JPS59228425A - レベル変換回路 - Google Patents

レベル変換回路

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Publication number
JPS59228425A
JPS59228425A JP58102694A JP10269483A JPS59228425A JP S59228425 A JPS59228425 A JP S59228425A JP 58102694 A JP58102694 A JP 58102694A JP 10269483 A JP10269483 A JP 10269483A JP S59228425 A JPS59228425 A JP S59228425A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
level
signal
input signal
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP58102694A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiro Abe
道郎 阿部
Akira Takanashi
高梨 「あきら」
Yoshinori Suzuki
鈴木 好憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58102694A priority Critical patent/JPS59228425A/ja
Publication of JPS59228425A publication Critical patent/JPS59228425A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、レベル変換回路に適用して特に有効な技術
に関するもので、たとえば、液晶表示ドライバ等に適し
たレベル変換回路に利用して有効な技術に関するもので
ある。
〔背景技術〕
電卓等の液晶表示装置のドライバにおいては。
第1図に示すようなレベル変換回路が提案されている。
つまり、液晶表示装置は消費電力が少ないという利点が
あるため電卓等において広く使用されているが、駆動電
圧が比較的高いという不都合がある。そこでこれを駆動
するための液晶ドライバにおいては、内部ロジック部を
低い電源で駆動して消費電力な抑え、その出力部に液晶
を駆動できるような高いレベルまで信号なレベル変換す
るため第1図に示すようなレベル変換回路が提案されて
いる。
このレベル変換回路は、ロジック部等から■5s−VD
Dの振幅のパルス信号りが入力されると、■EE−■D
Dの振幅のパルスに変換して出力する。
し7かしながら、本発明者が明らかにしたところによる
と、第1図のような回路にあっては、MO8FETM、
〜M4に貫通電流が流れるという不都合がある。また、
所望の振幅VF、E−■DDを得るKは、トランジスタ
M、とM、を低抵抗にしてやらなければならない。その
ため、回路な構成するMOS)ランジスタM1とM、の
素子寸法を、トランジスタM、とM、の素子寸法に比べ
てかなり大きくしてやらなければならず、これによって
、回路全体の占有面積が大きくなってしまうという問題
点があることがわかった。しかも、液晶ドライバでは、
このようなレベル変換回路を各出力ビンごとに設けなけ
ればならないのでチップサイズもそれだけ大きくなって
いた。特に、マトリックス表示影液晶表示装置(例えば
液晶TV)用のドライバでは出力ビン数が多くなるので
、レベル変換回路の占有面積が非常に大きくなってしま
う。
〔発明の目的〕
本発明の一つの目的は、少ない素子数で所望のレベル変
換回路を構成することKある。
本発明の1つの目的は、回路を構成する各素子を、それ
程大きなものにする必要がなく、これによって回路の占
有面積を減少させることにある。
また、出力部にこの回路を用いた液晶ドライバのような
LSIのチップサイズを縮少できるようにすることを目
的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添附図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明の5ち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、この発明は、出力信号の立上がりもしくは立
下がりをトリガするための入力信号によってオン、オフ
されるトランジスタを、出力信号の立下がりもしくは立
上がりをトリガするための入力信号によって相補的にオ
ン、オフされる一対のトランジスタで挾むようにして電
源電圧間に直列接続させるとともに、これらのトランジ
スタの一方の接続ノードのレベルをラッチするラッチ回
路を設けることにより、少ない素子数で2つの入力信号
によってスタティック動作されて所望の振幅(■BR−
vDD)を有する任意のパルス幅の信号を形成できるレ
ベル変換回路を構成できるようにして上記目的を構成す
るものである。
以下図面を用いてこの発明を具体的に説明する。
〔実施例〕
第2図は本発明に係るレベル変換回路の一実施例を示す
ものである。この実施例では、+5Vのような電源電圧
VDDと一8vのような電源電圧v0との間に1回路の
出力信号Qの立下がりをトリガするための第1の入力信
号Aをゲートに受けるようにされたPチャンネルMO8
FETM、、と、出力信号Qの立上がりをトリガするた
めの第2の入力信号Bをゲートに受けるようにされた一
対のPチャンネル形とNチャンネル形のMO8FETM
11およびMl、とが、M8.をM、1とMl、が挾む
ような形で直列接続されている。この直列接続されたM
 OS F E T M 、t〜M、Aによって入力段
1が構成されている。
また、実施例では、同じく回路の電源電圧VDDとV。
どの間に2つのCMOSインバータIV。
とIV、とが接続され、お互いに一方のインバータの出
力電圧が他方のインバータの入力端子に供給されるよう
に交差的に接続されラッチ回路2が構成されている。そ
して、一方のインバータIV。
の入力端子に上記入力段1の接続ノードn1の電位が印
加されるようにされている。これKよって、入力段1の
ノードn1のレベルがラッチ回路2によってラッチされ
るよ5になる。
すなわち、上記実施例の回路においては、入力端子■t
n2に第3図(2)に示すような■IC1e−■DDの
振幅を有する信号Bが入力されると、信号Bの立上がり
に同期してM OS F E T Ml+がオフされ、
Ml、がオンされる。すると、入力段1のノードn。
が■。8レベル(ロウレベル)にされるため、インバー
タIV、の出力ノードn!は■DDレベル(ハイレベル
)に変化される。一方、インバータIV、の出力電圧は
インバータIV、の入力端子に印加されているので、イ
ンバータIV、の出力ノードn、′ はVIEレベルに
される。また、インバータIV、の出力電圧(ロウレベ
ル)はインバータIV、の入力端子に印加されている。
そのため、入力段10ノードnlのレベルがラッチ回路
2によってラッチされ、一旦出力電圧Qが第3図(3)
のごとく立ち上げられると、信号人がハイレベルであれ
ば、同図(2)のごとく信号Bが立ち下がっても出力Q
はハイレベルのままにされる。
しかして、信号BがロウレベルにされMO8FETMI
Iがオン、Mllがオフされた状態で、第3図(1)の
ごとく信号Aがロウレベル(V8.)に立ち下げられる
と、MO8FETM、!がオンされるタメ、ノートn、
のレベルは■DD()・イレベル)にさせられる。する
と、インバータIV1さらにインバータIV、の出力が
それぞれロウレベルと・・イレベルに反転され出力Qが
ロウレベルに維持される。
つまり、ノードn1のレベルはラッチ回路2によってラ
ッチされる。その結果、信号Aがその後ハイレベルに戻
っても、出力Qは次に信号Bがハイレベルに変化される
までロウレベルに維持される。
このように、上記実施例の回路においては、入力信号B
とAの立上がりと立下がりによって、任意のパルス幅を
有する振幅■EF、−■DDの信号Qを得ることができ
る。
しかも、実施例の回路は、入力段1を構成するMO8F
ETM、、とMl、のうち一方は、信号Bのレベルが・
・イであろうとロウであろうと必ずオフされるので、入
力段1に貫通電流が流されることはない。また、ラッチ
回路2も2つのCMOSインバータIV、とIV、とに
より構成され、スタティック動作されるため、消費電力
は非常に少ない。
さらに、実施例の回路においては、出力Qを取り出すイ
ンバータIV、に、その出力ノードn、に接続される負
荷に応じた駆動能力を持たせる必要があるが、MO8F
ETM、4とMl5の素子寸法(W/L)を負荷に応じ
て少し大きく形成してやればよい。しかして、インバー
タIV、はドライブ能力を必要としないので、これを構
成するMO8FETM、、とM17の素子寸法は最小に
しておくことができる。
第1図のレベル変換回路では1MO8FETM。
とM、が抵抗として作用するので、充分な振幅を得るた
めにMO8FETM1とM、の素子寸法をM、やM4に
比べて非常に大きくしておく必要があった。これに対し
、本実施例のレベル変換回路では1MO8FETM、4
もMl、も駆動素子として作用するので、大きな負荷駆
動能力を持たせるにしても極端に素子寸法を大きくして
やる必要はな℃1゜ 次に、第4図は上記レベル変換回路を液晶ドライバに適
用した場合の回路構成の一例を示すものである。図にお
いて、11は内部ロジック部であり、その周辺に上記レ
ベル変換回路を含む出力回路部12が配設され、LSI
に設けられた複数個の出力ビン13.13.・・・・・
・・・・に接続されている。
内部ロジック部11は電源電圧■DD(+5)によって
動作され、電源電圧V□は出力回路部12へのみ供給さ
れる。
そして上記レベル変換回路は各出力ピン13に対応して
それぞれ一つずつ設けられている。出力回路部12内に
は、液晶に印加されるべき複数の電圧のうち一つを選択
して印加させるための複数のスイッチからなるセレクタ
が内蔵されており、上記レベル変換回路の出力はこのよ
うなセレクタ回路等に供給され、出力回路12から出力
ピン13に対し適当なドライブ信号が出力される。
しかして、上記実施例のレベル変換回路では、入力信号
として■88−■DDの振幅の信号Aの他に■。。−■
DDの振幅をもつ信号Bが必要とされる。
そのため、内部ロジック部11と出力回路部12との間
に、振幅v −■ の信号を振幅VEE−88DD ■DDの信号Bに変換するため、第1図に示すレベル変
換回路と同じような構成の回路が、レベルシフタ14と
して設けられている。
しかるに、このレベルシフタ14は、数十率ある出力ビ
ン13に対応して設けられている数十個のレベル変換回
路(第2図)に対して一つだけ設けて共用させることが
できる。従って、このレベルシフタ14の追加に伴なう
回路面積の増加は僅かである。これに対し、数十個設け
られているレベル変換回路が、第1図のものから第2図
のものに変更されれば、素子数が低減(8個−7個)さ
れるとともに素子寸法も減少されるため、各回路の占有
面積が減少され、出力回路部12全体の占有面積が大幅
に減少されるので、上記レベルシフタ14の追加に伴な
う面積の増加を補って余りある。
しかも、第1図のレベル変換回路を用いた液晶ドライバ
では、内部ロジック部11の最終段にフリップフロップ
を設けて、レベル変換回路への入力信号りを形成するよ
うに構成されることが多い。
この場合出力回路部12内の複数個のレベル変換回路の
各々に対応して、その前段にフリップフロップを設けな
ければならない。これに対し、本発明に係るレベル変換
回路を用いた液晶ドライバでは、上記フリップフロップ
に供給される内部ロジック部11からのデータ信号もし
くはクロック信号をそのままレベル変換回路の入力信号
として使い、一方の信号のみを単に共通のレベルシフタ
14でレベル変換してやるだけでよい。そのため、第1
図と第2図の回路を比較すると、−見第2図の回路は入
力信号AとBの2つを必要とするのでクロックジェネレ
ータ等の回路を別個に設けなげればならないように見え
るが、本発明を適用した液晶ドライバでは内部ロジック
部11からの信号をフリップフロップを通さずに直接使
用できるので、多数の7リツプ70ツブを省略すること
が可能となり、回路全体の占有面積が更に縮減されるよ
うになる。
特にマトリックス表示タイプの液晶表示装置用のドライ
バでは、出力ビン数が多(なるので、レベル変換回路の
占有面積の減少によるチップサイズの縮減の効果は大き
い。しかも、実施例のレベル変換回路は任意のパルス幅
の信号を形成し出力することができるので、供給される
駆動信号のパルス幅の大きさによって明るさを変えるこ
とができるようにされた例えば液晶TVのようにパルス
幅変調方式による中間調表示可能な液晶光示装置のドラ
イブ用LSIに適している。
なお、前記実施例のレベル変換回路(第2図)では、M
 OT F E T RLtとM、3 との接続ノード
n。
からラッチすべきレベルを取り出すようにされているが
、MOS F E TM、、とM12 との接続ノード
のレベルを後段のラッチ回路2でラッチするように構成
するようにしてもよい。また、実施例におけるM OS
 F E T Mllはpチャンネル形に限定されるも
のではなく、nチャンネル形のものを用いることができ
ることはいうまでもない。
〔効果〕
ラッチ回路を設けたレベル変換回路では、少ない素子数
で構成し、かつ回路を構成する素子の寸法も小さくする
ことができるため、回路の占有面積を減少させ、チップ
サイズを縮減することが可能になる。また、ラッチ回路
を設けたスタティック構成とすることにより、貫通電流
がほとんど流れないので消費電力も少なくなる。また、
所望の振幅を有する任意のパルス幅の信号を形成するこ
とができるため、液晶TVのような液晶宍示装置の駆動
用LSIに適用した場合に特に有効な効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明を液晶ドライバの出力回
路部に適用した場合について説明したが、この発明は、
それに限定されるものではなく2以上の電源電圧で動作
するすべてのシステムにおいて利用することが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明者が検討した液晶駆動用LSIにおけ
るレベル変換回路の一例を示す回路図。 第2図は本発明に係るレベル変換回路の一実施ングを示
すタイミングチャート。 第4図は本発明に係るレベル変換回路が適用されるシス
テムの一例としての液晶ドライバの構成例を示すブロッ
ク図である。 1・・・入力段、2・・・ラッチ回路、IV、、IV、
・・・インバータ、A、  B・・・入力信号、Q・・
・出力信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、第1の入力信号によってオン、オフ動作されるトラ
    ンジスタと第2の入力信号によって相補的にオン、オフ
    動作される一対のトランジスタとが回路の第1と第2の
    電源電圧端子間に直列接続されてなる入力段と、互いに
    各々の出力電圧が他方の入力端子に供給されるように交
    差的に接続された2つのインバータからなり、上記入力
    段の出力ノードのレベルなラッチ可能なラッチ回路とに
    より構成されてなることを特徴とするレベル変換回路。
JP58102694A 1983-06-10 1983-06-10 レベル変換回路 Pending JPS59228425A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58102694A JPS59228425A (ja) 1983-06-10 1983-06-10 レベル変換回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58102694A JPS59228425A (ja) 1983-06-10 1983-06-10 レベル変換回路

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JPS59228425A true JPS59228425A (ja) 1984-12-21

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ID=14334359

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JP58102694A Pending JPS59228425A (ja) 1983-06-10 1983-06-10 レベル変換回路

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