JPS59200507A - High-band on circuit of high efficiency amplifier - Google Patents

High-band on circuit of high efficiency amplifier

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JPS59200507A
JPS59200507A JP58074323A JP7432383A JPS59200507A JP S59200507 A JPS59200507 A JP S59200507A JP 58074323 A JP58074323 A JP 58074323A JP 7432383 A JP7432383 A JP 7432383A JP S59200507 A JPS59200507 A JP S59200507A
Authority
JP
Japan
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frequency
output
low
voltage
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP58074323A
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Japanese (ja)
Inventor
Mutsuo Miyazaki
宮崎 睦朗
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent the breakdown of an output transistor (TR) due to an unnecessary signal except in an audio frequency band by adding a capacitor to a detecting circuit part. CONSTITUTION:The capacitor C3 is added to the detecting circuit part 3 in parallel to a resistance R2. Therefore, a low-potential DC voltage is developed at a point A at a high frequency except in the audio frequency range because of a time constant C2XR1. Consequently, a control circuit 1 turns on TRs Q3 and Q4 when the potential at the point A is low to apply the output of a power source VL to output TRs Q1 and Q2. Thus, when the frequency is higher than the audio band, the output TRs Q1 and Q2 operate by the power source VL and do not operate by a power source VH, preventing the abnormal heating of the output TRs Q1 and Q2 and their breakdown caused by the abnormal heating. Thus, the output TRs are prevented from breaking down by an unnecessary signal except in the audio frequency range.

Description

【発明の詳細な説明】 との発明は、アンプの電力増幅段を駆動する複数の電源
供給回路をもつアンプの周波数による動作状態をコント
ロールする高効率アンプの高域オン回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a high-frequency ON circuit for a high-efficiency amplifier that controls the operating state depending on the frequency of an amplifier that has a plurality of power supply circuits that drive the power amplification stage of the amplifier.

高効率アンプtri vL * VHの二つの電源回路
をもち、入力信号レベルに応じてMLで駆動したり、ぬ
で駆動したシする(この動作の詳細は省略する)。
It has two power supply circuits, a high-efficiency amplifier, trivL*VH, and is driven by ML or by vacuum depending on the input signal level (details of this operation are omitted).

この電源の切換は第1図に示す制御回路1によル、トラ
ンジスタQ3# Q4をオンさせると、とのトランジス
タQ3# Q4を通して、■の電源が出力トランジスタ
Ql、Q2に加えられ、この出力トランジスタQ1tQ
2が猫の電源で動作して、スピーカ2を駆動する。
This switching of the power supply is performed by the control circuit 1 shown in FIG. Q1tQ
2 operates with the cat's power supply and drives the speaker 2.

−また、制御回路1によシ、トランジスタQ3、Q4を
オフにすると、■の電源がダイオードD2.D3を介し
て、出力トランジスタQ t sQ2に印加され、この
出力トランジスタQl。
-Also, when the control circuit 1 turns off the transistors Q3 and Q4, the power source (2) is switched to the diode D2. Via D3, it is applied to the output transistor Q t sQ2, which output transistor Ql.

Q 2 FiMLの電源で動作して、スピーカ2゛を駆
動する。
It operates with the power of Q 2 FiML and drives the speaker 2'.

とのように、制御回路1によシ、トランジスタQ 3 
t Q 4をオン、オフさせることによシ、ダイオード
D2.D3をオン、オフさせて、vHの電源と■の電源
を切シ換えて、出力トランジスタQ1# Q2を作動さ
せるようにしている。
As shown in FIG.
By turning on and off tQ4, diodes D2. By turning D3 on and off, the power supply for vH and the power supply for (2) are switched to operate the output transistors Q1#Q2.

この際、高い周波数になるはど、スイッチングパルスが
発生し、アンプの歪を悪化させる。
At this time, when the frequency becomes high, switching pulses are generated, which worsens the distortion of the amplifier.

したがって、高域信号時(3KHz以上)には、入力信
号レベルの大小に関係なく、高い電圧りのみで接続駆動
方式とすれば、ダイオードD2、D3のスイッチングは
なくなシ、歪の悪化が防止できる。
Therefore, when using a high frequency signal (3KHz or higher), regardless of the input signal level, if the connection drive method is used with only a high voltage, switching of diodes D2 and D3 will be eliminated, and deterioration of distortion will be prevented. can.

この高域でのオン回路は第1図の検出回路部3に具体例
として示されている。この第1図において、アンプの出
力、すなわち、出力トランジスタQ 1 e Q 2の
コレクタの接続、つまシ、B点よシコンデンサCI、抵
抗R1,ダイオードD1を通して制御回路10入力端に
接続されている。抵抗R1とダイオードD1との接続点
は抵抗R2を介してアースされておシ、ダイオードD1
のカソードはコンデンサC3を介してアースされている
。負の半サイクル側の検出回路部4も同様に構成されて
いる。
This on-circuit in the high frequency range is shown as a specific example in the detection circuit section 3 of FIG. In FIG. 1, the output of the amplifier, that is, the connection of the collectors of the output transistors Q 1 e Q 2, the terminals, and the point B is connected to the input terminal of the control circuit 10 through the capacitor CI, resistor R1, and diode D1. . The connection point between resistor R1 and diode D1 is grounded via resistor R2, and diode D1
The cathode of is grounded via capacitor C3. The detection circuit section 4 on the negative half cycle side is similarly configured.

正の半サイクル側の検出回路部3において、抵抗R2と
コンデンサC1とによる時定数′?″1−C1,R2で
B点の信号をダイオードD1とコンデンサC2の回路で
整流した後、制御回路1の入力端、すなわち、A点のレ
ベルは高い周波数で上がる。
In the detection circuit section 3 on the positive half cycle side, the time constant '?' due to the resistor R2 and the capacitor C1. 1-After the signal at point B is rectified by the circuit of diode D1 and capacitor C2 using C1 and R2, the level at the input end of control circuit 1, that is, at point A increases at a high frequency.

制御回路1はとのA点の電位に応じて、トランジスタQ
 s t Q 4をオンすることによル、すでに述べた
ように、出力トランジスタQ1tQ2を陶の軍9源で動
作するととになる。
Control circuit 1 controls transistor Q according to the potential at point A of
By turning on s t Q4, the output transistors Q1 and Q2 are operated with a power source, as described above.

この高域オン回路はオーディオ帯域以外(たとえば、発
振波形)の信号を受けた場合、あるいはアンプ自体発振
した場合にも、猫の電源からの供給によシ、アンプが動
作してしまうので1パワートランジスタ、すなわち、出
力トランジスタQ1.Q2の破壊をともなうケースがあ
る。
This high-frequency on-circuit will operate even if it receives a signal other than the audio band (for example, an oscillation waveform), or if the amplifier itself oscillates, the amplifier will operate due to the power supply from the cat. transistors, namely output transistors Q1. There are cases where Q2 is destroyed.

この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、発振力ど、オーディオ帯域以上の不要は信号の
発生時に、高域オン回路の動作を停止させるようにして
、パワートランジスタの破壊を防止できる高効率アンプ
の高域オン回路を提供することを目的とする。
This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional technology.When an unnecessary signal such as an oscillation force that exceeds the audio band is generated, the operation of the high-frequency ON circuit is stopped and the power transistor is destroyed. The purpose of the present invention is to provide a high-frequency on-circuit for a high-efficiency amplifier that can prevent this.

以下、この発明の高効率アンプの高域オン回路の実施例
について図面に基づき説明する。第2図はその一実施例
の要部を取シ出して示す回路図であシ、第1図における
正の半サイクル側の検出回路部30部分を改良した回路
図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a high-frequency on-circuit for a high-efficiency amplifier according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing a main part of one embodiment, and is an improved circuit diagram of the detection circuit section 30 on the positive half cycle side in FIG. 1.

この第2図では、第1図の検出回路部3と比較しても明
らかなように、抵抗R2に並列にコンデンサC2を接続
しているととに特徴4を有するものである。々お、との
第2図のA点およびB点はそれぞれ第1図のA点#B点
と同じである。
As is clear from a comparison with the detection circuit section 3 of FIG. 1, FIG. 2 has a feature 4 in that a capacitor C2 is connected in parallel to the resistor R2. Points A and B in FIG. 2 are the same as points A and #B in FIG. 1, respectively.

このように、抵抗R2にコンデンサC2を並列に接続す
ることによシ、出力アンプ、すなわち、第1図の出力ト
ランジスタQl、Q2のコレクタの接続点、さらに換言
すれば、B点の信号は”7+−CI・R1とマz−R1
・C2の二つの時定数で、ダイオードD1とコンデンサ
C3とによる整流回路に加えられることになる。
In this way, by connecting the capacitor C2 to the resistor R2 in parallel, the signal at the output amplifier, that is, the connection point between the collectors of the output transistors Ql and Q2 in FIG. 7+-CI・R1 and Maz-R1
- The two time constants of C2 will be added to the rectifier circuit made up of diode D1 and capacitor C3.

これにより、周波数対人点のレベルは第3図に示すとと
になる。この第3図において、破線の特性αは嘆1図の
検出回路部3の場合であり、実線の特性βけ東2図に示
すとの発明の場合である。
As a result, the level of the frequency interpersonal point becomes as shown in FIG. In FIG. 3, the broken line characteristic α is for the detection circuit section 3 shown in FIG. 1, and the solid line characteristic β is for the invention shown in FIG. 2.

この第3図において、周波数f、とf、の間はオーディ
オ帯域を示し、周波数f1以下および周波数f、以上は
オーディオ帯域外を示している。
In FIG. 3, the range between frequencies f and f indicates the audio band, and frequencies below f1 and above frequency f indicate outside the audio band.

との周波数f1と12間のオーディオ帯域内において、
検出回路部はマJ−C1?R2の時定数によシ、周波数
の低い場合にはA点には電位の低い直流電圧が現われ、
また、周波数が高い場合には、A点に電位の高仏直流電
圧が現われる。
In the audio band between frequencies f1 and 12,
Is the detection circuit part Ma J-C1? Depending on the time constant of R2, when the frequency is low, a low potential DC voltage appears at point A,
Furthermore, when the frequency is high, a high potential DC voltage appears at point A.

さらに、12以上のオーディオ帯域外の高い周波数の場
合には、IL−C2・R1の時定数によリ、A点には低
電位の直流電圧が現われる。
Furthermore, in the case of a high frequency outside the audio band of 12 or more, a low potential DC voltage appears at point A due to the time constant of IL-C2 and R1.

これにより、第1図の制御回路1はA点の電位が低電位
のとキ、トランジスタQ3#  C4をオフさせ、■の
電源を出力トランジスタQl、Q2に加えて、とのVL
の電源で出力トランジスタQl、Q2が動作する。
As a result, the control circuit 1 in FIG.
The output transistors Ql and Q2 operate with the power supply.

また、逆に、A点の電位が高電位のときには、制御回路
1により、トランジスタQ 3t Q 4をオンさせて
、当の電源を出力トランジスタQ、’pQ2に加え、と
の7日の電源で出力トランジスタQ’eQ2を動作させ
る。
Conversely, when the potential at point A is high, the control circuit 1 turns on the transistor Q3tQ4 and applies the corresponding power to the output transistors Q and 'pQ2. The output transistor Q'eQ2 is operated.

したがって、オーディオ帯域外の高い周波数の場合でも
、出力トランジスタQl、Q2はvLの電源で動作し、
礪の電源で動作しなくなり、出力トランジスタQl、Q
2の異常発熱およびそれにともなう破損を防止できる。
Therefore, even in the case of high frequencies outside the audio band, the output transistors Ql and Q2 operate with a power supply of vL,
The output transistors Ql and Q will no longer operate due to the low power supply.
Abnormal heat generation and damage caused by it can be prevented.

勿論、オーディオ帯域内において、周波数の高い場合に
は、′vHの電源で出力トランジスタQ1、C2が動作
するから、従来の場合と同様に、ダイオードD2.D3
のスイッチングがなくなり、歪の悪化を防止できる。
Of course, in the audio band, when the frequency is high, the output transistors Q1 and C2 operate with a power supply of 'vH, so as in the conventional case, the diodes D2. D3
This eliminates switching and prevents deterioration of distortion.

以上のように、この発明の高効率アンプの高域オン回路
によれば、出力トランジスタを高電圧と低電圧の複数の
電源を制御回路によシ切シ換えて動作させるアンプにお
いて、オーディオ帯域外の高い周波数の信号の発生時に
この信号を所定の時定数(ロ)路を通し、てレベルダウ
ンさせ、それを制御回路に加えるようにしたので、オー
ディオ帯域外の不要信号によるアンプの発熱表らびに破
壊を防止できる。
As described above, according to the high-frequency on-circuit of the high-efficiency amplifier of the present invention, in an amplifier in which the output transistor is operated by switching between multiple high-voltage and low-voltage power supplies by the control circuit, it is possible to operate the output transistor outside the audio band. When a high frequency signal is generated, this signal is passed through a predetermined time constant (B) path to lower its level and then added to the control circuit, so that the amplifier does not generate heat due to unnecessary signals outside the audio band. Destruction can be prevented at all times.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の高効率アンプおよび高域オン回路の回路
図、第2図はこの発明の高効率アンプの高域オン回路の
一実施例の回路図、第3図は従来およびこの発明におけ
る高域オン回路の周波数特性を比較して示す図である。 Ql、C2・・・出力トランジスタ D1〜D3・・・ダイオード C1〜C3・・・コンデンサ R1,R2・・・抵抗  1・・・制御回路2・・・ス
ピーカ 3・・・検出回路部 特許出願人 パイオニア株式会社
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional high-efficiency amplifier and a high-frequency ON circuit, FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of a high-frequency ON circuit of a high-efficiency amplifier of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional high-efficiency amplifier and a high-frequency ON circuit of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a comparison of frequency characteristics of high-frequency ON circuits. Ql, C2... Output transistors D1-D3... Diodes C1-C3... Capacitors R1, R2... Resistance 1... Control circuit 2... Speaker 3... Detection circuit section Patent applicant Pioneer Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 高電圧の電源と低電圧の電源とを切シ換えて出力トラン
ジスタに供給する切換手段と、上記出力トランジスタに
加わる信号の周波数を検出しこの周波数がオーディオ帯
域内にあるときに第1の時定数で低い周波数では低レベ
ルの直流電圧を出力しかつ高い周波数では高レベルの直
流電圧を出力するとともにオーディオ帯域以外の高い周
波数の場合には第2の時定数で低レベルの直流電圧を発
生する検出回路部と、この検出回路部が上記低レベルの
直流電圧を発生しているとき上記切換手段によシ上記低
電圧の電源を出力トランジスタに加えるように制tj 
Lかつ上記検出回路部が高レベルの直流電圧を発生して
いるとき上記切換手段に高電圧の電源を出力トランジス
タに加えるように切換制御する制御回路とよ)なる高効
率アンプの高域オン回路っ
a switching means for switching between a high voltage power source and a low voltage power source and supplying the same to the output transistor; and a first time constant that detects the frequency of the signal applied to the output transistor and detects the frequency of the signal applied to the output transistor and when this frequency is within the audio band. Detection that outputs a low-level DC voltage at low frequencies, outputs a high-level DC voltage at high frequencies, and generates a low-level DC voltage with a second time constant in the case of high frequencies outside the audio band. When the circuit unit and the detection circuit unit are generating the low level DC voltage, the switching means controls the low voltage power source to be applied to the output transistor.
A high-frequency ON circuit of a high-efficiency amplifier, which is a control circuit that controls the switching means to apply high-voltage power to the output transistor when the detection circuit section generates a high-level DC voltage. Wow
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