JPS5925148A - 大電力多空胴クライストロン - Google Patents
大電力多空胴クライストロンInfo
- Publication number
- JPS5925148A JPS5925148A JP13493282A JP13493282A JPS5925148A JP S5925148 A JPS5925148 A JP S5925148A JP 13493282 A JP13493282 A JP 13493282A JP 13493282 A JP13493282 A JP 13493282A JP S5925148 A JPS5925148 A JP S5925148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- dielectric member
- klystron
- water
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大電力クライストロンの高周波回路の構造に
関する。
関する。
大電力クライストロンは、電子＋：１−ムを発生させる
電子銃部、電子ビームとエネルギーの授受を行なう高周
波回路部、電子ビームを捕捉するコレクタ部、電子ビー
ムを集束するビーム集束装置等より構成される。大電力
クライストロンの高周波回路部としては、通常４〜６個
の空胴共振器をビーム路に沿って縦続配置した構造とな
っている。
電子銃部、電子ビームとエネルギーの授受を行なう高周
波回路部、電子ビームを捕捉するコレクタ部、電子ビー
ムを集束するビーム集束装置等より構成される。大電力
クライストロンの高周波回路部としては、通常４〜６個
の空胴共振器をビーム路に沿って縦続配置した構造とな
っている。
第１図に従来の大電力タライストロの高周波回路の構造
例を示す。同図において５個の空胴共振器１〜５が適当
な間隔をおいて配置されている。
例を示す。同図において５個の空胴共振器１〜５が適当
な間隔をおいて配置されている。
入力用空胴共振器１にはループ結合された同軸線路６が
とりつけられておシ、出力用空胴共振器５にはアイリス
で玲合された２μ彼貿７が接続されている。そしてクラ
イストロンとしての瞬時帯域１１惧を広くとりたい場合
には第２空胴共振器２に空胴のＱを低減するためにルー
プで結合さ７’ｌた別の同軸線路８が付加されている。
とりつけられておシ、出力用空胴共振器５にはアイリス
で玲合された２μ彼貿７が接続されている。そしてクラ
イストロンとしての瞬時帯域１１惧を広くとりたい場合
には第２空胴共振器２に空胴のＱを低減するためにルー
プで結合さ７’ｌた別の同軸線路８が付加されている。
点線で示す電子ビーム９は各空胴中心を貫通している。
上部ヨーク１０及び下部ミータ】１は磁路の一部をなし
、ビームに沿った磁場を形成するために役立っている。
、ビームに沿った磁場を形成するために役立っている。
各空胴の間の部分（例えば１２）は、周囲を非磁性の金
属＃（例えば１３）で囲われ、その内部を水冷できるよ
うに水の入口部及び出口部（例えば１４と１５）をもっ
ている。この水冷により、ドリフト管及び空胴内部で発
生する熱を価外に除去するわけである。
属＃（例えば１３）で囲われ、その内部を水冷できるよ
うに水の入口部及び出口部（例えば１４と１５）をもっ
ている。この水冷により、ドリフト管及び空胴内部で発
生する熱を価外に除去するわけである。
さて、このような従来構造のクライストロンにおいては
以下に述べるような欠点が見出される。
以下に述べるような欠点が見出される。
すなわち、第２空胴用の負荷回路８は、電力的に大きな
容量をもっている必要があるためその形状も大きななり
、その外側に配置されるべき磁界発生用のコイルの設置
場所を第１図のＡで示す線より外側に制限してしまう。
容量をもっている必要があるためその形状も大きななり
、その外側に配置されるべき磁界発生用のコイルの設置
場所を第１図のＡで示す線より外側に制限してしまう。
このためにコイルの形状が著しく大きなものになシ実用
上非常な不便を伴なっていた。こうした問題を解決する
従来技術としては、第一に負荷回路８を避けて（またい
で）コイルを配置する方法があるが、これは磁場の軸方
向分布を乱す原因となる。また、第二に、負荷回路８を
途中から折り曲げ８′のようにして、コイルの許容設置
場所をＢの位置までもってくることが考えられた。しか
し、これとてコイルの大きさを十分小さくする所までゆ
かなかった。
上非常な不便を伴なっていた。こうした問題を解決する
従来技術としては、第一に負荷回路８を避けて（またい
で）コイルを配置する方法があるが、これは磁場の軸方
向分布を乱す原因となる。また、第二に、負荷回路８を
途中から折り曲げ８′のようにして、コイルの許容設置
場所をＢの位置までもってくることが考えられた。しか
し、これとてコイルの大きさを十分小さくする所までゆ
かなかった。
このような従来構造の欠点を顕み、本発明においては、
第２空胴用負荷の電力容計を十分保ちながら、しかもコ
イル大きさも小さくできる新しい高周波回路構造を提供
するものである。
第２空胴用負荷の電力容計を十分保ちながら、しかもコ
イル大きさも小さくできる新しい高周波回路構造を提供
するものである。
本発明に係るクライストロンの高周波回路構造例を第２
図に示す。第２図においては、第２空胴の上部壁１６の
一部に円形また＋：し長円形の＋＋１をｌ−だ穴かあけ
られ、その穴を丁度埋めるよう−な形で誘電体部桐（例
えはセラミック）１７が適当な個人四を介してとりつけ
られる。この誘電体部拐はクライストロンを真壁に保つ
と共に、第２柴胴内の電磁波の一部を通水中の空間１２
に漏洩させ該空胴のＱを低くする作用をン１する。その
構造からして、該セラミックの上面には直接水が触れて
いるから極めて大きな電力容惜を廟することは容易に分
る。また本発明においては空間１２を一種の高周波負荷
回路と見なしているから、従来構造のようにコイルの設
置場所を制限するような突起はなくなった構造と７より
、その実用的価値は非當に大きい（第１図のＣで示す線
までコイルを小さくできる。） ｆ３Ｊｓ以上の説明においては、説明の都合上、第２空
胴のＱの低下を考え、また該空胴の上部壁の一部に誘↑
Ｌ；体をとりつける形をとりあげたが、これらは本生゛
明を限定プるものでし土ない。心太とあれは他のどの空
胴にこの構造を採用してもよく、４た、上部壁の代りに
下部壁に本栴ｆｔを採用しても良いのＯ勿論である。更
に、穴及び誘′ＦＬ体部制の形状も適当な周波数特性を
もつよう自由にｆ？ふととかできる。
図に示す。第２図においては、第２空胴の上部壁１６の
一部に円形また＋：し長円形の＋＋１をｌ−だ穴かあけ
られ、その穴を丁度埋めるよう−な形で誘電体部桐（例
えはセラミック）１７が適当な個人四を介してとりつけ
られる。この誘電体部拐はクライストロンを真壁に保つ
と共に、第２柴胴内の電磁波の一部を通水中の空間１２
に漏洩させ該空胴のＱを低くする作用をン１する。その
構造からして、該セラミックの上面には直接水が触れて
いるから極めて大きな電力容惜を廟することは容易に分
る。また本発明においては空間１２を一種の高周波負荷
回路と見なしているから、従来構造のようにコイルの設
置場所を制限するような突起はなくなった構造と７より
、その実用的価値は非當に大きい（第１図のＣで示す線
までコイルを小さくできる。） ｆ３Ｊｓ以上の説明においては、説明の都合上、第２空
胴のＱの低下を考え、また該空胴の上部壁の一部に誘↑
Ｌ；体をとりつける形をとりあげたが、これらは本生゛
明を限定プるものでし土ない。心太とあれは他のどの空
胴にこの構造を採用してもよく、４た、上部壁の代りに
下部壁に本栴ｆｔを採用しても良いのＯ勿論である。更
に、穴及び誘′ＦＬ体部制の形状も適当な周波数特性を
もつよう自由にｆ？ふととかできる。
第１図は従来のクライストロンの缶周ｆ皮回路構造を斤
す。 第２図は本発明による霞周波回路構ノ危を示−ｔ。 １・・・・・・人力空ｆｊｉｉｌ、２・・・・・・第２
空胴、３・・・・・・第３空胴、４・・・・・・第４空
胴、５・・・・・・出力型ＮＳＩ、６ ＋ ８・・・・
・・同軸線路、７・・・・・・導波管、８′・・・・・
・折り曲げ後負荷回路、９・・・・・・電子ビーム、１
０・・・・・・上部ヨーク、１１・・・・・・下部ヨー
ク、１２・・・・・・窒胴間仝間、１３・・・・・・金
属体、１４．１５・・・・・・水入【］、１６・・・空
胴上部壁、１７・・・・・・誘電体部材。 ＩＡ、抽入 光佃↓ 肉 百 、にタ
ハＱ。 躬 １図
す。 第２図は本発明による霞周波回路構ノ危を示−ｔ。 １・・・・・・人力空ｆｊｉｉｌ、２・・・・・・第２
空胴、３・・・・・・第３空胴、４・・・・・・第４空
胴、５・・・・・・出力型ＮＳＩ、６ ＋ ８・・・・
・・同軸線路、７・・・・・・導波管、８′・・・・・
・折り曲げ後負荷回路、９・・・・・・電子ビーム、１
０・・・・・・上部ヨーク、１１・・・・・・下部ヨー
ク、１２・・・・・・窒胴間仝間、１３・・・・・・金
属体、１４．１５・・・・・・水入【］、１６・・・空
胴上部壁、１７・・・・・・誘電体部材。 ＩＡ、抽入 光佃↓ 肉 百 、にタ
ハＱ。 躬 １図
Claims (1)
- となりあう空胴共振器の間の領域を金属体で囲い、該領
域に通水できる構造をもち、前記空胴共振器の少なくと
もひとつ以上の空胴の上部あるいは下部壁の一部に話電
体部材をとりつけ以って漏洩型１磁波を吸収可能とした
ことを特徴とする大電力多空胴クライストロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493282A JPS5925148A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 大電力多空胴クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493282A JPS5925148A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 大電力多空胴クライストロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925148A true JPS5925148A (ja) | 1984-02-09 |
| JPH0155536B2 JPH0155536B2 (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=15139924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13493282A Granted JPS5925148A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 大電力多空胴クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821693A (en) * | 1994-08-03 | 1998-10-13 | Eev Limited | Electron beam tubes having a unitary envelope having stepped inner surface |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP13493282A patent/JPS5925148A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821693A (en) * | 1994-08-03 | 1998-10-13 | Eev Limited | Electron beam tubes having a unitary envelope having stepped inner surface |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0155536B2 (ja) | 1989-11-24 |
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