JPS59176904A - Power distributing and synthesizing device - Google Patents
Power distributing and synthesizing deviceInfo
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- JPS59176904A JPS59176904A JP5128683A JP5128683A JPS59176904A JP S59176904 A JPS59176904 A JP S59176904A JP 5128683 A JP5128683 A JP 5128683A JP 5128683 A JP5128683 A JP 5128683A JP S59176904 A JPS59176904 A JP S59176904A
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- resonator
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- thickness
- coupling
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、円筒型高次ＴＭＯｍ（＋モード共振器を用い
て、超高周波電力を分配又は合成する電力分配合成器に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a power distribution/synthesizer that distributes or combines ultra-high frequency power using a cylindrical high-order TMOm (+ mode resonator).
従来技術と問題点
超高周波電力を分配又は合成する為に、円筒型高次ＴＭ
ｏｍｏモード共振器の中心部分に電界結合のアンテナを
設け、その共振器の周辺部分に複数の磁界結合のループ
を設けて、アンテナから入力した超高周波電力を複数の
ループにより分配出力し、又は複数のループに入力した
超高周波電力をアンテナから合成して出力する電力分配
合成器が知られている。このような電力分配合成器は、
従来、発振器の出力の分配等に使用されているもので、
その出力及び入力の結合度については余り考慮されてい
なかった。又使用帯域幅が非雷に狭いものであり、広帯
域の超高周波電力の分配又は合成には使用することがで
きなかった。Conventional technology and problems In order to distribute or combine ultra-high frequency power, cylindrical high-order TM
An electric field coupling antenna is provided in the center part of the omo mode resonator, and a plurality of magnetic field coupling loops are provided in the peripheral part of the resonator, and the super high frequency power input from the antenna is distributed and outputted by the plurality of loops. A power distribution/combiner is known that combines ultra-high frequency power input into a loop from an antenna and outputs the result. Such a power distribution combiner is
Traditionally used for distributing oscillator output, etc.
Not much consideration was given to the degree of coupling between output and input. In addition, the usable bandwidth is narrower than that of lightning, and it cannot be used for distributing or combining broadband ultra-high frequency power.
発明の目的
本発明は、結合度が大きく且つ広帯域の超高周波電力の
分配又は合成を容易に行うことができるようにすること
を目的とするものである。以下実施例について詳細に説
明する。OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to easily distribute or combine ultrahigh frequency power with a high degree of coupling and a wide band. Examples will be described in detail below.
発明の実施例
第１図は本発明の実施例の要部断面図であり、■は円筒
型のＴＭＯい０モードの空胴共振器、２は電界結合のア
ンテナ、３は磁界結合のループであり、アンテナ２から
入力した超高周波電力を複数のループ３に分配して出力
することができ、又複数のループ３にそれぞれ超高周波
電力を入力すると、アンテナ２から合成した超高周波電
力を出力することができる。ＴＭＯ２Ｇモードの場合は
、空胴共振器１の内部電界強度の分布が点線で示すよう
になり、磁界結合のループ３は電界強度の極大値近傍に
配置するものである。共振器１の厚さをｈ、その半径を
ａ、磁界結合のループ３の中心からの距離即ちループ位
置の半径をｒ、磁界結合のループ３の太さをｄとし、使
用波長をλとすると、ループ３を内部電界強度の極大値
近傍に配置し、共振器１の厚さｈをλ／２５〜λ／６の
範囲内とし、且つループ３の太さｄをλ／１６〜λ／π
の範囲内に設定するものである。Embodiment of the Invention Figure 1 is a cross-sectional view of the main parts of an embodiment of the present invention, where ■ is a cylindrical TMO 0 mode cavity resonator, 2 is an electric field coupling antenna, and 3 is a magnetic field coupling loop. Yes, the ultra-high frequency power input from the antenna 2 can be distributed to multiple loops 3 and output, and when ultra-high frequency power is input to each of the multiple loops 3, the combined ultra-high frequency power is output from the antenna 2. be able to. In the case of the TMO2G mode, the distribution of the internal electric field strength of the cavity resonator 1 is shown by a dotted line, and the magnetic field coupling loop 3 is arranged near the maximum value of the electric field strength. If the thickness of the resonator 1 is h, its radius is a, the distance from the center of the magnetic coupling loop 3, that is, the radius of the loop position is r, the thickness of the magnetic coupling loop 3 is d, and the wavelength used is λ. , the loop 3 is arranged near the maximum value of the internal electric field strength, the thickness h of the resonator 1 is within the range of λ/25 to λ/6, and the thickness d of the loop 3 is within the range of λ/16 to λ/π
It shall be set within the range of .
又アンテナ２は、導波管や同軸線路と結合することがで
きるもので、例えば円筒型ＴＭｏ＋ｏモード共振器と共
振器１とをアンテナ２の代りに結合窓で結合する構成と
することも可能である。又共振器１に共振周波数の調整
用ねし等を設けることもできる。Furthermore, the antenna 2 can be coupled to a waveguide or a coaxial line. For example, it is also possible to have a configuration in which a cylindrical TMo+o mode resonator and the resonator 1 are coupled by a coupling window instead of the antenna 2. be. Further, the resonator 1 may be provided with a screw or the like for adjusting the resonance frequency.
磁界結合のループ３を内部電界強度の極大値近傍に配置
すことにより、共振器１の側壁とループ３との間で形成
される面積が大きくとれるので、結合度を大きくするこ
とができる。又共振器１の厚さｈをλ／２５〜λ／６の
範囲内とすることにより、ループ３の自己インダクタン
スの影響を少なくし、結合度の低下を少なくすることが
できる。又Ｑ、の低下による挿入損失の増大を防止する
ことができる。By arranging the magnetic field coupling loop 3 near the maximum value of the internal electric field strength, the area formed between the side wall of the resonator 1 and the loop 3 can be increased, so that the degree of coupling can be increased. Furthermore, by setting the thickness h of the resonator 1 within the range of λ/25 to λ/6, it is possible to reduce the influence of the self-inductance of the loop 3 and reduce the decrease in the degree of coupling. Further, it is possible to prevent an increase in insertion loss due to a decrease in Q.
第２図乃至第６図は、ｍ＝２即ちＴＭＯ２０モード共振
器を用い、周波数を６．１５ＧＨｚとしたときの前述の
条件を説明する為の曲線図である。第２図は縦軸をＥｚ
／Ｅｏ（Ｅｚは内部電界強度）とし、横軸をループ３位
置の半径ｒ（ｍｍ）として示す内部電界強度分布曲線図
であり、ｒ＃３０ｍｍ付近に内部電界強度の極大値が存
在する。又第３図は縦軸を外部負荷ＱであるＱｅとし、
横軸をループ３位置の半径ｒ（ｍｍ）として示すループ
位置と外部負荷ＱであるＱｅとの関係曲線図であり、曲
線（ａｌは、ｈ＝８ｍｍ、ｄ＝３ｍｍ、曲線（ｂｌは、
ｈ ＝ ８ ｍｍ、 ｄ ＝ ２ ｍｍ、曲線（Ｃ）
は、ｈ−８ｍｍ、ｄ＝４ｍｍ、曲線（ｄｌは、ｈ＝６ｍ
ｍ、ｄ＝３ｍｍ、曲線ｔｅ＋は、ｈ＝１０ｍｍ、ｄ＝３
ｍｍの場合について示すものである。FIGS. 2 to 6 are curve diagrams for explaining the above-mentioned conditions when m=2, that is, a TMO20 mode resonator is used, and the frequency is 6.15 GHz. In Figure 2, the vertical axis is Ez
/Eo (Ez is the internal electric field strength), and the horizontal axis is the radius r (mm) of the loop 3 position. The maximum value of the internal electric field strength exists near r#30 mm. In addition, in Fig. 3, the vertical axis is Qe, which is the external load Q, and
It is a relationship curve diagram between the loop position and Qe, which is the external load Q, where the horizontal axis is the radius r (mm) of the loop 3 position, and the curve (al is h = 8 mm, d = 3 mm, the curve (bl is
h = 8 mm, d = 2 mm, curve (C)
is h-8mm, d=4mm, curve (dl is h=6m
m, d=3mm, curve te+, h=10mm, d=3
This is shown for the case of mm.
又第４図は縦軸をＱｅとし、横軸をループ３の直径ｄ
（ｍｍ）としたＱｅと直径ｄとの関係曲線図であり、
曲線（ａｌは、ｈ＝８ｍｍ、ｒ＝３１ｍｍ、曲線ｆｂ）
は、ｈ＝３ｍｍ、ｒ＝３７ｍｍ、曲線ｆｃ）は、ｈ＝８
ｍｍ、ｒ＝２６ｍｍ、曲線ｆｄｌは、ｈ−６ｍｍ、ｒ＝
３１ｍｍ、曲線（ｅ）は、ｔｌ＝１０ｍｍ、ｒ＝３１ｍ
ｍの場合についてのものである。又第５図は共振器１の
厚さｈ（ｍｍ）とＱｅとの関係を示す曲線図であり、曲
線＋ａｌは、ｄ＝３ｍｍ。In addition, in Fig. 4, the vertical axis is Qe, and the horizontal axis is the diameter d of loop 3.
It is a relationship curve diagram between Qe and diameter d (mm),
Curve (al is h=8mm, r=31mm, curve fb)
is h=3mm, r=37mm, curve fc) is h=8
mm, r=26mm, curve fdl is h-6mm, r=
31mm, curve (e) is tl=10mm, r=31m
This is about the case of m. Further, FIG. 5 is a curve diagram showing the relationship between the thickness h (mm) of the resonator 1 and Qe, and the curve +al is d=3 mm.
ｒ＝３１ｍｍ、曲線ｆｂｌは、ｄ＝３ｍ、ｍ、ｒ＝３７
ｍｍ、曲線（Ｃ１は、ｄ ＝ ３ ｍｍ、 ｒ ＝
２６ ｍｍ、曲線（ｄｌは、ｄ＝２ｍｍ、ｒ＝３１ｍｍ
、曲線ｔｅｌは、ｄ＝４ｍｍ、ｒ＝３１ｍｍの場合につ
いて示すものである。r=31mm, curve fbl is d=3m, m, r=37
mm, curve (C1, d = 3 mm, r =
26 mm, curve (dl, d=2mm, r=31mm
, the curve tel is shown for the case where d=4 mm and r=31 mm.
又第６図は共振器の厚さｈ （ｍｍ）と挿入損失（ｄＢ
）との関係を示す曲線図であって、曲線（ａｌは、ｄ＝
３ｍｍ、ｒ＝３１ｍｍ、曲線（ｂｌは、ｄ−３ｍｍ、ｒ
＝３７ｍｍ、曲線（Ｃ）ば、ｄ＝３ｍｍ。Figure 6 also shows the thickness h (mm) of the resonator and the insertion loss (dB
) is a curve diagram showing the relationship between the curve (al is d=
3mm, r=31mm, curve (bl is d-3mm, r
= 37 mm, curve (C), d = 3 mm.
ｒ＝２６ｍｍ、曲線ｆｄ）は、ｄ＝２ｍｍ、ｒ＝３１ｍ
ｍ、曲線（ｅｌは、ｄ＝４ｍｍ、ｒ＝３１ｍｍの場合に
ついて示すものである。r=26mm, curve fd) is d=2mm, r=31m
m, curve (el is shown for the case where d=4 mm and r=31 mm.
外部負荷ＱであるＱｅと、結合度との間には、反比例の
関係があるので、Ｑｅの極小値となる点が結合度の極大
値を示すことになり、高次モードの次数に対応してＱｅ
の極小値の数が決るものである。第２図と第３図とを参
照すれば明らかなように、内部電界強度の極大値（ｄＥ
ｚ／ｄｒ−０）付近（ｒ＝３０ｍｍ）に於てＱｅが極小
値をとることが判る。この場合、電界強度の極大値の位
置よりも、ループの直径ｄの半分程外周へループ３を設
定することが最も好適である。Since there is an inversely proportional relationship between Qe, which is the external load Q, and the degree of coupling, the point where the minimum value of Qe is the maximum value of the degree of coupling, which corresponds to the order of the higher mode. TeQe
The number of minimum values of is determined. As is clear from FIGS. 2 and 3, the maximum value of the internal electric field strength (dE
It can be seen that Qe takes a minimum value near z/dr-0) (r=30 mm). In this case, it is most preferable to set the loop 3 at the outer periphery, which is about half the diameter d of the loop, rather than the position of the maximum value of the electric field strength.
又第５図と第６図とから共振器１の厚さｈを決める条件
が求まる。即ち第５図からＱｅを小さくする厚さｈの最
適値があることが判る。厚さｈが２０ｍｍ以上ではＱｅ
は非常に小さくなるが、高次モード（この場合ＴＥ、口
モード）が発生ずるので、厚さｈを大きくすることは不
適当である。Further, the conditions for determining the thickness h of the resonator 1 can be found from FIGS. 5 and 6. That is, it can be seen from FIG. 5 that there is an optimum value for the thickness h that reduces Qe. If the thickness h is 20mm or more, Qe
becomes very small, but higher-order modes (TE, mouth mode in this case) will occur, so it is inappropriate to increase the thickness h.
従って厚さｈは１０ｍｍ以下にする必要がある。Therefore, the thickness h needs to be 10 mm or less.
又第６図の挿入損失特性をみると、ループ３の直径ｄを
後述のように３ｍｍ以上とする必要があるところから、
曲線（ａｌ及びｔｅｌの条件に於て、挿入損失を０．
’１５ ｄ Ｂ以下とする為には、共振器ｌの厚さｈを
、約２〜８ｍｒｎとする必要がある。周波数を６．１５
Ｇ Ｈｚとした場合であるから、波長λは約４３．８
ｍ ｍとなり、従って共振器１の厚さｈは、λ／２５〜
λ／６の範囲とする必要があることが判る。なお曲線ｆ
ｂｌは、ｒ＝３７ｍｍの場合であって、内部電界強度の
極大値のｒ＃３０ｍｍからずれているので、挿入損失が
大きくなり、又曲線（ｃｌは、ｒ＝２６ｍｍの場合であ
るから、この場合も内部電界強度の極大値からずれてい
るので、挿入損失が大きくなる。又曲線（ｄｌは、ルー
プ３の直ｉ予ｄが’ｌ ｍ ｍで最適値より細いので、
挿入損失が大きくなる。Also, looking at the insertion loss characteristics in Figure 6, the diameter d of the loop 3 needs to be 3 mm or more as described later.
curve (under the conditions of al and tel, the insertion loss is 0.
In order to make it 15 dB or less, the thickness h of the resonator l needs to be about 2 to 8 mrn. frequency 6.15
GHz, the wavelength λ is approximately 43.8
Therefore, the thickness h of the resonator 1 is λ/25~
It can be seen that the range needs to be λ/6. Note that the curve f
bl is for r=37mm and is deviated from r#30mm, the maximum value of the internal electric field strength, so the insertion loss is large, and the curve (cl is for r=26mm, so this In this case, the insertion loss increases because the internal electric field strength deviates from the maximum value.Also, the curve (dl) is thinner than the optimum value because the straight line d of loop 3 is 'l m m,
Insertion loss increases.
又第４図に於て、ループ３の直径ｄを大き（するに従っ
てＱｅが小さくなることが判るが、前述の２≦ｈ≦８及
びｒ＝３０ｍｍの条件から、曲線（ａｌ及び（ｄｌによ
り考えると、Ｑｅが急激に増大しない為には、直径ｄは
３ｍｍ以上であることが必要となる。又ループ３の直径
ｄを大きくして、その外周が波長λ以上となると高次モ
ードが生じるので、直径ｄの大きさには限度があり、λ
／π以下の直径ｄとする必要がある。即ちループ３の直
径ｄは、λ／１６（３ｍｍ）〜λ／ π（１５ｍｍ）の
範囲とする必要がある。Also, in Fig. 4, it can be seen that as the diameter d of the loop 3 increases, Qe becomes smaller, but from the conditions of 2≦h≦8 and r=30 mm, considering the curves (al and (dl) In order to prevent Qe from increasing rapidly, the diameter d needs to be 3 mm or more.Also, if the diameter d of the loop 3 is increased and its outer circumference becomes longer than the wavelength λ, a higher-order mode will occur. , there is a limit to the size of the diameter d, and λ
The diameter d must be less than /π. That is, the diameter d of the loop 3 needs to be in the range of λ/16 (3 mm) to λ/π (15 mm).
第７図乃至第１２図は、ｍ＝４即ちＴＭＯ４０モード共
振器を用いて、周波数を６．１５ＧＨｚとした場合につ
いてのものである。第７図は第２図と同様に内部電界強
度分布を示し、電界強度の極大値は、約３０ｍｍ、５５
ｍｍ、８０ｍｍの半径ｒの位置に生じることになる。第
８図はループ位置の半径ｒとＱｅとの関係を示す曲線図
あり、ｈ＝８ｍｍ、ｄ＝３ｍｍとした場合についてのも
のであって、内部電界強度の極大値に対応した位置に、
Ｑｅの極小値があることが判る。7 to 12 show the case where m=4, that is, a TMO40 mode resonator is used and the frequency is 6.15 GHz. Figure 7 shows the internal electric field strength distribution similarly to Figure 2, and the maximum value of the electric field strength is approximately 30 mm, 55 mm.
mm, and will occur at a position with a radius r of 80 mm. FIG. 8 is a curve diagram showing the relationship between the radius r of the loop position and Qe, and is for the case where h = 8 mm and d = 3 mm. At the position corresponding to the maximum value of the internal electric field strength,
It can be seen that there is a minimum value of Qe.
第９図は、ループ３の位置の半径ｒ （ｍｍ）とＱｅと
の関係を示す曲線図あり、曲線＋ａ）は、ｈ−８ｍｍ、
ｄ＝３ｍｍ、曲線（ｂｌは、ｈ＝８ｍｍ、ｄ−２ｍｍ、
曲線（Ｃ１は、ｈ＝８ｍｍ、ｄ＝４ｍｍ、曲線＋ｄ＋は
、ｈ＝６ｍｍ、ｄ＝３ｍｍ、ループ３位置の半ｆＸ １
を７５〜９０ｍｍの範囲について示すものである。従っ
て内部電界強度の極大値に対応してＱｅの極小値が得ら
れ、曲線（ｂｌの場合のように、ループ３の直径ｄが２
ｍｍの場合は、Ｑｅが大きくなり、曲線（Ｃ）の場合の
ように、ループ３の直径ｄが４ｍｍの場合は、Ｑｅが小
さくなる。FIG. 9 is a curve diagram showing the relationship between the radius r (mm) of the position of loop 3 and Qe, where the curve +a) is h-8mm,
d=3mm, curve (bl is h=8mm, d-2mm,
Curve (C1 is h=8mm, d=4mm, curve +d+ is h=6mm, d=3mm, half fX 1 of loop 3 position
is shown for a range of 75 to 90 mm. Therefore, the minimum value of Qe is obtained corresponding to the maximum value of the internal electric field strength, and the diameter d of the loop 3 is 2 as in the case of the curve (bl).
If the diameter d of the loop 3 is 4 mm, as in the case of curve (C), Qe becomes small.
又第１０図はループ３の直径ｄとＱｅとの関係を示す曲
線図であり、曲線（ａ）は、ｈ７８ｍｍ、ｒ＝８１ｍｍ
、曲線（ｂｌは、ｈ＝８ｍｍ、ｒ＝７８ｍｍ、曲線（Ｃ
）は、ｈ＝８ｍｍ、ｒ＝８４ｍｍ、曲線（ｄｌは、ｈ＝
６ｍｍ、ｒ＝８１ｍｍ、曲線（ｅ）は、ｈ＝１０ｍｍ、
ｒ＝８１ｍｍの場合についてのものである。第４図につ
いて説明したと同様に、ループ３の直径ｄは、３〜１５
ｍｍの範囲、即ちλ／１６〜λ／πの範囲とする必要が
あることが判る。なお曲線（ｂｌ及び（ｅ）のように、
前述の条件からずれている場合にはＱｅは大きくなる。Moreover, FIG. 10 is a curve diagram showing the relationship between the diameter d of the loop 3 and Qe, and the curve (a) is h78mm, r=81mm.
, curve (bl is h = 8 mm, r = 78 mm, curve (C
) is h=8mm, r=84mm, curve (dl is h=
6mm, r=81mm, curve (e), h=10mm,
This is for the case where r=81 mm. As explained in connection with FIG. 4, the diameter d of the loop 3 is between 3 and 15
It can be seen that it is necessary to set it in the range of mm, that is, in the range of λ/16 to λ/π. In addition, like the curves (bl and (e),
Qe increases if the conditions deviate from the above conditions.
第１１図は共振器１の厚さり、！＝Ｑｅとの関係を示す
曲線図であり、曲線（ａｌは、ｄ＝３ｍｍ、ｒ−８１ｍ
ｍ、曲線（ｂｌは、ｄ＝３ｍｍ、ｒ＝７８ｍｍ、曲線（
Ｃ）は、ｄ＝３ｍｍ、ｒ＝８４ｍｍ、曲線＋ｄｌは、ｄ
＝２ｍｍ、ｒ＝８１ｍｍ、曲線（ｅ）は、ｄ−４ｍｍ、
ｒ ＝ ８１ ｍｍの場合についてのものである。Figure 11 shows the thickness of resonator 1,! It is a curve diagram showing the relationship between =Qe and the curve (al is d=3mm, r-81m
m, curve (bl is d=3mm, r=78mm, curve (
C) is d=3mm, r=84mm, curve +dl is d
=2mm, r=81mm, curve (e) is d-4mm,
This is for the case of r = 81 mm.
共振器１の厚さｈが１５ｍｍ以上では前述のように高次
モードの発生がある為、厚さｈは１０ｍｍ以下とする必
要があり、挿入損失との関係から約８ｍｍ以下とするも
のである。If the thickness h of the resonator 1 is 15 mm or more, higher-order modes will occur as described above, so the thickness h must be 10 mm or less, and should be approximately 8 mm or less in view of the insertion loss. .
第１２図は共振器１の厚さｈと挿入損失（ｄＢ）との関
係を示す曲線図であり、曲線＋ａｌは、ｄ＝３ｍｍ、ｒ
＝８１ｍｍ、曲線（ｂｌは、ｄ＝３ｍｍ。FIG. 12 is a curve diagram showing the relationship between the thickness h of the resonator 1 and the insertion loss (dB).
=81mm, curve (bl, d=3mm.
ｒ＝７８ｍｍ、曲線（Ｃ１は、ｄ＝３ｍｍ、ｒ＝８４ｍ
ｍ、曲線（ｄｌは、ｄ＝２ｍｍ、ｒ＝８１ｍｍ、曲線ｔ
ｅｌは、ｄ＝４ｍｍ、ｒ＝８１ｍｍの場合についてのも
のである。第１１図及び第１２図から判るように、共振
器１の厚さｈは、２〜８ｍｍが最適であり、波長λとの
関係で示すと、λ／２５〜λ／６となる。なおｍ＝４の
場合は、ループ位置の半径「を８１ｍｍとしているので
、ｍ＝２の場合に比較して、ループ３と共振器１の側壁
との間で形成される相対的な面積が小さくなり、Ｑｅは
大きくなる。従って第１２図に於ては、挿入損失を０、
６ ｄ Ｂ以下とするように、共振器１の厚さｈを選定
することになる。ループ位置の半径ｒを８１ｍｍ以外の
他の内部電界強度の極大値とすることも可能であるが、
ループ３の配置間隔を考えると半径ｒを大きくした方が
、ループ３の配置が容易となるものである。r=78mm, curve (C1 is d=3mm, r=84m
m, curve (dl is d=2mm, r=81mm, curve t
el is for the case where d=4 mm and r=81 mm. As can be seen from FIGS. 11 and 12, the optimal thickness h of the resonator 1 is 2 to 8 mm, and when expressed in relation to the wavelength λ, it is λ/25 to λ/6. Note that in the case of m=4, the radius of the loop position is 81 mm, so the relative area formed between the loop 3 and the side wall of the resonator 1 is smaller than in the case of m=2. Therefore, in Fig. 12, the insertion loss is set to 0, and Qe becomes large.
The thickness h of the resonator 1 is selected to be 6 dB or less. Although it is possible to set the radius r of the loop position to a maximum value of the internal electric field strength other than 81 mm,
Considering the arrangement interval of the loops 3, the larger the radius r, the easier the arrangement of the loops 3 will be.
前述の実施例は、ＴＭｏｍｏのｍを２及び４とした場合
についてのものであるが、ｍを他の値とした場合につい
ても、同様な傾向を示すので、共振器１の厚さｈ及びル
ープ３の直径ｄを、前述の条件を満足するように選定す
ることにより、結合度を大きくし且つ広帯域のｔｌｌ高
周波電力の分配又は合成を行わせることができる。The above embodiments are for the cases where m of TMomo is 2 and 4, but the same tendency is shown when m is set to other values, so the thickness h of the resonator 1 and the loop By selecting the diameter d of No. 3 so as to satisfy the above-mentioned conditions, it is possible to increase the degree of coupling and to distribute or combine broadband Tll high frequency power.
発明の詳細
な説明したように、本発明は、円筒型高次ＴＭ（１＋ｖ
Ｂ）モード共振器を用いた電力分配合成器に於て、内部
電界の極大値近傍に複数の磁界結合のループ３を設け、
共振器１の厚さをλ／２５〜λ／６の範囲内とし、且つ
ループ３の直径をλ／１６〜λ／πの範囲内に選定する
ことにより、結合度が大きく且つ広帯域の超高周波電力
の分配又は合成を行うことができる電力分配合成器を提
供することができる利点がある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As described above, the present invention provides a cylindrical high-order TM (1+v
B) In a power distribution combiner using a mode resonator, a plurality of magnetic field coupling loops 3 are provided near the maximum value of the internal electric field,
By selecting the thickness of the resonator 1 within the range of λ/25 to λ/6 and the diameter of the loop 3 within the range of λ/16 to λ/π, it is possible to achieve ultra-high frequency waves with a high degree of coupling and a wide band. It is advantageous to provide a power distribution combiner that can perform power distribution or combination.
第１図は本発明の実施例の要部断面図、第２図乃至第６
図はＴＭｏｎｘｏモードのｍ＝２の場合の曲線図で、第
２図は内部電界強度分布曲線図、第３図はループ位置半
径とＱｅとの関係を示す曲線図、第４図はループの直径
とＱｅとの関係を示す曲線図、第５図は共振器の厚さと
Ｑｅとの関係を示す曲線図、第６図は共振器の厚さと挿
入損失との関係を示す曲線図、第７図乃至第１２図はｍ
＝４の場合の曲線図で、第７図は内部電界強度分布曲線
図、第８図及び第９図はループ位置半径とＱｅとの関係
を示す曲線図、第１０図はループ直径とＱｅとの関係を
示す曲線図、第１１図は共振器の■は共振器、２は電界
結合のアンテナ、３は磁界結合のループである。
特許出願人 富士通株式会社
代理人弁理士 玉蟲久五部 外３老
死 １ 図
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第 ４ 図
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じ：重工
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客べ覧姐爾
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溝
１第９図
ｒ（ｍｙｎ）
第１０図
ループの直径 ｄ（ｍｍ）FIG. 1 is a sectional view of essential parts of an embodiment of the present invention, and FIGS.
The figure shows a curve diagram for m=2 in TMonxo mode, Figure 2 is an internal electric field strength distribution curve diagram, Figure 3 is a curve diagram showing the relationship between the loop position radius and Qe, and Figure 4 is the loop diameter. Figure 5 is a curve diagram showing the relationship between resonator thickness and Qe, Figure 6 is a curve diagram showing the relationship between resonator thickness and insertion loss, Figure 7 is a curve diagram showing the relationship between resonator thickness and Qe. From Figure 12, m
= 4. Figure 7 is an internal electric field strength distribution curve diagram, Figures 8 and 9 are curve diagrams showing the relationship between loop position radius and Qe, and Figure 10 is a diagram showing the relationship between loop diameter and Qe. FIG. 11 is a curve diagram showing the relationship between the resonators, 2 is the resonator, 2 is the electric field coupling antenna, and 3 is the magnetic field coupling loop. Patent applicant Fujitsu Ltd. Representative Patent Attorney Gobe Tamamushi 3 Old age and death 1 Figure ---. Figure 4) ＼. ＼ 00 （ゝQe、S、、 （８）＼、。 00 １・、３ SA Epe Yoshishi゛・１、５．＼、゛′＼ −・− １＼ ＼ １柕１ ji: Heavy industry (h:: , :: (?222:: (?231:: (P2s't mm)
B d-○ groove
1 Figure 9 r (myn) Figure 10 Diameter of loop d (mm)
Claims (1)
分配合成器に於て、内部電界の極大値近傍に複数の磁界
結合のループを設け、前記共振器の厚さをλ／２５〜λ
／６ （λ−波長）の範囲内とし、且つ前記磁界結合の
ループの太さをλ／１６〜λ／πの範囲内に選定したこ
とを特徴とする電力分配合成器。In a power distribution combiner using a cylindrical high-order 'r M OmO mode resonator, a plurality of magnetic field coupling loops are provided near the maximum value of the internal electric field, and the thickness of the resonator is set to λ/25 to λ.
/6 (λ-wavelength), and the thickness of the magnetic field coupling loop is selected to be within the range of λ/16 to λ/π.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128683A JPS59176904A (en) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | Power distributing and synthesizing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128683A JPS59176904A (en) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | Power distributing and synthesizing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176904A true JPS59176904A (en) | 1984-10-06 |
Family
ID=12882683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128683A Pending JPS59176904A (en) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | Power distributing and synthesizing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59176904A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139101A (en) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Microwave power synthesizer |
| JPS63501675A (en) * | 1985-10-03 | 1988-06-23 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | Broadband high isolation radial line power splitter/combiner |
-
1983
- 1983-03-26 JP JP5128683A patent/JPS59176904A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139101A (en) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Microwave power synthesizer |
| JPS63501675A (en) * | 1985-10-03 | 1988-06-23 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | Broadband high isolation radial line power splitter/combiner |
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