JPS5926768Y2 - AC signal detection device for transistor relay - Google Patents

AC signal detection device for transistor relay

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JPS5926768Y2
JPS5926768Y2 JP6163382U JP6163382U JPS5926768Y2 JP S5926768 Y2 JPS5926768 Y2 JP S5926768Y2 JP 6163382 U JP6163382 U JP 6163382U JP 6163382 U JP6163382 U JP 6163382U JP S5926768 Y2 JPS5926768 Y2 JP S5926768Y2
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JP
Japan
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voltage
transformer
circuit
output
detection device
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JP6163382U
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Inventor
順彦 篠崎
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株式会社明電舎
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案はトランジスタ継電器の交流信号(電圧、電流
)検出装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to an AC signal (voltage, current) detection device for a transistor relay.

トランジスタ継電器の交流信号検出装置の従来例を第1
図および第2謂により説明中る。
The first example of a conventional AC signal detection device for a transistor relay is
It is explained in the figure and in the second clause.

第1図は交流電圧検出装置を示すもので、PTは変圧器
で、この変圧器PTの1次側は母線等に接続され、2次
側は低圧にされてダイオードブリッジ整流器Rfの入力
端に接続される。
Figure 1 shows an AC voltage detection device. PT is a transformer. The primary side of this transformer PT is connected to a bus bar, etc., and the secondary side is made low voltage and connected to the input terminal of a diode bridge rectifier Rf. Connected.

整流器Rfの直流出力”まフィルタ回路FLを介して電
圧比較回路CMに入力される。
The DC output of the rectifier Rf is input to the voltage comparator circuit CM via the filter circuit FL.

電圧比較回路CMは基準電圧と入力される電圧とを比較
するもので、比較出力は電力増幅回路Pwで増幅されて
継電iRyに与えられる。
The voltage comparison circuit CM compares the reference voltage and the input voltage, and the comparison output is amplified by the power amplifier circuit Pw and given to the relay iRy.

第2図は交流電流検出装置を示すもので、CTは補助変
流器で、この補助変流器CTの2次側には抵抗Rを並列
接続し、抵抗Rに電流を流してその両端の電圧VRを測
定することにより交流電流を検出する装置である。
Fig. 2 shows an alternating current detection device. CT is an auxiliary current transformer. A resistor R is connected in parallel to the secondary side of the auxiliary current transformer CT, and a current is caused to flow through the resistor R. This is a device that detects alternating current by measuring voltage VR.

なお、第1図と同一部分は同一符号を付して示す。Note that the same parts as in FIG. 1 are indicated with the same reference numerals.

第2図の交流電流検出装置は電流を電圧変換した後は第
1図の交流電圧検出装置と同じ回路を使用する関係から
以後第1図の装置について述べる。
Since the alternating current detecting device shown in FIG. 2 uses the same circuit as the alternating current voltage detecting device shown in FIG. 1 after converting the current into voltage, the device shown in FIG. 1 will be described below.

第1図において、いま変圧器PTの出力電圧をV o
、フィルタ回路FLへの入力電圧をVi1整流器Rfの
ダイオードの堰層電圧をVdとすればVi= Vo
−2Vd の式で表わせられる。
In Fig. 1, the output voltage of transformer PT is V o
, if the input voltage to the filter circuit FL is Vi1 and the weir layer voltage of the diode of the rectifier Rf is Vd, then Vi=Vo
It can be expressed by the formula -2Vd.

この式において、堰層電圧13 Vdは50°Cの温度変化で杓子 係程度も変化する
ことが知られているので、変圧器PTの出力電圧Voを
極く低くするとフィルタ回路PLの入力電圧Viは上記
式から明らかのように温度変化による堰層電圧Vdの影
響を受けて大巾に変化し、高精度の交流電圧検出装置を
得ることが出来なくなってしまう。
In this equation, it is known that the weir layer voltage 13 Vd changes with a temperature change of 50°C, so if the output voltage Vo of the transformer PT is made extremely low, the input voltage Vi of the filter circuit PL As is clear from the above equation, Vd varies greatly due to the influence of the weir layer voltage Vd due to temperature changes, making it impossible to obtain a highly accurate AC voltage detection device.

これを防ぐには電圧比較回路賂CMの比較用基準電圧を
高くシ、かつ変圧器PTの出力電圧Voを高くすれば、
堰層電圧Vdの影響を受けにくくなる。
To prevent this, increase the comparison reference voltage of the voltage comparison circuit CM and increase the output voltage Vo of the transformer PT.
It becomes less susceptible to the influence of the weir layer voltage Vd.

しかし、電圧を高ぐすると動作値入力における消費電力
が大きくなり、部品の耐電力の大きいものが必要となり
、全体の装置が大−形化する欠点がある。
However, if the voltage is increased, the power consumption in inputting the operating value increases, and components with high power resistance are required, resulting in an increase in the size of the entire device.

例えば定格電圧に比べて非常に小さい動作値の交流電圧
検出装置の場合、動作値附近では部品の耐電力に対して
考慮しなくてよいが、定格電圧を印加した烏合(例えば
動作値に対して10倍の定格1′直のとき)動作値電力
の100倍の電力になる。
For example, in the case of an AC voltage detection device with an operating value that is very small compared to the rated voltage, there is no need to consider the withstand power of the components near the operating value, but when the rated voltage is applied (e.g. 10 times the rated value (1' direct)) The power is 100 times the operating value power.

従ってこの電力に常時耐えるためにはトランジスタ継電
器を構成する各部品が大形化し、この結実装置の大形化
を招き、かつ消費電力も大きくなってトランジスタ継電
器が持つ、小形で消費電力が小さい等のメリットがなく
なってしまう。
Therefore, in order to withstand this power all the time, each component that makes up the transistor relay becomes larger, leading to an increase in the size of this fruiting device, and the power consumption also increases. The benefits of this will be lost.

特に、第2図の交流電流検出装置の場合(佳さらに下記
のような欠点が生じる。
Particularly, in the case of the alternating current detection device shown in FIG. 2 (in addition, the following drawbacks occur).

例えば地絡過電流継電窓の場合、定格電流5Aに対して
0.25A動作という高感度が要求されるときには動作
値に対して定格電流が20倍であるが、更に過電流耐量
として200Aまで耐えなければならない。
For example, in the case of a ground fault overcurrent relay window, when a high sensitivity of 0.25A operation is required for a rated current of 5A, the rated current is 20 times the operating value, but it can withstand up to 200A as an overcurrent withstand. There must be.

この場合には動作値に対して800倍の過電流に対して
耐えなければならないから、電力に換算すると6400
00倍になる。
In this case, it must withstand an overcurrent that is 800 times the operating value, so when converted to electric power, it is 6400
It becomes 00 times.

実際には変流器CTの飽和もあるから上記のような大き
な値になることはないが、いずれにしても非常に大きな
電力に耐え得るためには電流−電圧変換部の部品が大形
化し、かつ回路構成も複雑になり経済的にもスペース的
にもトランジスタ継電器のメリットの低減となる。
In reality, the current transformer CT will be saturated, so the value will not be as large as above, but in any case, in order to withstand extremely large amounts of power, the components of the current-to-voltage converter must be made larger. , and the circuit configuration becomes complicated, reducing the advantages of transistor relays in terms of economy and space.

この考案は上記の事情に鑑みてなされたもので、温度特
性が良く、かつ低消費電力でしかも小形化が図れるトラ
ンジスタ継電器の交流信号検出装置を提供することを目
的とする。
This invention was made in view of the above circumstances, and aims to provide an AC signal detection device for a transistor relay that has good temperature characteristics, consumes low power, and can be made compact.

以下図面を参照してこの考案の一実施例を説明する。An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings.

第3図は交流電圧検出装置を示すもので、第3図におい
て、1は変圧器で、この変圧器1の1次側は母線等に接
続され、2次側はセンタータップ2を有し、このタップ
2は共通零母線に接続される。
FIG. 3 shows an AC voltage detection device. In FIG. 3, 1 is a transformer, the primary side of this transformer 1 is connected to a bus bar, etc., and the secondary side has a center tap 2, This tap 2 is connected to the common zero bus.

変圧器1の2次側巻線の端部3および端部4は抵抗5,
6を介して高入力インピーダンスのコントロール端子付
半導体スイッチ(例えばMOSタイプのバイラチラルス
イッチ)7,8の一端に各別に接続される。
Ends 3 and 4 of the secondary winding of the transformer 1 are connected to resistors 5,
6 to one end of semiconductor switches 7 and 8 each having a high input impedance with a control terminal (for example, a MOS type bilateral switch).

9,10は波形整形回路で、この波形整形回路9,10
は正弦波を矩形波に整形するものである。
9 and 10 are waveform shaping circuits;
is used to shape a sine wave into a rectangular wave.

両整形回路9,10の出力は前記半導体スイッチ7.8
のコントロール端子に与えられる。
The outputs of both shaping circuits 9 and 10 are connected to the semiconductor switches 7 and 8.
is applied to the control terminal of

lL12はバリスタで、このバリスタ11,12は前記
半導体スイッチ7゜8がオフの時にスイッチ7.8に過
電圧が印加されるのを防止するためのものである。
1L12 is a varistor, and the varistors 11 and 12 are for preventing overvoltage from being applied to the switch 7.8 when the semiconductor switch 7.8 is off.

13は積分回路、14は電圧比較回路、15は電力増幅
回路および16は出力継電器である。
13 is an integrating circuit, 14 is a voltage comparison circuit, 15 is a power amplifier circuit, and 16 is an output relay.

次に上記だ流側の作動を述べる。Next, the operation on the flow side described above will be described.

変圧器101次側に第4図イに示す電圧が供恰されてい
ると、その2次側の端部3,4とセンタータップ2との
間には正負の電圧が現われる。
When the voltage shown in FIG. 4A is applied to the primary side of the transformer 10, positive and negative voltages appear between the ends 3 and 4 of the secondary side and the center tap 2.

前記端部3とセンタータップ2との間の正の半波電圧は
波形整形回路9により波形整形され(第4図口に示す)
、その波形整形された出力電圧により半導体スイッチ7
はオンされる。
The positive half-wave voltage between the end portion 3 and the center tap 2 is waveform-shaped by a waveform-shaping circuit 9 (shown at the beginning of FIG. 4).
, the waveform-shaped output voltage causes the semiconductor switch 7 to
is turned on.

このため、前記正の半波電圧に比例する電流11(第4
図二に示す)が抵抗5により制限されて積分回路13に
流れる。
Therefore, the current 11 (fourth
(shown in FIG. 2) flows to the integrating circuit 13 while being restricted by the resistor 5.

一方、端部4とセンタータップ2との間は負の半波電圧
であるから半導体スイッチ8はオフ状態で電流12は流
れない。
On the other hand, since there is a negative half-wave voltage between the end portion 4 and the center tap 2, the semiconductor switch 8 is in an off state and the current 12 does not flow.

しかし、正の半波電圧になると波形整形回路10の出力
に第4図ハに示す電圧が送出され、この出力電圧により
前記半導体スイッチ8はオンされる。
However, when it becomes a positive half-wave voltage, the voltage shown in FIG. 4C is sent to the output of the waveform shaping circuit 10, and the semiconductor switch 8 is turned on by this output voltage.

このオンにより積分回路13に電流12(第4図ホに示
す)が流れる。
As a result of this turning on, a current 12 (shown in FIG. 4E) flows through the integrating circuit 13.

ここで抵抗9.10の抵抗j′直を等しくしておけば、
電流j1ti2の合成電流i(第4図へに示す)は直流
電流となり、この電流iを1サイクルにわたって積分回
路13で積分する。
Here, if we make the resistances j' of resistors 9.10 and 10 equal, we get
A composite current i (shown in FIG. 4) of the currents j1ti2 becomes a direct current, and this current i is integrated by an integrating circuit 13 over one cycle.

この積分値は電圧比較回路14の基準電圧値と比較され
、所定の値以上の時に比較出力が電力増幅回路15に供
給される。
This integrated value is compared with a reference voltage value of the voltage comparison circuit 14, and when the integrated value is equal to or higher than a predetermined value, a comparison output is supplied to the power amplifier circuit 15.

電力増幅回路15は前記比較出力を出力継電器16が動
作可能な値まで増幅する。
The power amplification circuit 15 amplifies the comparison output to a value at which the output relay 16 can operate.

上記のように構成すれば、従来装置に比較して、ダイオ
ードの堰層電圧の影響を受けなくなるとともに電圧比較
のために従来装置においては整流器の直流出力端の1端
は共通零母線に接続する必要があるので直流出力は正あ
るいは負の1つしか取り出せない欠点があった。
With the above configuration, compared to the conventional device, it is not affected by the weir layer voltage of the diode, and in the conventional device, one end of the DC output end of the rectifier is connected to the common zero bus for voltage comparison. Because of the necessity, there was a drawback that only one positive or negative DC output could be taken out.

すなわち変成器出力と整流器出力は1対1の対応になっ
てしまうが、この考案の実悔例では上記各不具合が解決
される。
In other words, the transformer output and the rectifier output have a one-to-one correspondence, but the above-mentioned problems are solved in this practical example of the invention.

例えば、1つの変成器から、正、負いずれの極性の整流
出力を、しかも任意の数だけ取り出せることができるの
で、トランジスタ継電器のように多数の機能をもった複
合継電器か要求される機種では経済的およびスペースに
大きな効果がある。
For example, it is possible to extract any number of rectified outputs of either positive or negative polarity from a single transformer, making it economical for models that require complex relays with multiple functions, such as transistor relays. It has a great effect on target and space.

第5図1dこの考案のUの実施例を示すもので、交流電
流検出装置、特に過電流継電器に適用したものである。
FIG. 5 1d shows an embodiment of U of this invention, which is applied to an alternating current detection device, especially an overcurrent relay.

なお、第3図と同一゛小分′は同一符号を付して説明す
る。
Note that the same "subsections" as in FIG. 3 will be described with the same reference numerals.

17は電流変成器で、この変戎器17の2次側巻線に直
列接続された抵抗18゜19を接続し、この抵抗18,
19に変成器17の2次栽流を流してその両端に電圧を
発生させる。
17 is a current transformer, and resistors 18 and 19 connected in series are connected to the secondary winding of this transformer 17.
The secondary current of the transformer 17 is passed through the transformer 19 to generate a voltage across it.

また、前記変成器17の2次側巻線の両端部は抵抗5,
6を介して高入力インピーダンスのコントロール端子付
半導体スイッチ7.8の一端に各別に接続される。
Further, both ends of the secondary winding of the transformer 17 are connected to resistors 5,
6 to one end of a high input impedance semiconductor switch 7.8 with a control terminal.

20は前記抵抗18,19により発生される電圧を波形
整形する波形整形回路で、この回路20の出力は半導体
スイッチ7のゲートに、および反転増幅器21を介して
前記半導体スイッチ8のゲートに与えられる。
20 is a waveform shaping circuit that shapes the voltage generated by the resistors 18 and 19; the output of this circuit 20 is applied to the gate of the semiconductor switch 7 and via the inverting amplifier 21 to the gate of the semiconductor switch 8. .

この実施例において、抵抗18.19の抵抗値が等しい
とすれば、両抵抗18.19間の電圧は前記第3図の変
圧器の2次側電圧と同じになり、第4図イルへに示すよ
うに積分回路13に電流iが流れる。
In this embodiment, if the resistance values of resistors 18 and 19 are equal, the voltage between both resistors 18 and 19 will be the same as the secondary side voltage of the transformer shown in FIG. As shown, a current i flows through the integrating circuit 13.

積分回路13は電流iを積分し、この積分値を前記実施
例と同様に基準電圧と比較して所定の値以上のとき出力
継電器を動作させるようにすれば過電流継電器が得られ
る。
An overcurrent relay is obtained by integrating the current i in the integrating circuit 13, comparing this integrated value with a reference voltage as in the previous embodiment, and activating the output relay when the integrated value is equal to or higher than a predetermined value.

以上述べたようにこの考案によれば、半導体スイッチを
波形整形回路の出力で交互にオンさせて、変成器の出力
を抵抗および前記半導体スイッチを介して積分回路を動
作させるようにしたので、半導体スイッチがオンしてい
る期間の温度による抵抗変化は変成器とスイッチとの間
の抵抗の値に比較して無視し得るから従来のように・晶
度変化する要因がない。
As described above, according to this invention, the semiconductor switches are turned on alternately by the output of the waveform shaping circuit, and the output of the transformer is passed through the resistor and the semiconductor switch to operate the integrating circuit. Since the resistance change due to temperature during the period when the switch is on can be ignored compared to the resistance value between the transformer and the switch, there is no factor that causes the crystallinity to change as in the conventional case.

このため、比較電圧を低くでき、小入力の交流信号を確
実に咲出することかできるようになるとともに消費電力
は小さくしかも構成部品の耐電力を小さくできる。
Therefore, the comparison voltage can be lowered, AC signals of small input can be reliably produced, and power consumption can be reduced and the power resistance of the components can be reduced.

また経済的にもスペース的にも大きな効果がある。It also has great effects both economically and in terms of space.

特に後者の効果は地絡過電流継電器のようなダイナミッ
クレンジの大きい継電器において大きな効果となる。
The latter effect is particularly significant in relays with a large dynamic range, such as ground fault overcurrent relays.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は従来例を示す回路構成図、第3図
はこの考案の一実施例を示す回路構成図、第4図は第3
図の作用を述べるための波形図、第5図はこの考案の他
の実施例を示す回路構成図である。 1・・・変圧器、5,6・・・抵抗、7,8・・・高入
力インピーダンスのコントロール端子付半導体スイッチ
、9,10,20・・・波形整形回路、13・・・積分
回・路、14・・・電圧比較回路、15・・・電力増幅
回路、17・・・変成>、S、18,19・・・抵抗、
21・・・反転増幅器。
1 and 2 are circuit configuration diagrams showing a conventional example, FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing an embodiment of this invention, and FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing a conventional example.
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the diagram, and FIG. 5 is a circuit configuration diagram showing another embodiment of this invention. 1... Transformer, 5, 6... Resistor, 7, 8... High input impedance semiconductor switch with control terminal, 9, 10, 20... Waveform shaping circuit, 13... Integrating circuit. 14... Voltage comparison circuit, 15... Power amplifier circuit, 17... Transformation>, S, 18, 19... Resistor,
21...Inverting amplifier.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 変成器よりの交流入力を整流し、この整流値が一定値以
上時にトランジスタ継電器を駆動したものにおいて、変
成器の出力側両端にそれぞれ設けられた端子と、これら
端子に各別に一端が接続された所定の抵抗および高入力
インピーダンスのコントロール端子付半導体スイッチか
らなる一対の直列回路と、前記変成器の出力を波形整形
し、この整形出力で前記各半導体スイッチを交互にオン
させるための波形整形回路と、前記一対の直列回路の他
端が接続され、前記半導体スイッチのオン期間中の信号
をそれぞれ入力して積分する積分回路と、この積分回路
の積分出力と基準電圧とを比較検出する電圧比較回路と
を備えたことを特徴とするトランジスタ継電器の交流信
号噴出装置。
A device that rectifies AC input from a transformer and drives a transistor relay when the rectified value exceeds a certain value, with terminals provided at both ends of the output side of the transformer, and one end connected to each of these terminals. a pair of series circuits consisting of a semiconductor switch with a predetermined resistance and a high input impedance control terminal; a waveform shaping circuit for shaping the output of the transformer and alternately turning on each of the semiconductor switches with the shaped output; , an integrating circuit to which the other ends of the pair of series circuits are connected, inputting and integrating signals during the on-period of the semiconductor switch, and a voltage comparison circuit comparing and detecting the integrated output of the integrating circuit with a reference voltage. An alternating current signal ejection device for a transistor relay, characterized by comprising:
JP6163382U 1982-04-27 1982-04-27 AC signal detection device for transistor relay Expired JPS5926768Y2 (en)

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