JPS5922492A - Integrated fm modulator - Google Patents

Integrated fm modulator

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JPS5922492A
JPS5922492A JP57130329A JP13032982A JPS5922492A JP S5922492 A JPS5922492 A JP S5922492A JP 57130329 A JP57130329 A JP 57130329A JP 13032982 A JP13032982 A JP 13032982A JP S5922492 A JPS5922492 A JP S5922492A
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transistor
modulator
resistors
emitter
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義憲 岡田
Himio Nakagawa
一三夫 中川
Koichi Hirose
広瀬 幸一
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/76Television signal recording
    • H04N5/91Television signal processing therefor
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Abstract

PURPOSE:To attain the low voltage operation and to set an oscillating frequency with high accuracy and simple constitution, by eliminating an AC voltage dynamic range at an input section of an astable multivibrator and bringing a power supply voltage of an FM modulator to a low voltage. CONSTITUTION:A circuit surrounded with broken lines 9 is a bias circuit giving a base voltage of a PNP transistor(TR) 37 and a voltage of the emitter of the TR37, i.e., a voltage of an IC external terminal 58 is eliminated for the temperature characteristic by selecting suitably the value of resistors 50-53. Further, a circuit surrounded with broken lines 8 is a bias circuit giving a base voltage of an NPNTR38 and a voltage of the emitter of the TR38, i.e., the voltage of the IC external terminal 60 is eliminated for the temperature characteristic by selecting suitably the values of resistors 45-48. An oscillating frequency corresponding to a DC level at the tip of synchronizing part and 100% white level is adjusted with an externally mounted resistor 56, and the DC level at the tip of the synchronizing part is adjusted to a prescribed oscillating frequency with externally mounted resistors 55, 57.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積化に好適なFM変調器に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an FM modulator suitable for integration.

従来のFM変調器は、比較的に高い電源電圧を必要とし
、低電力化・ICの高集積化に向かないという欠点があ
った。即ち高電源電圧に伴ない消費電力は多くなり、ま
たIC内素子は、動作電圧が高く高耐圧であるほど素子
面積が犬きくなるので、チップサイズの大型化、さらに
は歩留りの低下を招いていた。
Conventional FM modulators have the drawback of requiring a relatively high power supply voltage and are not suitable for low power consumption or high integration of ICs. In other words, power consumption increases with a high power supply voltage, and the higher the operating voltage and higher withstand voltage of the IC elements, the larger the element area becomes, leading to an increase in chip size and a decrease in yield. Ta.

第1図に従来のFM変調器のブロック図を示す。第1図
において、1は非安定マルチバイブレータであり、その
発振周波数は、電圧−電流変換用トランジスタ2のコレ
クタ電流値に比例するものとする。6は抵抗であり、4
は変調信号の入力端子である。
FIG. 1 shows a block diagram of a conventional FM modulator. In FIG. 1, 1 is an unstable multivibrator whose oscillation frequency is proportional to the collector current value of the voltage-current conversion transistor 2. In FIG. 6 is resistance, 4
is the input terminal for the modulation signal.

ここでは、家庭用VTRのFM変調器を考えることにし
、変調信号はビデオ信号とする。入力端子4に入力され
るビデオ信号は、同期信号先端が一定DC電位にクラン
プされ、かつプリエンファシスにより、高域成分が強調
され、さらに白および黒側レベルがクリップされた信号
である。
Here, we will consider an FM modulator for a home VTR, and the modulation signal will be a video signal. The video signal input to the input terminal 4 is a signal in which the leading edge of the synchronizing signal is clamped to a constant DC potential, the high frequency component is emphasized by pre-emphasis, and the white and black side levels are further clipped.

いま第2図のように、入力端子4におけるビデオ信号の
同期信号先端から100%白レベルまでをvl(ピーク
・ピーク値)とし、白および黒のクリップレベル(それ
ぞれWL、BL)をそれぞれα係。
Now, as shown in Fig. 2, the period from the top of the synchronization signal of the video signal at the input terminal 4 to the 100% white level is defined as vl (peak-to-peak value), and the white and black clip levels (WL and BL, respectively) are expressed as α coefficients. .

h%とする。ただし、この場合、同期信号先端がら10
0%白レベルまでヲ100%とし、各クリップレベルは
同期信号先端から測定するものとする。
h%. However, in this case, the tip of the synchronization signal is 10
It is assumed that the level is 100% up to the 0% white level, and each clip level is measured from the tip of the synchronization signal.

前記の条件下において、同期信号先端のDC電位をES
とすると、入力端子4における信号のピーク電位は、 ES +’ ”  J 00 となる。また、トランジスタ2のエミッタにおける信号
の最低電位は、 ただしVsg+’f、ランジスタのペースエミッタ間電
圧、 となる。pH変調器の温度特性や電圧−電流変換直線性
を考慮すると、トランジスタ2のエミッタにおける信号
の最低電位はv1以上必要である。したがって、 となる。この場合、入力端子4Vcおける信号のツマリ
、非安定マルチバイブレータの入力部クランプが必要と
なる。それ故に、この値に非安定マルチバイブレータ1
の動作電圧を加えたタケ(r)電源電圧が、l? M変
調器としては必要になる。
Under the above conditions, the DC potential at the tip of the synchronization signal is
Then, the peak potential of the signal at the input terminal 4 is ES+'''J00.The lowest potential of the signal at the emitter of the transistor 2 is, where: Vsg+'f, the emitter-to-emitter voltage of the transistor. Considering the temperature characteristics and voltage-current conversion linearity of the pH modulator, the lowest potential of the signal at the emitter of transistor 2 must be v1 or more. It is necessary to clamp the input of the stable multivibrator.Therefore, at this value, the unstable multivibrator 1
The operating voltage of Take(r) plus the power supply voltage is l? It is necessary as an M modulator.

次に第3図に、従来の集積化FM変調器の具体的回路例
を示す。第3図において、1oはダイオード、N、12
,19,20,21j22は集積化抵抗1.13−18
 、25 、24 、2は集積化トランジスタ、25は
定電圧源、26は集積化範囲、27〜29は外付抵抗、
5,3Gは外付調整抵抗、31は外付容量、32〜54
はIC外部端子、35は電源ラインである。
Next, FIG. 3 shows a specific circuit example of a conventional integrated FM modulator. In Figure 3, 1o is a diode, N, 12
, 19, 20, 21j22 are integrated resistors 1.13-18
, 25, 24, 2 are integrated transistors, 25 is a constant voltage source, 26 is an integrated range, 27 to 29 are external resistors,
5, 3G is an external adjustment resistor, 31 is an external capacitor, 32 to 54
is an IC external terminal, and 35 is a power supply line.

また第6図において、第1図と同一符号の素子は同一機
能を有するものとする。なお、この回路の動作は良く知
られているので、その説明は省略するが、10〜51に
よって非安定マルチバイブレータ1を構成している。
Further, in FIG. 6, elements having the same symbols as those in FIG. 1 have the same functions. Incidentally, since the operation of this circuit is well known, the explanation thereof will be omitted, but 10 to 51 constitute the unstable multivibrator 1.

ここで第4図は)にトランジスタ17のエミッタ電圧波
形を、また同図V3)にトランジスタ260ベース電圧
波形を示す。電源電圧なVcc、定電圧源26の電位を
VA、)ラシジスタのベース・工きツタ間電圧なVsI
cとすると、トランジスタ17のエミッタ最低電位は(
VA−5Vag)となる。トランジスタ230ベースに
加えられる信号のピーク・ピーク値をv2とすると、ト
ランジスタ25のエミッタ最低電位は、高くとも (VA−5Vsg ) −v2−Vsg = VA−v
2−4Insとなる。したがって、非安定マルチバイブ
レータの動作電圧は、 Vcc −(VA−υ2−4 VBg ’) = (V
cc−VA)+ν2 +4 VB Eとなる。
Here, FIG. 4) shows the emitter voltage waveform of the transistor 17, and V3) of the same figure shows the base voltage waveform of the transistor 260. Vcc is the power supply voltage, VA is the potential of the constant voltage source 26, VsI is the voltage between the base and the capacitor of the Lasis resistor.
c, the lowest emitter potential of transistor 17 is (
VA-5Vag). If the peak-to-peak value of the signal applied to the base of the transistor 230 is v2, the lowest emitter potential of the transistor 25 is at most (VA-5Vsg) -v2-Vsg = VA-v
It becomes 2-4 Ins. Therefore, the operating voltage of the unstable multivibrator is Vcc - (VA-υ2-4 VBg') = (V
cc-VA)+ν2+4VBE.

つぎに、−例として、実用上の諸値を上式に代入し、非
安定マルチバイブレークの動作電圧・入力部のダイナミ
ックレンジを計算丁やと、以下のようになる。
Next, as an example, by substituting various practical values into the above equation and calculating the operating voltage and dynamic range of the input section of the unstable multi-by-break, the result is as follows.

(Vcc  V、t)は、第4図は)K示す波形により
、0.5V程度は必要でありs v2はトランジスタ2
5 。
(Vcc V, t) is required to be about 0.5 V according to the waveform shown in Fig. 4), and s v2 is the voltage of transistor 2.
5.

24のスイッチ切替え特性より0,5V程度、ν1は0
.5程度である。また家庭用VTRのVH5規格に基づ
き、d=160.A=40であり、Vrtg = 0.
7とすると、非安定マルチバイブレータの動作電圧は3
.8V、入力部のダイナミックレンジは2.2Vとなる
。したがって、入力部のダイナミックレンジの占める割
合は、37%と、かなり高く、低電圧駆動に不向きであ
った。
From the switch switching characteristics of 24, about 0.5V, ν1 is 0
.. It is about 5. Also, based on the VH5 standard for home VTR, d=160. A=40 and Vrtg=0.
7, the operating voltage of the unstable multivibrator is 3
.. 8V, and the dynamic range of the input section is 2.2V. Therefore, the ratio occupied by the dynamic range of the input section is 37%, which is quite high, making it unsuitable for low voltage driving.

今後、テープヘッド系の周波数特性の改善に伴い、クリ
ップレベルがあげられるようになれば、入力部において
さらに広いダイナミックレンジが必要になるので、ます
ます低電圧化が困難になって(る。
In the future, if the clip level becomes higher as the frequency characteristics of tape head systems improve, a wider dynamic range will be required at the input section, making it increasingly difficult to reduce the voltage.

ところで無安定マルチバイブレータ1の発振周波数fは
、31をCo、抵抗6に流れる電流をI。
By the way, the oscillation frequency f of the astable multivibrator 1 is such that 31 is Co and the current flowing through the resistor 6 is I.

とすれば、近似的に次式で表わされる。Then, it can be approximately expressed by the following equation.

1゜ f”  4 Co (Vcc −VA)したがって発振
周波数fは容量C’o及びVAを決める集積化抵抗のバ
ラツキにより変動する。そこでクランプされたビデオ信
号の各電位に対応して所定の発振周波数を得るため、抵
抗3によって、同期部先端の、D Cレベルと100%
白レベルに相当する発振周波数差を調整し、また抵抗5
0によって、同期部先端のDCレベルを所定の発振周波
数に調整している。つまり抵抗3を変化させ、入力ビデ
オ信号4に対応した電流、変化量を調整する。また抵抗
5oを変化させ、抵抗28t29を介して放電する電流
を変化させ発振周波数を調整するものである。
1°f" 4 Co (Vcc - VA) Therefore, the oscillation frequency f fluctuates due to variations in the integrated resistor that determines the capacitance C'o and VA. Therefore, a predetermined oscillation frequency is set corresponding to each potential of the clamped video signal. In order to obtain the DC level and 100%
The oscillation frequency difference corresponding to the white level is adjusted, and the resistor 5
0 adjusts the DC level at the tip of the synchronizer to a predetermined oscillation frequency. That is, the resistor 3 is changed to adjust the current and amount of change corresponding to the input video signal 4. Furthermore, the oscillation frequency is adjusted by changing the resistor 5o and changing the current discharged through the resistor 28t29.

しかし、IC外部端子54 H52の電圧が、第4図に
示すよう九集積化トランジスタのVBE K依存してい
るのに対して、27〜5oからなる調整回路は外付回路
であり、Ic内外では温特を一致させることは困難なた
め、発振周波数の温度変動を発生しやすいという欠点が
あった。
However, while the voltage at the IC external terminal 54 H52 depends on the VBE K of the nine integrated transistors as shown in FIG. 4, the adjustment circuit consisting of 27 to 5o is an external circuit, and Since it is difficult to match the temperature characteristics, the oscillation frequency tends to fluctuate with temperature.

また第3図に示すように、高周波なFM信号が生じてい
るIC外部端子32 、54に多くの調整用外付部品を
必要とし、コストアップ及び他の周辺回路へのクロトー
クを生じやすいという欠点があった。
Furthermore, as shown in Fig. 3, the IC external terminals 32 and 54, where high-frequency FM signals are generated, require many external adjustment parts, which increases costs and tends to cause blacktalk to other peripheral circuits. was there.

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、低
電圧動作が可能で、発振周波数を簡単な構成で精度よく
設定できる集積化FM変調器を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an integrated FM modulator that eliminates the drawbacks of the prior art described above, is capable of low voltage operation, and is capable of setting the oscillation frequency with high precision with a simple configuration.

本発明は、前記目的を達成するために、ベース接地型ト
ランジスタのエミッタに抵抗を介して電圧信号を入力す
るとともに、抵抗とで定電流源を構成するトランジスタ
のコレクタと、上記ベース接地型トランジスタのコレク
タと、非安定マルチバイブレータ入力部を接続して、非
安定マルチバイブレータ入力部における交流電圧ダイナ
ミックレンジをなくし、FM変調器の電源電圧の低電圧
を可能にした。また上記6各のトランジスタのエミッタ
に外付抵抗を接続し、発振周波数の調整を可能にしたも
のである。
In order to achieve the above object, the present invention inputs a voltage signal to the emitter of a common base transistor through a resistor, and also connects the collector of the transistor, which together with the resistor constitutes a constant current source, and the common base transistor. The collector is connected to the astable multivibrator input section to eliminate the AC voltage dynamic range at the astable multivibrator input section and to enable a low power supply voltage for the FM modulator. Furthermore, external resistors are connected to the emitters of each of the six transistors, making it possible to adjust the oscillation frequency.

以下、本発明の一冥施例を第5図により説明する。第5
図において、36は集積化容量、57はPNP トラン
ジスタ、3B、41.44  はNPN )ランジスタ
、39,40.45  はNPNダイオード、42はP
NPダイオード、45〜53は集積化抵抗、54ま定電
流源、55,56.57は外付調整抵抗、58〜60は
IC外部端子であり、第3図と同一機能のものは同一符
号を付しである。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. Fifth
In the figure, 36 is an integrated capacitor, 57 is a PNP transistor, 3B, 41.44 is an NPN transistor, 39, 40.45 is an NPN diode, and 42 is a PNP transistor.
NP diode, 45 to 53 are integrated resistors, 54 is a constant current source, 55, 56, 57 are external adjustment resistors, 58 to 60 are IC external terminals, and those with the same functions as in Fig. 3 have the same symbols. It is attached.

次に第5図の動作を説明する。入力信号4は、エミフオ
ロを構成しているトランジスタ44と定電流源54を介
して、IC外部端子59からIC外部へ出力される。
Next, the operation shown in FIG. 5 will be explained. The input signal 4 is outputted from an IC external terminal 59 to the outside of the IC via a transistor 44 and a constant current source 54 forming an Emifluoro.

なおトランジスタ440ベース・エミッタ間電圧Vsg
の温特を補償するように入力信号01%をもたせ、IC
外部端子59には温度変動がないようにしている。
Note that the transistor 440 base-emitter voltage Vsg
The input signal is set to 01% to compensate for the temperature characteristics of the IC.
The external terminal 59 is kept free from temperature fluctuations.

破#!9で囲まれた回路は、PIVPトランジスタ57
のベース電圧を与えるバイアス回路であり、抵抗50〜
53の値を適当に選ぶことにより、PNPトランジスタ
37のエミッタ即ちIC外部端子58の電圧に温特のな
いようにしている。
Break #! The circuit surrounded by 9 is a PIVP transistor 57
This is a bias circuit that provides a base voltage of 50~
By appropriately selecting the value of 53, the voltage at the emitter of the PNP transistor 37, that is, the IC external terminal 58, is made to have no temperature characteristics.

また破a8で囲まれた回路は、NPNトランジスタ58
のベース電圧を与えるバイアス回路であり、抵抗45〜
48の値を適当に選ぶことにより、NPIVトランジス
タ58のエミッタ即ちIC外部端子60の電圧を温特の
ないようにしている。
The circuit surrounded by a8 is the NPN transistor 58.
This is a bias circuit that provides a base voltage of
By appropriately selecting the value of 48, the voltage at the emitter of the NPIV transistor 58, that is, the IC external terminal 60, is made to have no temperature characteristics.

IC外部端子59の信号は、外部抵抗56’!7介して
、ベース接地で用いられているPNPトランジスタ57
のニーミッタに入力され、トランジスタ67のコレクタ
電流信号となる。またNPIVトランジスタ58と外付
抵抗57により定電流源を構成しているので、上記トラ
ンジスタ37のコレクタ、電流信号は、非安定マルチバ
イブレーク1に入力されることとなり、全体でFM変調
器を構成している。
The signal at the IC external terminal 59 is connected to the external resistor 56'! 7, a PNP transistor 57 used with a common base
The current signal is input to the neimitter of the transistor 67, and becomes the collector current signal of the transistor 67. Also, since the NPIV transistor 58 and the external resistor 57 constitute a constant current source, the collector of the transistor 37 and the current signal are input to the unstable multi-by-break 1, and the whole constitutes an FM modulator. ing.

したがって外付抵抗56によって、同期部先端のDCレ
ベルと100%白レベルに相当する発振周波数を調整で
き、かつ外付抵抗55 、57によって、同期部先端D
Cレベルを所定の発振周波数に調整でき、従来より少な
い外付部品で所定の。
Therefore, the external resistor 56 can adjust the DC level at the tip of the synchronizing section and the oscillation frequency corresponding to the 100% white level, and the external resistors 55 and 57 can adjust the DC level at the tip of the synchronizing section and the oscillation frequency corresponding to the 100% white level.
The C level can be adjusted to a predetermined oscillation frequency with fewer external components than before.

発振周波数を得ることができる。またIC外部端子58
 、59 、60は温特を有さないので、発振周波数の
温度変動が生じないこととなる。
The oscillation frequency can be obtained. Also, IC external terminal 58
, 59, and 60 do not have temperature characteristics, so the oscillation frequency does not vary with temperature.

ところでボ・−タプルVTR等では、使込勝手の向上を
はかるため、小型・軽量化が要求される。そこで抵抗を
セラミック基板上に厚膜抵抗で形成して集積化するとと
もに、厚膜抵抗にレーザをあて厚膜抵抗をけずって抵抗
値を増加させることによって、抵抗値の調整を高速かつ
自動的に行なうレーザトリミング技術が必須技術として
広く用いられている。
However, in order to improve ease of use, VTRs and the like are required to be smaller and lighter. Therefore, by forming and integrating the resistor as a thick film resistor on a ceramic substrate and increasing the resistance value by applying a laser to the thick film resistor and scratching the thick film resistor, the resistance value can be adjusted quickly and automatically. Laser trimming technology is widely used as an essential technology.

本発明によれば、上記レーザトリミング技術を用いて発
振周波数を調整する場合、抵抗55゜57のトリミング
調整(抵抗値は増加)により、発振周波数が前者では高
くなり、後者では低くなるので、抵抗55 、57を最
初から最適値に設定でき、調整時間が短かくてよいとい
う利点がある。また抵抗55,57のトリミング調整に
おいて一方の抵抗の値を大きくしすぎた場合には、もう
一方の抵抗の値をトリミングによって大きくすることが
でき、容易に高精度な調整が可能である。
According to the present invention, when adjusting the oscillation frequency using the laser trimming technique described above, by trimming the resistors 55° and 57 (resistance value increases), the oscillation frequency increases in the former case and decreases in the latter. There is an advantage that 55 and 57 can be set to optimal values from the beginning, and the adjustment time can be shortened. Furthermore, if the value of one of the resistors is made too large in the trimming adjustment of the resistors 55 and 57, the value of the other resistor can be increased by trimming, and highly accurate adjustment is easily possible.

ところでトランジスタ38は定電流源であるので、その
ベース電位VBは通常1V程度に選べばよい。したがっ
てFM変調器の電源電圧55としては、上記1Vに非安
定マルチパイプレーク1の動作電圧6.8Vを加えた値
でよく、従来と比べ約1.2V下げられる。
By the way, since the transistor 38 is a constant current source, its base potential VB should normally be selected to be about 1V. Therefore, the power supply voltage 55 of the FM modulator may be a value obtained by adding the operating voltage of the unstable multipipe rake 1 of 6.8 V to the above-mentioned 1 V, which is about 1.2 V lower than the conventional voltage.

つまり、本発明によれば、FM変調器を構成する非安定
マルチバイブレータの入力部には、交流電圧信号として
のダイナミックレンジが不要となり、電源電圧を1,2
V程度下げられる。したがって、IC内における素子の
耐圧を下げられ素子面積を小さくすることが可能になり
、チップサイズを小型化して歩留りを向上させることが
容易である。また、逆にチップサイズを等しくした場合
には、集積度を一層密度化することができる。
In other words, according to the present invention, the input section of the unstable multivibrator that constitutes the FM modulator does not require a dynamic range as an AC voltage signal.
It can be lowered by about V. Therefore, it is possible to lower the withstand voltage of the element within the IC and reduce the element area, making it easy to reduce the chip size and improve yield. On the other hand, if the chip sizes are made equal, the degree of integration can be further increased.

また本発明によって、容量56の両端を上述の調整のた
めにIC外部端子にする必要がなくなり、第5図に示す
ように容量56を集積化することが可能になり、Ic外
部端子数を2個削減できるばかりでな(、以下の効果が
得られる。
Further, according to the present invention, it is no longer necessary to use both ends of the capacitor 56 as IC external terminals for the above-mentioned adjustment, and it becomes possible to integrate the capacitor 56 as shown in FIG. 5, reducing the number of IC external terminals to 2. Not only can you reduce the number of items, but you can also get the following effects.

容量を周辺部品とする場合、ICの外部端子は、隣接ビ
ンとの関係などから浮遊容量値が異なるので、この影響
を小さくするため、容量値Cとしては、数十PFが必要
となる。その場合の電流1o、すなわち4c (VCc
 −VA ) fは、集積化の場合に比べて数倍の値と
なる。
When the capacitor is used as a peripheral component, the external terminal of the IC has a different stray capacitance value due to the relationship with adjacent bins, so in order to reduce this influence, the capacitance value C needs to be several tens of PF. The current 1o in that case, i.e. 4c (VCc
-VA) f has a value several times larger than that in the case of integration.

これに対して容量内蔵の場合は、外部端子が不要なので
、ビンの浮遊容量のアンバランスを考慮する必要がなく
、容量を小さくすることが−c、@ 7)。−ケオイ、
。=、。。P”P、* に’ == 1o PFとする
と、I’o / Io = 0.25となり、消費電流
を7にすることができ、低電力化をはかれる。
On the other hand, in the case of a built-in capacitor, there is no need for an external terminal, so there is no need to consider the unbalance of the stray capacitance of the bottle, and the capacitance can be reduced -c, @7). -Keoi,
. =,. . If P''P, * is set to ' == 1o PF, I'o / Io = 0.25, the current consumption can be reduced to 7, and power consumption can be reduced.

また高周波成分がIC外部に洩れなくなり、他へのクロ
ストークを解消できるという利点がある。
There is also the advantage that high frequency components do not leak to the outside of the IC, and crosstalk to others can be eliminated.

また第6図に本発明の他の実施例を示す。第6図にて%
61.62 、65は調整用外付抵抗であり、第5図と
同一機能を有するものは同一番号を付しである。第6図
において、IC外部端子59にIC内部から出力された
電圧信号は、抵抗61ヲ介して、ベースが接地されてい
るN’PNトランジスタ58のエミッタ九入力され、上
記トランジスタ38のコレクタ電流信号に交換される。
Further, FIG. 6 shows another embodiment of the present invention. % in Figure 6
61, 62 and 65 are external adjustment resistors, and those having the same functions as those in FIG. 5 are given the same numbers. In FIG. 6, a voltage signal outputted from inside the IC to an external IC terminal 59 is input to the emitter of an N'PN transistor 58 whose base is grounded via a resistor 61, and the collector current signal of the transistor 38 is inputted to the emitter of an N'PN transistor 58 whose base is grounded. will be exchanged.

一方PNP )ランジスタ37と外付抵抗62により定
電流源を構成しているので、上記コレクタ、電流信号は
、非安定マルチバイブレータ1に入力されることとなる
。また同期部先端のDCレベルと100%白レベルの発
振周波数差は抵抗61にて調整でき、発振周波数は抵抗
62 、65で調整できるものである。したがって第5
図に示した回路例の場合と同様の効果が得られることは
明白である。なお第5図の回路例に比して第6図の回路
では、上記コレクタ電流信号が通過するベース接地トラ
ンジスタを周波数特性のよいNPNトランジスタで構成
しているので、入力信号4をより高域までFM変調でき
るという利点がある。
On the other hand, since the PNP transistor 37 and the external resistor 62 constitute a constant current source, the collector and current signals mentioned above are input to the unstable multivibrator 1. Further, the oscillation frequency difference between the DC level at the tip of the synchronization section and the 100% white level can be adjusted with a resistor 61, and the oscillation frequency can be adjusted with resistors 62 and 65. Therefore, the fifth
It is clear that the same effect as in the case of the circuit example shown in the figure can be obtained. Furthermore, compared to the circuit example shown in Fig. 5, in the circuit shown in Fig. 6, the common base transistor through which the collector current signal passes is constructed of an NPN transistor with good frequency characteristics. It has the advantage of being able to perform FM modulation.

以上説明したように、本発明によれば、電源電圧を低下
でき、低電力化・ICチップザサイズ小型化をはかれる
とともに、少ない周辺部品で精度のよいFM変調器を実
現できる。
As described above, according to the present invention, the power supply voltage can be lowered, power consumption can be reduced, the size of the IC chip can be reduced, and a highly accurate FM modulator can be realized with a small number of peripheral components.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のFM変調器のブロック図、第2図はFM
変調器の入力信号を説明する波形図、第6図は従来のF
M変調器の回路図、第4図は従来のFM変調器の動作波
形図、第5図は本発明の一実施例を示す回路図、第6図
は本発明の他の実施例を示す回路図である。 1・・・非安定マルチバイブレータ、 4・・・入力端子信号、 5 、50 、56957 、61 、62・・・調整
用外付抵抗、36・・・集積化容量、 57・・・PNP )ランジスタ、 38・・・NPNトランジスタ。 tllIffl f2肥 オ斗固
Figure 1 is a block diagram of a conventional FM modulator, and Figure 2 is a block diagram of a conventional FM modulator.
A waveform diagram explaining the input signal of the modulator, Fig. 6 is the conventional F
A circuit diagram of an M modulator, FIG. 4 is an operating waveform diagram of a conventional FM modulator, FIG. 5 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. It is a diagram. 1... Unstable multivibrator, 4... Input terminal signal, 5, 50, 56957, 61, 62... External adjustment resistor, 36... Integrated capacitor, 57... PNP) transistor , 38...NPN transistor. tllIffl f2 Hio Togo

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ベースが交流的に接地された第1のトランジスタと、第
1と反転導電形でベースが交流的に接地された第2のト
ランジスタと、非安定マルチバイブレータとを有し、該
第1のトランジスタもしくは該第2のトランジスタのエ
ミッタに抵抗を介して信号を入力し、該第1のトランジ
スタのコレクタと該第2のトランジスタのコレクタと該
非安定マルチバイブレータの入力部とを接続したことを
特徴とする集積化FM変調器。
a first transistor whose base is grounded in alternating current; a second transistor whose conductivity type is inverse to that of the first transistor whose base is grounded in alternating current; and an unstable multivibrator; An integrated circuit characterized in that a signal is input to the emitter of the second transistor via a resistor, and the collector of the first transistor, the collector of the second transistor, and the input part of the unstable multivibrator are connected. FM modulator.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60150865U (en) * 1984-03-19 1985-10-07 三洋電機株式会社 Frequency and frequency deviation adjustment circuit
JPS6277562U (en) * 1985-11-05 1987-05-18
JPH04210537A (en) * 1990-12-14 1992-07-31 Masaaki Koishi Feeder with supply rate indicator
US6016169A (en) * 1995-11-30 2000-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronically programmable frequency modulation circuits and related methods

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