JPS592332A - ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置 - Google Patents
ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置Info
- Publication number
- JPS592332A JPS592332A JP57111133A JP11113382A JPS592332A JP S592332 A JPS592332 A JP S592332A JP 57111133 A JP57111133 A JP 57111133A JP 11113382 A JP11113382 A JP 11113382A JP S592332 A JPS592332 A JP S592332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- discharge
- clamp
- current
- photocoupler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＩＣ等の半導体菓子の端子題極部に対して
ボンディングワイヤをｗ：ｈする作業で、ワイヤ異常な
検出させるようにしたワイヤボンディング装置のワイヤ
クランプ抜は検出装置に関する。
ボンディングワイヤをｗ：ｈする作業で、ワイヤ異常な
検出させるようにしたワイヤボンディング装置のワイヤ
クランプ抜は検出装置に関する。
ＩＣ等の半導体素子の端子電極に対して、金線でなるボ
ンディングワイヤをボンディングするワイヤボンド装置
にあっては、自動的にワイヤを供給すると共にこのワイ
ヤの先端部をトーチ棒との間での放電によって溶解して
、連続して供給される半導体菓子の所定の端子部とフレ
ームとの間の配線を連続的に行なうものである。
ンディングワイヤをボンディングするワイヤボンド装置
にあっては、自動的にワイヤを供給すると共にこのワイ
ヤの先端部をトーチ棒との間での放電によって溶解して
、連続して供給される半導体菓子の所定の端子部とフレ
ームとの間の配線を連続的に行なうものである。
この場合 ボンディングワイヤの供給が正確に行なわれ
、ボＶディング作業が円滑に実行されていることを常に
監視する必要がある。また。
、ボＶディング作業が円滑に実行されていることを常に
監視する必要がある。また。
このワイヤボンド作業の進行状態を監視し、全体のＶス
テムを制御するＣＰＵ等制御装置より信号を供給する必
要がある。
テムを制御するＣＰＵ等制御装置より信号を供給する必
要がある。
第１図は、従来のワイヤボ￥１”ＨＦ１ｔにおけるワイ
ヤの異常を検知する手段を説明する構成因を示すもので
、ボンディングワイヤの゛先端を放電溶解してボー／ｐ
を形成する時の放［１ｇ流讐利用する手段に係るもので
ある。すなわち、スイッテング部１１からの指令に対応
して高圧部１２で放電用のパルス状の高電圧信号を発生
し、この高電圧信号は電流制限抵抗１３を介して放電ギ
ャップ部１４に供給する。
ヤの異常を検知する手段を説明する構成因を示すもので
、ボンディングワイヤの゛先端を放電溶解してボー／ｐ
を形成する時の放［１ｇ流讐利用する手段に係るもので
ある。すなわち、スイッテング部１１からの指令に対応
して高圧部１２で放電用のパルス状の高電圧信号を発生
し、この高電圧信号は電流制限抵抗１３を介して放電ギ
ャップ部１４に供給する。
ここで、ワイヤボンド部は、第２図に示すように金線で
なるワイヤ１５をクランプ１６で保持設定し、このワイ
ヤ１５の先端と１・−テ棒１７とを小間隔で対設して、
ワイヤ１５とトーチ棒１７との間に放電を生じさせて、
その放電エネルギーによってワイヤ１５の先端にボール
１８を形成させるようにしている。この場合、例えばワ
イヤ１５の先端にクランプ１６を介して負極性の′磁圧
を、トーチ棒１７を市極性にして、電流制限抵抗１３を
介した筒゛成圧を印加する二 このような族Ｘギャップ部１４において、放″嘔電流の
一部をフォトカブラ１９の一次側ダイオードに流すよう
にして、二次側のトランジスタをオＶさせて放電動作を
検知し、その検知信号をＣＰＵ％を含むワイヤボンド制
御部２０Ｖｃ供給する。この制御部２ｏは、フォトカブ
ラ１９から放電検知信号が送出された時に、ボール１８
が正゛騎に形成されたと判断して、ボンディング動作を
続行させる指令を発生する。また、スイッチング１１で
尚圧部ノ２の動作指令が発せられるタイミングで、上記
放電検知信号の得られない時は、制御部２０はボール１
８が成形されなかったと判断して、装置の停止を指令す
る。
なるワイヤ１５をクランプ１６で保持設定し、このワイ
ヤ１５の先端と１・−テ棒１７とを小間隔で対設して、
ワイヤ１５とトーチ棒１７との間に放電を生じさせて、
その放電エネルギーによってワイヤ１５の先端にボール
１８を形成させるようにしている。この場合、例えばワ
イヤ１５の先端にクランプ１６を介して負極性の′磁圧
を、トーチ棒１７を市極性にして、電流制限抵抗１３を
介した筒゛成圧を印加する二 このような族Ｘギャップ部１４において、放″嘔電流の
一部をフォトカブラ１９の一次側ダイオードに流すよう
にして、二次側のトランジスタをオＶさせて放電動作を
検知し、その検知信号をＣＰＵ％を含むワイヤボンド制
御部２０Ｖｃ供給する。この制御部２ｏは、フォトカブ
ラ１９から放電検知信号が送出された時に、ボール１８
が正゛騎に形成されたと判断して、ボンディング動作を
続行させる指令を発生する。また、スイッチング１１で
尚圧部ノ２の動作指令が発せられるタイミングで、上記
放電検知信号の得られない時は、制御部２０はボール１
８が成形されなかったと判断して、装置の停止を指令す
る。
ここで、例えば第３図に示すようにワイヤ１５がクラン
プ１６から外れて、クランプ１６がワイヤＪ５を引張り
切断する作用を果さなかった場合に１よ、ワイヤ１５が
ワークＥｌに二重に接続されたワイヤ異常が発生する。
プ１６から外れて、クランプ１６がワイヤＪ５を引張り
切断する作用を果さなかった場合に１よ、ワイヤ１５が
ワークＥｌに二重に接続されたワイヤ異常が発生する。
このようなワイヤ異常が発生した場合、トーチ捧１７が
放電可能位置にある状態でワイヤ１５はトーチ欅１ｒと
点２Ｊで接触するようになる。したがって、このような
状態で電流制限抵抗１３を介して筒用が印加されると、
ワイヤ１５とトーチ棒１１との間で短Ｎ電流が流れる。
放電可能位置にある状態でワイヤ１５はトーチ欅１ｒと
点２Ｊで接触するようになる。したがって、このような
状態で電流制限抵抗１３を介して筒用が印加されると、
ワイヤ１５とトーチ棒１１との間で短Ｎ電流が流れる。
この短紬′成流は、前記放１に電流と同じタイミングで
且つ同じ大きさであるため、フォトカブラ１９の一次側
ダイオードに電流が流れ、制御部２０に対して正常なボ
ール１８が成形されたと同様の指令信号を与えるように
なる。
且つ同じ大きさであるため、フォトカブラ１９の一次側
ダイオードに電流が流れ、制御部２０に対して正常なボ
ール１８が成形されたと同様の指令信号を与えるように
なる。
すなわち、正常な放［によってボール１８が成形されな
いワイヤ異常の状態にもかかわらず、制御部２０は正常
と判断し、ボンディング作業を継続する状態となる。し
たがって、ワイヤ異常のままボンディングされる状態と
なり、ワークｔよ不良となってしまう。
いワイヤ異常の状態にもかかわらず、制御部２０は正常
と判断し、ボンディング作業を継続する状態となる。し
たがって、ワイヤ異常のままボンディングされる状態と
なり、ワークｔよ不良となってしまう。
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、ワイ
ヤがクランプから外れる等のワイヤ異常が発生したよう
な場合、これを速やかに検知してワイヤボンド制御部に
対してＷｔｉＮｔ停止指令等が発せられるようにするワ
イヤクランプ抜は検出装置を提供しようとするものであ
る。
ヤがクランプから外れる等のワイヤ異常が発生したよう
な場合、これを速やかに検知してワイヤボンド制御部に
対してＷｔｉＮｔ停止指令等が発せられるようにするワ
イヤクランプ抜は検出装置を提供しようとするものであ
る。
すなわち、この発明に係るワイヤクランプ抜は検出装置
をよ、ワイヤとトーチ棒との間の放電検知信号を、イン
タフェース回路を介してワイヤボンド制御部に供給する
と共に、この放電作用よりも速いタイミングで発生する
ワイヤとトーチ棒との接触による電流を検知し、この電
流検知に対応して特定される時間幅で上記制御部に対す
る信号を断つようにインタフェース回路を制御するもの
である。
をよ、ワイヤとトーチ棒との間の放電検知信号を、イン
タフェース回路を介してワイヤボンド制御部に供給する
と共に、この放電作用よりも速いタイミングで発生する
ワイヤとトーチ棒との接触による電流を検知し、この電
流検知に対応して特定される時間幅で上記制御部に対す
る信号を断つようにインタフェース回路を制御するもの
である。
この発明にあって＃ハ ワイヤクランプ抜は発生時にお
いてワイヤとトーチ棒とが接触する点に着目し、またこ
の接触タイミングが本来の放電タイミングより速い現象
に着目した。この接触タイミングが放電タイミングより
速い現象は。
いてワイヤとトーチ棒とが接触する点に着目し、またこ
の接触タイミングが本来の放電タイミングより速い現象
に着目した。この接触タイミングが放電タイミングより
速い現象は。
トーチ棒１７の動きから理解できる。すなわち。
トーチ棒１ｒは′＃６４図の（Ａ）に示すように角度１
５度の往復運動をしているもので、正常放電動作時には
、トープ棒Ｊｒが角度１５度最大に振り切った所で、Ｊ
Ｊで示す位置で放電する。
５度の往復運動をしているもので、正常放電動作時には
、トープ棒Ｊｒが角度１５度最大に振り切った所で、Ｊ
Ｊで示す位置で放電する。
しかし、ワイヤクランプ抜は発生時には、ワイヤＪ５が
８３図で示したようにワークＪＩＪ部まで接続されてい
や状態にあるため、第４図の（Ｂ）に示すようにトープ
＃ＪＦの側面Ｖｃ１４で示すようにワイヤと接触するよ
うになる。すなわち。
８３図で示したようにワークＪＩＪ部まで接続されてい
や状態にあるため、第４図の（Ｂ）に示すようにトープ
＃ＪＦの側面Ｖｃ１４で示すようにワイヤと接触するよ
うになる。すなわち。
トーチ棒１７が角度１５度を振り切る削に、１４度付近
でワイヤと接触する状態となり、正常の場合と約１度の
角度差でワイヤ異′酵の時に速いタイミングで接触する
。
でワイヤと接触する状態となり、正常の場合と約１度の
角度差でワイヤ異′酵の時に速いタイミングで接触する
。
トーチ棒１７の放電部幅は１．２−であり、正常の放゛
峨時にはこの放電部幅の中央部付近２３で放電する。し
かし、ワイヤ異常の時にはトーチ棒１７の放電部の手前
側面部２４でワイヤと接触し、このため約０．６ ｍｍ
を移動する分のタイミング差が生ずる。
峨時にはこの放電部幅の中央部付近２３で放電する。し
かし、ワイヤ異常の時にはトーチ棒１７の放電部の手前
側面部２４でワイヤと接触し、このため約０．６ ｍｍ
を移動する分のタイミング差が生ずる。
以下図面を診照してこの発明の一実施例を説明する。第
５図はその構成を示したもので、第１図で示した場合と
同様に、スイッチング部１１からの指令に対応して高圧
部１２でパルス状高電圧信号を発生し、この高電圧信号
は電流制限抵抗１ｓを介して放電ギャップ部１４に印加
し、放電部に流れる電流はフォトカプラ１９で検知され
るようにする。そして、このような回路部に対して、さ
らにワイヤ異冨検出制＃部Ｊ５を設けるもので この検
出制御部２５はセンサ部２６、タイマ一部２７およびイ
ンタフェース回路２８からなり、フォトカプラＪ９から
の検出信号は、このインタフェース回路２８を介して制
御部２０に供給されるようにしてなる。
５図はその構成を示したもので、第１図で示した場合と
同様に、スイッチング部１１からの指令に対応して高圧
部１２でパルス状高電圧信号を発生し、この高電圧信号
は電流制限抵抗１ｓを介して放電ギャップ部１４に印加
し、放電部に流れる電流はフォトカプラ１９で検知され
るようにする。そして、このような回路部に対して、さ
らにワイヤ異冨検出制＃部Ｊ５を設けるもので この検
出制御部２５はセンサ部２６、タイマ一部２７およびイ
ンタフェース回路２８からなり、フォトカプラＪ９から
の検出信号は、このインタフェース回路２８を介して制
御部２０に供給されるようにしてなる。
第６図は上記ワイヤ異常検出制御部２５をさらに具体的
に示したもので、センサ部２６はシリコンダイオードＤ
、抵抗ＲＪ、コンデンサＣ１からなり、定常時は［＋１
２ＶＪにプルアップされた電圧信号を次段ρタイマ一部
２１に与える。しかし、ワイヤとトーチ棒とが接触する
状態の時は、１−ｚ２ＶＪがダイオードＤおよび電流制
御抵抗１３を介して接地ライｙ（（ｉＮＤ）に流れるよ
うになり、放電部に電流が流れることを検出するように
なる。
に示したもので、センサ部２６はシリコンダイオードＤ
、抵抗ＲＪ、コンデンサＣ１からなり、定常時は［＋１
２ＶＪにプルアップされた電圧信号を次段ρタイマ一部
２１に与える。しかし、ワイヤとトーチ棒とが接触する
状態の時は、１−ｚ２ＶＪがダイオードＤおよび電流制
御抵抗１３を介して接地ライｙ（（ｉＮＤ）に流れるよ
うになり、放電部に電流が流れることを検出するように
なる。
タイマ一部２７は、例えば入力特性がｉｌｌ：＃電圧の
ｌ／ａ以下となった時にト９ｔＩされ動作状態となるＩ
ｃによるタイマー回Ｆ６２＆（例えばＮＥ５５５）と、
抵抗ＲＪ、コンデＶすＣ２の瑣分回路、さらにコンデｙ
ｔｃａからなる。そして、上記センサ部２６からの検出
信号は、タイマー回路２９に供給する。
ｌ／ａ以下となった時にト９ｔＩされ動作状態となるＩ
ｃによるタイマー回Ｆ６２＆（例えばＮＥ５５５）と、
抵抗ＲＪ、コンデＶすＣ２の瑣分回路、さらにコンデｙ
ｔｃａからなる。そして、上記センサ部２６からの検出
信号は、タイマー回路２９に供給する。
さらに、インタフェース回路２８は一次側ダイオードお
よび二次側トランジスタからなるフォトカプラＰＣと、
これにダーリントン接続したトランジスタＴｒ、さらに
電源を供給する抵抗Ｒ３および発光素子ＬＥＤからなる
。
よび二次側トランジスタからなるフォトカプラＰＣと、
これにダーリントン接続したトランジスタＴｒ、さらに
電源を供給する抵抗Ｒ３および発光素子ＬＥＤからなる
。
すなわち、上記のようなワイヤ異常検出制御部２５にお
いて、静止状態の場合にはタイマー回路２９の入力ビン
Ｎｏ、２のレベルｔま、抵抗Ｒ１によって約１２（Ｖ）
にプルアップされている。
いて、静止状態の場合にはタイマー回路２９の入力ビン
Ｎｏ、２のレベルｔま、抵抗Ｒ１によって約１２（Ｖ）
にプルアップされている。
このタイマー回路２９は前述したように電源電圧に対し
て１／８以下になった時にトリがされるも、のであるた
め、この１２Ｍ（入力電源電圧）の状態ではタイマー動
作＃ましない。したがってこの時のタイマー回路２９の
出力ビンＮｏ、３のレベルはローレベルとなり、フォト
カプラＰＣの一次側ダイオードに′電流が流れ、発光系
子ＬＥＤが発光表示すると共にダーツ２）ン接続された
トラどジスタＴｉがオンの状態となる。
て１／８以下になった時にトリがされるも、のであるた
め、この１２Ｍ（入力電源電圧）の状態ではタイマー動
作＃ましない。したがってこの時のタイマー回路２９の
出力ビンＮｏ、３のレベルはローレベルとなり、フォト
カプラＰＣの一次側ダイオードに′電流が流れ、発光系
子ＬＥＤが発光表示すると共にダーツ２）ン接続された
トラどジスタＴｉがオンの状態となる。
したがって 放電を検知するフォトカプラ１９よりの放
電検知信号は、インタフェース回路２８を介して制御部
２０に送られる。すなわち第７図の（ａ）にムで示すよ
うにパルス状高′峨圧信号が発生し、ワイヤ１５とトー
チ棒１７との間で放電された時に、同図の（ｄ）に示す
ような信号が制御部２０に送出され、ボンディングが正
常に行なわれていることを指示するようになる。
電検知信号は、インタフェース回路２８を介して制御部
２０に送られる。すなわち第７図の（ａ）にムで示すよ
うにパルス状高′峨圧信号が発生し、ワイヤ１５とトー
チ棒１７との間で放電された時に、同図の（ｄ）に示す
ような信号が制御部２０に送出され、ボンディングが正
常に行なわれていることを指示するようになる。
これに対して、ワイヤ１５がクランプ１６から外れてい
る場合には、第７図の（ａ）に示す正常の放′鑞タイミ
ングに対して、同図の（ｂ）に示すようにやや速いタイ
ミングでワイヤＪ５とトーチ棒１１とが接触する。この
ようにワイヤ１５とトーチ棒Ｊｒとが接触すると、′Ｎ
流制限抵抗ノ３および放ｔＩｔ＋′ヤップノ４を介して
抵抗Ｒノが接地される状態となり、入力電圧１ｇ（Ｖ）
は抵抗Ｒノと流れたＸ流の積の電圧降下を起こし、タイ
マー回路２９の入カビＶＮｏ、ｇの電位は入力電圧の１
／、以下となる。シタがって、タイマー回路２峠よトリ
ガされ、抵抗Ｒ？、コＶデＶｆＣ２による積分回路の時
定数によって、第７図の（ｃ）に示すように一定時間（
例えば３３０ｍ５）の［ｔｌで出力ビンＮｏ、３のレベ
ルはへインペルとなる。したがって、フォトカブラＰＣ
の一次側ダイオードに流れる′４′流は遮断され、発光
菓子ＬＥＤは消灯し、トランジスタＴｒがオフ状態とな
って、フォトカブラ１９と制１１１１部２ｏとの回路を
遮断するようになる。
る場合には、第７図の（ａ）に示す正常の放′鑞タイミ
ングに対して、同図の（ｂ）に示すようにやや速いタイ
ミングでワイヤＪ５とトーチ棒１１とが接触する。この
ようにワイヤ１５とトーチ棒Ｊｒとが接触すると、′Ｎ
流制限抵抗ノ３および放ｔＩｔ＋′ヤップノ４を介して
抵抗Ｒノが接地される状態となり、入力電圧１ｇ（Ｖ）
は抵抗Ｒノと流れたＸ流の積の電圧降下を起こし、タイ
マー回路２９の入カビＶＮｏ、ｇの電位は入力電圧の１
／、以下となる。シタがって、タイマー回路２峠よトリ
ガされ、抵抗Ｒ？、コＶデＶｆＣ２による積分回路の時
定数によって、第７図の（ｃ）に示すように一定時間（
例えば３３０ｍ５）の［ｔｌで出力ビンＮｏ、３のレベ
ルはへインペルとなる。したがって、フォトカブラＰＣ
の一次側ダイオードに流れる′４′流は遮断され、発光
菓子ＬＥＤは消灯し、トランジスタＴｒがオフ状態とな
って、フォトカブラ１９と制１１１１部２ｏとの回路を
遮断するようになる。
すなわち、スイッチング部１１がらの指令で、第７図の
（ａ）で示すような放電指令信号が発生し。
（ａ）で示すような放電指令信号が発生し。
接触したワイヤー４とトーチｎ１７を介して、放電の場
合と同じような信号がフォトカブラ１９で検知されたと
しても その信号は誤放゛慰信号と判別されて、制御部
２ｏへの送出がカットされるようになる。
合と同じような信号がフォトカブラ１９で検知されたと
しても その信号は誤放゛慰信号と判別されて、制御部
２ｏへの送出がカットされるようになる。
その他、ダイオードＤは放電時に印加される高電圧をカ
ットし、コンデンサＣｊ、Ｃ２はノイズ吸収の作用をす
るようになり、さらに抵抗Ｒ３は電流制限抵抗として作
用する。
ットし、コンデンサＣｊ、Ｃ２はノイズ吸収の作用をす
るようになり、さらに抵抗Ｒ３は電流制限抵抗として作
用する。
尚、タイマー回１ｕＩ２９としても入力特性の電源電圧
の１／８以下の電圧でトリガするものとしたのは１次の
ような理由による。すなわち、゛題流制限抵抗１３を通
してスイッチングすると。
の１／８以下の電圧でトリガするものとしたのは１次の
ような理由による。すなわち、゛題流制限抵抗１３を通
してスイッチングすると。
タイマー回路の入力ビンの電圧は零とはならず数（■の
電圧が発生する状態となる。したがって。
電圧が発生する状態となる。したがって。
一般のディスクリート素子やＩＣでは、正常なスイッチ
ング動作はしない。また、タイマー回路を放題ギャップ
１４に対して直接接続する状態とすると、ノイズに対し
て誤動作を生じ昌くなり、これらの点を満足させるため
にタイマー回路２９の入力特性を、電源電圧の１／、以
下の′電圧でトリガされる素子で構成するようにしたも
のである。
ング動作はしない。また、タイマー回路を放題ギャップ
１４に対して直接接続する状態とすると、ノイズに対し
て誤動作を生じ昌くなり、これらの点を満足させるため
にタイマー回路２９の入力特性を、電源電圧の１／、以
下の′電圧でトリガされる素子で構成するようにしたも
のである。
上記実施例においては ワイヤクランプ抜けに対応する
誤放電信号の遮断を、フォトカブラ１９と制御部２０と
の間のインタフェース回路２８を断とすることにより実
視した。しかし、高圧部やワークの特性によっては、放
電ギャップに短Ｍ電流が流れて］ま不都合な場合があや
。
誤放電信号の遮断を、フォトカブラ１９と制御部２０と
の間のインタフェース回路２８を断とすることにより実
視した。しかし、高圧部やワークの特性によっては、放
電ギャップに短Ｍ電流が流れて］ま不都合な場合があや
。
このような時には、インタフェース回１！ｕ＃（２）ト
ランジスタＴｒからの信号によって、スイッチング部１
１をカット状態にするか、あるいｔよリセット状態とな
るインタフェース回路によってスイッチング部１１に指
令信号を送出し、高圧部１２に対する指令を断つように
すれば、ワイヤ１５とトーチ棒１７とが接触してもそこ
には短絡電流が流れることなく、結果として制御部２０
に対する誤放電信号を遮断することになり、ワイヤボン
ド装置の停止制御が実行されるようになる。
ランジスタＴｒからの信号によって、スイッチング部１
１をカット状態にするか、あるいｔよリセット状態とな
るインタフェース回路によってスイッチング部１１に指
令信号を送出し、高圧部１２に対する指令を断つように
すれば、ワイヤ１５とトーチ棒１７とが接触してもそこ
には短絡電流が流れることなく、結果として制御部２０
に対する誤放電信号を遮断することになり、ワイヤボン
ド装置の停止制御が実行されるようになる。
以上のようにこの発明によれば ワイヤクランプ抜けに
よる不良率（この不良率はクラＶブ抜けに限らず、ワイ
ヤとトーチ棒が接触することにより発生する不良をも含
む）は、従来の０．５％以下とすることができ、ワ、イ
ヤボンド装置の制御に大きな効果を発揮することができ
る。
よる不良率（この不良率はクラＶブ抜けに限らず、ワイ
ヤとトーチ棒が接触することにより発生する不良をも含
む）は、従来の０．５％以下とすることができ、ワ、イ
ヤボンド装置の制御に大きな効果を発揮することができ
る。
第１．図は従来のワイヤボンド装置を説明する構成図、
第２図および＠３図ｔよそれぞれワイヤボンドの放電部
の状態を説明する図、第４図は上記放電部のトーチ棒と
ワイヤとの関係を説明する図、第５図はこの発明の一実
施例に係るワイヤボンド装置を説明する構成図 第６図
は上） 記装置のワイヤ異常検出制御部を示す回路図、第７図は
上記装置の作用を説明する図である。 １ノ・ｌ！スイッチング部） Ｊ ２ ’”？高圧部、
１３・・・電流制限抵抗、１４・・・放電ギャップ、１
５…ワイヤ、１６申クランプ、１７１リトーテＳ。 １８・・・ボール、１９ｔ・・フォトカブラ、Ｊ０１？
中ワイヤポンド制御部、２５・１１ワイヤ異状検出制御
部、２６…センサ部、２７・・・タイマ一部、２８川イ
Ｖタフ工−ス回路。
第２図および＠３図ｔよそれぞれワイヤボンドの放電部
の状態を説明する図、第４図は上記放電部のトーチ棒と
ワイヤとの関係を説明する図、第５図はこの発明の一実
施例に係るワイヤボンド装置を説明する構成図 第６図
は上） 記装置のワイヤ異常検出制御部を示す回路図、第７図は
上記装置の作用を説明する図である。 １ノ・ｌ！スイッチング部） Ｊ ２ ’”？高圧部、
１３・・・電流制限抵抗、１４・・・放電ギャップ、１
５…ワイヤ、１６申クランプ、１７１リトーテＳ。 １８・・・ボール、１９ｔ・・フォトカブラ、Ｊ０１？
中ワイヤポンド制御部、２５・１１ワイヤ異状検出制御
部、２６…センサ部、２７・・・タイマ一部、２８川イ
Ｖタフ工−ス回路。
Claims (1)
- ワイヤボンド装置におけるワイヤクランプ抜けを検出す
る装置において、ワイヤボンド装置稼動中、ワイヤクラ
ンプ部からワイヤが外れた場合にボンディングワイヤと
トーチ棒との接触により流れる電流を検知する手段と、
このｉ流検知に対応して特定される時間の範囲で放電信
号をワイヤボンド制御部に供給するインタフェース回路
を制御し放電検知信号がワイヤボンド制御部に供給され
ることがないようにする手段と゛を興備したことを特徴
とするワイヤクランプ抜は検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111133A JPS592332A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111133A JPS592332A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592332A true JPS592332A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0210573B2 JPH0210573B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=14553282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111133A Granted JPS592332A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929390A (en) * | 1994-09-14 | 1999-07-27 | Ishida Co., Ltd. | Load cell weighing apparatus using the same |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111133A patent/JPS592332A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929390A (en) * | 1994-09-14 | 1999-07-27 | Ishida Co., Ltd. | Load cell weighing apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210573B2 (ja) | 1990-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5811307B2 (ja) | 短絡ア−ク溶接装置 | |
| US5079667A (en) | Relay driving circuit for a latch-in relay | |
| JPH04226824A (ja) | 穴刳り装置 | |
| JPS592332A (ja) | ワイヤボンド装置のワイヤクランプ抜け検出装置 | |
| EP0213689A2 (en) | Plasma torch shutdown circuit | |
| US4687897A (en) | Flame-off limited circuit for wire bonding ball forming apparatus | |
| US4862095A (en) | Wire electrode breakage detection method and apparatus | |
| KR100254440B1 (ko) | 솔레노이드 밸브 구동 장치 | |
| US3958152A (en) | Protection circuitry for cathode ray tubes | |
| JPS5755428A (en) | Protection circuit | |
| US2918607A (en) | Flasher control circuit | |
| JP2764664B2 (ja) | ワイヤボンダー用ボール形成装置及びその方法 | |
| JP3264741B2 (ja) | フィラワイヤ供給ｔｉｇ溶接装置 | |
| JPH04368419A (ja) | 電源供給スイッチ | |
| JPH0317377B2 (ja) | ||
| JP2611891B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びその方法 | |
| JPH0473326B2 (ja) | ||
| CN2252077Y (zh) | 钢筋电渣压力焊机 | |
| JPH0451478Y2 (ja) | ||
| JPS5964374A (ja) | サ−マルヘツド駆動装置 | |
| JPS5886983A (ja) | 自動溶接ロボツトの溶接点検出方法 | |
| JPH0521501A (ja) | ワイヤボンデイング装置における高周波検出装置及びその方法 | |
| JPS5681942A (en) | Ball formation in wire bonder | |
| JPH04365515A (ja) | ワイヤ放電加工機の断線検出装置 | |
| JPH0513493A (ja) | ワイヤボンデイング装置 |