JPS5917857B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は第一の横方向トランジスタと、これと極性を
異にする第二の縦方向トランジスタを備えて論理回路を
構成する半導体装置に関する。

半導体基体にインバータ素子として働く縦方向１０トラ
ンジスタと、このトランジスタのベース領域に少数キャ
リアを注入する横方向トランジスタとが設けられ、この
少数キャリアをインバータトランジスタのベース領域へ
注入しつつ、入力を制御してコレクタ出力を有効に制御
しようとする半導１５体装置は既に知られている。この
論理素子の構造を第１図に示した断面図で説明する。任
意の例えばＮ導電型を有する半導体基板１に気相成長法
でこの半導体基板１より不純物濃度の低いＮ導電型のエ
ピタキシャル層２を積層し、ここにＰ導電型ソｏ 領域
３、４を約１０１７〜１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｌｌの硼
素を選択拡散して形成する。このＰ導電型領域３には１
０１８〜１０２１ａｔｏｍｓ／ｃ−ｎｔの燐を拡散して
Ｎ導電型領域５を形成する。尚前記エピタキシャル層２
の不純物濃度はＰ導電型領域３、４のそれよフ５ り低
濃度にしてある。この結果、Ｐ導電型領域４をエミッタ
領域、エピタキシャル層２をベース領域、Ｐ導電型領域
３をコレクタ領域とした横方向ＰＮＰトランジスタと、
エピタキシャル層２をエミッタ領域、Ｐ導電型領域３を
ベース領域、Ｎ導１０電型領域５をコレクタ領域とした
縦方向ＮＰＮトランジスタとが形成される。ここでＰ導
電型領域４と、エピタキシャル層２から形成されたＰＮ
接合に順方向電圧を印加したとすると正孔はこの領域４
からエピタキシャル層！５２を通つてＰ導電型領域３へ
と注入される。

第２図はこの論理素子の等価回路を示すもので、ここで
Ｅｐは定電流源接続端子、Ｂは信号入力端子、Ｃは出力
端子、ＥＮは接続端子とする。今端子Ｂの入力信号が“
１゛レベル（例えば０．７ボルト）であると、端子Ｅｐ
より注入された外部エミツタ電流ＩＥＰは横方向ＰＮＰ
トランジスタのベース接地電流増巾率αＰＮＰ倍つまり
ＥＰ×αＰＮＰとなつてこのトランジスタのコレクタ領
域であると共に縦方向ＮＰＮトランジスタのベース領域
であるＰ導電型領域３へ流れる。従つて縦方向ＮＰＮト
ランジスタがオンとなり、端子Ｃの出力ば０”レベルと
なる。更にこの出力端子Ｃに生ずるコレクタ出力電流は
前記縦方向ＮＰＮトランジスタのベース電流をその電流
増巾率βＮＰＮ倍した値まで許される。逆に端子Ｂの入
力信号が“０゛レベル（例えばＯボルト）であると、端
子Ｅｐから注入された外部エミツタ電流１ＥＰは入力端
子Ｂへと流出して縦方向ＮＰＮトランジスタのベース電
流とはならず、このために縦方向ＮＰＮトランジスタは
オフ状態となつて端子Ｃの出力は“１”レベルとなるｏ
このように入出力信号レベルが互に反転するインバータ
特性を持つた論理素子の消費電力は横方向ＰＮＰトラン
ジスタの特性、即ちベース接地された電流増巾率αＰＮ
Ｐにより大きく影響を受け、このαＰＮＰの値が理想値
１に近づく程少なくなる。

またインバータ素子の最高スピード周波数特性、フアン
アウト、雑音余祐度等は縦方向ＮＰＮトランジスタの特
性、とりわけエミツタ接地された電流増巾率βＮＰＮ及
び利得帯域巾積ＦＴによつて影響を受ける。つまりこの
論理素子では横方向ＰＮＰトランジスタと縦方向ＮＰＮ
トランジスタのそれぞれの電流増巾率と縦方向ＮＰＮト
ランジスタの利得帯域巾積ＦＴを同時に高めることが重
要なのである。このうち電流増巾率はキヤリアの注入効
率とその輸送効率との良否によつて大きな影響をうける
。キヤリア注入効率を改善するためには、エミツタ領域
の不純物濃度をベース領域のそれに対して適当な比に設
定するとともに、エミツタ・ベースの接合面には適当な
不純物濃度の勾配をもたせて、ベース領域に注入される
キヤリアの数を増大させるとともに、注入されたキヤリ
アに正方向の加速電界が働くようにすればよい。方、ベ
ース領域内でのキヤリアの輸送効率に関してはエミツタ
領域から注入されたベース領域中のキヤリアがコレクタ
領域に到達するまでの実効的な距離すなわちベース巾Ｗ
をできるだけ狭くして、かつこのキヤリアがベース領域
内の再結合中心に捕獲され消失しないようにすることが
重要である。ところで前記第１図の論理素子の横方向Ｐ
ＮＰトランジスタのエミツタ領域４とベース領域２の不
純物濃度の比を適当な値に設定し、かつベース領域内で
の再結合中心密度を低くすることは比較的容易に行なう
ことができる。しかしキヤリアの輸送効率を改善するた
めにベース巾を狭くすることは写真蝕刻技術、とくに５
〜１０ｔｔｍのマスク精度に大きく制約され限界がある
。又エミツタ領域とコレクタ領域はともにＮ導電型エピ
タキシヤル層２に相対して拡散形成されたＰ導電型不純
物拡散領域４，３からそれぞれ成るので、双方とも対向
する拡散側面は深さ方向で末広がりに遠去かる。このた
めＮ導電型エピタキシヤル層２の内部において、拡散が
深くなる程、相対する二箇のＰ導電型領域４，３間に形
成されるベース巾は急激に増大する。したがつて接合面
積を広くしようとすればする程ベース巾が拡がりキヤリ
アの輸送効率が著しく劣化する。更にエミツタ領域４と
ベース領域２の全接合面部においては前述の様にＰ導電
型不純物が対向する領域側面を深さ方向で遠去けるよう
拡散されているので、不純物濃度勾配はきわめて緩やか
であり、キヤリアの注入効率が悪い。したがつて従来の
構造において横方向ＰＮＰトランジスタの高い電流増巾
率を得ることは非常に困難である。又縦方向ＮＰＮトラ
ンジスタにおいては、Ｎ導電型エピタキシヤル層２をエ
ミツタ領域に用い、さらにそこに形成した二重拡散層を
ベース領域とコレクタ領域として用いているので、ベー
ス巾を狭くすることは比較的容易であるが、エミツタ領
域の不純物濃度はベース領域のそれより低くならざるを
得ない。

その上、ベース領域に注入されたキヤリアにはその不純
物濃度勾配に基因して減速電界がかかるため、注入効率
が低下し、Ｎ導電型エピタキシヤル層２をエミツタ領域
とするいわゆる逆方向動作の電流増巾率は極めて低い。
その上この論理素子においては横方向ＰＮＰトランジス
タと縦方向ＮＰＮトランジスタの領域の一部が互に併合
されているので、一方のトランジスタの電流増巾率をよ
り高める方向に不純物濃度比を設定しても、それは他方
のトランジスタの電流増巾率にとつてはより悪い結果と
なつてしまう。例えば横方向ＰＮＰトランジスタのキヤ
リア注入効率を改善しようとして、ベース領域即ちＮ導
電型エピタキシヤル層２の不純物濃度を下げると、この
Ｎ導電型エピタキシヤル層２は縦方向ＮＰＮトランジス
タのエミツタ領域そのものであるので縦方向ＮＰＮトラ
ンジスタのキヤリア注入効率を著しく悪くしてしまう。
尚この縦方向ＮＰＮトランジスタの利得帯域巾積ＦＴは
、今までの説明で明らかなように、低い電流増巾率とエ
ミツタ領域がＮ導電型エピタキシヤル層２全体で構成さ
れていることにより、やはり低い値しか得ることができ
ない。これ等種々の欠点は、この論理素子の低消費電力
性、高速性に一定の限界があることを示唆し、とくに高
周波領域での動作がほとんど不可能であることを明示し
ている。そこで本発明者等は上記の欠点を除去するよう
に改良された半導体装置を提供するために、第一に電源
及び負荷となる第一の横方向トランジスタの電流増巾率
を改善することにより消費電力を少くし、第二にインパ
ータ素子となる第二の縦方向トランジスタの順方向電流
増巾率を改善し、第三に第二の縦方向トランジスタのコ
レクタ領域の表面に複数個の金属半導体間整流性接触ダ
イオードを備えることにより多出力機能を持たせ、要す
れば第二の縦方向トランジスタのベース領域に形成され
る入力用領域も複数個の金属半導体間整流性接触ダイオ
ードとして充当することにより多入力多出力機能を持た
せ、電流ホツギング現象を防止すると共に半導体装置の
高速化、高周波化を図ろうとした。

そのために本発明者等は第３図ないし第６図に示すよう
な半導体装置を予め製作した。

第３図はこの第１の発明の半導体装置の断面図、第４図
はその等価回路である。

第３図で遮断層１１として用いられるＮ＋導電型ケイ素
基板１１上に低濃度Ｐ導電型ケイ素基体１２が積層され
ている。この基体１２は膜厚２〜５μｍで遮断層上にケ
イ素エピタキシャル成長法によりホウ素を添加して形成
され、不純物濃度は遮断層１１より著しく低く例えば１
０１４〜１０１６Ｃ１！ｌ−３である。次に高温酸化雰
囲気中で表面全体が一様に平担な基体１２の表面に二酸
化ケイ素膜を形成し第一の横方向ＰＮＰトランジスタの
ベース領域となる堰層を形成するため光蝕刻を行い二酸
化ケイ素膜を所定パターンに開孔する。この状態で基体
表面にリンを添加したドープドオキサイド膜を凡そ５０
０℃の低温で気相成長させ非酸化性雰囲気中で熱拡散し
てＮ導電型堰層１３を形成する。この拡散は１２００℃
、拡散深さはＰ一導電型ケイ素基体１２をつきぬけ遮断
層１１に到達する程度とし、拡散濃度は１０１６〜１０
１７Ｃ！ＴＬ−３として基体１２より高濃度にする。こ
の結果堰層と遮断層により基体分離域１２′が区界され
る。次に第二の縦方向トランジスタのベース領域に配線
金属と非整流性接触を作る入力領域１７を形成するため
に光蝕刻を行い所定のパターンに開孔する。次いでドー
プドオキサイド膜を蝕刻除去し、Ｎ導電型堰層１３を再
び露出させる。露出した表面からＰ導電型不純物として
のホウ素を高温酸化雰囲気中で熱拡散し、堰層内に第一
横方向トランジスタのエミツタ領域となるＰ導電型領域
１４を、第二の縦方向トランジスタのベース領域予定域
内にＰ導電型入力用領域１７を同時に形成する。このＰ
導電型拡散は温度１１００℃程度、深さ１〜２μｍとす
る。堰層１３，Ｐ導電型領域１４及びＰ導電型入力用領
域１７をこの例のような拡散によらずイオン打込み法等
で形成してもよろしい。次に第二の縦方向トランジスタ
にコレクタ領域を形成するために区界されている基体分
離域１２″内の一部表面の二酸化ケイ素膜を光蝕刻開孔
して露出し、リンをＮ導電型不純物として添加したドー
プドオキサイド膜を重畳形成して高温酸化雰囲気中で熱
拡散する。この結果第二の縦方向トランジスタのコレク
タ領域１５１が形成される。このコレクタ領域の表面濃
度は１０１６〜１０１７？−３程度とする。遮断層１１
並びに堰層１３の電極を基体表面からとり出すためには
堰層外側にこれ等とは別の遮断層１１に到達するＮ導電
型拡散領域１６を設ければ良い。各領域表面の二酸化ケ
イ素膜を開孔し開孔部１０１，２０１，２０２，３０１
並びに４０１を設ける。常法に従つて電極配線を施し、
対応する電極１０『を入力端子Ａに、電極２０『，２０
２′を各出力端子Ｂｌ，Ｂ２に、電極３０『，４０『を
それぞれ電源端子Ｅｐ及び接地端子ＥＮに接続するもの
とする。但し電極２０『，２０２″は第二の縦方向トラ
ンジスタのコレクタ領域１５１を陰極側とする金属半導
体間整流性ダイオード２２１，２２２の各陽極を構成す
るものでなければならない。このためにコレクタ領域の
表面濃度は、好ましくは１０１７ＣＩ！ｌ−３以下で非
整流性接触をなしてはいけない。これ等のダイオードの
個数は第二の縦方向トランジスタのコレクタ領域内に互
に短絡しない範囲所望に設けられて良い。電極金属はア
ルミニウム、チタン、白金等を使用して良い。又、これ
等のダイオード２２１，２２２にかかる順方向電圧は第
二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエミツタベース接合の
順方向電圧よりも低くとる。このことは遮断層と分離域
間ＰＮ接合の順方向電圧が、普通０．５〜０．７Ｖであ
り、ダイオード２２１，２２２の各順方向電圧が０．２
〜０．４Ｖ程度である所から不安なく実現される。第４
図は第３図の半導体装置に対応してえがかれ、Ｅｐは電
源端子で第一の横方向ＰＮＰトランジスタのエミツタ領
域に接続され、Ａは入力端子で第一の横方向トランジス
タのコレクタ領域即ち第二の縦方向トランジスタのベー
ス領域に接続され、又Ｂｌ，Ｂ２は出力端子で第二の縦
方向ＮＰＮトランジスタのコレクタ領域に組込まれた金
属半導体間整流性ダイオードの陽極側に、Ｅｎは接地端
子で第一の横方向ＰＮＰトランジスタのベース領域と第
二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエミツタ領域にそれぞ
れ接続される。まず端子ＥＮを零電位にして、端子Ｅｐ
にプラス０．７Ｖを印加すると第一の横方向ＰＮＰトラ
ンジスタが動作状態となつてエミツタ領域１４からベー
ス領域１３に注入された正孔はこの領域を通つてコレク
タ領域１２″即ち第二の縦方向ＮＰＮトランジスタのベ
ース領域に到達する。第二の縦方向ＮＰＮトランジスタ
においては、このベース領域内に注入された過剰正孔に
より第二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエミツタ領域１
１からベース領域１２′に新たに電子が注入される。つ
まり第二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエミツタベース
接合は順方向バイアスされ、動作状態となり、その出力
端子Ｂ，，Ｂ２の電位は、ほぼ縦方向ＮＰＮトランジス
タのコレクタエミツタ間の飽和電圧と出力端子部に組み
込れた整流性接触ダイオード順方向電圧の和だけとなる
。但し、この時入力端子Ａは開放状態にあるか、或はエ
ミツタ接地縦方向ＮＰＮトランジスタのしきい値電圧以
上の適当な正の電圧が印加された状態にある。又この入
力端子Ａを零電位とすると第二の縦方向ＮＰＮトランジ
スタは遮断状態となり、出力端子Ｂｌ，Ｂ２は正電位と
なる。尚、この正電位の値は次段にこの発明と同じ素子
が負荷される時には、次段素子の第二の縦方向ＮＰＮト
ランジスタのエミツタベース接合順方向電圧値そのもの
となる。従つてこの発明の半導体装置での論理振巾はこ
のトランジスタで第二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエ
ミツタベース接合順方向電圧からこのトランジスタのコ
レクタ・エミツタ間の飽和電圧と出力端子部に組み込れ
た整流性ダイオード順方向電圧の和を引いた値になる。
結局この例は入力が６１″の時のみ出力が６０″、入カ
カじ０″の時出力が゛１″となる多出力インバータ機能
を持ち、かつその論理振巾が小さい論理素子を構成して
いることになる。前記説明では半導体基体をＰ導電型と
してスタートしているが、Ｎ導電型からスタートしても
勿論良い。したがつてこの場合には各領域及び層の導電
型並びに電源をすべて反転しておけば同様に動作する。
このような論理素子では電流源となる第一の横方向トラ
ンジスタのベース巾を、従来の横方向トランジスタのよ
うにマスク巾によらないで、拡散により制御できるので
極めて狭くでき、かつその構造に由来する理想的な不純
物プロフアイルからキヤリアに対して加速電界がかかる
のでキヤリアの注入効率及び輸送効率が著しく改善され
る。

この為、広い電流範囲に渡り高い電流増巾率を得ること
ができ、論理回路としての消費電力が著しく減少する。
又遮断層１１をエミツタとする第二の縦方向トランジス
タをインバータ素子として用いるので、広い電流範囲に
わたつて高い電流増巾率と利得帯域巾積ＦＴを得ること
ができる。更に出力端子部に組み込れた整流性ダイオー
ドは電流ホツギング現象を完全に防止する。その結果、
第二の縦方向トランジスタの逆方向動作の電流増巾率を
低くできるので、ベース領域及びコレクタ領域に蓄積さ
れる過剰少数キヤリアを抑制でき、出力の反転速度を高
めることを可能にしている。また整流性ダイオードは従
来の素子と比較してこの素子の論理振巾を順方向電圧の
和分だけ小さくするので、素子を一層高速化する効果を
も併せる。更に整流性接触ダイオードを共通のコレクタ
である１個のＮ導電型領域に形成しているので集積度を
良好にする。次に第２の例としての他の実施例の半導体
装置の断面図を第５図に、等価回路図を第６図に示す。

前記実施例１と相違する所は入力用領域として第二の縦
方向トランジスタのベース領域の一部を陽極側半導体領
域として金属半導体間整流性接触ダイオード１２１，１
２２，１２３を形成したことにかかる。これ等のダイオ
ードは第二の縦方向トランジスタのコレクタ領域内にコ
レクタ領域を陰極側として設けられているダイオード２
２１，２２２と共に大フアインゲート数による入力電流
のホツギング現象を防止し、逆方向動作電流増巾率の大
きい値を必要とせず、従つて少数キヤリアの過剰蓄積を
防止する点で実施例１と効果を同じくする。論理振巾は
入力用領域コレクタ領域の両域ダイオードの順方向電圧
降下の和だけ小さくなり、動作を一層高速にする。又こ
の例は多入力多出力ＮＡＮＤ機能を備えて集積度を良好
にしているＯこの例に於いて金属半導体間整流性接触ダ
イオード１２１，１２２，１２３は前記実施例１で開孔
部２０１，２０２，３０１，４０１を設ける際同時に開
孔部１０１，１０２，１０３を設け、電極１０『，１０
２′，１０３′を併せて形成すればよい。

１０『，１０２′，１０３′は入力端子Ａｌ，Ａ２，Ａ
３に接続される。

但しこれ等のダイオード１２１，１２２，１２３は第二
の縦方向トランジスタのベース領域を陽極側とし、電極
を陰極としなければならない。又これ等のダイオード１
２１，１２２，１２３と第二の縦方向トランジスタのコ
レクタ領域に設けられたダイオード２２１，２２２との
順方向電圧の和は第二の縦方向ＮＰＮトランジスタのエ
ミツタベース接合の順方向電圧より低いように設計する
。本発明者等が本発明に至る過程において作つた前記第
１の例及び第２の例における半導体装置は、いずれも第
１図に示された従来の半導体装置の欠点を除去し、前述
のような作用効果を得ることができたのであるが、なお
次のような欠点を有している。

すなわち、このような半導体装置は論理素子として機能
するわけであるが、その縦型トランジスタの入力端子Ａ
に１レベルが印加された時このトランジスタは飽和領域
に入るため、このトランジスタのベース領域に過剰の電
荷が蓄積され、そのインバータ特性即ち入出力が互いに
反転する速度はこの過剰蓄積電荷の影響を受けて遅くな
るという欠点がある。

本発明者等の考察によると、この過剰蓄積電荷は、縦型
トランジスタのコレクタ領域１５１直下に限らずその周
囲の入力用領域にも多量に存在し、この蓄積電荷による
影響が大きいことが判明した。この発明は上記の欠点を
除去した改良された半導体装置を提供するものである。

そして、この発明の半導体装置は、一方導電型半導体基
体表面から深さ方向に設けられる他方導電型堰層と、堰
層の底領域に接続して基体内に基体分離域を区界する他
方導電型遮断層と、堰層の内側に形成され分離域をコレ
クタ領域とし堰層をベース領域とする第一の横方向トラ
ンジスタのエミツタ領域となる一方導電型領域と、基体
分離域の内側に複数箇の金属半導体間整流性接触ダイオ
ードを表面に設けて形成され且つ基体分離域をベース領
域、遮断層をエミツタ領域とする第二の縦方向トランジ
スタのコレクタ領域のコレクタ領域となる他方導電型領
域と、第二の縦方向トランジスタのベース領域の一部に
形成される入力用領域を備え、この入力用領域が第二の
縦方向トランジスタのベース領域の一部に設けられた一
方導電型接続用領域とこれに短絡して設けられた他方導
電型キヤリア吸出し領域とからなることを特徴とするも
のである。

次にこの発明の一実施例を第７図及び第８図について説
明する。

ここで入力用領域以外の部分については、第３図〜第６
図に示された上記第１の例及び第２の例の半導体装置と
同じ構成となつているので説明を省略し、入力用領域部
分について説明する。すなわちこの入力領域は第二の縦
方向トランジスタのベース領域の一部に設けられた一方
導電型ベース接続用領域１８とこれに短絡する他方導電
型キヤリア吸出し領域１７とから成つている。この場合
キヤリア吸出し領域１７はＮ導電型領域１５１を形成し
た後に第二縦方向ＮＰＮトランジスタのベース領域上を
一部開孔し、リンを高温酸化雰囲気中で熱拡散して既に
設けられているベース接続用領域１８と短絡するように
形成される。即ち開孔部１０１はＮ導電型キヤリア吸出
し領域１７とＰ導電契ベース接続領域１８の両領域に渡
つて開孔され電極１０『で両領域１７，１８は短絡され
る〇ここで第８図の等価回路中のＮＰＮトランジスタの
コレクタとベースとが電気的に短絡されているが、これ
は、第７図における領域１５１，１２，１１で構成され
る縦型トランジスタの他に領域１７，１２，１１で構成
された補助的な縦型トランジスタが存在することを意味
し、電極１０『によつて、前者のトランジスタのベース
と後者のコレクタとを短絡していることが理解される。

このような本発明の半導体装置にあつては、その論理動
作をするに当つて、入力端子Ａに１レベルが印加され、
そのインバータとして働く縦型トランジスタが飽和領域
に入つて、そのベース領域に過剰の電荷蓄積が起ろうと
してもその蓄積電荷はキヤリア吸出し領域１７を通じて
速やかに吸出されるので、そのインバータ動作速度が著
しく速くなるという効果がある。

もちろん本発明者等が考察した第３図〜第６図に示す半
導体装置の利点も同時に満足するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置断面図、第２図は第１図の半
導体装置の等価回路図、第３図及び第５図は本発明に至
る過程を説明するための半導体装置の断面図、第４図及
び第６図は第３図及び第５図の半導体装置に夫々対応す
る等価回路図、第７図は本発明の一実施例を示す半導体
装置の断面図、第８図はその等価回路図である。 １２・・・・・・基体、１３・・・・・・堰層、１２′
・・・・・・基本分離域、１１・・・・・・遮断層、１
４・・・・・・第一の横方向Ｔ，のエミツタ領域、２２
１，２２２，２２３・・・・・・金属半導体間整流性接
触ダイオード、１５１・・・・・・第二の縦方向Ｔ，の
コレクタ領域、１７，１２１，１２２，１２３・・・・
・・金属半導体間整流性接触ダイオード（入力用領域）
、１８・・・・・・第二の縦方向トランジスタベース接
続用領域（入力用領域）、１７・・・・・・キヤリア吸
出し領域（入力用領域）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 一方導電型半導体基体表面から深さ方向に設けられ
   る他方導電型堰層と、堰層の底領域に接続して基体内に
   基体分離域を区界する他方導電型遮断層と、堰層の内側
   に形成され分離域をコレクタ領域とし堰層をベース領域
   とする第一の横方向トランジスタのエミッタ領域となる
   一方導電型領域と、基体分離域の内側に複数個の金属半
   導体間整流性接触ダイオードを表面に設けて形成され且
   つ基体分離域をベース領域、遮断層をエミッタ領域とす
   る第二の縦方向トランジスタのコレクタ領域となる他方
   導電型領域と、第二の縦方向トランジスタのベース領域
   の一部に形成される入力用領域とを備え、この入力用領
   域が第二の縦方向トランジスタのベース領域の一部に設
   けられた一方導電型接続用領域とこれに短絡して設けら
   れた他方導電型キャリア吸出し領域とからなることを特
   徴とする半導体装置。