JPS5927408A - Method of forming electrode for display - Google Patents
Method of forming electrode for displayInfo
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- JPS5927408A JPS5927408A JP13824782A JP13824782A JPS5927408A JP S5927408 A JPS5927408 A JP S5927408A JP 13824782 A JP13824782 A JP 13824782A JP 13824782 A JP13824782 A JP 13824782A JP S5927408 A JPS5927408 A JP S5927408A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、表示用電極の形成方法に閃する。[Detailed description of the invention] The invention is inspired by a method of forming display electrodes.
一般に、表示セルには表示を制御するための表示用電極
が設けられている。例えば、ドツト表示を行なう液晶表
示セルにあっては、液晶を介して対向配置される一対の
ガラス基板1.2のうち一方のガラス基板1の内面には
、第1図(a)に示するように横方向に延びる帯状電極
3が透明な導電材で形成され、また他力のガラス基板2
の内面には第1図(b)に示すよう(こ縦方向をこ共通
接続さ′r1.た複数のドツト電極4が透明な導電材で
形成されている。なお、このドツト電極4を有するガラ
ス基板2にあっては、電気的導通性を向上させるため、
第2図に示すように、ドラ)[極4及びそのリード4の
上にクロム(cr〕、ニッケル(N1)等の金属からな
る金属リード5を形成することも行なわれている。Generally, display cells are provided with display electrodes for controlling display. For example, in a liquid crystal display cell that displays dots, the inner surface of one glass substrate 1 of a pair of glass substrates 1 . A strip-shaped electrode 3 extending in the horizontal direction is formed of a transparent conductive material, and a transparent glass substrate 2
As shown in FIG. 1(b), a plurality of dot electrodes 4 are formed of a transparent conductive material and are commonly connected in the vertical direction. In the glass substrate 2, in order to improve electrical conductivity,
As shown in FIG. 2, a metal lead 5 made of metal such as chromium (CR) or nickel (N1) is also formed on the pole 4 and its lead 4.
而して、金属リード5を有しない表示用電極を形成する
場合、従来においては、基板2の表面に酸化インジウム
(InzOs)等の透明な導電膜を形成し、この導電膜
上にレジスト膜を塗布形成し、その後、このレジスト膜
を電極パターンに対応させて露光し、次いで、現像によ
り不要部分のレジスト膜を除去し、そして導電膜を電極
パターンに対応させてエツチングし、その後、残留する
レジスト膜を剥離することにより、ドツト電極4及びそ
のリードを形成していた。When forming display electrodes without metal leads 5, conventionally, a transparent conductive film such as indium oxide (InzOs) is formed on the surface of the substrate 2, and a resist film is formed on this conductive film. After that, the resist film is exposed to light in a manner that corresponds to the electrode pattern, and then unnecessary portions of the resist film are removed by development, and the conductive film is etched in a manner that corresponds to the electrode pattern, and then the remaining resist is removed. The dot electrode 4 and its leads were formed by peeling off the film.
また、金属リード5を有する前足用電極を形成する場合
、従来においては、基板2の表面に透明導電膜を形成し
、この透明導電膜上にクロム、ニッケル等の金属膜を蒸
着形成し、更にこの後、レジスト膜を塗布形成し、この
後、レジストmttリードパターンに対応して露光し、
現像により上記リード部に対応しない箇所のレジスト膜
を除去し、この除去した部分に対応する金属膜のみをエ
ツチングにより除去することにより1まず、金属膜から
なる金属リード5を形成し、この後再び、金属リード5
及び透明導電膜上にレジスト膜を形成し、電極パターン
に対応させて露光し、現像により電極パターンに対応し
ない不要部分のレジスト膜を除去し、エツチンク゛に°
より更に迭明導[を膜の不要部分を除去することにより
、ドラ)[極4及びそのリードを形成していた。Furthermore, when forming a front paw electrode having a metal lead 5, conventionally, a transparent conductive film is formed on the surface of the substrate 2, a metal film such as chromium or nickel is deposited on the transparent conductive film, and then After this, a resist film is applied and formed, and then exposed to light corresponding to the resist mtt lead pattern,
By removing the resist film in areas that do not correspond to the lead portions by development, and removing only the metal film corresponding to the removed portions by etching, 1, first, a metal lead 5 made of a metal film is formed, and then the resist film is etched again. , metal lead 5
Then, a resist film is formed on the transparent conductive film, exposed to light in correspondence with the electrode pattern, and unnecessary portions of the resist film that do not correspond to the electrode pattern are removed by development, followed by etching.
Furthermore, by removing unnecessary parts of the film, the pole 4 and its leads were formed.
しかしながら、ドツト表示パターンが微細な電極を形成
する場合、塵や俟等によりドツト電極4とリード4aと
の間の微細なMS分(絶縁部)にエツチング不良を起し
、短絡する危@性か極めて高かった。However, when forming an electrode with a fine dot display pattern, there is a risk that dust, clouds, etc. may cause etching failure in the fine MS (insulating part) between the dot electrode 4 and the lead 4a, resulting in a short circuit. It was extremely expensive.
そこで、この短絡部分を除去する手段としてル−ザ光線
でカットすることも考えられるか、このためには特殊な
装置が必要となり、しかも高価なものとなり、また、短
絡部分を捜し見つける作業には多大な労力を必要とする
。Therefore, as a means of removing this short-circuited part, it may be possible to cut it with a loser beam, but this requires special equipment and is expensive, and it is difficult to search and find the short-circuited part. It requires a lot of effort.
この発明は、上述の事情を背景になされたもので、その
目的とするところは、特殊な装置を必要とせず、短絡部
分を容易かつ確実に除去するようにした表示用電極の形
成方法を提供することにある。The present invention was made against the background of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to provide a method for forming display electrodes that does not require special equipment and allows short-circuited portions to be easily and reliably removed. It's about doing.
以下、この発明に係る表示用電極形成方法を第3凹およ
び第40を谷間して説明する。なお、第3図は金属リー
ドを有しない表示用電極の製造過程を示し、また第4囚
は金属リードを有する表示用電極の製造過程を示す。ま
ず、第3@の製造過程を説明する0第3図(イ)に示す
ように、透明なガラス基板lOの表面に透明な導電膜1
1を形成[7、この後、導電膜11を洗浄してその上に
フォトレジスト@12を形成する。Hereinafter, the method for forming display electrodes according to the present invention will be explained with the third concave and the 40th concave being intersected. Note that FIG. 3 shows the manufacturing process of a display electrode without metal leads, and the fourth figure shows the manufacturing process of a display electrode with metal leads. First, as shown in Figure 3 (a) to explain the manufacturing process of the third step, a transparent conductive film 1 is placed on the surface of a transparent glass substrate 10.
1 is formed [7, After this, the conductive film 11 is cleaned and a photoresist @12 is formed thereon.
そして、フォトレジスト膜12を表示電極及びそのリー
ドのパターンに対応させた露光用マスクを用いて露光し
、現像(こよりフォトレジスト膜12の不要部分(電極
パターン番こ対応しない部分)を除去する。93図(・
口)はこの状態を示したもので、このとき、フォトレジ
スト11g12がネガタこのようにして不要部分の7オ
トレジスト1I415−
2が除去された後は、フォトレジスト膜12を硬化し、
エツチング液によるエツチングで、フォトレジスト膜1
2が取り除かれた筒所の導電膜11を除去する。第3図
(ハ)はこの状態を示したもので、ガラス基板10の表
部上の導電膜11は、電極パターンに応じた箇所が残る
ようになる。Then, the photoresist film 12 is exposed using an exposure mask corresponding to the pattern of the display electrodes and their leads, and developed (this removes unnecessary portions of the photoresist film 12 (portions that do not correspond to the electrode pattern pattern). Figure 93 (・
The photoresist 11g12 is negative. After the unnecessary portions of the photoresist 1I415-2 are removed in this way, the photoresist film 12 is hardened.
Photoresist film 1 is etched with an etching solution.
The conductive film 11 in the cylindrical portion where No. 2 was removed is removed. FIG. 3(c) shows this state, in which the conductive film 11 on the front surface of the glass substrate 10 remains in a portion corresponding to the electrode pattern.
この後、残留するフォトレジスト膜12を第3図(ニ)
に示すように剥離し洗浄する。この場合、第3図(ニ)
は導電膜11間の絶縁部A、Hに、短絡が生じなかった
場合を示したが、この絶縁部ANBが微細であると塵や
挨等によりエツチング不良を起し、短絡することがある
。したがって、その後、再び導電膜11上に第3図(ホ
)に示すようにフォトレジスト膜13を均一に塗布形成
し、上述と同様の処理を繰り返す。After this, the remaining photoresist film 12 is removed as shown in FIG.
Peel and clean as shown. In this case, Figure 3 (d)
shows a case in which no short circuit occurs in the insulating parts A and H between the conductive films 11, but if the insulating part ANB is minute, etching failure may occur due to dust or the like, and a short circuit may occur. Therefore, after that, a photoresist film 13 is again uniformly coated and formed on the conductive film 11 as shown in FIG. 3(E), and the same process as described above is repeated.
すなわち、第3図(ホ)〜(チ)は、上述した第3図(
イ)〜(ニ)の製造工程と同様な処理を行うもので、第
3図(ホ)は短絡部Cが発生した場合を示している。そ
して、第3図(ホ)に示すようにフォトレジスト膜13
が導電wX11上に塗6−
布形成された後、このフオトレジス)[13を1回目の
露光に使用したマスクと同一のマスクを用い先番こ形成
した電極パターンに重ね合せて2回目の鱈先を行ない、
その後、現像により不要部分のフォトレジスト膜13を
除去する。In other words, Figures 3(E) to 3(H) are similar to the above-mentioned Figure 3(E) to (H).
Processes similar to those in the manufacturing steps (a) to (d) are performed, and FIG. 3 (e) shows a case where a short circuit C occurs. Then, as shown in FIG. 3(e), the photoresist film 13
After the photoresist (6) was formed on the conductive wX11, this photoresist (13) was superimposed on the previously formed electrode pattern using the same mask used for the first exposure, and then exposed for the second time. do the
Thereafter, unnecessary portions of the photoresist film 13 are removed by development.
第3図(へ)はこの状態を示している。その後、第3図
(ト)に示すように導電膜11をエツチングすると、短
絡部Cが除去される。続いて、残留するフォトレジスト
膜13を第3図(チ)に示すよう番こ剥離し洗浄すると
、短絡部分のない透明電極14が形成される。FIG. 3(f) shows this state. Thereafter, as shown in FIG. 3(G), the conductive film 11 is etched to remove the short circuit portion C. Subsequently, the remaining photoresist film 13 is peeled off and washed as shown in FIG. 3(H), thereby forming a transparent electrode 14 without any short-circuited portions.
このように上記表示用電極の形成方法によれば、同一の
露光用マスクを用いて2度パターンニングを行うように
しているので、1度目のパターンニンクで短絡した部分
は2度目のパターンニングで除去されるようになり、こ
の結果、透明電極14が精度良く形成される。In this way, according to the above method for forming display electrodes, patterning is performed twice using the same exposure mask, so that the short-circuited parts in the first patterning are removed in the second patterning. As a result, the transparent electrode 14 is formed with high precision.
したがって、短絡部分を捜し見つける面倒なチェック作
業が不要となり、また特殊な装置も必要としないので、
容易かつ安価な方法で短絡部分を確実に除去することが
できる。Therefore, there is no need for troublesome checking work to search for and find short circuits, and no special equipment is required.
Short-circuited portions can be reliably removed using an easy and inexpensive method.
点1及び金屡膜のみをエツチングし金属リードを形成す
る点で前述した第3図の製造工科と相違している。第4
図(イ)は、第3図(イ)〜(ニ)に対応する1回目の
バターニング工程後に実施される第3図(ホ)に対応す
る工程を示したものであるが、この場合、ガラス基板2
oの表面に透明な導電膜21を形成し、その後、導電膜
21上に金紳詳宕羊すに金属膜22を形成し、更に、こ
の□金属膜22の上にフォトレジスト膜(図示略)を塗
布形成したのち、上述の場合と同様に露光・現像工程、
エツチング工程、剥離工程を順次行って、再ヒ、金属M
22上に7オトレジス)Jli23t−m布形成したも
のである。なお、Dは1回目のバターニングでエツチン
グされなかった短絡部分を示している。その後、フォト
レジスト$23ヲ1lll目の露光に使用したマスクと
同一のマスクを用い先に形成した電極パターンに重ね合
せて2回目のwt尤を行ない、その後、現像により不要
部分のフォトレジスト膜23を除去し、第4図(ロ)に
示す状態とする。その後、第4図(ハ)に示すように導
1!膜21および金属膜22をエツチング液によってエ
ツチングすると、短絡部りが除去される。This method is different from the manufacturing process shown in FIG. 3 described above in that only the point 1 and the gold film are etched to form metal leads. Fourth
Figure (A) shows the process corresponding to Figure 3 (E) which is carried out after the first buttering process corresponding to Figures 3 (A) to (D), but in this case, Glass substrate 2
A transparent conductive film 21 is formed on the surface of □, then a metal film 22 is formed on the conductive film 21, and a photoresist film (not shown) is further formed on this metal film 22. ) After coating and forming, the exposure and development process is carried out in the same way as in the above case.
The etching process and peeling process are performed sequentially, and the metal M
7 Otregis) Jli23t-m cloth was formed on 22. Note that D indicates a short circuit portion that was not etched in the first buttering. After that, using the same mask as that used for the first exposure of photoresist $23, a second exposure is performed by superimposing it on the previously formed electrode pattern, and then, by development, unnecessary parts of the photoresist film 23 are removed. is removed, resulting in the state shown in FIG. 4 (b). After that, as shown in Figure 4 (c), lead 1! When the film 21 and the metal film 22 are etched with an etching solution, the short circuit portion is removed.
続いて、フォトレジスト膜23を第4[(ニ)に示すよ
うに剥離し、洗浄すると、短絡部分のない透明電極24
が形成される。このように、同一の露光用マスクを用い
て2度バターニングを行うことにより、1度目のバター
ニングで短絡した部分りが2度目のバターニングで除去
されるので、第3図に示す縄有と同様の効果が得られる
。Subsequently, the photoresist film 23 is peeled off and washed as shown in the fourth step (d), and the transparent electrode 24 without any short-circuited portions is formed.
is formed. In this way, by performing buttering twice using the same exposure mask, the parts shorted in the first buttering are removed in the second buttering, resulting in the rope shape shown in Figure 3. The same effect can be obtained.
第4図(ホ)〜(チ)は、金属リードの製造過程を示し
ている。すなわち、金属膜22を洗浄)シ、この金Ji
lj[22上に再びフォトレジスト膜25を第4図(ホ
)に示すように塗布形成し、そして、・このフォトレジ
スト膜25をリードパターンに対応させた露光、用マス
クを用いて露光し、現像により第4図(へ)に示すよう
に、フォトレジスト膜25の不要部分(リードパターン
に対応しない部9−
分)を除去する。この後、除去されなかったフオトレシ
ス)1925をエツチング液にてエツチングし、フォト
レジスト膜25が取り除かれた箇所の金属膜22のみを
除去する。この後、フォトレジスト25を剥離し洗浄す
ると、第4図(チ)に示すように、透明電極24#上の
リード部に金属膜22の金属リード26が形成される。FIGS. 4(E) to 4(H) show the manufacturing process of the metal lead. That is, the metal film 22 is cleaned), and this gold film 22 is cleaned.
A photoresist film 25 is again coated and formed on lj[22 as shown in FIG. By development, as shown in FIG. 4(f), unnecessary portions of the photoresist film 25 (portions 9-) not corresponding to the lead pattern are removed. Thereafter, the photoresist film 1925 that was not removed is etched using an etching solution, and only the metal film 22 at the location where the photoresist film 25 was removed is removed. Thereafter, when the photoresist 25 is peeled off and washed, the metal leads 26 of the metal film 22 are formed on the lead portions on the transparent electrode 24#, as shown in FIG. 4(H).
なお1この発明は、上記実施例に限定されず、この発明
を迫脱しない範囲において、種々変形応用可能である。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be modified and applied in various ways without departing from the scope of the present invention.
以上説明したようにこの発明に係る表示用電極の形成方
法によれば、一度パターニングした電極に再びレジスト
を塗布し、1度目の露光に使用したマスクと同一のマス
クを用いて再び、露光・現像工程、エツチング工程、剥
離工程を行うようにしたから、1度目のバターニングで
短絡した部分が2度目のバターニングで除去されるよう
になり、その結果、短絡部分を捜し見つける面倒なチェ
ック作業が不要となり、また特殊の装置も必要としない
ので、容易かつ安価な方法で短絡部分を確実−1〇−
に除去することができる。As explained above, according to the method for forming display electrodes according to the present invention, resist is applied again to the electrodes that have been patterned, and then exposed and developed again using the same mask used for the first exposure. By performing the etching process, etching process, and peeling process, the parts that were shorted in the first buttering are removed in the second buttering, and as a result, the troublesome checking work of searching for and finding shorted parts is eliminated. Since this is unnecessary and no special equipment is required, the short circuit can be reliably removed by an easy and inexpensive method.
第1図は液晶セルを示し、第1図(−)はその帯状電極
の平面図、第1゛図(b)はドツト電極の平面図、第2
図は第1図(a)、(b)の要部断面図、第3図(イ)
〜(+)、第4図(イ)〜(+)はこの発明に係る表示
用電極の形成方法における製造過程図である。
10.20・・・・・・ガラス基板、11.21・・・
・・・透明導電膜、12.13.23.25・・・・・
・フォトレジスト膜、14.24・・・・・・透明電極
、22・・・・・・金属膜、26・・・・・・金属リー
ド。
特許出願人 カシオ計算機株式会社
11−
第1図
(a)
第3図
(イ)
σN)ゆ)
(へ)す
(ニ) (→
〕第4図
(イ) (
ホ)(+)
一一一一 −一硝一Fig. 1 shows a liquid crystal cell, Fig. 1 (-) is a plan view of its strip electrode, Fig. 1 (b) is a plan view of a dot electrode, and Fig. 2
The figures are cross-sectional views of the main parts of Figures 1 (a) and (b), and Figure 3 (a).
-(+) and FIGS. 4(a) to (+) are manufacturing process diagrams in the method for forming display electrodes according to the present invention. 10.20...Glass substrate, 11.21...
...Transparent conductive film, 12.13.23.25...
- Photoresist film, 14.24...Transparent electrode, 22...Metal film, 26...Metal lead. Patent applicant Casio Computer Co., Ltd. 11- Figure 1 (a) Figure 3 (a)
σN)yu)
(to)su (d) (→
] Figure 4 (a) (
e) (+) 1111 −111
Claims (1)
この導りI膜上にレジスト族を脆布形成する第1のレジ
スト膜成形工程と、このレジスト膜を電極ハターンに対
応させたll1t用マスクを用いて露光した後不要部分
の上記レジスト膜を除去する沁1の露光・現像工程と、
この露光・現f象工棉の彼に上記導電膜をエツチングし
電極パターンに対応しない不要部分の上記導電膜を除去
する彫lのエツチング工程と、このエツチング工程の後
に残留する上記レジスト膜を剥離する第1の剥離工程と
、砕 後に再び導電膜上から基板の表面にレジスト族を塗布形
成する第2のレジスト膜へ“酢工程と、このレジスト膜
を上記露光用マスクと同一のm夫用マスクを用いて露光
した後不要部分のレジス)膜を除去する第2の露先・親
電工程と、この露光・現1− 像工程の後に上記導電膜を再エツチングする第21のエ
ツチング工程と、このエツチング工程の後に残留する上
記レジスト膜を剥離する第2の剥離工程とを有する表示
用電極の形成方法。[Claims] A conductive film that forms a conductive film on the surface of a substrate. Membrane A-shaped plum and
A first resist film forming step in which a resist group is formed as a brittle cloth on this guide I film, and after this resist film is exposed using a mask for ll1t corresponding to the electrode pattern, unnecessary portions of the resist film are removed. The first exposure and development process,
After this exposure and development process, the conductive film is etched, and the conductive film is removed in unnecessary parts that do not correspond to the electrode pattern.The resist film remaining after this etching process is peeled off. After crushing, a resist layer is applied to the surface of the substrate again from the conductive film to form a second resist film. a second exposure/electroconductive step in which unnecessary portions of the resist film are removed after exposure using a mask; and a 21st etching step in which the conductive film is re-etched after this exposure/development step. and a second peeling step of peeling off the resist film remaining after this etching step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13824782A JPS5927408A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | Method of forming electrode for display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13824782A JPS5927408A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | Method of forming electrode for display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927408A true JPS5927408A (en) | 1984-02-13 |
Family
ID=15217501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13824782A Pending JPS5927408A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | Method of forming electrode for display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927408A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199216A (en) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | 凸版印刷株式会社 | Manufacture of fine pattern electrode |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13824782A patent/JPS5927408A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199216A (en) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | 凸版印刷株式会社 | Manufacture of fine pattern electrode |
JPH0453046B2 (en) * | 1984-10-19 | 1992-08-25 | Toppan Printing Co Ltd |
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