JPS59177793A - Memory controlling system - Google Patents

Memory controlling system

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Publication number
JPS59177793A
JPS59177793A JP58051855A JP5185583A JPS59177793A JP S59177793 A JPS59177793 A JP S59177793A JP 58051855 A JP58051855 A JP 58051855A JP 5185583 A JP5185583 A JP 5185583A JP S59177793 A JPS59177793 A JP S59177793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
signal
address
counter
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58051855A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shohei Ikehara
池原 昌平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58051855A priority Critical patent/JPS59177793A/en
Publication of JPS59177793A publication Critical patent/JPS59177793A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Abstract

PURPOSE:To enable data writing in nibble mode under single mode state equivalently by performing writing in a memory element in nibble mode when clock is given continuously and generating a timing signal for starting the memory element and a timing signal that set data in the memory element as a set when clock is given singly. CONSTITUTION:In a continuous mode, operation is made in a nibble mode by toggling a CAS signal to one RAS signal by a timing generating circuit 17. In the case of a single mode, writing of data is made by generating a set of RAS signal and CAS signal from a timing generating circuit 17 basing on output of a counter 16 of number of times of data transfer for each time memory starting signal MD is received by switching the counter 16 of number of times of data transfer and timing generating circuit 17 by a switching signal from a single mode discriminating circuit 15. At this time, address of the second and succeeding data is obtained by stepping an address counter 18 by output of the counter of number of times of data transfer.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明はニブルモードで動作する記憶素子を擁する記憶
装置において、装置の動作確認等のため、クロックを手
動で歩進させて単発的に与えるシングルモードで使用す
る際の該記憶装置の制御方式に関する。
Detailed Description of the Invention (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a memory device having a memory element that operates in nibble mode, in which a clock is manually incremented and applied to the memory device in order to confirm the operation of the device, etc. The present invention relates to a control method for the storage device when used in single mode.

(2)従来技術と問題点 第1図はニブルモードで動作する記憶素子の11列のブ
ロック図であって、1はクロック発生回路、2はマルチ
ブレフサ、3はメモ)八4は行アドレスデコーダ、5は
列アドレスデコーダ、6はデータ制御部、7は書き込み
バッファ、8はデータ人カバソファ、9はデータ出力バ
ッファ、10,11はアドレスバスを示している。信号
名称A、〜A、はアドレス信号、RASは行アドレスス
トローブ信号、CASは列アドレスストローブ信号、W
Eは書き込み許可信号、Dxxは入力データ、DOυ丁
は出力データを表わしている。RASにより記憶素子が
起動され、CASによって記憶素子にデータがセットさ
れる。
(2) Prior art and problems FIG. 1 is a block diagram of 11 columns of a storage element operating in nibble mode, in which 1 is a clock generation circuit, 2 is a multi-breather, 3 is a memo), 84 is a row address decoder, 5 is a column address decoder, 6 is a data control unit, 7 is a write buffer, 8 is a data receiver sofa, 9 is a data output buffer, and 10 and 11 are address buses. Signal names A and ~A are address signals, RAS is a row address strobe signal, CAS is a column address strobe signal, W
E represents a write permission signal, Dxx represents input data, and DOυD represents output data. A storage element is activated by RAS, and data is set in the storage element by CAS.

第2図は第1図の記憶素子のニブルモードでの書き込み
時の各信号の関係を示す図であって、12は行アドレス
信号、15は列アドレス信号、141〜146は入力デ
ータであシ、信号名称は第1図と同様である。図中のH
は信号のハイレベルを、Lは信号のローレベルを示して
いる。
FIG. 2 is a diagram showing the relationship of each signal during writing in the nibble mode of the memory element in FIG. , the signal names are the same as in FIG. H in the diagram
indicates the high level of the signal, and L indicates the low level of the signal.

第1図および第2図において、アドレス信号へ〇〜kq
による8ビツトのアドレス情報はRASおよびCASの
クロックの制御のもとて行アドレス信号12と列アドレ
ス信号15に分けて時分割的に与えられる。このアドレ
ス情報の内、行アドレス信号(8ビツト)はアドレスバ
ス10を通って行アドレスデコーダ4に入シラツチされ
た後デコードされ、記憶素子256行の内の1行が選択
される。一方、列アドレス信号(8ビツト)は、上位6
ビツトが列アドレスデコーダ5に入シラツチ後テコード
されて、64列(1列は4ビツト)の内の1列が選択さ
れる。また下位2ビツトはデータ制御部6に入力される
。データの書き込みは通常RAS信号をLにして次にC
AS信号をLにすることにより、4ビツトのデータを単
位としてアクセスしているが、ニブルモードでの書き込
みは、第2図に見られるように、RAS信号がLの状態
のとき、更にCAS信号をH次いでLにすること(トグ
ル)によって、前記データ制御部6に入力された下位2
ビツトのアドレスをデータ制御部6の内部で歩進するこ
とによシビット単位でのアクセスを行なっている。
In Figures 1 and 2, address signals 〇~kq
The 8-bit address information is divided into a row address signal 12 and a column address signal 15 and given in a time-division manner under the control of the RAS and CAS clocks. Of this address information, a row address signal (8 bits) passes through the address bus 10 and enters the row address decoder 4, where it is decoded and one row of the 256 rows of storage elements is selected. On the other hand, the column address signal (8 bits)
After the bits enter the column address decoder 5, they are decoded and one of the 64 columns (one column has 4 bits) is selected. Further, the lower two bits are input to the data control section 6. To write data, normally the RAS signal is set to L and then the C
By setting the AS signal to L, data is accessed in units of 4 bits, but when writing in nibble mode, as shown in Figure 2, when the RAS signal is in the L state, the CAS signal is By changing the value to H and then to L (toggle), the lower 2 input to the data control unit 6 is
By incrementing the bit address within the data control unit 6, access is performed in units of bits.

このようなニブルモードでの書き込みの場合において、
装置のクロックの与え方のモードをシングルモードにし
たときには、手動で歩進されるクロックによfi CA
S信号のトグルが行なわれるのでRAS信号がLのまま
長時間を経過する可能性があシ、その間、他の動作に移
行出来ない。
In the case of writing in such nibble mode,
When the device's clock supply mode is set to single mode, fi CA
Since the S signal is toggled, there is a possibility that the RAS signal remains at L for a long time, and during that time, it is not possible to proceed to other operations.

一方、記憶素子は一定時間(本例では4 mS)ごとに
リフレッシュする必要がある。
On the other hand, the memory element needs to be refreshed every fixed period of time (4 mS in this example).

しかし、前記理由によシ、所定時間内に記憶内容をリフ
レッシュすることが不可能になるので、記憶内容が保証
されない欠点があった。
However, for the above reasons, it is impossible to refresh the stored contents within a predetermined period of time, so there is a drawback that the stored contents are not guaranteed.

またリフレッシュを優先して実行させるように制御した
場合には、CAS信号の全部のトグルが終了しない内に
RAS信号′5I:Hに戻してやらなければならないの
で、ニブルモードによる書き込み結果が保証されない欠
点があった。
Furthermore, if the refresh is controlled to be executed with priority, the RAS signal must be returned to '5I:H before all the toggling of the CAS signal is completed, so the write result in nibble mode is not guaranteed. There were drawbacks.

(5)発明の目的 本発明は前記従来の欠点に鑑みニブルモードでの書き込
みがシングルモードでも正常に行なえてデータの保証が
得られる記憶装置の制御方式に関する。
(5) Object of the Invention In view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, the present invention relates to a control system for a storage device that allows writing in nibble mode to be performed normally even in single mode and guarantees data.

(4)発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば特許請求の範囲に記載
のとおシ、ニブルモードで動作する記憶素子に、時分割
的に転送されて来るデータを書き込む記憶装置において
、記憶素子を起動するだめのタイミング信号とデータを
記憶素子にセットするタイミング信号を発生する回路と
、クロックが連続して与えられるか単発的に与えられる
かを識別する回路と、データの転送回数を計数するカウ
ンタと、該データの先頭書き込みアドレスを初期値とし
てデータ転送を受ける都度歩進するアドレスカウンタを
設け、クロックが連続的に与えられる場合はニブルモー
ドで記憶素子に書き込みを行ない、クロックが単発的に
与えられる場合には前記記憶素子を起動するためのタイ
ミング信号とデータを記憶素子にセットするタイミング
信号とを1組として発生することによシ、データの転送
を受ける都度、前記アドレスカウンタによシ示される位
置の記憶素子に書き込むことを特徴とする記憶装置溜1
]御方式によシ達成される。
(4) Structure and object of the invention According to the present invention, as described in the claims, in a storage device that writes data transferred in a time-division manner to a storage element that operates in a nibble mode. A circuit that generates the timing signal to start the device and the timing signal to set data in the storage device, a circuit that identifies whether the clock is applied continuously or sporadically, and a circuit that counts the number of data transfers. and an address counter that increments each time data is transferred with the initial value of the first write address of the data as the initial value. When the clock is applied continuously, writing to the memory element is performed in nibble mode, and when the clock is applied only once. By generating a timing signal for activating the storage element and a timing signal for setting data in the storage element as a set, the address counter is activated each time data is transferred. A storage device 1 characterized in that writing is performed in a storage element at a position indicated by
] This will be accomplished in your own way.

(5)発明の実施例 第6図は本発明による記憶装置の1実施例のブロック図
であって、15はシングルモード識別回路、16はデー
タ転送回数カウンタ、17はタイミング発生回路、18
はアドレスカウンタ、19はアドレスレジスタ、20は
ライトデータレジスタ、21は記憶素子、22はリード
データレジスタを示しており、信号名称はSMはシング
ルモード表示信号、MDはメモリ起動信号、ADはアド
レス信号、WDは書き込みデータ、RDは読み出しテー
クを表わしている。
(5) Embodiment of the invention FIG. 6 is a block diagram of an embodiment of the storage device according to the invention, in which 15 is a single mode identification circuit, 16 is a data transfer counter, 17 is a timing generation circuit, and 18 is a block diagram of an embodiment of the storage device according to the invention.
is an address counter, 19 is an address register, 20 is a write data register, 21 is a storage element, and 22 is a read data register. The signal names are: SM is a single mode display signal, MD is a memory activation signal, and AD is an address signal. , WD represents write data, and RD represents read take.

第3図において、連続モードの場合はタイミング発生回
路17によ91回のRAS信号に対してCAS信号をト
グルさせることによって、= フルモードで動作するが
、シングルモードの場合はシングルモード識別回路15
からの切シ替え信号によシデータ転送回数カウンタ16
とタイミング発生回路17を切り替えることによシ、メ
モリ起動信号MDを受ける都度、データ転送回数カウン
タ16の出力を基にタイミング発生回路17がら1組の
RAS信号とCAS信号を発生させてデータの書き込み
動作を行なう。このとき2番目以降のデータのアドレス
は、データ転送回数カウンタの出力によシアドレスカウ
ンタ18を歩進することによシ得ている、 以上説明したように本実施例の回路では、シングルモー
ド下におけるニブルモードでの記憶素子へのデータの書
き込みに際し、時分割的に転送されるデータを各個ごと
にRAS信号とCAS信号による制御にょシ、データを
格納すべき先頭アドレスを基に記憶素子外部で生成した
アドレス位置に書き込むので、1個のデータの曹き込み
が終了の都度RAS信号がHレベルとなシ他の動作を受
は入れることが出来るから、記憶素子のリフレッシュが
支障を受けることは無い。
In FIG. 3, in the case of continuous mode, the timing generation circuit 17 toggles the CAS signal for 91 times of the RAS signal to operate in = full mode, but in the case of single mode, the single mode identification circuit 15
Data transfer count counter 16 according to the switching signal from
By switching the timing generation circuit 17 and the timing generation circuit 17, each time the memory start signal MD is received, the timing generation circuit 17 generates a set of RAS signal and CAS signal based on the output of the data transfer counter 16, and writes data. Perform the action. At this time, the address of the second and subsequent data is obtained by incrementing the seat address counter 18 based on the output of the data transfer number counter.As explained above, in the circuit of this embodiment, under single mode When writing data to a storage element in nibble mode, the data to be transferred in a time-division manner is controlled individually by the RAS signal and the CAS signal, and is written outside the storage element based on the start address where the data is to be stored. Since the data is written to the generated address location, the RAS signal does not go to H level every time one piece of data is written, and other operations can be accepted, so refreshing of the memory element will not be hindered. None.

(6)発明の効果 本発明の記憶制御方式は、簡単な回路で容易に実現出来
るもので、装置の保守や障害探索などに際するシングル
モード状態下におけるニブルモードでのデータ書き込み
を等制約に可能となし、またその間にシングルモードの
ステップ歩進操作等に関係なく記憶素子のリフレッシュ
が行なえるので、データが確実に保証されるから効果は
大である。
(6) Effects of the Invention The storage control method of the present invention can be easily realized with a simple circuit, and can impose constraints on data writing in nibble mode under single mode conditions during device maintenance and fault searching. Since the memory element can be refreshed irrespective of single-mode step-by-step operation or the like during this time, the data is reliably guaranteed, which is very effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はニブルモードで動作する記憶素子の1例のブロ
ック図、第2図は第1図の記憶素子のニブルモードでの
書き込み時の各信号の関係を示す図、第6図は本発明に
よる記憶装置の1実施例のブロック図である。 1・・・・・・クロック発生回路、2・・・・・・マル
チプレクサ、3・・・・・・メモリ、4・・・・・・行
アドレスデコーダ、5・・・・・・列アドレスデコーダ
、6・・・・・・データ制御部、7・・・・・・書き込
みバッファ、8・・・・・・データ入カバソファ、9・
・・・・・データ出カバソファ、10.11・・・・・
アドレスバス、12・・・・・・行アドレス信号、13
・・・・・・列アドレス信号、141〜14.・・・・
・・入力データ、15・・・・・・シングルモード識別
回路、16・・・・・・データ転送回数カウンタ、17
・・・・・・タイミング発生回路、18・・・・・・ア
ドレスカウンタ、19・・・・・アドレスレジスタ、2
0・・・・・・ライトデータレジスタ、21・・・・・
記憶素子、22・・・・・・リードデータレジスタI、
・□1−”q
Fig. 1 is a block diagram of an example of a memory element operating in nibble mode, Fig. 2 is a diagram showing the relationship of each signal when writing in the nibble mode of the memory element of Fig. 1, and Fig. 6 is a diagram of the present invention. FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of a storage device according to. 1...Clock generation circuit, 2...Multiplexer, 3...Memory, 4...Row address decoder, 5...Column address decoder , 6...Data control section, 7...Write buffer, 8...Data input cover sofa, 9.
...Data output cover sofa, 10.11...
Address bus, 12...Row address signal, 13
...Column address signal, 141-14.・・・・・・
...Input data, 15...Single mode identification circuit, 16...Data transfer number counter, 17
...Timing generation circuit, 18...Address counter, 19...Address register, 2
0...Write data register, 21...
Memory element, 22...read data register I,
・□1-”q

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ニブルモードで動作する記憶素子に、時分割的に転送さ
れて来るデータを書き込む記憶装置において、記憶素子
を起動するだめのタイミング信号とデータを記憶素子に
セットするタイミング信号を発生する回路と、クロック
が連続して与えられるか単発的に与えられるかを識別す
る回路と、データの転送回数を計数するカウンタと、該
データの先頭書き込みアドレスを初期値としてデータ転
送を受ける都度歩進するアドレスカウンタを設け、クロ
ックが連続的に与えられる場合はニブルモードで記憶素
子に書き込みを行ない、クロックが単発的に与えられる
場合には前記記憶素子を起動するだめのタイミング信号
とデータを記憶素子にセットするタイミング信号とを1
組として発生することによシ、データの転送を受ける都
度、前記アドレスカウンタによシ示される位置の記憶素
子に書き込むことを特徴とする記憶装置制御方式。
In a memory device that writes data that is transferred in a time-division manner to a memory element that operates in nibble mode, there is a circuit that generates a timing signal to start the memory element, a timing signal to set data in the memory element, and a clock. A circuit that identifies whether data is given continuously or sporadically, a counter that counts the number of data transfers, and an address counter that increments each time data is transferred, with the initial value being the first write address of the data. and when the clock is applied continuously, the data is written to the storage element in nibble mode, and when the clock is applied sporadically, the timing signal and data for activating the storage element are set in the storage element. Signal and 1
1. A storage device control method, characterized in that each time data is transferred, data is written into a storage element at a position indicated by the address counter.
JP58051855A 1983-03-28 1983-03-28 Memory controlling system Pending JPS59177793A (en)

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JP58051855A JPS59177793A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Memory controlling system

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JP58051855A JPS59177793A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Memory controlling system

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JP58051855A Pending JPS59177793A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Memory controlling system

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JP (1) JPS59177793A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353791A (en) * 1986-08-25 1988-03-08 Hitachi Vlsi Eng Corp Dynamic type ram

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353791A (en) * 1986-08-25 1988-03-08 Hitachi Vlsi Eng Corp Dynamic type ram

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