JPS59154682A - メモリ回路 - Google Patents
メモリ回路Info
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- JPS59154682A JPS59154682A JP58029718A JP2971883A JPS59154682A JP S59154682 A JPS59154682 A JP S59154682A JP 58029718 A JP58029718 A JP 58029718A JP 2971883 A JP2971883 A JP 2971883A JP S59154682 A JPS59154682 A JP S59154682A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に表示用データが格納されるディスプレイ用
メモリ回路に好適するメモリ回路に関する。
メモリ回路に好適するメモリ回路に関する。
通常、この種のディスプレイ用メモリ回路は、C P
U (更にはDMAコントローラなど)と、ディスプレ
イコントローラ(の表示データ読出し制御回路)とによ
ってアクセスされる。CPUは表示データ書換えのため
の書込みアクセスと、表示データ確認などのための読み
出しアクセスとを行なう。これに対し、ディスプレイコ
ントローラは画面表示のために読み出しアクセスを行な
う。これらCPUからのアクセス要求と、ディスプレイ
コントロ・−ラからのアクセス要求とは同時に発せられ
る場合がある。しかし、従来のメモリ回路は同時アクセ
スができないため、CPUからのアクセス要求またはデ
ィスプレイコントローラからのアクセス要求のいずれか
一方を優先させ、他方を待たせなければならなかった。
U (更にはDMAコントローラなど)と、ディスプレ
イコントローラ(の表示データ読出し制御回路)とによ
ってアクセスされる。CPUは表示データ書換えのため
の書込みアクセスと、表示データ確認などのための読み
出しアクセスとを行なう。これに対し、ディスプレイコ
ントローラは画面表示のために読み出しアクセスを行な
う。これらCPUからのアクセス要求と、ディスプレイ
コントロ・−ラからのアクセス要求とは同時に発せられ
る場合がある。しかし、従来のメモリ回路は同時アクセ
スができないため、CPUからのアクセス要求またはデ
ィスプレイコントローラからのアクセス要求のいずれか
一方を優先させ、他方を待たせなければならなかった。
したがって、ディスプレイコントローラが表示デー、り
を読み出し、てディスプレイ装置に表示している途中で
、CPTJから表示データ更新または読み出し7のため
の煙求があっても、ディスプレイ動作が終了しないとC
PUからのアクセスが許可さit 11いためCT”
Uの処理速度が低下する欠点があつ7\。
を読み出し、てディスプレイ装置に表示している途中で
、CPTJから表示データ更新または読み出し7のため
の煙求があっても、ディスプレイ動作が終了しないとC
PUからのアクセスが許可さit 11いためCT”
Uの処理速度が低下する欠点があつ7\。
これに対し、CPUからのアクセスを優先する方式では
1.−ヒ述の欠点は解消できるものの、その間ディスプ
レイ装置上で正常な表示全維持できグIくなる問題が生
じる。
1.−ヒ述の欠点は解消できるものの、その間ディスプ
レイ装置上で正常な表示全維持できグIくなる問題が生
じる。
そこで一般的には、ディスプレイコン) o −ラから
の画面表示用のメモリアクセスを成る程度優先さ2紺な
がら、システムの用途に応じてCP U (更にはD
MAコントローラなど)のメモリアクセスの割込み優先
度を考慮し、シスデム設泪を行なっているのが実状で6
15る。このため、システム設h1技術者の負担が犬き
く、シかもその割にはCPUの処理速度を充分に発揮し
得t[かった。
の画面表示用のメモリアクセスを成る程度優先さ2紺な
がら、システムの用途に応じてCP U (更にはD
MAコントローラなど)のメモリアクセスの割込み優先
度を考慮し、シスデム設泪を行なっているのが実状で6
15る。このため、システム設h1技術者の負担が犬き
く、シかもその割にはCPUの処理速度を充分に発揮し
得t[かった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的は、
複数の装置からの同時アクセスが行なえるメモリ回路を
提供“fることにある。
複数の装置からの同時アクセスが行なえるメモリ回路を
提供“fることにある。
[、発明の概要〕
本発明は、第1乃至第nアドレスラインと、書込みデー
タが導かれる書込みデータラインと、読出しデータが導
かれる第1乃至第11読出I7データラインと、書込み
モードにおいて−に記憶1アドレスラインによる′アド
レス指定により選択され、上記1込みデータラインを介
して導かれる−1−記書込みテ゛−夕を記憶−[る一方
、上記第i (i =−=1−n )アドレスラインに
よるアドレス指定に、[り選択され、読出しモードにお
い′こ自身の有する記憶データを対応する1−記憶7読
出しデータラインに読出し、出力−ぐる複数のメモリ・
セルとを備えたメモリ回路と一手−ることにエリ、n台
の’ANからの同時アクセス(n台の装置からの同時読
出しアクセス、更には1台の装置からの書込みとn−1
台の装置からの読み出しとの同時アクセス)を可能とし
たものである○〔発明の実施例〕 μ下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図はメモリ回路、例えばディスプレイ用メモリ回路の
構成を示すもので10壱まメモリ部である1、メモリ部
10は例えば1ビツトのメモリ・−(=ル1θI++1
012+・ 101m+’θ21 +”2:! + ”
” 02m +・” ml l ” m21 ”” ’
TJIから成つCいる1、こA1.らメモリ・セル1
o J (t 7−1〜m 、 j=t−m )はm行
m列のマトリクス構成となつ′C:tt;す、2は行番
号(行位置)、Jは列番号(列位置)を示しCいる%。
タが導かれる書込みデータラインと、読出しデータが導
かれる第1乃至第11読出I7データラインと、書込み
モードにおいて−に記憶1アドレスラインによる′アド
レス指定により選択され、上記1込みデータラインを介
して導かれる−1−記書込みテ゛−夕を記憶−[る一方
、上記第i (i =−=1−n )アドレスラインに
よるアドレス指定に、[り選択され、読出しモードにお
い′こ自身の有する記憶データを対応する1−記憶7読
出しデータラインに読出し、出力−ぐる複数のメモリ・
セルとを備えたメモリ回路と一手−ることにエリ、n台
の’ANからの同時アクセス(n台の装置からの同時読
出しアクセス、更には1台の装置からの書込みとn−1
台の装置からの読み出しとの同時アクセス)を可能とし
たものである○〔発明の実施例〕 μ下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図はメモリ回路、例えばディスプレイ用メモリ回路の
構成を示すもので10壱まメモリ部である1、メモリ部
10は例えば1ビツトのメモリ・−(=ル1θI++1
012+・ 101m+’θ21 +”2:! + ”
” 02m +・” ml l ” m21 ”” ’
TJIから成つCいる1、こA1.らメモリ・セル1
o J (t 7−1〜m 、 j=t−m )はm行
m列のマトリクス構成となつ′C:tt;す、2は行番
号(行位置)、Jは列番号(列位置)を示しCいる%。
11.〜” IYI + 12H〜121T1 は行選
択用の行選択信号線、131〜131Tl、14.〜1
4mは列選択用の列選択(へ号線Cある。行選択信号線 ” ’ + 12 t (=−1’%、jn)はメモリ
・セル10目!1()txt ・IOm に接続され、
列選択信号線7J、i、74j(jニー=l〜m)はメ
モリ・セル1θIjt1o ・・10m5 に接続
されている○15は例2J+ えばCP [J (図示せず)からの書込みデータが導
かれZ、−書込みデータライン、16はCP Uからの
読出しアクセスに応じて読出されるデータが導かれる鯖
、出し2データライン(第1読出し2データライン)で
ある。17は例えばディスプレイコントローラ(図示せ
ず)からの読出しアクセスに応じて読出さilろデータ
が導かれる読出しデータライン(第2読出しデータライ
ン)である。こノtら書込みデークシイン15お、「び
胱出しデータライン16.17#J各メモリ・セル10
i 2 (i=1=m、 j=1”m)にそれぞれ共通
に接続されている。18はCP Uから転送されるアド
レスが冴かP、るアドレスライン(第1アドレスライン
)、19はディスプレイコントローラから転送されろア
ドレスが導かれろアドレスジインである。20はアドレ
スライン7 s l:Iのアドレスの行アドレスをデコ
ードし、行選択信号線1ノ、〜111nの一つをイ〕−
意にする行デコーダ、21はアドレスライン19−1−
のアドレスの同じく行アドレスをテ′コードし、行選択
信号線12.〜12mの一つをイ(′意にする行デコー
ダである022はアドレスライン18上のアドレスの列
アドレスをデコードし、列選択信号線13、−13mの
一つを有意にする列デコーダ、23はアドレスライン1
9上のアドレスの同じく列アドレスをデコードし、列選
択信号線14゜〜14mの一つを有意にする列デコーダ
である○第2図はメモリ・セル10Ij(乙ニー1〜m
、 j−1〜m)の回路構成を壓すものである。本実
施例において各メモリ・セル1θij(””1〜m+j
=i〜m)の基本構成は同一である。第2図において、
101〜109は例えばMO8)ランジスタ、110は
データを保持(記憶)するコンデンサ(浮遊容量で作ら
れる)である。111は書込み許可信号ライン、112
,113は読出し許可信号ラインである。
択用の行選択信号線、131〜131Tl、14.〜1
4mは列選択用の列選択(へ号線Cある。行選択信号線 ” ’ + 12 t (=−1’%、jn)はメモリ
・セル10目!1()txt ・IOm に接続され、
列選択信号線7J、i、74j(jニー=l〜m)はメ
モリ・セル1θIjt1o ・・10m5 に接続
されている○15は例2J+ えばCP [J (図示せず)からの書込みデータが導
かれZ、−書込みデータライン、16はCP Uからの
読出しアクセスに応じて読出されるデータが導かれる鯖
、出し2データライン(第1読出し2データライン)で
ある。17は例えばディスプレイコントローラ(図示せ
ず)からの読出しアクセスに応じて読出さilろデータ
が導かれる読出しデータライン(第2読出しデータライ
ン)である。こノtら書込みデークシイン15お、「び
胱出しデータライン16.17#J各メモリ・セル10
i 2 (i=1=m、 j=1”m)にそれぞれ共通
に接続されている。18はCP Uから転送されるアド
レスが冴かP、るアドレスライン(第1アドレスライン
)、19はディスプレイコントローラから転送されろア
ドレスが導かれろアドレスジインである。20はアドレ
スライン7 s l:Iのアドレスの行アドレスをデコ
ードし、行選択信号線1ノ、〜111nの一つをイ〕−
意にする行デコーダ、21はアドレスライン19−1−
のアドレスの同じく行アドレスをテ′コードし、行選択
信号線12.〜12mの一つをイ(′意にする行デコー
ダである022はアドレスライン18上のアドレスの列
アドレスをデコードし、列選択信号線13、−13mの
一つを有意にする列デコーダ、23はアドレスライン1
9上のアドレスの同じく列アドレスをデコードし、列選
択信号線14゜〜14mの一つを有意にする列デコーダ
である○第2図はメモリ・セル10Ij(乙ニー1〜m
、 j−1〜m)の回路構成を壓すものである。本実
施例において各メモリ・セル1θij(””1〜m+j
=i〜m)の基本構成は同一である。第2図において、
101〜109は例えばMO8)ランジスタ、110は
データを保持(記憶)するコンデンサ(浮遊容量で作ら
れる)である。111は書込み許可信号ライン、112
,113は読出し許可信号ラインである。
次に本発明の一実施例の動作を説明する。まず、CPU
からの書込みアクセスについて説明する。この場合、C
PUからのアドレス情報、1込みデータはそれぞれアド
レスライン18、書込みデータライン15を介してデイ
ツブレイ用メモリ回路に導かれる。行デコーダ20はア
ドレスライン18上のアドレス情報の行アドレスをデコ
ードし、行選択信号線11.〜l1mの一つ、例えば行
選択信号線、! 1 i、 (i = 2 )を有意に
する。一方、列デコーダ22はアドレスライン18上の
アドレス情報の列アドレスをデコードし、列選択信号線
13.〜i 、3 mの一つ、例えば列選択信号線13
j(j=1)を有意にする。
からの書込みアクセスについて説明する。この場合、C
PUからのアドレス情報、1込みデータはそれぞれアド
レスライン18、書込みデータライン15を介してデイ
ツブレイ用メモリ回路に導かれる。行デコーダ20はア
ドレスライン18上のアドレス情報の行アドレスをデコ
ードし、行選択信号線11.〜l1mの一つ、例えば行
選択信号線、! 1 i、 (i = 2 )を有意に
する。一方、列デコーダ22はアドレスライン18上の
アドレス情報の列アドレスをデコードし、列選択信号線
13.〜i 、3 mの一つ、例えば列選択信号線13
j(j=1)を有意にする。
これにエリメモリ・セル10□j(t−2、j −1)
内のM OS )ランジスタ101,102が共に
オン、すなわちMO8I−ランジスタ101,102か
ら成るアンドゲートのアンド条件が成立し、書込みデー
タライン15上の書込みデータが当該アンドゲートより
取り込まれる。この状態で書込み指示用の書込み許可信
号が1″込み許可信号ライン111を介1〜で書込みデ
ータ入力ゲートとしてのMO8)ランジヌタ103に与
えられると、上記取り込まれたデータが当該トランジス
タ103を介してコンデンサ110に導かれ、その状態
が保持される。
内のM OS )ランジスタ101,102が共に
オン、すなわちMO8I−ランジスタ101,102か
ら成るアンドゲートのアンド条件が成立し、書込みデー
タライン15上の書込みデータが当該アンドゲートより
取り込まれる。この状態で書込み指示用の書込み許可信
号が1″込み許可信号ライン111を介1〜で書込みデ
ータ入力ゲートとしてのMO8)ランジヌタ103に与
えられると、上記取り込まれたデータが当該トランジス
タ103を介してコンデンサ110に導かれ、その状態
が保持される。
次に、CPTJからの’ttl出しアクセスについて説
明する。−に述した男込みアクセスの場合と同様にCP
Uからのアト1.・ス情報に基づいて行デコ ダ2θ
と列デコーベf22とにより行選択イイ号線112(z
−2)と列選択(菖弓線73j(j=1’)とが有意と
なったものどする。これにエリメモリ・セル1oij(
i=2.j=1)内のMO8)ランジヌタ105,10
6から成るアンドゲートのアンドφ件が成立し、メモリ
・セル 10す(’−2+ ;+−1)は読出17可能状態(有
効)となる。この状態で読出し許可信号が読出1〜許1
す”信号ライン112を介して保持データ出力ゲートと
してのMOS l−ランジスタ104に−tJえられる
と、コンデンリ−110の保持状態に応じた出力が読出
しデータとして読出しデータライン16に導かオLる。
明する。−に述した男込みアクセスの場合と同様にCP
Uからのアト1.・ス情報に基づいて行デコ ダ2θ
と列デコーベf22とにより行選択イイ号線112(z
−2)と列選択(菖弓線73j(j=1’)とが有意と
なったものどする。これにエリメモリ・セル1oij(
i=2.j=1)内のMO8)ランジヌタ105,10
6から成るアンドゲートのアンドφ件が成立し、メモリ
・セル 10す(’−2+ ;+−1)は読出17可能状態(有
効)となる。この状態で読出し許可信号が読出1〜許1
す”信号ライン112を介して保持データ出力ゲートと
してのMOS l−ランジスタ104に−tJえられる
と、コンデンリ−110の保持状態に応じた出力が読出
しデータとして読出しデータライン16に導かオLる。
次に本発明の要旨に直接関係するCPUお工びディスプ
レイコントローラからの同時アクセスについて説明する
。今、CPUからの書込みアクセス中に、ディスプレイ
コントローラから画面表示のために表示データ読出し用
のアドレス情報がアドレスライン19上に送出されたも
のとする。そして、行デコーダ21と列デコーダ23と
がアドレスライン19上のアドレスラインに基づいてそ
れぞれ行選択信号線12i、(i =2)、列選択信号
線14.+(、+・・i)を有意にしたものどする。こ
れにエリCP Uからの書込みアクセス状態にあるメモ
リ・セル10 ij (”’2 + j””1 )内の
MOS )ランジスタ10&、109から成るアンドゲ
ートのアンド条件が成立し、メモリ・セル10す(i=
2.j=1) は書込みアクセス中であるにもかかわ
らず読出し可能状態となる。
レイコントローラからの同時アクセスについて説明する
。今、CPUからの書込みアクセス中に、ディスプレイ
コントローラから画面表示のために表示データ読出し用
のアドレス情報がアドレスライン19上に送出されたも
のとする。そして、行デコーダ21と列デコーダ23と
がアドレスライン19上のアドレスラインに基づいてそ
れぞれ行選択信号線12i、(i =2)、列選択信号
線14.+(、+・・i)を有意にしたものどする。こ
れにエリCP Uからの書込みアクセス状態にあるメモ
リ・セル10 ij (”’2 + j””1 )内の
MOS )ランジスタ10&、109から成るアンドゲ
ートのアンド条件が成立し、メモリ・セル10す(i=
2.j=1) は書込みアクセス中であるにもかかわ
らず読出し可能状態となる。
この状態で読出し許可信号が読出し許可信号ライン11
3を介して保持データ出力ゲートとしてのMO8)ラン
ジスタ107に与えられると、コンデンサ110の保持
状態に応じた出力が読出しデータとして読出しデータラ
イン17に導かれる。このとき、CPUからの1込みア
クセスが終了していないものとすると、読出しデータラ
イン17に導かれる読出しデータはCP Uからの書込
み的の旧データ或いは不確定データとなる恐れはある○
しかし、ディスプレイコントローラからの読出しアクセ
スは画面リフレッシュのために行なわれるもので、次の
同一表示位置のリフレッシュのときにはCPUによる書
込み後の新ブ°−夕が必ず読出されるため何ら問題とな
らない。また、上記実施例は、同一・メモリ・セルに対
するCPUからの書込みアクセスと、ディスプレイコン
トローラからの読出しアクセスとが同時に行なわれる場
合であるが、CPUからのアクセスが読出しアクセスの
場合、更にはアクセス対象となるメモリ・セルを異にす
る場合にも同時アクセスが可能であることは明らかであ
る。また、読出し許可信号ライン113は常に有意状態
となっていても差し支えない。
3を介して保持データ出力ゲートとしてのMO8)ラン
ジスタ107に与えられると、コンデンサ110の保持
状態に応じた出力が読出しデータとして読出しデータラ
イン17に導かれる。このとき、CPUからの1込みア
クセスが終了していないものとすると、読出しデータラ
イン17に導かれる読出しデータはCP Uからの書込
み的の旧データ或いは不確定データとなる恐れはある○
しかし、ディスプレイコントローラからの読出しアクセ
スは画面リフレッシュのために行なわれるもので、次の
同一表示位置のリフレッシュのときにはCPUによる書
込み後の新ブ°−夕が必ず読出されるため何ら問題とな
らない。また、上記実施例は、同一・メモリ・セルに対
するCPUからの書込みアクセスと、ディスプレイコン
トローラからの読出しアクセスとが同時に行なわれる場
合であるが、CPUからのアクセスが読出しアクセスの
場合、更にはアクセス対象となるメモリ・セルを異にす
る場合にも同時アクセスが可能であることは明らかであ
る。また、読出し許可信号ライン113は常に有意状態
となっていても差し支えない。
以−Lの動作説明から明らかなように本実施例によれば
、CPUからの書込み/読出しアクセスとディスプレイ
コントローラからの読出しアクセス(画面リフレッシュ
アクセス)とが非同期で行なえ、同時アクセスも可能と
なる。したがって本実施例によれば、CPUの処理速度
の低下を防止するために画面表示のだめの読出しを禁止
したり、正常な画面表示を行なうためにCP T、Iか
らのアクセスを制限したりすることが不要となり、画面
表示に何ら悪影響を及ぼすことな(Cl) Uの高速処
理性能を最大限に発揮できる。
、CPUからの書込み/読出しアクセスとディスプレイ
コントローラからの読出しアクセス(画面リフレッシュ
アクセス)とが非同期で行なえ、同時アクセスも可能と
なる。したがって本実施例によれば、CPUの処理速度
の低下を防止するために画面表示のだめの読出しを禁止
したり、正常な画面表示を行なうためにCP T、Iか
らのアクセスを制限したりすることが不要となり、画面
表示に何ら悪影響を及ぼすことな(Cl) Uの高速処
理性能を最大限に発揮できる。
なノロ、前記実施例では、本発明をデイノブレイ用メモ
リ回路に適用した場合について説明したが、メモリ全般
に適用できることは勿論である。例えば、2台のCP
Uをも−)システムであって、1つのメモリ回路を共通
に用い、一方のCPUからの書込みデータを他力のCP
Uが読出して処理を施すようなシステムの場合、本発明
のメモリ回路を適用することにより同時アクセスが可能
となるので処理速度の向上が図れる。
リ回路に適用した場合について説明したが、メモリ全般
に適用できることは勿論である。例えば、2台のCP
Uをも−)システムであって、1つのメモリ回路を共通
に用い、一方のCPUからの書込みデータを他力のCP
Uが読出して処理を施すようなシステムの場合、本発明
のメモリ回路を適用することにより同時アクセスが可能
となるので処理速度の向上が図れる。
また、前記実施例では、胱出し専用のアドレスラインと
これに対応する読出しデータラインとの組が1組である
場合について説明したが、複数組を設けるようにしても
工い。また、前記実施例でlt、1ビツトx m 2
ワードのメモリ回路に適用した場合について説明した
が、1ワードのビット数が8ビツト、32ビツトなど任
意のビット数のメモリ回路に適用できることは勿論であ
る。更に、がJ記実施例では、MO8素子を用いたメモ
リ・セル構造の場合について説明したがこ第1に限定さ
れるものではl「<、例えばB T POLA、R(バ
イポーラ)素子を用いたものなどであってもよい。
これに対応する読出しデータラインとの組が1組である
場合について説明したが、複数組を設けるようにしても
工い。また、前記実施例でlt、1ビツトx m 2
ワードのメモリ回路に適用した場合について説明した
が、1ワードのビット数が8ビツト、32ビツトなど任
意のビット数のメモリ回路に適用できることは勿論であ
る。更に、がJ記実施例では、MO8素子を用いたメモ
リ・セル構造の場合について説明したがこ第1に限定さ
れるものではl「<、例えばB T POLA、R(バ
イポーラ)素子を用いたものなどであってもよい。
以り詳述したように本発明によれば、複数の装置からの
同時アクセスが行なえるメモリ回路を提供で入る。
同時アクセスが行なえるメモリ回路を提供で入る。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック構成図、第2
図は上記実施例におけるメモリ・セルの回路禍成図であ
る0 10 J (i =l−−m 、 j−71〜m )−
メモリ儂セル、15゛店込みデータライン、16.17
・・読出しデータライン、18.19・・・アドレスラ
イン、20.21・・・行デコーダ、22.23・・・
列デコーダ。
図は上記実施例におけるメモリ・セルの回路禍成図であ
る0 10 J (i =l−−m 、 j−71〜m )−
メモリ儂セル、15゛店込みデータライン、16.17
・・読出しデータライン、18.19・・・アドレスラ
イン、20.21・・・行デコーダ、22.23・・・
列デコーダ。
Claims (1)
- 読出しまたは書込み時のアドレス指定に共用される第1
アドレスラインと、読出し専用の第2乃至第nアドレス
ラインと、書込みデータが導かれ2)書込みデータライ
ンと、読出しデータが導か第1る第1乃至第n読出しデ
ー−タラインと、」−記憶1アドレスラインによるアド
レス指定により選択され、7)込みモードにおいて一上
記書込みデータラインを介して導かれるに記書込みデー
タを記憶する=一方、」−配車1(j=1”−n)アド
レスラインによるアドレス指定にエリ選択され、読出し
モードにおいて白身の有する記憶データを読出しデータ
として対応する」二配車を読出しデータラインに読出し
出力する複数のメモリ・セルとを具備することを特徴と
するメモリ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58029718A JPS59154682A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | メモリ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58029718A JPS59154682A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | メモリ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59154682A true JPS59154682A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12283887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58029718A Pending JPS59154682A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | メモリ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59154682A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459505A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Sony Corp | Microcomputer |
US7392134B2 (en) | 2004-04-05 | 2008-06-24 | Denso Corporation | Satellite navigation controller |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP58029718A patent/JPS59154682A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459505A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Sony Corp | Microcomputer |
US7392134B2 (en) | 2004-04-05 | 2008-06-24 | Denso Corporation | Satellite navigation controller |
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