JPS59159577A - 半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS59159577A JPS59159577A JP58033835A JP3383583A JPS59159577A JP S59159577 A JPS59159577 A JP S59159577A JP 58033835 A JP58033835 A JP 58033835A JP 3383583 A JP3383583 A JP 3383583A JP S59159577 A JPS59159577 A JP S59159577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- lead
- emitting element
- electrode
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 241000973887 Takayama Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体発光表示装置用電極部材およびその製
造方法にかかシ、特に高山カタイブの半導体発光表示装
置用の電極部材に適用されるものである。
造方法にかかシ、特に高山カタイブの半導体発光表示装
置用の電極部材に適用されるものである。
半導体発光表示装置の1例の発光ダイオードランプ(以
降LEDと略称)を第1図に示す。このL E DでC
よ発光素子(11がリード(電極部材)(2)の」一端
に形成さねた四部憬)の底面(3a)に一方の鞘;極で
取着され、壕だ、四部の内側面(3b)はよAU2底面
とともに発光素子(1)の発光を有効ならしめるために
これを上方へ反射させる。また、発光素子の他方の電極
はワイヤ(4)で前記リード(2)と平行に設けらハ、
たボストリード(5)の頂部に電気的に接続され、樹脂
(6)によって封1トされている。
降LEDと略称)を第1図に示す。このL E DでC
よ発光素子(11がリード(電極部材)(2)の」一端
に形成さねた四部憬)の底面(3a)に一方の鞘;極で
取着され、壕だ、四部の内側面(3b)はよAU2底面
とともに発光素子(1)の発光を有効ならしめるために
これを上方へ反射させる。また、発光素子の他方の電極
はワイヤ(4)で前記リード(2)と平行に設けらハ、
たボストリード(5)の頂部に電気的に接続され、樹脂
(6)によって封1トされている。
上記、頂部に四部を有するリード(2)と、ボストリー
ド(5)は第2図に示すような構造のものが多く用いら
れており、四部瞥−)の形成には第3図に示すようにプ
レス成形されたリード(2)に対しその先端に第4図に
示される一一力の金型(7)によってプレス成形で達成
される。
ド(5)は第2図に示すような構造のものが多く用いら
れており、四部瞥−)の形成には第3図に示すようにプ
レス成形されたリード(2)に対しその先端に第4図に
示される一一力の金型(7)によってプレス成形で達成
される。
し背景技術の問題点〕
十制従来の構造は1個の発光素子で1つのT、E D全
形成しており、反射1fI]を備えて輝度の向にをはか
つているが限度がある。特に最近は゛高輝度、高出力が
要求される傾向が強く、ランプの用途も室内使用から屋
外使用へ変換+、つつあり、従来の構造では要望に応じ
られなくなっている。
形成しており、反射1fI]を備えて輝度の向にをはか
つているが限度がある。特に最近は゛高輝度、高出力が
要求される傾向が強く、ランプの用途も室内使用から屋
外使用へ変換+、つつあり、従来の構造では要望に応じ
られなくなっている。
(発明の目的〕
この発明は従来の問題点に鑑み、とれ全改良し高出力を
得るだめの構造とその製造方法を提供する。
得るだめの構造とその製造方法を提供する。
し発明の概要〕
この発明にかかる半導体発光表示装置は1つのLEDに
2個の発光素子を直列に接続することを3木のリードに
よって達成するもので、頂部に凹部分有しこの四部の底
に第1の発光素子をその一方の@極で取着けかつ内(1
114而が切欠部を有する反射面に形成された第1の発
光素子堆層とその電極導出を兼ねる第1リードと、前記
第1リードに隣接し頂部に四部を南しこの凹部の底に第
2の発光素子をその一方の電極で取着けかつ内full
而が第1リードの切欠部に対向する切欠部を有する反射
面り(′−ル’z h′V、されるとともに第1リード
に対し両1則力に抜出して許けらt]だ第1の発光ネ゛
子の他方の電極との゛…1気的接続のためのボンディン
グステージを不する第2リードと、前記第1および第2
の各リードの配置のほぼ延ト・」〕に頂而が第2の発光
素fの他力のに極との′電気的接続のためのボンディン
グステージに形成さt]′に第3リードと金具イ貼した
構造−ヒの特徴を櫓し、ネらにその製造方法は、金属板
に第1ないし2第3のリードを即位とし7て複数連を拐
抜き形成し、各即位1v、に第1およびW2のり・−ド
の頂部に四部を形成し−f:11らの凹円)金へ11お
よび第2の発光素子が夫々の一方の霜;極で取着される
底面と発光素子の発光の反射面と両リードの対向面部に
設けらtまた前記反射面の切欠部とを備えさせると同時
に第1リー ドに対して第2リードの側面に第1の発光
素子の他方の電極との霜、気的扱わ7を施すためのボン
ディングステージを突設させ、さらにM’y 3!J
)の頂面に第2の発光素fの他方の電極との電気的接
続を施すためのボンディングステージを形成することを
特徴とする。
2個の発光素子を直列に接続することを3木のリードに
よって達成するもので、頂部に凹部分有しこの四部の底
に第1の発光素子をその一方の@極で取着けかつ内(1
114而が切欠部を有する反射面に形成された第1の発
光素子堆層とその電極導出を兼ねる第1リードと、前記
第1リードに隣接し頂部に四部を南しこの凹部の底に第
2の発光素子をその一方の電極で取着けかつ内full
而が第1リードの切欠部に対向する切欠部を有する反射
面り(′−ル’z h′V、されるとともに第1リード
に対し両1則力に抜出して許けらt]だ第1の発光ネ゛
子の他方の電極との゛…1気的接続のためのボンディン
グステージを不する第2リードと、前記第1および第2
の各リードの配置のほぼ延ト・」〕に頂而が第2の発光
素fの他力のに極との′電気的接続のためのボンディン
グステージに形成さt]′に第3リードと金具イ貼した
構造−ヒの特徴を櫓し、ネらにその製造方法は、金属板
に第1ないし2第3のリードを即位とし7て複数連を拐
抜き形成し、各即位1v、に第1およびW2のり・−ド
の頂部に四部を形成し−f:11らの凹円)金へ11お
よび第2の発光素子が夫々の一方の霜;極で取着される
底面と発光素子の発光の反射面と両リードの対向面部に
設けらtまた前記反射面の切欠部とを備えさせると同時
に第1リー ドに対して第2リードの側面に第1の発光
素子の他方の電極との霜、気的扱わ7を施すためのボン
ディングステージを突設させ、さらにM’y 3!J
)の頂面に第2の発光素fの他方の電極との電気的接
続を施すためのボンディングステージを形成することを
特徴とする。
次にこの発明を1実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第5図ないし第7図に示す】実施例のL EDは3本の
リード、すなわち、第1す・−ド0υ、第2リード(1
カ、第3す・−ド(131をほぼ直線上に配置し、その
第1リードと第2リードとの頂部に四部依り、シ4を設
け、夫々に発光素子を各一方の電極で取着は他方の電極
け、第1リードの四部(ロ)の第1の発光素子0.41
のもの(・、i第2リードの四部四の頂部に第1リード
に対して両側力(第1および第2の画す−・ドを連ねる
@線に対して直角方向)に突出して設けられたボンディ
ングステージ(12&)、 (12b)の一方に、第2
リードの四部四の第2の発光素子(+51のものi−j
第3リード(131の頂面のポンプ゛イングステージ(
13a)に、夫々ワイヤボンディングにより電気的接続
が達成される。
リード、すなわち、第1す・−ド0υ、第2リード(1
カ、第3す・−ド(131をほぼ直線上に配置し、その
第1リードと第2リードとの頂部に四部依り、シ4を設
け、夫々に発光素子を各一方の電極で取着は他方の電極
け、第1リードの四部(ロ)の第1の発光素子0.41
のもの(・、i第2リードの四部四の頂部に第1リード
に対して両側力(第1および第2の画す−・ドを連ねる
@線に対して直角方向)に突出して設けられたボンディ
ングステージ(12&)、 (12b)の一方に、第2
リードの四部四の第2の発光素子(+51のものi−j
第3リード(131の頂面のポンプ゛イングステージ(
13a)に、夫々ワイヤボンディングにより電気的接続
が達成される。
なお、図における061.Q7)はいすねもホンディン
グワイヤで、ボンディングワイヤal19は第1の発光
素子Iの非数着側′fFt極を第2リードのボンディン
クステージのいずれか一方((12a) iた1d(1
2b))に、また、ポンディングワイヤIl力は第2の
発光素子(151の非数M Itl %極を第3リード
のボンディングステージ(i3a)に夫々電気的接続を
はかるものである。
グワイヤで、ボンディングワイヤal19は第1の発光
素子Iの非数着側′fFt極を第2リードのボンディン
クステージのいずれか一方((12a) iた1d(1
2b))に、また、ポンディングワイヤIl力は第2の
発光素子(151の非数M Itl %極を第3リード
のボンディングステージ(i3a)に夫々電気的接続を
はかるものである。
また、上配凹部飢、虫は平坦な一部切欠円形の底面部(
211L)、 (22a)を互いの切欠部を対向させて
形成されるとともに、底面の切欠部を除く周縁から上方
に開拡した斜面状の反射面(21b)、 (22b)を
備えてなる。
211L)、 (22a)を互いの切欠部を対向させて
形成されるとともに、底面の切欠部を除く周縁から上方
に開拡した斜面状の反射面(21b)、 (22b)を
備えてなる。
したがって、とのLEDは第1のリードと第3のリード
が外囲器の位(脂モールド体(l榎から外部へ突出した
アウタリードになり、ここに1個の発光素子に印加され
る損、圧の2倍の印加電圧を印加することによシ、従来
のLEDの2倍にきわめて近い輝度を得ることができる
。
が外囲器の位(脂モールド体(l榎から外部へ突出した
アウタリードになり、ここに1個の発光素子に印加され
る損、圧の2倍の印加電圧を印加することによシ、従来
のLEDの2倍にきわめて近い輝度を得ることができる
。
次に1実施例の製造方法につき第8図以降を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
L E Dのリードは鉄または銅(合金を含む)の薄板
にプレス加工を施して第8図に示すように7レ一ム部、
タイバーによって支持さね、た1ノート“フレームを形
成する。図におけるA部は第1ないし第3リードを含む
単位を型抜きした部分、B部はさらにリード部を実用の
長さに型抜きした部分、0部はリード部に個々のリード
を独立させて行く部分、D部でリード頂部に凹部やボン
ディングステージを形成する部分、E部でアウタリード
の型抜き成形を施した状態を夫々示す。
にプレス加工を施して第8図に示すように7レ一ム部、
タイバーによって支持さね、た1ノート“フレームを形
成する。図におけるA部は第1ないし第3リードを含む
単位を型抜きした部分、B部はさらにリード部を実用の
長さに型抜きした部分、0部はリード部に個々のリード
を独立させて行く部分、D部でリード頂部に凹部やボン
ディングステージを形成する部分、E部でアウタリード
の型抜き成形を施した状態を夫々示す。
次にリード頂部に凹部やボンディングステージを形成す
る状態を第9図以降に示す。まず、独立させたリード部
が第9図に示す如く、第1 +) −F(ID、第2リ
ードu′2J、第3リード(l々として形成さね5る。
る状態を第9図以降に示す。まず、独立させたリード部
が第9図に示す如く、第1 +) −F(ID、第2リ
ードu′2J、第3リード(l々として形成さね5る。
これらの第1リードQ1)、第2リード(121に対1
゜成形を施すための一方の金型に第10図に示す■成形
金型囚によって第11図に示すように断[酌V型の切込
みし1)が設けられる。
゜成形を施すための一方の金型に第10図に示す■成形
金型囚によって第11図に示すように断[酌V型の切込
みし1)が設けられる。
次に第12図に示す側面切截円錐台付金型q功によって
叙上の断面v型の切込みが設けられたリード頂部にプレ
ス成形を施すことによって第13図に示す形状に成形し
てリードの成形が達成される。特に第2リードについて
、上記V型切込みの形成位16、を選定することによっ
て、次に施される側面切截11匈111台付金型による
成形圧よって第1リードに幻し両側力にホンティンゲス
デージ<12a)、 (12b)を突設させる。
叙上の断面v型の切込みが設けられたリード頂部にプレ
ス成形を施すことによって第13図に示す形状に成形し
てリードの成形が達成される。特に第2リードについて
、上記V型切込みの形成位16、を選定することによっ
て、次に施される側面切截11匈111台付金型による
成形圧よって第1リードに幻し両側力にホンティンゲス
デージ<12a)、 (12b)を突設させる。
この発明によれば、従来のLEDに用いられた発光素子
を変えることなくこれ全2個直列に配置でき1.8倍の
輝度が容易に得られた。しかも、製造にあたっては材料
も従来のものでよく、プレス成型のみ若干の変更を施す
ことで達成できる上に樹脂モールドも全く変更を要しな
い利点もおる。
を変えることなくこれ全2個直列に配置でき1.8倍の
輝度が容易に得られた。しかも、製造にあたっては材料
も従来のものでよく、プレス成型のみ若干の変更を施す
ことで達成できる上に樹脂モールドも全く変更を要しな
い利点もおる。
次にこの発明によれば、第2リードに設けられるポンテ
ィングステージか第1リードに対し両gI11にあるの
で、その一方にワイヤをポンティングするとき、他方を
支持し、てボンディングを施すことができる。これによ
シボンデイング強度を第3゛リードの頂部に対して施す
のとほぼ同等に達成できる利点と、特別にリード支持対
策を要することなくボンディングによるリード曲りを防
止できる顕方にホンティンゲスデージが設けられている
ため、このいずれかに使い分けすることによシ例えば品
独等全区別することもできる。さらにはプレス成形にお
いて、ポンディングステージを片側にのみ設けるものよ
りも丙のバランスが良好に得られる第1」点もある。
ィングステージか第1リードに対し両gI11にあるの
で、その一方にワイヤをポンティングするとき、他方を
支持し、てボンディングを施すことができる。これによ
シボンデイング強度を第3゛リードの頂部に対して施す
のとほぼ同等に達成できる利点と、特別にリード支持対
策を要することなくボンディングによるリード曲りを防
止できる顕方にホンティンゲスデージが設けられている
ため、このいずれかに使い分けすることによシ例えば品
独等全区別することもできる。さらにはプレス成形にお
いて、ポンディングステージを片側にのみ設けるものよ
りも丙のバランスが良好に得られる第1」点もある。
第1図は従来のLEDの断面図、第2図は第1図のリー
ド頂部の斜視図、第3図および第4図は製造方法を説明
するだめの図で第3図はプレス成形前のリード頂部の斜
視図、第4図はリード頂部の成形のための金型の一方を
示す斜視図、第5図以降01この発明の1実施例にかか
り、第5図はLEDの横断面図、第6図は縦・断四図、
第7図はリード頂部の斜視図、第8図はリードフレーム
のプレス形成を説明するためのリードフレームの正面図
、第9図はリード頂部の斜視図、第10図はリード頂部
にプレス成形するための一方の金型の斜視図、第11図
は第10図に示す金型により成形されfr、 ’)−ド
頂部の斜視図、第12図は第10図に示される金型によ
る成形の次K ’J−ド頂部にプレス成形する一方の金
型の斜視図、第13図は第12図に示す金型により成形
されたリード頂部の斜視図である。 11 (LEDの)第1リード12
(LEDの)第2リード13 (LED
の)第3リード12a、12b 第21J−ド頂部
のポンディングステージ13a 第3リード
頂部のギンディングステージ14、15 発光素子 20、22 一方の金型 4 第1リードの凹部 21a 凹部の底面 21b 凹部の内側面 荏 第2リードの四部 22a 凹部の底面 22b 凹部の内側面 代理人 弁理士 井 上 −裏 箱 1 図 第2図 第 3 図 第 4 図第 5
図 /X 第 8 図 第 9 図 第1O図 第1I図 第 12 図
ド頂部の斜視図、第3図および第4図は製造方法を説明
するだめの図で第3図はプレス成形前のリード頂部の斜
視図、第4図はリード頂部の成形のための金型の一方を
示す斜視図、第5図以降01この発明の1実施例にかか
り、第5図はLEDの横断面図、第6図は縦・断四図、
第7図はリード頂部の斜視図、第8図はリードフレーム
のプレス形成を説明するためのリードフレームの正面図
、第9図はリード頂部の斜視図、第10図はリード頂部
にプレス成形するための一方の金型の斜視図、第11図
は第10図に示す金型により成形されfr、 ’)−ド
頂部の斜視図、第12図は第10図に示される金型によ
る成形の次K ’J−ド頂部にプレス成形する一方の金
型の斜視図、第13図は第12図に示す金型により成形
されたリード頂部の斜視図である。 11 (LEDの)第1リード12
(LEDの)第2リード13 (LED
の)第3リード12a、12b 第21J−ド頂部
のポンディングステージ13a 第3リード
頂部のギンディングステージ14、15 発光素子 20、22 一方の金型 4 第1リードの凹部 21a 凹部の底面 21b 凹部の内側面 荏 第2リードの四部 22a 凹部の底面 22b 凹部の内側面 代理人 弁理士 井 上 −裏 箱 1 図 第2図 第 3 図 第 4 図第 5
図 /X 第 8 図 第 9 図 第1O図 第1I図 第 12 図
Claims (2)
- (1)頂面に凹部を有しこの凹部の底に第1の発光素子
をその一方の電極で取着けかつ内側面が切欠部を有する
反射面に形成された第1の発光素子取着とその電極導出
を兼ねる第1リードと、前記第1リードに隣接し頂面に
凹部を有しこの凹部の底に第2の発光素子をその一方の
電極で取着けかつ内側面が第1リードの切欠部に対向す
る切欠部を有する反射面に形成されるとともに第1リー
ドに対し両側方に突出して設けられた第1の発光素子の
他方の電極との電気的接続のだめのポンディングステー
ジを有する第2リードと、前記第1および第2の各リー
ドの配置のほぼ延長上に頂面が第2の発光素子の他方の
!極との電気的接続のためのポンディングステージに形
成された第3リードとを具備した半導体発光表示装置用
電極部材。 - (2) 金属板に第1ないし第3のリードを単位とし
て複数連を打抜き形成し、各単位毎に第1および第2の
リードの頂部に凹部を形成しそれら凹部を第1および第
2の発光素子が夫々の一方の電極で取着される底面と発
光素子の発光の反射面と両リードの対向面部に設けられ
た前記反射面の切欠部とを備えさせると同時に第1リー
ドに対して第2リードの側面に第1の発光素子の他方の
電極との電気的接続を施すだめのポンディングステージ
を突設させ、さらに第3リードの頂面に第2の発光素子
の他方の電極との電気的接続を施すためのポンディング
ステージを形成することを特徴とする半導体発光表示装
置用電極部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033835A JPS59159577A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033835A JPS59159577A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59159577A true JPS59159577A (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=12397542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58033835A Pending JPS59159577A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59159577A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0171456U (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-12 | ||
JPH04107722U (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | 日立プラント建設株式会社 | コンベヤ受継移送装置 |
US5218233A (en) * | 1990-07-24 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led lamp having particular lead arrangement |
EP1160881A1 (en) * | 2000-05-27 | 2001-12-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode encapsulation |
CN103633054A (zh) * | 2013-04-19 | 2014-03-12 | 汕头华汕电子器件有限公司 | 一种正向串联的二极管框架结构 |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP58033835A patent/JPS59159577A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0171456U (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-12 | ||
US5218233A (en) * | 1990-07-24 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led lamp having particular lead arrangement |
JPH04107722U (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | 日立プラント建設株式会社 | コンベヤ受継移送装置 |
EP1160881A1 (en) * | 2000-05-27 | 2001-12-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode encapsulation |
CN103633054A (zh) * | 2013-04-19 | 2014-03-12 | 汕头华汕电子器件有限公司 | 一种正向串联的二极管框架结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6921926B2 (en) | LED package and the process making the same | |
KR102363258B1 (ko) | 만곡된 리드 프레임 상에 장착된 led들 | |
TWI331814B (ja) | ||
JP2010003743A (ja) | 発光装置 | |
WO2009130957A1 (ja) | 発光ダイオード用パッケージ、発光装置、および発光装置の製造方法 | |
US20090289274A1 (en) | Package structure of light emitting diode and method of manufacturing the same | |
JP2008300553A (ja) | 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造 | |
CN104952864B (zh) | Led灯丝及其制造方法 | |
TWM303493U (en) | Support rack structure and metal support rack of side light source SMD LED | |
JPS59159577A (ja) | 半導体発光表示装置用電極部材およびその製造方法 | |
US7589354B2 (en) | Light emitting diode package and process of making the same | |
WO2008038997A1 (en) | Light emitting diode package employing leadframe with plated layer of high brightness | |
KR100890950B1 (ko) | 백라이트용 발광장치 | |
CN209822684U (zh) | 一种封装基板、led器件及led模组 | |
KR100889916B1 (ko) | 빛의 방사각이 편향된 발광다이오드 및 그 제조 방법 | |
CN203721761U (zh) | 高可靠性发光二极管支架 | |
CN110635010B (zh) | 一种led光源器件 | |
WO2020116452A1 (ja) | 光半導体装置 | |
CN110121769A (zh) | 发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡 | |
CN219419074U (zh) | 一种新型光电器件 | |
CN211929531U (zh) | 一种反光杯结构 | |
JP4183255B2 (ja) | Ledの封入成型方法および完成品の構造 | |
CN218568863U (zh) | Led支架、led封装结构及led灯具 | |
CN209012820U (zh) | Led灯丝支架 | |
CN208797041U (zh) | 一种led封装体 |