JPS59154635A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS59154635A JPS59154635A JP58027802A JP2780283A JPS59154635A JP S59154635 A JPS59154635 A JP S59154635A JP 58027802 A JP58027802 A JP 58027802A JP 2780283 A JP2780283 A JP 2780283A JP S59154635 A JPS59154635 A JP S59154635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alloy
- magnetic
- layer
- underlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁性層全薄膜化しながらかつ高い重両磁気異方
性を有する磁気記録媒体に関する。
性を有する磁気記録媒体に関する。
一般に、垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に
較べて高記録密度化が可能な記録方式であり実用上大き
彦利点を有する。但し、垂面磁気記録用媒体は従来の面
内磁気記録媒体とは異り、膜面垂直力向に高い垂１ｈ磁
気異方性を有する媒体を用いなければいけないという磁
気特性上の制約がある。ここで高い飽和磁化（Ｍｓ ）
が可能なコバルト系合金薄膜を用いて膜面垂直力向に異
方性全付与するためには、最密六方相（ｈｃｐ相）から
なる膜を形成しかつ、結晶軸のＣ軸を基板型直方゛向に
配向させることが必要である。Δθ６ｏ（（ｏ ０２
）面に対するＸｉロッキングカーブの半値巾）が約１０
度以下であるＣ軸配向性であれば膜即垂ＩＹ１方向に高
い結晶磁気異方性を何株することができる。
較べて高記録密度化が可能な記録方式であり実用上大き
彦利点を有する。但し、垂面磁気記録用媒体は従来の面
内磁気記録媒体とは異り、膜面垂直力向に高い垂１ｈ磁
気異方性を有する媒体を用いなければいけないという磁
気特性上の制約がある。ここで高い飽和磁化（Ｍｓ ）
が可能なコバルト系合金薄膜を用いて膜面垂直力向に異
方性全付与するためには、最密六方相（ｈｃｐ相）から
なる膜を形成しかつ、結晶軸のＣ軸を基板型直方゛向に
配向させることが必要である。Δθ６ｏ（（ｏ ０２
）面に対するＸｉロッキングカーブの半値巾）が約１０
度以下であるＣ軸配向性であれば膜即垂ＩＹ１方向に高
い結晶磁気異方性を何株することができる。
一方、垂直磁気記録媒体を片側からアクセスすることが
可能なリングヘッドを用いて記録再生を行う場合、高記
録密度化を図るには、磁性媒体をできる限り薄層化しか
つ、高保磁力化する必要がある。（椎木等、第６回日本
応用磁気学会学術講演概要集、１９８２．Ｐ、２００）
さらに、湯層化はＳＮＮ内向１７１ｉ：ね書き特性向上
にも寄与するため、リングヘッドを用いて記録再生を行
う場合、媒体には垂直磁気異方性を付与するだけでなく
、同時に薄層化も行なわなけ唱２ばいけない。
可能なリングヘッドを用いて記録再生を行う場合、高記
録密度化を図るには、磁性媒体をできる限り薄層化しか
つ、高保磁力化する必要がある。（椎木等、第６回日本
応用磁気学会学術講演概要集、１９８２．Ｐ、２００）
さらに、湯層化はＳＮＮ内向１７１ｉ：ね書き特性向上
にも寄与するため、リングヘッドを用いて記録再生を行
う場合、媒体には垂直磁気異方性を付与するだけでなく
、同時に薄層化も行なわなけ唱２ばいけない。
ここで上記観点に基づき従来知られている磁気記録媒体
について検討すると、従来のものはいずれも薄膜化に限
界がある。
について検討すると、従来のものはいずれも薄膜化に限
界がある。
例えば、従来知られている垂直記録媒体としてはコバル
ト−クロム合金膜（特開昭５２−１３４７０６および！
特開昭５，４−５１８０４）、およびコバルト−ルテニ
ウム介金膜、コバルト−レニウム合金膜。コバルト−オ
スミウム合金膜（特願Ｎ３５６ ６３２１５ ）などが
ある。これらの膜ではＣｒ 、 ＩＬｕ 等をＣｏへ
添加し、飽和磁化を減少させることによシ合金膜の静磁
エネルギー全低下させ、かつ六方最密構造の結晶軸であ
るＣ ４１ｂを基板垂直方向に配向させ、垂直磁気異方
性全可能にしている。これらＣｏ −Ｃｒ膜等従来研究
されている膜は、膜面垂直方向に高い垂直磁気異方性を
付与するためには、膜厚全厚ぐする必要があり、良好な
磁気特性を示す膜を得るには、薄層化に限界があった。
ト−クロム合金膜（特開昭５２−１３４７０６および！
特開昭５，４−５１８０４）、およびコバルト−ルテニ
ウム介金膜、コバルト−レニウム合金膜。コバルト−オ
スミウム合金膜（特願Ｎ３５６ ６３２１５ ）などが
ある。これらの膜ではＣｒ 、 ＩＬｕ 等をＣｏへ
添加し、飽和磁化を減少させることによシ合金膜の静磁
エネルギー全低下させ、かつ六方最密構造の結晶軸であ
るＣ ４１ｂを基板垂直方向に配向させ、垂直磁気異方
性全可能にしている。これらＣｏ −Ｃｒ膜等従来研究
されている膜は、膜面垂直方向に高い垂直磁気異方性を
付与するためには、膜厚全厚ぐする必要があり、良好な
磁気特性を示す膜を得るには、薄層化に限界があった。
因に、Ｃｏ−Ｃｒ膜の場合、膜厚が約０．３μｍ以下に
なるとΔθｓｏ 、 Ｈｃ４（膜面垂直方向に測定した
保磁力）、ＨＫ（異方性磁界′）が急激に劣化してｉ（
ｃ； ｉＩ￥磁気異方性が低下し、ｍ１内方向が磁化答
易方向となる。
なるとΔθｓｏ 、 Ｈｃ４（膜面垂直方向に測定した
保磁力）、ＨＫ（異方性磁界′）が急激に劣化してｉ（
ｃ； ｉＩ￥磁気異方性が低下し、ｍ１内方向が磁化答
易方向となる。
又Ｃｏ −Ｒ，ｕ膜Ｃｏ −Ｒｅ膜、Ｃｏ−０ｓ膜の場
合、ｌｅ ｉｒ目１Ｂ気異方性の膜厚依存性はＣｏ−Ｃ
ｒ膜よりも顕著で、膜厚が’；ｌｌｔｍ以下ではＣ軸配
向性が悪く、膜面垂直方向（で旨い磁気異方性紮ｆ＝Ｊ
与することができない。
合、ｌｅ ｉｒ目１Ｂ気異方性の膜厚依存性はＣｏ−Ｃ
ｒ膜よりも顕著で、膜厚が’；ｌｌｔｍ以下ではＣ軸配
向性が悪く、膜面垂直方向（で旨い磁気異方性紮ｆ＝Ｊ
与することができない。
従って、従来の垂直磁気記録用合金膜では、リングヘッ
ド金柑いた場合、高記録密度化に必要な薄層化ができな
い欠点を有していた。
ド金柑いた場合、高記録密度化に必要な薄層化ができな
い欠点を有していた。
本発明は非磁性Ｃｏ合金股上に強磁性０合金膜を形成す
ることによシ従来不可能であった磁件層の薄層化、かつ
高垂直磁気異方性全可能にしたものであって、その特徴
は基板上にコバルト合金薄膜全積層し７てなる磁気記録
媒体において、該コバ＃ ） 合金ｆｌｌｕｉ’ｊ：コ
バル）Ｋクロム、ルテニウム、レニウム、オスミウムの
うち一種以上全添加した合金系であり、かつＣ軸が基板
面に対して垂直方向に配向した六方最密構造を有する強
磁性助膜である一力、該コバルト合金薄膜と基板との間
に下地層が形成され該下地層は非磁性れｑ膜であること
全貧徴七する。
ることによシ従来不可能であった磁件層の薄層化、かつ
高垂直磁気異方性全可能にしたものであって、その特徴
は基板上にコバルト合金薄膜全積層し７てなる磁気記録
媒体において、該コバ＃ ） 合金ｆｌｌｕｉ’ｊ：コ
バル）Ｋクロム、ルテニウム、レニウム、オスミウムの
うち一種以上全添加した合金系であり、かつＣ軸が基板
面に対して垂直方向に配向した六方最密構造を有する強
磁性助膜である一力、該コバルト合金薄膜と基板との間
に下地層が形成され該下地層は非磁性れｑ膜であること
全貧徴七する。
以下に本発明全実施例に基づいて詳細に説明する。
従来Ｃｏ −Ｃｒ膜等を形成させるための基板としては
、ガラス板表層をアルマイト化したＡｔ板、カプトン膜
等が使用されているが、これらの基板上に直接合金膜を
形成させると、上述したように、高い垂直磁気異方性膜
を得るためには、膜厚を厚くシｊ・ければいけなかった
。ところが、本発明者等は６にＣｒ、 ｌ（ｕ 、 ＆
、 Ｏｓの元素のうち一種以上の元素を添加した合金
系からなシ、かつその添加元素の濃度全調整し、強磁性
を示さない非磁性下地層を形成し、この下地層上にＣＯ
釦Ｃｒ 、而、 Ｒｅ 、 Ｏｓの元素のうち一種以上
の元素全添加したＣｏ合金膜を形成する場合、従来の作
製法では不可能であった、高い垂直磁気異方性ｋ １１
持しつつ薄層化が可能であることを見い出した。
、ガラス板表層をアルマイト化したＡｔ板、カプトン膜
等が使用されているが、これらの基板上に直接合金膜を
形成させると、上述したように、高い垂直磁気異方性膜
を得るためには、膜厚を厚くシｊ・ければいけなかった
。ところが、本発明者等は６にＣｒ、 ｌ（ｕ 、 ＆
、 Ｏｓの元素のうち一種以上の元素を添加した合金
系からなシ、かつその添加元素の濃度全調整し、強磁性
を示さない非磁性下地層を形成し、この下地層上にＣＯ
釦Ｃｒ 、而、 Ｒｅ 、 Ｏｓの元素のうち一種以上
の元素全添加したＣｏ合金膜を形成する場合、従来の作
製法では不可能であった、高い垂直磁気異方性ｋ １１
持しつつ薄層化が可能であることを見い出した。
以上のように本発明は、下地層に非磁性層を設ける点に
基本的な着想がある。下地層が非磁性コバｋ・ト合金出
膜である鳩合金例に本発明をｈ♀明すると、まずこの下
地層の添加元素濃度は合金薄膜が非磁性になるように調
整する。この濃度全決定するに際し、バルク合金で定め
られる濃度全合金薄膜にその１−！！：適用することは
できない。例えば、Ｃｏ −Ｃｒ合金系の場合、バルク
合金ではＣｒ２４ａｔ％のＣｒ濃度で強磁性を示さなく
な７−、 （Ｂｏｚｏｒｔｈ 、 Ｆｅｒｒｏｍａｇｎ
ｅｔｉｓｍ ２８８（１９６４））。
基本的な着想がある。下地層が非磁性コバｋ・ト合金出
膜である鳩合金例に本発明をｈ♀明すると、まずこの下
地層の添加元素濃度は合金薄膜が非磁性になるように調
整する。この濃度全決定するに際し、バルク合金で定め
られる濃度全合金薄膜にその１−！！：適用することは
できない。例えば、Ｃｏ −Ｃｒ合金系の場合、バルク
合金ではＣｒ２４ａｔ％のＣｒ濃度で強磁性を示さなく
な７−、 （Ｂｏｚｏｒｔｈ 、 Ｆｅｒｒｏｍａｇｎ
ｅｔｉｓｍ ２８８（１９６４））。
しか１７、スパッタ法、真空蒸着法などの、一般によぐ
用いられる膜形成法を用いた場合、Ｃｒ ２４ａｔ％、
Ｌ−Ｊｉ−でも強磁性４示す。これは通常の膜形成法で
は、均一なＣｏ −Ｃｒ 膜を作製することはできず、
Ｃｒが偏析されるため（廣野等、第６回日本応用磁気学
会学術講演概要集３２ ） 、 Ｃｒの−Ｘ１／均組成
が２４ ａｔ％以上でも、合金膜は強磁性４示す。し７
かも、Ｃｒの偏析状態は膜作製条件に強く依存するため
、この添加元素濃度は実験的に求める必要がある。
用いられる膜形成法を用いた場合、Ｃｒ ２４ａｔ％、
Ｌ−Ｊｉ−でも強磁性４示す。これは通常の膜形成法で
は、均一なＣｏ −Ｃｒ 膜を作製することはできず、
Ｃｒが偏析されるため（廣野等、第６回日本応用磁気学
会学術講演概要集３２ ） 、 Ｃｒの−Ｘ１／均組成
が２４ ａｔ％以上でも、合金膜は強磁性４示す。し７
かも、Ｃｒの偏析状態は膜作製条件に強く依存するため
、この添加元素濃度は実験的に求める必要がある。
磁性層に用いるＣｏ合金の添加元素濃度は、所望の飽和
磁化に１１応する濃度を選べばよく、５〜２５チ程度が
適当である。
磁化に１１応する濃度を選べばよく、５〜２５チ程度が
適当である。
Ｊツ下実楕例にもとづき戸１体的に説明する。
〔実 施 例 １ 〕
Ｒ１”スパッタ法により膜全作製しに０使用したＸ板は
２０ Ｘ ２０ Ｘ Ｏ，５覇のガラス板である。Ｆ地
層形成用ターゲットとしては％ ＣＯＯ、＠Ｃｒｏ、＜
とＣｏｏ、６ Ｒｔ＋（、，２５Ｃｒ。、 、５の二種
のターゲットを用いた。磁性膜形成用ターゲットとして
はＣｏｏ、、、 Ｃｒｏ、２．のターゲラトラ用いた。
２０ Ｘ ２０ Ｘ Ｏ，５覇のガラス板である。Ｆ地
層形成用ターゲットとしては％ ＣＯＯ、＠Ｃｒｏ、＜
とＣｏｏ、６ Ｒｔ＋（、，２５Ｃｒ。、 、５の二種
のターゲットを用いた。磁性膜形成用ターゲットとして
はＣｏｏ、、、 Ｃｒｏ、２．のターゲラトラ用いた。
スハック開始前に真空チャンバー全ｊ〜５ Ｘ １０Ｔ
ｏｒｒ に抽気しξ後スパッタを行った。スパッタ条
件は、Ａｒ圧２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、堆積速度２
００Ｘ／分、ターゲットと基板間距１１ｆｆｌｌ ４
ｃａｒ基板Ｕ度は２００℃である。下地層形成後、下地
層が大気にふれずにひき続き磁性厚形威できるように、
チャンバー内に二種のターゲットを設置でき、基板ボル
ダ−が回転可能なスパッタ装買を用いｆ−０基板を３組
設置し５基板ボルダ−を回転させることにより、磁性層
のみの膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜）、非磁性の上に磁性層を成長
させた二層膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜／Ｃｏ−Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜／ Ｃｏ−１１ｕ −Ｃｒ 膜）、非磁性層のみの
膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｒｕ−Ｃｒ膜）の３種類の膜
全ナヤンバーを大気に晒さず、真空中で連続的に作製し
た。非磁性層の膜厚全０．５μｍと一定にし、磁性層の
膜厚を変化させた場合の垂直ｂ″〈方性定数Ｋｘの変化
全第１図および第２図に示す。第１図は非磁性層にＣｏ
−Ｃｒ膜を用いた例であり、第２ヅ１は非磁性層にＣｏ
−Ｔ拍−Ｃｒ膜孕用いた場合である。第１図、第２図と
も丸印〃よ二層膜（非磁性層上に磁性層全形成し／ζ、
膜）であｐ５角印はガラス基板」二に直接磁性層全形成
した膜を示す。下地層のみの膜はすべて強磁性を示さな
かった。
ｏｒｒ に抽気しξ後スパッタを行った。スパッタ条
件は、Ａｒ圧２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、堆積速度２
００Ｘ／分、ターゲットと基板間距１１ｆｆｌｌ ４
ｃａｒ基板Ｕ度は２００℃である。下地層形成後、下地
層が大気にふれずにひき続き磁性厚形威できるように、
チャンバー内に二種のターゲットを設置でき、基板ボル
ダ−が回転可能なスパッタ装買を用いｆ−０基板を３組
設置し５基板ボルダ−を回転させることにより、磁性層
のみの膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜）、非磁性の上に磁性層を成長
させた二層膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜／Ｃｏ−Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜／ Ｃｏ−１１ｕ −Ｃｒ 膜）、非磁性層のみの
膜（Ｃｏ−Ｃｒ膜、Ｃｏ−Ｒｕ−Ｃｒ膜）の３種類の膜
全ナヤンバーを大気に晒さず、真空中で連続的に作製し
た。非磁性層の膜厚全０．５μｍと一定にし、磁性層の
膜厚を変化させた場合の垂直ｂ″〈方性定数Ｋｘの変化
全第１図および第２図に示す。第１図は非磁性層にＣｏ
−Ｃｒ膜を用いた例であり、第２ヅ１は非磁性層にＣｏ
−Ｔ拍−Ｃｒ膜孕用いた場合である。第１図、第２図と
も丸印〃よ二層膜（非磁性層上に磁性層全形成し／ζ、
膜）であｐ５角印はガラス基板」二に直接磁性層全形成
した膜を示す。下地層のみの膜はすべて強磁性を示さな
かった。
第１図、第２図ともに二層膜、弔層膜を比較し７た鳩舎
、単層膜では膜厚が減少するとともにに上も減少し、膜
厚が０．２μｍ以上になると■（上は著しく減少する。
、単層膜では膜厚が減少するとともにに上も減少し、膜
厚が０．２μｍ以上になると■（上は著しく減少する。
一方、二層膜では膜、１ｉｊ７が減少してもＫ」−は単
層膜全作製せず、０、０４１１７７２においても１．４
Ｘ １０ ｅｒｇ ／ｃｃと高い乗置磁気ｂ″（方性
ケ示した。
層膜全作製せず、０、０４１１７７２においても１．４
Ｘ １０ ｅｒｇ ／ｃｃと高い乗置磁気ｂ″（方性
ケ示した。
次に第３図に磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ膜）の厚さ全０、０６
ｐ ｍに一定にし非磁性層（Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃｒ膜
）の厚さ？変化させ７ｂ時の磁性層の垂直磁気異方性定
数を示す。非磁性層の膜厚が０゜０３７１ ｎｔでも磁
性層の垂ｉ７７ ａａ気気力方性減少を示さない。この
実験事実より本手法が薄層化かつ高東直磁気異方性化に
著しい効果を示すことが分る。
ｐ ｍに一定にし非磁性層（Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃｒ膜
）の厚さ？変化させ７ｂ時の磁性層の垂直磁気異方性定
数を示す。非磁性層の膜厚が０゜０３７１ ｎｔでも磁
性層の垂ｉ７７ ａａ気気力方性減少を示さない。この
実験事実より本手法が薄層化かつ高東直磁気異方性化に
著しい効果を示すことが分る。
〔実 施 例 ２ 〕
表１．２で示されるターゲラトラ用い、二層膜と単層膜
全作製した。
全作製した。
表１非磁性層ターゲット組成 表２磁性層ターゲット組
成（−Ｇｏ、ａ Ｃｒ（１４ＣＯｏ、７８ ｅｒｏ、
２２Ｃｏｏ、ｓ Ｒｕ（、，４Ｃ０ｏｙ７ｓ Ｒｕ０
．ｔｓＣＯｏ、ｅ ＲｅＯ，４ＣＯｏ、７５ １ｂｏ、
ｚｓＣＯｏ、ａＯｓＱ、４（づＯｏ、’７ｓＯｓｏ、２
ｓ使用したスパッタ装置、膜作製条件は実施例１と同じ
である。非磁性層のｆｌ！厚０．５μｍ磁性層の膜厚を
０．０５μｍとした。表１のターゲットを用いて作製し
た２！ｉと単層膜の垂直磁気異方性定数を表３に示す。
成（−Ｇｏ、ａ Ｃｒ（１４ＣＯｏ、７８ ｅｒｏ、
２２Ｃｏｏ、ｓ Ｒｕ（、，４Ｃ０ｏｙ７ｓ Ｒｕ０
．ｔｓＣＯｏ、ｅ ＲｅＯ，４ＣＯｏ、７５ １ｂｏ、
ｚｓＣＯｏ、ａＯｓＱ、４（づＯｏ、’７ｓＯｓｏ、２
ｓ使用したスパッタ装置、膜作製条件は実施例１と同じ
である。非磁性層のｆｌ！厚０．５μｍ磁性層の膜厚を
０．０５μｍとした。表１のターゲットを用いて作製し
た２！ｉと単層膜の垂直磁気異方性定数を表３に示す。
表３から分る様に、実施例１とは異る合金系においても
二層膜のＫｌは単Ｎ説のに、ｒ−よりも大きく、非磁性
Ｃｏ合金上に磁性層全般けることによシ垂直異方性全低
下させず、薄層化することができる。
二層膜のＫｌは単Ｎ説のに、ｒ−よりも大きく、非磁性
Ｃｏ合金上に磁性層全般けることによシ垂直異方性全低
下させず、薄層化することができる。
以上説明したように、本発明は非磁性Ｃｏ合金膜上に、
ＣＯ合金強磁性膜を形成することにより、高垂直磁気異
方性を維持しつつ、従来の膜形成法では不可能であった
薄層化を可能としたものであり、これＫよシ高保磁力金
有し、高記録密度化を可能にする媒体を作製することが
できる。
ＣＯ合金強磁性膜を形成することにより、高垂直磁気異
方性を維持しつつ、従来の膜形成法では不可能であった
薄層化を可能としたものであり、これＫよシ高保磁力金
有し、高記録密度化を可能にする媒体を作製することが
できる。
第１図ないし第３図は本発明に関するコバルト合金薄膜
の垂直磁気異方性定数に土の変化を示すグラフであり、
第１図はＣｏ−Ｃｒ単層膜とＣＪ−Ｃ「非磁性層上に形
成したＣｏ−Ｃｒ二層膜におけるＫ 、＋の膜厚依存性
を示すグラフ、第２図はＣｏ −Ｃｒ単単１模膜Ｃｏ−
Ｒｕ−Ｃｒ非磁性層上に形成したＣ０−Ｃｒ二層膜にお
けるに、Ｌの膜厚依存性を示すグラフ、第３図はＣｏ−
Ｉ（ｕ−Ｃｒ非磁性層上に形成した（、：ｏ−Ｃｒ膜に
おけるに上の非磁性層厚み依存性金示すグラフである。 沁１図 膜厚（１，１ｍｌ 沁２図 ↓ 膜厚（μｍ） 氾３図 非磁性層の膜厚
の垂直磁気異方性定数に土の変化を示すグラフであり、
第１図はＣｏ−Ｃｒ単層膜とＣＪ−Ｃ「非磁性層上に形
成したＣｏ−Ｃｒ二層膜におけるＫ 、＋の膜厚依存性
を示すグラフ、第２図はＣｏ −Ｃｒ単単１模膜Ｃｏ−
Ｒｕ−Ｃｒ非磁性層上に形成したＣ０−Ｃｒ二層膜にお
けるに、Ｌの膜厚依存性を示すグラフ、第３図はＣｏ−
Ｉ（ｕ−Ｃｒ非磁性層上に形成した（、：ｏ−Ｃｒ膜に
おけるに上の非磁性層厚み依存性金示すグラフである。 沁１図 膜厚（１，１ｍｌ 沁２図 ↓ 膜厚（μｍ） 氾３図 非磁性層の膜厚
Claims (2)
- （１）基板上にコバルト合金薄膜を積層してなる磁気配
録媒体において、該コバルト合金薄膜はコバルトにクロ
ム、ルテニウム、レニウム。 オスミウムのうち一種以上を添加した合金系であり、か
つＣ軸が基板面に７・１して垂直方向に配向した六方最
密＋１ケ造を有する強磁性薄膜である一方、該コバルト
台金薄膜と基板との間に下地層が形成され、該下地層は
非磁性薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）特ｉｌｆ′Ｉ′請求のａ（１）囲第Ｊ項においで
、下地層の非磁性コバルト合金薄膜は、コバルトにクロ
ム、ルテニウム、レニウム、オスミウムのうち一種以上
ｆｆＯ添加１−７た合金系であることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027802A JPS59154635A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027802A JPS59154635A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154635A true JPS59154635A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12231103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027802A Pending JPS59154635A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626426A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP58027802A patent/JPS59154635A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626426A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
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