JPS59198767A - 歪ゲ−ジ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は歪ゲージに関し、特に、歪を測定すべき基板上
に皮膜物質を次々とイオンめっきすることによって製造
される歪ゲージに関するものである。

物理的測定の基本原則の一つは、測定装置が測定中の量
に影響を与えがちなことである０７９世紀の後半以降、
この望ましくない影響を可能な限り減らすために、測定
器具を精密にすることに多大の努力が払われてきた。電
気抵抗式歪ゲージは、比較的に接近し難い場所における
測定を可能にするだけでなく、測定中の量に対する影響
を最小にする点で、価値ある測定器具である。この種の
歪ゲージは測定中の物体に密接な関係で保持された短い
導体からなり、物体が受けたどんな歪も歪ゲージに伝達
するようになっている。この歪は導体の固有抵抗に影響
を与ち測定中の物体が受ける歪に関係付けることによっ
て、歪を測定することができる。

物質への応力の付加に伴って起こる固有電気抵抗の変化
は圧抵抗効果と呼ばれており、大抵の物質はある程度の
圧抵抗効果を示す。半導体は圧抵抗効果が通常大きいが
、その実際の効果は物理的形状、物質の形態及びその固
有抵抗等に依存する。

窒化アルミニウムは非常に望ましい圧抵抗特性を有する
耐火半導体であり、この特性が窒化アルミニウムを薄膜
歪ゲージに使用する魅惑的な力になっている。しかし、
ステンレス製のタービン翼については、この種の圧抵抗
膜の付着に必要な高温条件のために、窒化アルミニウム
の使用が遅れていた。基板温度が低下すると、窒化アル
ミニウムの圧抵抗特性は有効でないかも知れない。しか
し、基板温度が低下しても、窒化アルミニウムの圧抵抗
の特徴は依然として役に立つ。

窒化アルミニウムの薄膜をつくる既知の方法は窒素雰囲
気中におけるアルミニウムの溶射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇ）又は窒化アルミニウムのターゲットからの溶射であ
る。ＪｌＭａｃ、Ｅｌｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、の１９
１０年７〜を月号、／７（りにある“高周波（ｒｆ）抵
抗イオンめっきによる窒化アルミニウム膜”という題名
の論文に記−載されているように、ｒｆ抵抗イオンめっ
きによって窒化アルミニウムはシリコン及びスピネル単
結晶表面上に具合良く合成されていた。

種々の物質及び基板を使用する真空内での薄膜付着は当
業者周知である。米国特許第３．９’ｌｔ、、０１９号
明細書は基板表面上の幾つかの付着層を用いる歪ゲージ
を開示している。抵抗又は電子ビーム加熱による蒸発、
直流（ｄｃ）又はｒｆ励起を用いる溶射、そして最近は
イオンめっきが電子部品、回路及び半完成装置を製造す
るために用いられてきた。蒸発、溶射及びイオンめっき
はそれぞれ、薄膜付着に際して利点及び欠点を有する。

蒸発は薄膜付着のための最も広く使用されている方法で
あって、原料物質をその蒸発温度以上に加熱し、その結
果生ずる蒸発気を基□板の露出表面上に凝結させる。原
料物質は抵抗加熱、電子ビーム加熱又はフラッシュ蒸発
を用いて蒸発させることができ、これ等の加熱技術はい
ずれも当業者周知である。

方法及び装置の最近の進歩と技術により、イオン溶射は
競争相手になりつる膜付着技術になってきた。この方法
を用いる場合、強い電場内で強力なガス状イオンで原料
物質を衝撃するが、イオンの運動エネルギーはターゲッ
ト物質中の原子及び分子の結合エネルギーより強いので
、原子及び分子は表面から追い出されてゆく。大抵の溶
射原子及び分子は負の電荷を持っており、従って、陽極
となる基板に向かって加速されそこに凝結される。衝撃
イオンはアルゴンのような希薄ガス中でｄＣ又はｒｆ励
起により発生させられる。溶射作業中に熱が発生するか
も知れないが、溶射には熱を必要としない。従って、蒸
発の場合のように、原料物質が臨界的な蒸発温度に達す
ることは何ら必要でないため、溶射は、蒸発中に構成元
素の望ましくない分別化を示す合金又は化合物の場合、
有利である。

イオンめっきは基本的には蒸発及びイオン溶射を組み合
わせたものである。イオンめっきにおいては、基板は負
の喧極（陰極）として機能しており、ｄＣ又はｒｆ電位
によって維持されたプラズマ中に保持される。′ｔ１！
場の勾配によりプラズマ中の正イオンは陰極に向かって
加速され、膜付着の前に陰極である基板を衝撃して連続
的に清浄にする。同時に、原料物質はフィラメント加熱
又は電子ビーム加熱により蒸発させられ、プラズマ内を
通過する際にイオン化されるようになる。次に、イオン
化されたこれ等の原子及び分子が陰極の基板に向かって
高速で加速され、そこに付着して固有の膜を形成する。

イオンめつき膜の効果的な付着速度は、膜を形成するイ
オン及び基板の溶射イオンの相対的な２ｎｉの到達速度
によって決定される。これ等のコ種の速度が等しい場合
には、基板上への膜付着は起きない。イオンめっきの利
点は非常に強い膜特性、３次元表面の一様な被覆、及び
比較的に高い付着速度である。また、イオンめっきした
歪ゲージの利点は薄くすることが可能なことである。

この寸法的な利点は、ある用途の場合、歪ゲージを被測
定部品にその動作に悪影響を及ぼすことなく残しておけ
ることに意味がある。

本発明に従って製造された歪ゲージは、歪を測定すべき
物体である基板を備える。イオンめっきの前に、溶射又
はイオン洗浄等により基板を完全に洗浄する。該基板上
に予め選択した領域にわたって、はぼ非導電性の材料の
薄膜をイオンめっきにより付着させる。第１の薄膜上に
第２の材料をイオンめっきにより付着させる。

この第２の材料は、窒化アルミニウムのように歪に対し
感応する固有抵抗を持つほぼ導電性の材料である。第１
の材料の作用は歪に対し感応する第２の材料と基板との
間の導通を防止することでΦる。第３の皮膜は第１及び
第コの皮膜上にイオンめっきされる。この第３の皮膜は
ほぼ非導電性であり、歪ゲージを覆う保護表面として機
能する。

本発明の特定の応用例では基板がステンレス製のタービ
ン翼であり、この基板に、非導電性皮膜として機能する
酸化アルミニラ、の第、及び第３の層がある。歪に対し
感応する固有抵抗を持つ’ＩＸ−ｚ層の材料は窒化アル
ミニウムからなるジグザグ形状の条片である。イオンめ
っきにより３つの層をタービン翼上に付着させ、そして
小さな孔を第３層に設けて、ジグザグ形状の窒化アルミ
ニウム余片の両端さ外部の抵抗測定装置との間に電気的
接続が可能なようにする。

本発明は、添付図面に示した好適な実施例に関する以下
の記載を読むことにより完全に理解しつるであろう。

本発明は歪ゲージに関し、特に、歪に対して感応する固
有抵抗を有する導電性材料の基板上への半導体の非導電
性及び導電性連続層のイオンめっき付着を利用する歪ゲ
ージに関するものである。

第１図は本発明による歪ゲージを示す。第１の層又は皮
膜ｉｏはイオンめっき技術により基板／Ｊに析出されて
いる。この第１層／θはマスクを通して析出され、はぼ
矩形の形状を有することになる。第１層／θの作用は、
後から第７層ｉｏの上にイオンめっきされる第一層／４
ｔと、基板／２との間に絶縁皮膜を与えることである。

第一層ｌグは導電性であり且つ歪に対して感応する固有
抵抗を有する材料で形成されている。第１図に示すよう
に、第２層１４ｔはジグザグ状の形状であるから、その
有効長さは、第１層／θの限られた領域内の両端間で最
長にすることができる。第一層／ダのジグザグ形状によ
って、導電性材料である第２層に必要な面積の広さを減
少させながら、その全領域内における有効長さが増大さ
れる。ジグザグ形状は上述した利点を有するが、他の形
状も本発明の範囲内で使用することができる。

第一層／（４上には第３層／６をイオンめっきして、歪
ゲージに対する絶縁保護を与えている。

第１図において、第３層１６は部分的に示されていて、
第２層１４ｔの一部を説明の便宜上露出させている。本
発明による歪ゲージは、ジグザグ形の第一層／Ｑの全体
に対して保護皮膜を与える第３）ｆＪｉｂを有するもの
である。

ジグザグ状の第一層ｌグを抵抗測定器に心気接続可能に
するために、ジグザグ形の第一層／ダの両端近くに、第
３層を貫通するアクセス孔／ｇが設けられている。第７
図においては第３層１６を部分的に示しているので、／
っのアクセス孔／ｇが示されているだけであるが、第一
１）？１ｊ１４ｔの各端にアクセス孔／ｇがあることを
］！　屏されたい。

本発明の特定実施例では、歪を測定する必要があるター
ビン翼その他の対象物としてステンレス鋼Ｍ基板／２を
使用する。第１層１０はこの基板７．２上に酸化アルミ
ニウムをイオンめっきすることによって得られる。酸化
アルミニウムは第コ層ｌダと基板／、２との間に十分な
電気的絶縁を与える。窒化アルミニウムは、酸化アルミ
ニウムの第１層１０にイオンめっきすることにより、第
２層／４（とじて好適に使用されている。第３層１６は
第１層ＩＯと同様に、酸化アルミニウムその他の適当な
絶縁材を第７層ｌｏ。

第一層／ダの双方の上面にイオンめっきすることによっ
て形成できる。アクセス孔／ｇは、ジグザグ状の第２層
上に第３層／Ａをイオンめっきする前に該第一層の両端
をマスキングすることによって形成できる。

第２図は第１図の歪ゲージの断面を示している。第一図
から分かるように、第１ｗＩ／θはイオンめっきにより
基板／コ上に直接付着されている。第λ層／弘は第１層
ｉｏ上に直接イオンめっきされており、第３層／６は第
１層ｌＯ及び第一層／４’の双方にイオンめっきされて
いる。

上述した通り、基板／Ｊはステンレス鋼でよく、第１層
ｌθ及び第３層／６は酸化アルミニウムでよく、第２層
／４’は窒化アルミニウムでよい。

本発明に従って構成される歪ゲージにとって、第３層ｌ
乙の付着は絶対的要件ではない。しかし、絶縁性の第３
層１６を加えることによって、歪ゲージの諸部分に対す
る有用な保護皮膜が得られる。

第３図は、抵抗測定器に接続可能に形成した場合の本発
明歪ゲージを示す。基板１２の上面に、第３層１６がそ
の下にジグザグ形状の第一層／４Ｚを位置させて示され
ている。導電素子−２０及びＪｕがアクセス孔（第１図
に符号／ｇで示したもの）に挿通され、銀ろう２’ｌの
ような適当な手段によって第コ層／ダの両端に取り付け
られている。

第７図は、第２層／ダの抵抗を測定可能にするためにオ
ーム計Ａｇに接続された本発明の歪ゲージを断面で示し
ている。第４図から分かるように、導電素子ＸＯ及び、
２−は銀ろう２’ｌにより第λ層／ダとの導通状態に接
続されている。

この接続は、第３層ｌ乙に貫通状態に設けられたアクセ
ス孔（第１図に符号１ｇで示したもの）を介して行なわ
れる。第１層ＩＯは第一層ｌりと基板１２との間の電気
的絶縁を行なうので、導電素子２０及び２λ間には１つ
の絶縁電流路が存在し、他の電流路は実質的に存在しな
い０導電素子２０及び２２間に接続されたオーム菌子２
ｇが第２層／４’の抵抗をＩＩＪ定する。

当業者にとって自明であるように、電流を導電素子ココ
、第２層／４Ｃ，及び導電素子ユ０に流すことによって
、第コ層／ｌを流れる電流及び電圧からその抵抗を計算
することができる。

しかる後、第２層ｌダに用いられる材料の歪及び固有抵
抗間の所定の関係を参考にして、基板／コに働く歪を決
定できる。イオンめっきによる有益な結果である、第１
層ｉｏと基板１２及び第２層／４’と第７層１０の間の
高強度の付着力により、基板／２が受けるどんな歪も第
一層／ダにおいては、はぼ一様な歪であること力（明ら
かである。

基板及び本発明の種々の層として使用される特定の材料
に応じて、イオンめっきの）々ラメータは変動するが、
チタン製タービン翼を約１１ｋＯ°ｃに加熱すると共に
酸化アルミニウムを７θ分間でコ、ｊ−ｆｆｉＸ２゜ｒ
ｐαの領域にイオンめっきすることによって、許容可能
な実験結果が得られた。

この抵抗性の第１層を付着させた後、第１層の皮膜上に
ジグザグ状パターンを形成するため、第１層上にマスク
を置いた。次いでタービン翼を３３θ℃に加熱すると共
に、２５ミク。７．）圧力の窒素ガス雰囲気中で／−キ
ロボルト、２５ミリアンペアの電流を印加した。３０分
後にはタービン翼の温度は、２／θ℃であった。この工
程中、アルミニウム棒がイオンめっき室で溶融され、窒
化アルミニウムからなるジグザグ形状の第一層が酸化ア
ルミニウムの第１層上にイオンめっきされた。その後、
ジグザグ形状の第２層の両端を銀で被覆すると共にマス
キングしてから、第１層及び第２層の双方の上面に酸化
アルミニウムの第３層をイオンめっきした。

別の実験結果によると、基板上に窒化アルミニ・クムの
フィルムを付着させるためには、屋素雰囲気中における
アルミニウムの直流反応（ｄａｒｅａｃｔｉｖｅ）イオ
ンめっきの前に、基板を、２００℃以上に加熱丁べきで
あることが分かった。最初に基板をアルゴン雰囲気中で
約７００℃に加熱しなから溶射により清浄にする。基板
がチタンである場合、この溶射時間は約３０分である。

溶射後、アルゴンガスをイオンめっき室からパージし、
その代りに窒素ガスを使用する。基板温度が約２２０　
’Ｃに徐々に低下したら、窒化アルミニウムの層を約３
θ分間イオンめっきする。

絶縁層（図面に符号ＩＯで示す第１層）は、ジグザグ形
状の第２層と基板との間の絶縁皮膜をつくるのに適当す
酸化チタン、酸化アルミニウムその他の材料でよく、約
Ｏ０／マイクロメータの厚さに基板上に付着される。次
に窒化アルミニウムのフィルム（図面に符号ｌｌＩで示
す第２層）を約０．２マイクロメータの厚さまで第１層
上に、ジグザグ形状のマスクを介してイオンめっきする
。第３層／Ａは酸化アルミニウムのようなどんな絶縁性
フィルムでもよく、第１層及び第一層の上面に０．／マ
イクロメータの厚さまで付着される。上述した厚さは一
例であって、本発明の範囲を限定するものでないことは
明らかである。上述した特定の諸元はプロトタイプの開
発においては適切であると分かつていたが一高度の環境
保護を必要としたり或は異種のイオンめっき材料を用い
たりする場合には、もつと厚い層が有利かも知れない。

θ、／マイクロメータ以下の非常に薄い付着は完全に連
続した表面にならず、許容しえないレベルの多孔性にな
る。また、３マイクロメ一タ以上の非常に厚い層はその
表面にひびが入り易い。第１層は基板と第２層との間に
信頼性のある絶縁をもたらすのに十分な厚さでなければ
ならず、第２層は抵抗が所望範囲内にあるその両端間に
信頼性のある電流路を与えるのに十分な厚さでなければ
ならず、第３層は第２層に対して完全な保護を与えるの
に十分な厚さでなければならない。第一層を形成する窒
化アルミニウムは水で侵されるし、また、潜在的に損傷
を生じさせる環境からの保護を必要とするので、第３層
は第２層を電気的及び環境的に保護できる絶縁物質とす
ることができる。蒸気タービン翼の場合、この第３層は
第一層がタービン内の蒸気によって浸されることから保
護する。

イオンめっき中、抵抗加熱蒸発がプラズマをｄａ励起し
て使用されるのなら、ｇｏミクロン以下のアルゴン雰囲
気中の基板に働（ｔｏｏ−、ｂｏｏθボルトのｄｃバイ
アスによって生じるプラズマに蒸気が入る。基板はフィ
ルム付着前に絶えずイオン洗浄されている。代表的なイ
オンめっきパラン、−夕は電子源側で夕ｘｔｏ−ｓ−ざ
Ｘ　／　０−’ｔｏｒｒのめっき室圧力、プラズマ側で
１０ｘｌｏ−３〜３θＸ　／　Ｏｔｏｒｒである。フィ
ラメント蒸発では、毎分１０００〜３０００オングスト
ロームの付着速度が可能である。基板の温度は、実際の
バイアス電圧及びめっきプロセスの継続時間に応じて、
ｌθｏ−ｒθＯ℃に達するのが普通である。

第Ｓ図は本発明の歪ゲージを製造するのに使用できる電
子ビームによるイオンめっき用真空室を略図的に示して
いる。該真空室は負圧を内部に維持できる外側容器５．
２を有し、該容器２ｓ内には、電子ビームガン５ｇのビ
ームｓ６にょって融解できる位置に原料物質を保持して
おくことのできる容器ｓｌＩが設けられている。

外側容器３２は吸引口６ｏを有し、該吸引口から内部ガ
スを矢印６．２．で示す方向に排出できる。また、外側
容器タコは少なくとも一本の入口管６グを有し、ここか
ら−ガスを容器ｓ、２内に導入できる。入口管６ダに弁
乙６が備えられていて、該弁によりガスを容器３．１内
の領域に選択的に導入する。アルゴンや窒素のようなこ
のガスは矢印６ｇで示す方向に流れる。基板７゜はその
一方の表面が容器ｓｌ／−に向くように配置する。原料
物質７４’を容器、１４Ｉ−内に入れ、電子ビームガン
ｓｒを電子ビームｓ６が容器５グ内に向けられて原料物
質７ダを融解するように配設する。

第Ｓ図に示したような電子ビームによるイオンめっき用
の真空室は、複雑な形状をした基板上に厚い皮膜や薄い
皮膜をＪｍｉｌ／分に及ぶ付着末度で形成することがで
きる。このプロセスにより金属製又はセラミツク製の基
板上に元素、合金、酸化物、炭化物、窒化物又はガラス
等を付着させることができる。基本的には、電子ビーム
によるイオンめっきは磁場を使用して、真空室を２つの
区画に分離する隔壁７ｇにある小さな孔を通るように電
子ビームを偏向させる。

即ち、電子ビームは下側の区画にあるエミッターから；
ｔ　７　ｏ　Ｆ′、の弧を描いて上側の区画にある付着
用原料物質に達するように偏向される。この付着用原料
物質は水で冷却されたカラーを通って供給される棒でよ
く、そして、電子ビームのエネルギー密度が増大するに
つれて、該棒の表面が融解する。水冷カラーを使用して
いるように、融解された物質は実際上は非融解性のるつ
ぼで支持されている。電子ビームはかなりの蒸発が起こ
るまで原料物質の温度を上昇させる。

該物質の自由原子がイオン化されて、融解した物質の上
方にある負にバイアスされた基板に引き付けられるので
、イオンが高速で基板に衝突し、純粋で濃密且つ一様な
非常に強い皮膜を形成する。

良好な付着用雰１■気を維持するために、上側の区画は
下側の区画に対して１０θ：／の割合の真空差に保持さ
れる。この真空差で、周囲雰囲気は、ガスの原子及び蒸
発物によってカスプラズマを形成できる範囲内にある。

該プラズマはイオン化された物質をそのイオン化特性を
失うことなく融解物質から基板へ適当に流すことのでき
る媒体となる。隔壁７ｇがなけれは、プラズマ状態は下
側の区画室内でも起こり、エミッターその他の機械的部
分を潜在的な基板にしてしまう。イオンめっきプロセス
は原料物質７りが枯渇するまで、或は所望のフィルム厚
が得られるまで続行される。６．３３ｍｍ　（’　／１
Ｉｉｎ　）に及ぶ複数層が７回の連続作業で形成された
。

本発明による歪ゲージはパラメータを種々の代替値に設
定して良好に製作することができる。

しかし、本発明をより明瞭に説明するために、特定パラ
メータにおけるイオンめっきについて記載する。先ず、
第Ｓ図に示しフニ装置を４Ｘ１０’ｔｏｒｒの真空まで
ポンプで吸引した。基板７θを３　ｋＶのバイアス及び
／ＳＯミリアンペアの電流でグロー放電させた。アルゴ
ン２／タミクロンの真空の容器＆、２内に導入した。グ
ロー放電は約半時間続け、基板は７０ｑ℃に達した。こ
の温度は、アルゴンが放出され窒素ガスと置換されると
きに維持した。電子ビームよＡは、容器！ダ内に置かれ
ていたアルミニウム棒のサンプルを融解するように調節
した。この作業中、基板温度は１．００℃まで低下した
。基板をＩＯ’に’Ｊのバ、イアス、Ｏ０３アンペアの
電流でイオンめっきした。

その後、基板り０と容器ｓｑとの間に置かれていたシャ
ッターを開いた。この時点で基板を、窒素圧力を７３ミ
クロンにして、２３ミリアンペアの電流で、／ＫＶでバ
イアスした。この手順を３θ分間続行し、その最後には
基板温度は２．２０℃であった。この結果、基板りθ上
には約０．０９０　’１グラムの窒化アルミニウムが付
着した。

この手順は特定のタイプの歪ゲージを製作するのに満足
すべきものであることが分かった。

しかし、別のパラメータを使う代替手順も本発明の歪ゲ
ージを製作するのに十分であることが分かった。歪ゲー
ジの導電素子の厚さ及び形状により、要求される正確な
パラメータが決定される。製作された歪ゲージはＳＯ〜
ｌ０００オームの抵抗を示し、これ等の歪ゲージは特定
用途においては有用であることが証明された。勿論、本
発明による歪ゲージはこれ等のパラメータに限定される
ものではない。

更に、本発明を説明するために使用された明確な化合物
、即ち窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムは、満足
すべき歪ゲージを形成するのに一緒に協働できる多く°
の化合物のうちの二つに過ぎないことを理解されたい。

実施例においては、水溶性であり、従って蒸気環境中で
使用した時に損害を受けうる窒化アルミニウム層を保護
するために、酸化アルミニウムの皮膜を使用した。しか
し、別の環境では、酸化アルミニウムからなる保護皮膜
を必要としない場合がある。

イオンめっきプロセスの特定パラメータは基板材料、付
着する物質、歪ゲージ各層の希望厚さ等に応じて変わる
ことを理解されたい。しかし、本発明が提供する歪ゲー
ジは大きな付着力で基板に付着することができ、また最
小の寸法のものである。更に、本発明の歪ゲージは基板
自体の構造及び形状に及ぼす影響を無視しうると共に、
高度の耐久性を有するものである。また、特に温度、時
間、圧力及び材料等を引用して本発明の歪ゲージ及びそ
の製造方法を詳細に説明したが、本発明はそのような引
用例に限定されるのではなく、別の材料及びプロセスパ
ラメータも本発明の範囲内に含まれると考えるべきであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は基板上に置かれた本発明の歪ゲージの三つの層
を一部断面で示す斜視図、第２図は第１図の■−■線断
面図、第３図は本発明の歪ゲージを外部装置に電気的に
接続する態様を説明する平面図、第１図は第３図の歪ゲ
ージをオーム計に接続してＩＶ−１’Ｖ線に沿って示す
断面図、第Ｓ図は本発明の歪ゲージを製造するイオンめ
っき用真空室の断面図である。 １０−−第１の層、／、２００基板、／４ｔＩＩＯ第一
の層、１６・・第３の層、２グ・・錠ろう（電気接点）
。 出願人　　　ウェスチングハウス・エレクトリック・コ
ーポレーション Ｘ２図 蔦３図 笥４図 凭５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ）電気絶縁材料からなる第１の層、該第１層の予め選
   択した表面と接触状態に置かれ、歪に感応する固有抵抗
   を有する導電材料からなり、第１端及び第２端間に導電
   路を画定する形状に作られている第一の層、及び前記第
   １端及び第２端のそれぞれに導通状態に設けられる電気
   接点を備える歪ゲージ。 λ）基板を用意し、該基板をイオンめっき室内に入れ、
   該基板をアルゴン環境内で第１所定温度まで加熱し、前
   記イオンめっき室内でアルミニウムを蒸発させながら前
   記基板を第一所定温度まで加熱し、マスクを該基板上に
   置き、アルミニウムを蒸発させながら該基板を窒素雰囲
   気中で第３所定温度まで加熱し、基板上のマスクを取り
   除き、アルゴン雰囲気中温を所定温度まで加熱すること
   からなる歪ゲージの製造方法。