例２０ 実施例１９に述べた方法と同様にして、（４Ｒ，２Ｅ）
−（：ｓ−（４−ヒドロキシ−２，６，６−ドリメチル
ー１−シクロヘキセン−１−イル）−３−メチル−２−
ペンテン−４−イニル〕トリフェニルホスホニウムクロ
ライド２ｏｏｔを、水で湿めらせ且つ１，２−ビス（２
−ヒドロキシエチルチオ）エタン６５０　ｍ９で予備処
理したラネーニッケル５８２の存在下において、４０℃
及び水素１．１バールで水素添加した。冷却後、上記の
触−４９− 媒を戸別した溶液を実施例１９に述べた如くして処理し
た。この方法を更に２回くり返し行い、各々の場合に、
前の循環に用いた触媒残液、メタノール２１．新らたな
ラネーニッケル１１１及び抽出物２００１を用い、水素
添加を４０℃及び水素１．１バールで行った。水素添加
時間を及び結晶性の（５−（４−ヒドロキシ−２，６，
６−ドリメチルー１−シクロヘキセン−１−イル）−３
−メチル−２，４−ペンタソエニル〕トリフェニルホス
ホニウムクロライドの収量並びにＨｐＬＣによる（４Ｒ
，２Ｅ、　４ｚ）−異性体の含有量及び〔α）Ｍ値（ｃ
　＝　１　、クロロホルム）を第４表に示した。

−５０− 第　　４　　表 実施例２１ メタノール２を中の（４Ｒ，２Ｚ）−［５−（４−ヒド
ロキシ−２，６，６−）リメテルー１−シクロヘキセン
−１−イル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イニル
〕トリノ二二ルホスホニウムクロライド２００２の溶液
を実施例１９に従って予備処理した触媒５８１の存在下
において、１９〜２８℃で６時間及び４０℃で１１時間
、常圧下にて水素添加した。実施例１９と同様の方法で
処理し、白色結晶１５９．４　ｙ　（７９，４係）が得
られ、このものは（４Ｒ，２Ｚ、４Ｚ）−［５−（４−
ヒドロキシ−２，６，６−）ジメチル−１−フクロヘキ
セン−１−イル）−３−メチル−２，４−ペンタソエニ
ル〕トリフェニルホスホニウムクロライドに加えて、未
だメタノール５．５％及び酢酸エチル０．２係を含有し
ていだ；融点１２３−１２７　℃、　　〔α　〕し”＝
−２０，４°　　（Ｃ＝　１　、　　クロロホルム）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 式中、Ｒ１は随時ヒドロキシ基または保護されたヒドロ
   キシ基で置換されていてもよい２．６．６−）ジメチル
   −１−シクロヘキセン−１−イルまたは２，３．６−）
   リメチルフェニル基を表わし、 Ｒ２はアリール基を表わし、そしてＸ−はホスホニウム
   塩に普通の陰イオンを表わす、ノ化合物を、・ニッケル
   、パラジウム、白金、コバルト、ロソウム、イリゾウム
   またはルテニウムを含む触媒の存在下において適当な有
   機溶媒才たは水性−有機溶媒混合物中で、部分的に水素
   添加することを特徴とする一般式 式中、Ｒ１１Ｒ２及びＸ　は上記の意味を有する、 の化合物の製造方法。 ２　出発物質としてＲ１が随時ヒドロキシ、メトキシま
   だはアセトキシ基で置換されていてもよい２　、６　、
   ６−　）　＋７メチルー１−７クロヘキセンー１−イル
   または２，３．６−）リメテルフェニル残基を表わす式
   ■の化合物を用いる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、　出発物質としてＲ１が２．６．６−）ジメチル−
   １−シクロヘキセン−１−イル、４−ヒドロキシ−２，
   ６，６−）ジメチル−１−シクロヘキセン−１−イル、
   ２，３．６−トリメチルフエニルまたは４−メトキシ−
   ２，３，６−ドリメチルフエニルを表わす式■の化合物
   を用いる特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、不均質触媒を用いる特許請求の範囲第１〜３項のい
   ずれかに記載の方法。 ５　特許請求の範囲第１項記載の金属で随時ドーピング
   されていてもよく及び／または随時触媒毒で一部不活性
   化されていてもよい金属触媒を用いる特許請求の範囲第
   ４項記載の方法。 ６、金属触媒として白金、ニッケルまたはパラジウム、
   好ましくはラネーニッケルを用いる特許請求の範囲第５
   項記載の方法。 ７、触媒と１７で随時モリブデン、ルテニウム、マンガ
   ン、パラジウム、コバルト、鉛、銅またはパナソウムで
   ドーピングされていてもよく或いはｉ時１．２−ビス（
   ２−ヒドロキシエチルチオ）エタンで一部不活性化され
   ていてもよいラネーニッケルを用いる特許請求の範囲第
   ６項記載の方法。 ８、有機溶媒として或いは水性−有機溶媒混合物の有機
   成分としてアルコール、エーテルまたはケトンを用いる
   特許請求の範囲第１〜７項のいずれかに記載の方法。 ９、溶媒ンしてメタノール、エタノール或いはメタノー
   ル、エタノール、酢酸メチル、テトラヒドロフランもし
   くはアセトンと水との混合物を用いる特許請求の範囲第
   ８項記載の方法。 １０、溶媒としてメタノールを用いる特許請求の範囲第
   ９項記載の方法。