JPS5930541A - Electrophotographic receptor and its manufacture - Google Patents

Electrophotographic receptor and its manufacture

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JPS5930541A
JPS5930541A JP14158182A JP14158182A JPS5930541A JP S5930541 A JPS5930541 A JP S5930541A JP 14158182 A JP14158182 A JP 14158182A JP 14158182 A JP14158182 A JP 14158182A JP S5930541 A JPS5930541 A JP S5930541A
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JP
Japan
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group
derivatives
derivs
groups
layer
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Pending
Application number
JP14158182A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toyoaki Nakarai
半井 豊明
Isao Oizumi
大泉 勇夫
Masaaki Yasui
安井 誠明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication of JPS5930541A publication Critical patent/JPS5930541A/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a photoreceptor suitable for semiconductor laser beams, by forming a thin film of a phthalocyanine compd. contg. a metal of group IV on a conductive substrate, bringing it into contact with a shifting agent to form a charge generating layer, and forming a charge transfer layer on this layer. CONSTITUTION:A thin org. film contg. a phthalocyanine compd. contg. a metal of group IV, such as Ti, is formed on a conductive substrate. A shifting agent selected from a group of benzophenone derivs., benzyl derivs., dibenzyl ketone derivs., diphenyl derivs., benzene derivs. substd. by at least one nitro, cyano, acetyl, or aldehyde group, naphthalene derivs., acenaphthene derivs., and acenapthylene derivs. is dissolved in a solvent, and brought into contact with said thin org. film to form a charge generating layer. Then, a charge transfer layer comprising a charge transfer agent and binder is formed on that layer, thus obtaining the entitled photoreceptor having high sensitivity to light in a near IR region.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は近赤外域に吸収を持つ半導体レーザー用感光体
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photoreceptor for semiconductor lasers that absorbs in the near-infrared region.

近年半桿体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになってきて
おり、電子写真用光源として用いられ始めている。
In recent years, the development of semi-rod lasers has been remarkable, and small and stable laser oscillators have become available at low cost and are beginning to be used as light sources for electrophotography.

しかし、このような装置に用いられる場合光源として用
いられる半導体レーザー光の波長は比較的長波長のもの
に限定されている。
However, when used in such a device, the wavelength of semiconductor laser light used as a light source is limited to a relatively long wavelength.

短波長光を発振出来る半導体レーザーを電子写真用光源
として用いるのは、寿命、出力等を考Li&ずれは問題
があるからである。
The reason why a semiconductor laser capable of emitting short wavelength light is used as a light source for electrophotography is that Li& deviation is problematic in terms of lifespan, output, etc.

従って、従来用いられて来た比較的短波長側に吸収を持
つ感光体を半導体レーザー用に用いるのは不適当であり
、近赤外域に吸収を持つ感光体か必要となって来ている
Therefore, it is inappropriate to use conventionally used photoreceptors that absorb in the relatively short wavelength region for semiconductor lasers, and a photoreceptor that absorbs in the near-infrared region is required.

゛重子写真用感光体としては、無機化合物としては、S
e、”re、CdS及びZnOか知られており、有機化
合物としてはポリビニルカルバゾール等が知られている
。これらの無機化合物、有機化合物とも長波長側での感
度が不十分な為、上記の近赤外域に中心波長を有する半
導体レーザー光用に用いるには問題がある。また無機化
合物では強い7.ili性も欠点となっている。
As an inorganic compound, S
e, ``re, CdS, and ZnO are known, and polyvinylcarbazole is known as an organic compound.Since both these inorganic compounds and organic compounds have insufficient sensitivity on the long wavelength side, they cannot be used near the above. There are problems in using it for semiconductor laser light having a center wavelength in the infrared region.Inorganic compounds also have a strong 7.ili property.

半導体レーザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点・を
克服する近赤外域の光に対し高感度であり、毒性か無く
且つ削欠性のある感光体の出現が待ち望まれていた。
As semiconductor laser technology progresses, the emergence of a photoreceptor that overcomes the above-mentioned drawbacks and is highly sensitive to light in the near-infrared region, is non-toxic, and has abrasive properties has been awaited.

本発明は前記現状に鑑みてなされたもので、その目的は
近赤外領域の光に対し市感度であり毒性が無く、且つ耐
久性のある新規な電子写真用光源とその製造方法とを4
Ji−供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned current situation, and its purpose is to provide a novel electrophotographic light source that is sensitive to light in the near-infrared region, non-toxic, and durable, and a method for manufacturing the same.
Ji - To serve.

そこで本発明者らは鋭意努力した結果、このような電子
写真用光源の開発に成功し、本発明に至ったのである。
As a result of diligent efforts, the present inventors succeeded in developing such a light source for electrophotography, resulting in the present invention.

即ち本発明は、台車性基板」二に設けた第■族金属を含
有するフタロシアニン化合物波ひにベンゾフェノン誘導
体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン誘導体、ジフェ
ニル誘導体、いずれか一つの置換基かニトロ基、シアン
基、アセチル基、アルデヒド基であるベンゼン誘導体、
ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチ1
/ン誘導体より成る群から選ばれた、1種又は2種以上
のシフト化剤とから成る有機、jl、:膜で構成した7
+i荷発生層を形成し、その上に、電荷移動剤と結合剤
とから成る′電荷移動層を形成してなることを特徴と1
−る積層型電子写真用感光体に関するものであり、史に
その1製法即ち導′c1(性基板上に設けた第1V族金
属を含有するフタロシアニン化合物を有する有機薄膜を
、溶媒中に溶したペン・/フヱノン誘尋体、ベンジル誘
Q 体、’) ヘア ’;ルケトン誘誘体体ジフェニル
誘導体いずAt力)一つの置換基がニトロ基、シアノ基
、アセチルノ市、アルデヒド基であるベンゼン誘導体、
ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチレ
ン誘導体より成る群より選ばitだ1種又は2種以上の
シフト化剤と接触させて電荷発生層を形成し、その」二
に、電荷移動剤と結合剤とから成る電荷移動層を形成す
ることを特徴とする積層型電子写真用感光体の製造方法
に関するものである。
That is, the present invention provides a phthalocyanine compound containing a group (III) metal provided on a "carriage substrate" 2, a benzophenone derivative, a benzyl derivative, a dibenzyl ketone derivative, a diphenyl derivative, any one substituent, a nitro group, a cyanogen benzene derivatives, which are groups, acetyl groups, aldehyde groups,
naphthalene derivatives, acenaphthene derivatives, acenaphthene 1
7 composed of an organic film consisting of one or more shifting agents selected from the group consisting of /N derivatives.
1. A charge-transfer layer comprising a charge-generating layer and a charge-transfer layer comprising a charge-transfer agent and a binder is formed thereon.
This paper relates to a laminated type electrophotographic photoreceptor, and has been known for its first manufacturing method, i.e., conductor'c1 (in which an organic thin film containing a phthalocyanine compound containing a Group 1 V metal is disposed on a substrate and dissolved in a solvent). pen/phenone derivatives, benzyl derivatives, 'hair'; ketone derivatives, diphenyl derivatives, At-force) benzene derivatives in which one substituent is a nitro group, cyano group, acetyl group, or aldehyde group ,
A charge generation layer is formed by contacting with one or more shifting agents selected from the group consisting of naphthalene derivatives, acenaphthene derivatives, and acenaphthylene derivatives; and second, a charge transfer agent and a binder. The present invention relates to a method for manufacturing a laminated electrophotographic photoreceptor characterized by forming a charge transfer layer.

以下本発明について詳述する。The present invention will be explained in detail below.

本発明の第■族金属とは−ri、Snおよび/またはp
b  でありこれを含有するフタロシアニン化合物とは
、チタニウム・フタロシアニン(Ti P c )、モ
ノクロルチタニウム・フタロシアニン(′l″1CeP
c)、ベンゼン環の一つヲクロル化したモノクロルチタ
ニウム・フタロシアニンモノクロライド(1”1C(J
PcC:5)、スズフタロシアニン(SnPc)、モノ
クロルスズ・フタロシアニン(SnC51’c)、ベン
ゼン環の一つをクロル化シたモノクロルスズ−フタロシ
アニンモノクロライド(SnCePcCe)、ナマリ・
フタロシアニン(pbc6)、モノクロルナマリ・フタ
ロシアニン(PbにjPc)  ベンゼン環の一つをク
ロル化したモノクロルナマリ−フタロシアニンモノクロ
ライド(Pb(J!PcCJ)等のことである。
Group Ⅰ metals of the present invention are -ri, Sn and/or p.
b and the phthalocyanine compounds containing this include titanium phthalocyanine (TiP c ), monochlorotitanium phthalocyanine ('l''1CeP
c), monochlorotitanium phthalocyanine monochloride (1"1C (J
PcC:5), tin phthalocyanine (SnPc), monochlorotin phthalocyanine (SnC51'c), monochlorotin phthalocyanine monochloride (SnCePcCe), which has one of the benzene rings chlorinated,
Phthalocyanine (pbc6), monochlorinated phthalocyanine (Pb to jPc), monochlorinated phthalocyanine monochloride (Pb(J!PcCJ)) in which one of the benzene rings is chlorinated.

本発明に於いて使用されるシフト化剤とは、11V族金
属を含有するフタロシアニン化合物と接触することによ
り、その吸収波長を長波長側ヘシフトさせる化合物のこ
とである。該シフト化剤は特定のベンゾフェノン誘導体
、ベンジル誘導体、ジベンジルケ!・ン誘4ス体、ジフ
ェニル誘導体、いずれか一つの置換基がニトロ基、シア
ノ基、アセチル基、アルデヒド基であるベンゼン誘導体
、ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチ
レン誘29体より選ばれ、1棟又は2種以−りが組合せ
て使用される。
The shifting agent used in the present invention is a compound that shifts the absorption wavelength of a phthalocyanine compound containing a group 11V metal to the longer wavelength side by contacting the compound. The shifting agents include specific benzophenone derivatives, benzyl derivatives, and dibenzyl derivatives!・Choose from 29 acenaphthylene derivatives, benzene derivatives, naphthalene derivatives, acenaphthene derivatives, and acenaphthylene derivatives in which any one substituent is a nitro group, cyano group, acetyl group, or aldehyde group, one building or Two or more types are used in combination.

ベンゾフェノン誘導体とは一般式(11式で表わされる
化合物である。
A benzophenone derivative is a compound represented by the general formula (11).

(ここで、it 、〜R1oは水素原子、炭素原子数1
〜10のアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシ
基、ハロゲン1q子、水酸基、ニトロ基、シアン基、ア
セデル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−COC
ut1m1 で表わされ且つnが1−10.Inが3〜20の整数で
あるエステル基であるものとする。)ベンジル誘導体と
は一般式(2)式で表わされる化合物である。
(Here, it, ~R1o are hydrogen atoms, the number of carbon atoms is 1
-10 alkyl group, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, 1q halogen group, hydroxyl group, nitro group, cyan group, acedel group, aldehyde group, carboxyl group or -COC
ut1m1 and n is 1-10. It is assumed that In is an ester group having an integer of 3 to 20. ) A benzyl derivative is a compound represented by the general formula (2).

(ここで、1(1〜R,oは水素原子、炭素原子数1〜
10のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸
基、二1・四基、アミノ基、シアノ基、アセチル基、カ
ルボキシル基、又は−COCn Hmで表わされ、佳つ
!1が1 1 ”” I Olmが3〜20の整数のエステル基で
あるものとする。) ジベンジルケトン誘導体とは一般式(3)式で表わされ
る化合物である。
(Here, 1 (1~R, o is a hydrogen atom, number of carbon atoms is 1~
Represented by 10 alkyl groups, alkoxy groups, halogen atoms, hydroxyl groups, 21,4 groups, amino groups, cyano groups, acetyl groups, carboxyl groups, or -COCn Hm, excellent! It is assumed that 1 is 1 1 "" I Olm is an ester group of an integer from 3 to 20. ) A dibenzyl ketone derivative is a compound represented by the general formula (3).

(ここでR、〜に10は水素原子、炭素原子数1−10
のアルキル基、炭素原子mt〜10のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、”rミノlk 、シア
ノ基、アセチル基、カルボキシル基又は−COい111
mで1 表わされ且つnがl 〜l Q 、 II+が3〜20
の整数のエステル基であるものとする。)ジフェニル誘
導体とは一般式(4)で表わされる化合物である。
(Here, R, ~ and 10 are hydrogen atoms, and the number of carbon atoms is 1-10
an alkyl group, an alkoxy group of mt to 10 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an acetyl group, a carboxyl group or -CO111
m is 1, and n is l to l Q, and II+ is 3 to 20
shall be an integer of ester groups. ) A diphenyl derivative is a compound represented by the general formula (4).

(ここに、ttl、it10は少なくともいずれか一つ
がニトロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カ
ルボキシル基又は−COC:n1石11 が水素原子、炭素原子にQl−10のアルキル基、炭メ
・;原子数1−10のアルコキシ基、ハロゲン原子、水
酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、カルボキシル
基又は −COCnllm で表わされ且−J nか1〜10、
1 mか8〜20のエステル基であるものとする。) ベンゼン誘導体とは一般式(5)式または(6)式で表
わされる化合物である。
(Here, at least one of ttl and it10 is a nitro group, cyan group, acetyl group, aldehyde group, carboxyl group, or -COC: n1 is a hydrogen atom, and the carbon atom is an alkyl group of Ql-10, a carbon atom)・; Represented by an alkoxy group having 1 to 10 atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, an acetyl group, a carboxyl group, or -COCnllm, and -J n is 1 to 10,
1 m or 8 to 20 ester groups. ) A benzene derivative is a compound represented by the general formula (5) or (6).

4 R。4 R.

(ここで、R,#R6は少くともいずれか1つがニトロ
基、シアン基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外が水素原子、炭素原子数1−10のアルキル基
、アルコキシ基、ノーロゲン1県子、水酸基、ニトロ基
、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基(であるも
のとする。) 4 1(1 (ここで、側鎖エステル基中のnはl −10゜mは8
〜2(1)’li数であり、R,−R,は水素原子、炭
素原子数1−1 (lのアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ糸、ジr)基、アセチル基
またはカルボキシル基であるものとする。) ナフタリン誘導体とは一般式(7)式で表わされる化合
物である。
(Here, at least one of R and #R6 is a nitro group, a cyan group, an acetyl group, or an aldehyde group,
Others are hydrogen atoms, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy groups, nologen groups, hydroxyl groups, nitro groups, cyano groups, acetyl groups, or aldehyde groups. Here, n in the side chain ester group is l -10゜m is 8
~2(1)'li number, R, -R, is a hydrogen atom, a carbon atom number 1-1 (l alkyl group, alkoxy group, halogen atom, hydroxyl group, nitro thread, dir) group, acetyl group or a carboxyl group. ) A naphthalene derivative is a compound represented by the general formula (7).

(ここに、R,〜R8は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外が水素原子、・炭素原子数1−1oのアルキル
基、炭素原子数1〜10のアルコキシ基、ハロゲン原子
、水酸基、二l・口糸、シアノ基、アセチル基、アルデ
ヒド基又は−COCnl1m1 で表わされ且ッIIがl−IQSmが3〜2゜の整数の
エステル基であるものとする。)アセナフテン誘導体と
は一般式(8)式で表わされる化合物である。
(Here, at least one of R and ~R8 is a nitro group, a cyano group, an acetyl group, or an aldehyde group,
The others are hydrogen atoms, alkyl groups with 1-10 carbon atoms, alkoxy groups with 1-10 carbon atoms, halogen atoms, hydroxyl groups, cyano groups, acetyl groups, aldehyde groups, or -COCnl1m1 It is assumed that II is an ester group where l-IQSm is an integer of 3 to 2 degrees. ) Acenaphthene derivatives are compounds represented by general formula (8).

(ここにR1〜R,は少くともいずれか一つがニトロ基
、シアノ基、アセチル基、アで表わされ肚つnが1〜1
0、mが8〜20の整数であるエステル基であり、それ
以外が水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭
素原子数1〜IOのアルコキシ基、ハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、
カルボキシル基又は−COCnHmで表わされ且つnが
11 〜10、mが8〜20の整数であるエステル基であるも
のとする。) アセナフチレン誘導体とは一般式(9)式で表わされる
化合物である。
(Here, at least one of R1 to R is represented by a nitro group, a cyano group, an acetyl group, or a, and n is 1 to 1.
0, m is an integer of 8 to 20, and the others are hydrogen atoms, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to IO carbon atoms, halogen atoms, hydroxyl groups, nitro groups, Cyan group, acetyl group, aldehyde group,
It is a carboxyl group or an ester group represented by -COCnHm, where n is an integer of 11 to 10 and m is an integer of 8 to 20. ) The acenaphthylene derivative is a compound represented by the general formula (9).

(ここに、R1−R8は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−C(JCnl−1m凸 で表わされ且つnがl〜1O1inが8〜20の整数で
あるエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子
数1〜IOのアルキル基、゛炭素原子数1〜10のアル
コキシ基、ハロゲン+sx 子、水酸基、ニトロ基、シ
アン基、アセチル基、アルデヒド基、〕Jルボキシルh
(又は−〇〇Cn11mで表わされ且つ!1が1 1〜IQ、mが8〜20の整数のエステル基であるもの
とする。) また、シフト化剤としての前記化合物の具体例としては
、安息香酸、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香
酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸フェニル、P−
ヒドロキシ安息香酸、P−ヒドロキシ安息香酸エチル、
P−ヒドロキシ安息香酸エチル、P−ヒドロキシ安息香
酸プロピル、P−ヒドロキシ安息香酸ブチル、P−ヒド
ロキシ安息香酸フェニ/Lz、m−ヒドロキシ安息香酸
、nl−ヒドロキシ安息香酸メチル、′1n−ヒドロキ
シ安息香酸エチル、In−ヒドロキシ安息香酸プロピル
、m−ヒドロキシ安息香酸ブチル、in−ヒドロキシ安
息香酸フェニル、サリチル酸、サリチル酸メチル、サリ
チル酸エチル、サリチル酸プロピル、サリチル酸ブチル
、サリチル酸フェニル、フェニル酢酸、フェニル酢酸メ
チル、フェニル酢酸エチル、フェニル酢酸プロピル、フ
ェニル酢酸メチル、フェニル酢酸フェニル、ニトロベン
ゼン、P−ジニトロベンゼン、n1−ジニトロベンゼン
、0−ジニトロベンゼン、ベンズアルデヒド、ベンゾニ
トリル、p−7タロニトリル、m−フタロニトリル、0
−フタロニトリル、テレフタル酸、テレフタル酸ジメチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジプロピル、
テレフタル酸ジブチル、テレフタル酸ジフェニル、P−
メチル安息香酸、P−メチル安息香酸メチル、P−メチ
ル安息香酸エチル、P−メチル安息香酸プロピル、P−
メチル安息香酸ブチノペP−メチル安息香酸フェニル、
m−メチル安息香酸、m−メチル安息香酸メチル、m−
メチル安息香酸エチル、In−メチル安息香酸ピロピル
、 In−メチル安息香酸ブチル、In−メチル安息香
酸フェニル、0−メチル安息香酸、0−メチル安息香酸
メチル、0−メチル安息香r1ジエチル、O−メチル安
息香酸プロピル、0−メチル安息香酸ブチル、0−メチ
ル安息香nψフェニル、アセトフェノン、p−メチルア
セトフェノン、m−エチルアセトフェノン、0−メチル
アセトフェノン、P−エチルアセトフェノン、m−エチ
ルアセトフェノン、0−エチルアセトフェノン、))−
プロピルアセトフェノン、lll−プロピルアセトフェ
ノン、0−プロピルアセトフェノン、P−ブチルアセト
フェノン、m−ブチルアセトフェノン、0−ブチルアセ
トフェノン、P−フェニルアセトフェノン、1n−フェ
ニルアセトフヱノン、O/−フェニルアセトフェノン、
ベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、4−エチ
ルベンゾフェノン、4−プロピルベンゾフェノン、4−
−jチルベンゾフェノン、4−フェニルベンゾフェノン
、2.2′−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベン
ゾフェノン、2−ヒドロキシ−5−クロルベンゾフェノ
ン、2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、4.4’ 
−ジクロルベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メト
キシベンゾフェノン、4−ドブシクロ−2−ヒドロキシ
−ベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクタデシロ
キシベンゾフェノン、2.2′−ジヒドロキシ−4−メ
トキシベンベンゾフェノン、2.2’、4.4’ −テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−
メトキシ−5−スルフオペンゾフエノン、2−ヒドロキ
シ−4−メトキシ−2′−カルボキシベンゾフェノン、
2−ヒドロキシ−4−クロロベンゾフェノン、4−(ヒ
ドロキシ)ベンジルベンゾニトリル、ジフェニル、0−
ヒドロキシジフェニル、4−ニトロジフェニル、4−シ
アノジフェニル、1)−キュミルファノール、フェノー
ル2.5−ジメチルキシレノール、5−ニトロアセナフ
テン、5−シアノアセナフテン、5−アセチルアセナフ
デン、5−ニトロアセナフチレン、5−シアノアセナフ
チレン、5−ア七チルアセナフチレン、2−ニトロナフ
タリン、2−シアノナフタリン、2−アセトナフタリン
、2−ニトロフエナントレシ、2−シアノフェナントレ
ン、2−アセチルフェナントレン、2−ニトロピレン、
2−シアノビレ7.2−7セチルピレン、2−ニトロト
リフェニレン、2−シアノトリフェニレン、2−アセチ
ルトリフェニレン、1−ニトロフルオラン−壮ン、■−
シアノフルオランセン、l−アセチルフルオランセン l−シアノベンズアントラセン、l−アセトベンズアン
トラセン、ベンジル、4−メチルベンジル、4−ヒドロ
キシベンジル、4−ニトロベンジル、4−シアノベンシ
ル、4−アセチルベンジル、ジベンジルケトン、4 、
 4’−(ジメチル)ジベンジルケトン等が挙げられる
(Here, at least one of R1-R8 is a nitro group, a cyano group, an acetyl group, an aldehyde group, a carboxyl group, or -C (JCnl-1m is represented by a convex shape, and n is 1 to 1O1in is 8 to 20 is an ester group which is an integer of , and the others are hydrogen atoms, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms, halogen + sx atoms, hydroxyl groups, nitro groups, cyan groups, acetyl groups , aldehyde group, ]J ruboxyl h
(Or it is represented by -〇〇Cn11m, and !1 is an ester group with an integer of 11 to IQ, and m is an integer of 8 to 20.) Further, as a specific example of the above compound as a shifting agent, , benzoic acid, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, butyl benzoate, phenyl benzoate, P-
Hydroxybenzoic acid, ethyl P-hydroxybenzoate,
Ethyl P-hydroxybenzoate, propyl P-hydroxybenzoate, butyl P-hydroxybenzoate, phenyl P-hydroxybenzoate/Lz, m-hydroxybenzoic acid, methyl nl-hydroxybenzoate, ethyl '1n-hydroxybenzoate , In-propyl hydroxybenzoate, butyl m-hydroxybenzoate, phenyl in-hydroxybenzoate, salicylic acid, methyl salicylate, ethyl salicylate, propyl salicylate, butyl salicylate, phenyl salicylate, phenylacetic acid, methyl phenylacetate, ethyl phenylacetate, Propyl phenylacetate, methyl phenylacetate, phenyl phenylacetate, nitrobenzene, P-dinitrobenzene, n1-dinitrobenzene, 0-dinitrobenzene, benzaldehyde, benzonitrile, p-7 talonitrile, m-phthalonitrile, 0
-phthalonitrile, terephthalic acid, dimethyl terephthalate, diethyl terephthalate, dipropyl terephthalate,
Dibutyl terephthalate, diphenyl terephthalate, P-
Methylbenzoic acid, methyl P-methylbenzoate, ethyl P-methylbenzoate, propyl P-methylbenzoate, P-
Butinope P-methylbenzoate, phenyl methylbenzoate,
m-methylbenzoic acid, methyl m-methylbenzoate, m-
Ethyl methylbenzoate, pyropyl In-methylbenzoate, butyl In-methylbenzoate, phenyl In-methylbenzoate, 0-methylbenzoic acid, methyl 0-methylbenzoate, 0-methylbenzor1 diethyl, O-methylbenzoate propyl acid, butyl 0-methylbenzoate, nψphenyl 0-methylbenzoate, acetophenone, p-methylacetophenone, m-ethylacetophenone, 0-methylacetophenone, P-ethylacetophenone, m-ethylacetophenone, 0-ethylacetophenone,) )−
Propylacetophenone, lll-propylacetophenone, 0-propylacetophenone, P-butylacetophenone, m-butylacetophenone, 0-butylacetophenone, P-phenylacetophenone, 1n-phenylacetophenone, O/-phenylacetophenone,
Benzophenone, 4-methylbenzophenone, 4-ethylbenzophenone, 4-propylbenzophenone, 4-
-j thylbenzophenone, 4-phenylbenzophenone, 2.2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2-hydroxy-5-chlorobenzophenone, 2.4-dihydroxybenzophenone, 4.4'
-dichlorobenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 4-dobcyclo-2-hydroxy-benzophenone, 2-hydroxy-4-octadecyloxybenzophenone, 2.2'-dihydroxy-4-methoxybenbenzophenone, 2. 2',4.4'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-
Methoxy-5-sulfopenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-2'-carboxybenzophenone,
2-Hydroxy-4-chlorobenzophenone, 4-(hydroxy)benzylbenzonitrile, diphenyl, 0-
Hydroxydiphenyl, 4-nitrodiphenyl, 4-cyanodiphenyl, 1)-cumylphanol, phenol 2.5-dimethylxylenol, 5-nitroacenaphthene, 5-cyanoacenaphthene, 5-acetylacenaphdene, 5-nitro Acenaphthylene, 5-cyanoacenaphthylene, 5-a7tylacenaphthylene, 2-nitronaphthalene, 2-cyanonaphthalene, 2-acetonaphthalene, 2-nitrophenanthrene, 2-cyanophenanthrene, 2-acetyl phenanthrene, 2-nitropyrene,
2-cyanobilene 7.2-7 cetylpyrene, 2-nitrotriphenylene, 2-cyanotriphenylene, 2-acetyltriphenylene, 1-nitrofluoran-sol, ■-
Cyanofluoranthene, l-acetylfluoranthene l-cyanobenzanthracene, l-acetobenzanthracene, benzyl, 4-methylbenzyl, 4-hydroxybenzyl, 4-nitrobenzyl, 4-cyanobenzyl, 4-acetylbenzyl, di Benzyl ketone, 4,
Examples include 4'-(dimethyl)dibenzyl ketone.

本発明の積層感光体は、尊重性基板、第■族金属を含有
するフタロシアニン化合物とシフト化剤とを接触させて
形成した有に0 +’、’T ll5IGからなる電荷
発生層、更に電76j移動剤と結合剤とを溶剤に溶かし
て得た塗布液を塗布してなる1゛1イ荷移動層とから構
成される。シフト化剤を用いて電荷発生層を形成した後
電荷移動層を形成する方法以外に、例えば弗[V族金属
を含有するフタロシアニン化合物を尋電性板上に真空蒸
着した後、その」二に電荷移動剤、結合剤及びシフト化
剤を溶剤に溶して得た塗布液を塗布して、近赤外域に吸
収ピークを有する電荷発生層の形成と電荷移動層の形成
とを同時に行うことも出来、このような方法も本゛発明
の範囲に含まれる。
The laminated photoreceptor of the present invention comprises a flexible substrate, a charge generation layer formed by contacting a phthalocyanine compound containing a Group Ⅰ metal with a shift agent, and a charge generation layer made of 0 +', 'Tll5IG; It is composed of a 1×1 charge transfer layer coated with a coating solution obtained by dissolving a transfer agent and a binder in a solvent. In addition to the method of forming a charge-generating layer using a shifting agent and then forming a charge-transfer layer, for example, a phthalocyanine compound containing a group V metal is vacuum-deposited on a conductive plate, and then the second layer is formed. It is also possible to simultaneously form a charge generation layer having an absorption peak in the near-infrared region and a charge transfer layer by applying a coating solution obtained by dissolving a charge transfer agent, a binder, and a shifting agent in a solvent. However, such a method is also included within the scope of the present invention.

本発明の第■族金属を含有するフタロシアニン化合物の
有機肋膜を形成するには、真空蒸着法を用いても良いし
、スピンコード法を用いても良い。前者の場合、L (
1’−5〜t 0−Jl・/L/ (’l’orr)の
高真空下でフタロシアニン化合物を400〜500℃に
加熱することにより得られ、後者の場合、フタロシアニ
ン化合物をピリジン、ジメチルアミノ、アミド等の溶剤
に溶して得た塗布液を用いて回転数8.000〜7.0
0 Orpmでスピンコーチインクして得られる。
In order to form the organic membrane of the phthalocyanine compound containing Group (1) metal of the present invention, a vacuum deposition method or a spin cord method may be used. In the former case, L (
It is obtained by heating a phthalocyanine compound to 400-500°C under a high vacuum of 1'-5~t 0-Jl/L/ ('l'orr); in the latter case, the phthalocyanine compound is heated to 400-500°C. , using a coating solution obtained by dissolving in a solvent such as amide, the number of revolutions is 8.000 to 7.0.
Obtained by spin-coaching ink at 0 Orpm.

両コーティング法には一長一短があり簡便さの点からは
後者か優れているか、得られた薄膜の吸光度の点からは
前者が優れ、容易に大きな吸光IVを持つ薄膜が得られ
る。
Both coating methods have advantages and disadvantages, and the latter is superior in terms of simplicity, while the former is superior in terms of absorbance of the obtained thin film, and a thin film with a large absorption IV can be easily obtained.

本発明において、第■族金属を含有するフタロシアニン
化合物の有機薄膜とシフト化剤とを接触させる)T法に
は、次の方法がある。
In the present invention, the following methods are available as method T in which an organic thin film of a phthalocyanine compound containing a group (1) metal is brought into contact with a shifting agent.

その一つの方法はシフト化剤をその可溶性溶剤に均一γ
d解させ、その溶剤に導′t11性基板」−に設けた前
記有機薄膜を浸l責(ディッピング)する方法である。
One method is to apply the shifting agent uniformly to its soluble solvent.
This is a method of dipping the organic thin film provided on the conductive substrate in the solvent.

他の方法にはこの溶剤を有機HB>>上に均一にスプレ
ーする方法及び減圧下でシフト化剤を蒸発させ均一に接
触させる方法がある。尚、シフト化剤のこの溶液中の4
′1度はo、a 〜3QwL%、好ましくは1.0〜1
0.0W 1%である。
Other methods include a method in which this solvent is uniformly sprayed onto the organic HB>> and a method in which the shifting agent is evaporated under reduced pressure to uniformly contact the organic HB. Note that 4 in this solution of the shifting agent
'1 degree is o, a ~3QwL%, preferably 1.0~1
0.0W 1%.

本発明の電荷発生層に用いる電′子写真用感光体の構成
については前述の通りであるが、電荷移動層としては電
荷発生層に生成した電荷をPA層型電子写真用感光体表
面迄移動させ得るものが好ましく、近赤外域に吸収を持
つ半導体レーザー光を十分過過するものか良い。
The structure of the electrophotographic photoreceptor used as the charge generation layer of the present invention is as described above, but the charge transfer layer is designed to transfer charges generated in the charge generation layer to the surface of the PA layer type electrophotography photoreceptor. It is preferable to use one that can absorb light in the near-infrared region, and one that can sufficiently pass through semiconductor laser light that absorbs in the near-infrared region.

電荷移動層を電荷発生層上に形成する+(:lよ、スピ
ンコーター、ドクターブレード等により、塗布する方法
がある。即ち電荷移動剤とその結合剤とを両者の溶剤中
に溶して得た塗布液を塗布する方法である。
There is a method of coating the charge transfer layer on the charge generation layer using a spin coater, doctor blade, etc. In other words, the charge transfer layer and its binder are dissolved in both solvents. This method involves applying a coating liquid.

電荷移動層に用いる電荷移動剤とし”Cは、ポール伝導
性のものなら良く、例えば、カルバゾール、N−エチル
カルバゾール、13−(N−メヂルーN−フェニルヒド
ラゾン)メグ゛ルー9−エチルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン、フルオレン、1.2−ベンゾフルオレン、
2.3−ベンゾフルオレン、2.5−ビス(4−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,8゜4−オキサジアゾール、
p−(ジメチルアミノ)スチルベン、ピラゾリン、l−
フェニル−8−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、■−(2−ピリジル)−8−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、3゜8′−ビス(1,5−ジ
フェニル−2−ピラゾリン)、3.8′−ビス(1,4
,5−トリフェニル−2−ピラゾリン)、8.3’−ビ
ス(l、5−ジフェニル−4,5−ジメチル−2−ピラ
ゾリン)等が例示される。
The charge transfer agent "C" used in the charge transfer layer may be one having pole conductivity, such as carbazole, N-ethylcarbazole, 13-(N-medy-N-phenylhydrazone) meg-9-ethylcarbazole, or tri-carbazole. Phenylmethane, fluorene, 1,2-benzofluorene,
2.3-benzofluorene, 2.5-bis(4-diethylaminophenyl)-1,8°4-oxadiazole,
p-(dimethylamino)stilbene, pyrazoline, l-
Phenyl-8-(p-diethylaminophenyl)pyrazoline, ■-(2-pyridyl)-8-(p-diethylaminophenyl)pyrazoline, 3°8'-bis(1,5-diphenyl-2-pyrazoline), 3. 8'-bis(1,4
, 5-triphenyl-2-pyrazoline), 8,3'-bis(l, 5-diphenyl-4,5-dimethyl-2-pyrazoline), and the like.

電荷移動層に用いる結合剤としては、ポリビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニルピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩化ヒニルー酢酸ビニル共重合体、スチレン−
ブタジェン共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル
、ポリアミド、メチルペンテンポリマー、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルホン、エポキシ+・シ、1脂、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂等がある。
Binders used in the charge transfer layer include polyvinylcarbazole, polyvinylpyrazoline, polyvinylpyrene, polyvinyl chloride, polystyrene, ethylene-vinyl acetate copolymer, hinyl chloride-vinyl acetate copolymer, and styrene-vinyl acetate copolymer.
Examples include butadiene copolymers, polycarbonates, polyesters, polyamides, methylpentene polymers, polysulfones, polyethersulfones, epoxy+silicone, 1 resin, acrylic resins, silicone resins, and the like.

以下本発明の実施例を示すか、本発明はこれに限定され
るものではない。
Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

亥考例1 チタニウム・フタロシアニン(TiPc)  を5Xl
(1’  トル(Torr )の真空下で約400〜5
00℃に加熱し、ガラス基板」二に真空蒸着した。水晶
振動式膜厚計(日本真空技術製)で膜厚を測定すると、
l 8 Q nmであった。UV−V I Sスペク1
トロメーター(島津UV210Δ)を用いて吸収曲線を
測定すると、最大吸収波長は72Q n mであったが
、該基板をペンゾフヱノンl wL%を均一溶解させた
トリクロルエチレン溶液中に浸漬(ディッピング)し、
100℃でQ、51−1乾燥したところ、最大吸収波長
は第1図の如< 825 n snにシフトしているこ
とが判明した。
Example 1: 5Xl of titanium phthalocyanine (TiPc)
(approximately 400 to 5
It was heated to 00°C and vacuum deposited onto a glass substrate. When measuring the film thickness with a crystal vibrating film thickness meter (manufactured by Japan Vacuum Technology),
It was l 8 Q nm. UV-V I S Spec 1
When the absorption curve was measured using a trometer (Shimadzu UV210Δ), the maximum absorption wavelength was 72Q nm.The substrate was dipped in a trichlorethylene solution in which 1 wL% of penzophenone was uniformly dissolved.
When Q, 51-1 was dried at 100° C., it was found that the maximum absorption wavelength shifted to <825 n sn as shown in FIG.

実施例1 チタニウム・フタロシアニンを5Xl()−6トル(T
o r r )の真空下で加熱し、水晶振動式膜厚計で
モニタリングしながらアルミニウム蒸着基板上に膜厚が
l l 0111TIになるように真空78 Mした。
Example 1 Titanium phthalocyanine was dissolved in 5Xl()-6 Torr(T
The film was heated in a vacuum of 78M on the aluminum vapor-deposited substrate while monitoring with a quartz-crystal film thickness meter so that the film thickness became l l 0111TI.

これをベンゾフェノンl wt%を溶解したトリクロル
エチレン溶液に浸漬(ディッピング)し、風乾後100
℃でQ、 511乾燥した。
This was dipped in a trichlorethylene solution containing 1 wt% of benzophenone, and after air-drying,
Dry at 511°C.

次に、l−フェニル−5−(+3−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリ
ンを51、ポリカーボネートを51、テトラヒドロフラ
ン90りに溶解させた塗布l+Mを用いて該基した。
Next, the base was applied using a coating l+M prepared by dissolving 1-phenyl-5-(+3-diethylaminostyryl)-5-(p-diethylaminostyryl)pyrazoline in 51 parts, polycarbonate in 51 parts, and 90 parts of tetrahydrofuran.

静電気帯電試験装置(川口?li 8G、製)を用い、
上記積層型感光体を7KVのコロナ放′市で負(こ帯電
させた。その後、500’vVXeランプ(ワコム製)
を外部光源とし、モノクロメータ−(ジョバン・イボン
製)で単色光にして外↑り19光人力部よりj(aC付
することにより、該感光体の表面電位の光減衰を測定し
た。
Using an electrostatic charging test device (manufactured by Kawaguchi?li 8G),
The laminated photoreceptor was negatively charged with a 7KV corona exposure. After that, a 500'vVXe lamp (manufactured by Wacom) was used.
The light attenuation of the surface potential of the photoreceptor was measured by using an external light source as a monochromatic light source using a monochromator (manufactured by Jobin Yvon), and attaching j(aC) from an external 19-light manual section.

その結果、近赤外域のf33 Q n rnのm色光を
用いた場合、半減露光は(市位残4タシ転が−になる時
間と光強度の積)は1,2μJ/lriであった。
As a result, when m-color light of f33 Q n rn in the near-infrared region was used, the half-life exposure (the product of the time when the city position remaining 4-tap rotation becomes negative and the light intensity) was 1.2 μJ/lri.

比較例1 銅フタロシアニン(13型)を5 X l O”−’ト
ル(Torr)でアルミ蒸着・基板−ヒに真空蒸着して
、実施例1のチタニウム・フタロシアニンと同様の試料
を!ルリ作し同一条件で表向電位の光減衰を測定したと
ころ、33 Qnmの単色光に対する半減露光)律は0
.5111.l/F以」;であり、実施例1のチタニウ
ム・フタロシアニンに比べ大幅に感+iが悪かった。
Comparative Example 1 A sample similar to the titanium phthalocyanine of Example 1 was prepared by vacuum evaporating copper phthalocyanine (type 13) on an aluminum evaporation/substrate at 5 X l O'' Torr. When the optical attenuation of the surface potential was measured under the same conditions, the law of half-exposure to 33 Qnm monochromatic light was 0.
.. 5111. 1/F or more, and the sensitivity +i was significantly worse than that of the titanium phthalocyanine of Example 1.

銅フタロシアニンをガラス基板上、(こ真空蒸着して吸
収曲線を測定したところ、第2Iこ1゜ 実施例2 ガラスノ【((坂」二に′屯極間隔300μ口1の金′
市極を真空蒸着により形成した。該電極−1−に実施例
1と同様な方法でチタニウム・]%を含有するトリクロ
ルエチレン(こ短時間漬ン*(ディッピング)し、9(
)℃でQ、5 II乾燥することにより、表uni ′
小流型セルを形成した。
Copper phthalocyanine was vacuum deposited on a glass substrate and the absorption curve was measured.
The city electrode was formed by vacuum deposition. The electrode-1- was subjected to short-time dipping* (dipping) of trichlorethylene containing titanium % in the same manner as in Example 1.
) by drying Q, 5 II at °C.
A small flow cell was formed.

上記電極間(ご3■の電圧を印加し、500WX eラ
ンプ(ワコム製)を光源としモノクロメータ−(ジッノ
(ン・イボン製)により880 n mの単色光を照射
し°C光電流を測>’i Lだところ、1.2 X L
 O−” Aであった。
A voltage of 3 cm was applied between the above electrodes, a 500 WX e lamp (manufactured by Wacom) was used as the light source, and a monochromatic light of 880 nm was irradiated with a monochromator (manufactured by Gino (manufactured by N. Yvon)) to measure the photocurrent in °C. >'i L, 1.2 X L
O-” It was A.

出車I例2 ガラス基板上にtti極間隔300μInの?J。Departure I example 2 tti pole spacing of 300 μIn on a glass substrate? J.

極を金蒸梢で形成し、その」二に、実施例1をIIK成
した。+111記の方法で光′@11流を/[1!l定
したところ、5 X l 0−13Aであった。
The electrodes were made of gold vapor, and secondly, Example 1 was made of IIK. +111 method of light'@11 style/[1! When the sample was determined, it was found to be 5X10-13A.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に於ける参り1例1のチタニウム・フタ
ロシアニン真空X% 着+154及びシフト他剤処理後
の同真空蒸イ1膜の、jll&光度(0〜2Abs)と
波長との関係を示したものである。 1も2図は比較例1の銅フタロシアニン真?と蒸’It
 IIKの吸光度(0〜2Abg)と波撓との関係を示
したものである。
Figure 1 shows the relationship between jll & luminous intensity (0 to 2 Abs) and wavelength of the same vacuum vaporized film of Example 1 of the present invention after vacuum deposition +154 and shift and other agent treatment of titanium phthalocyanine. This is what is shown. Are both figures 1 and 2 true of the copper phthalocyanine of Comparative Example 1? and Steam'It
This figure shows the relationship between IIK absorbance (0 to 2 Abg) and wave deflection.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ■)導電性基板上に第■族金属を含有するフタロシアニ
ン化合物並びにベンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体
、ジベンジルケトン誘導体、ジフェニル誘導体、いずれ
か一つの置換基がニトロ基、シアノ基、アセデル基、ア
ルデヒド基であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、
アセナフテン誘導体、アセナフチレン誘導体より成る群
から選ばれた161B又は2種以上のシフト化剤とから
成る有機;L’i +IQで構成した電荷発生層を形成
し、その上に、電荷移 :動剤と結合剤とから成る電荷
移動層を形成してなることを特徴とする積層型電子写真
用感光体。 2)導電性基板上に設けた第■族金属を含有するフタロ
シアニン化合物を有する有機薄膜を溶媒中に溶したベン
ゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン
誘導体、ジフェニル誘導体、いずれか一つの置換基が二
l・口糸、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基である
ベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導
体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた、1
棟又は2種以上のシフト化剤と接触さぜ電荷発生11☆
を形成し、その上に、?1イ荷移動剤と結合剤とから成
るr1荷移動層を形成することを特徴とする積層型電子
写真用感光体の製造方法。 8)WIV族金属がTi、Sn および/またはPbで
あることを特徴とする特g’F 請求の範囲第1項の積
層型′電子写真用感光体。
[Scope of Claims] ■) A phthalocyanine compound containing a Group ■ metal on a conductive substrate, as well as benzophenone derivatives, benzyl derivatives, dibenzyl ketone derivatives, diphenyl derivatives, in which any one substituent is a nitro group, a cyano group, acedel group, aldehyde group benzene derivatives, naphthalene derivatives,
A charge generation layer composed of L'i + IQ is formed, and a charge generation layer is formed with 161B selected from the group consisting of acenaphthene derivatives and acenaphthylene derivatives, or two or more shifting agents; A laminated electrophotographic photoreceptor comprising a charge transfer layer comprising a binder and a binder. 2) A benzophenone derivative, a benzyl derivative, a dibenzyl ketone derivative, a diphenyl derivative prepared by dissolving an organic thin film containing a phthalocyanine compound containing a group (III) metal on a conductive substrate, in which one of the substituents is 1 selected from the group consisting of benzene derivatives, naphthalene derivatives, acenaphthene derivatives, and acenaphthylene derivatives, which are cyano groups, acetyl groups, and aldehyde groups.
Electric charge generation upon contact with the ridge or two or more types of shifting agents 11☆
and on top of that? 1. A method for producing a laminated electrophotographic photoreceptor, which comprises forming an r1 cargo transfer layer comprising a cargo transfer agent and a binder. 8) The laminated electrophotographic photoreceptor according to claim 1, characterized in that the WIV group metal is Ti, Sn and/or Pb.
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